CIRCUITE INTEGRATE DIGITALE II (EA II)

ELECTRONICA DIGITALA (CAL I)

Prof.univ.dr.ing. Oniga Ștefan

 Memorii
• Stochează informații binare care reprezintă date sau instrucțiuni (program)
• Flip-flop –ul de tip D din componența registrelor permite stocarea unui singur bit
• Memoriile permit stocarea unor informații pe mai mulți biți
• Datele se memorează în diferite formate (pe unul sau mai mulți biți), de obicei
multiplu de 8
• 8 bit = byte; 2 byte = word; 32 bit = double-word, 64 bit=quad-word.
• Locul unde se stochează o unitate de date se numește adresă.
• De ex.
• Rândul 7 1 rândul 2, coloana 8
2
3 1
2
4 3
5 4
6 5
6
7 7
8 8
1 2 3 4 5 6 7 8
 Parametrii memoriilor
• Dimensiunea memoriei (N elemente, locații)
• Numărul de biți de adresă, este o funcție de N : log2(N)
• (Dacă avem n biți de adresă, memoria are N=2n locații )
• Lungimea cuvintelor memorate: w
• Modul de organizare a memoriei
• Viteza
• Ta: timpul de acces la memorie (access time): timpul necesar de la plasarea
adresei pe magistrala de adrese până la apariția datelor pe magistrala de date
• Tct: timpul între cicluri (cycle time): timpul minim între două accesări (în modul
burst)
Mag. Add. Memorie Mag. date

Cerere acces
 Organizarea memoriei
• Capacitatea de memorare = numărul de celule de memorie = număr locații
(cuvinte) x (bit/cuvânt)
• De obicei multiplu de 1K (=1024).
• Ex. de organizare a unei memorii de 64 biți:
– a.) 8 cuvinte de 8 biți
– b.) 16 cuvinte de 4 biți
– c) 64 cuvinte de 1 biți
1 1 1
2 2 2
3 3 3
4 4 4
5 5 5
6 6 6
7
8
1 2 3 4 5 6 7 8
14 62
15 63
16 64
1 2 3 4 1
a) 8x8 b) 16x4 c) 64x1
Tipuri de memorie
 Tipuri de memorie
• RAM (Random Access Memory) - memorii cu acces aleator, pot fi scrise și citite.
– La oprirea alimentării își pierd conținutul, se numesc memorii volatile.
– Magistrala de date este bidirecțională.
• ROM (Read Only Memory) – Memorii care pot fi numai citite
– La oprirea alimentării datele se păstrează, se numesc memorii nevolatile
– Există memorii ROM, care pot fi scrise o singură dată (OTP: One Time Programmable
devices), utilizate la serii mari după încheierea procesului de dezvoltare a produsului.
– Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) care pot fi numai citite de
către sistemul care le utilizează, ştergerea fiind posibilă numai cu ajutorul razelor UV, dar nu
este selectivă în raport cu informaţia înscrisă.
– EEPROM Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory) care pot fi atât citite cât
şi şterse în mod selectiv şi reprogramate pe cale electrică de către sistemul care le utilizează.
– Un tip special de memorii EEPROM o reprezintă memoriile FLASH, care din punct de vedere
tehnologic este din categoria memoriilor ROM, dar din punct de vedere a caracteristicilor
funcționale se încadrează mai degrabă în categoria memoriilor RAM.
 Adresare memoriilor

• Adresarea memoriei se face prin magistrala de adrese (Address bus) .

• Decodoare interne selectează datele pe baza adresei furnizate.
• Datele sunt vehiculate pe magistrala de date (data bus).
Read Write

• Comenzi: Row
address
• Read Enable (RE) și decoder

Write Enable (WE) Address bus Memory array Data bus

• Chip Select (CS) sau

Chip Enable (CE)
• Output Enable (OE)
Column address decoder
 Scrierea și citirea

SCRIEREA
1. Se pune adresa pe magistrala de adrese.
2. Datele care trebuie memorate se pun pe magistrala de date.
3. Cu activarea semnalului write datele sunt înscrise la locația dorită.

Address register Data register

1 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1

Address decoder Byte organized memory array

0 1 0 1 0 1 1 1 1
1 1 0 0 1 0 1 0 0 1
2 1 0 0 0 0 0 0 1
Address bus 3 1 1 1 1 1 1 0 0
4 0 0 0 0 0 1 1 0 2
5 1 0 0 0 1 1 0 1
6 1 1 1 1 1 1 1 1 Data bus
7 0 0 0 0 1 1 1 1
3

Write
 Scrierea și citirea

CITIREA
1. Se pune adresa pe magistrala de adrese.
2. Se activează semnalul Read.
3. Datele apar pe magistrala de date.

Address register Data register

0 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1

Address decoder Byte organized memory array

0 1 0 1 0 1 1 1 1
1 1 0 0 1 0 1 0 0 1
2 1 0 0 0 0 0 0 1 3
Address bus 3 1 1 0 0 0 0 0 1
4 0 0 0 0 0 1 1 0 Data bus
5 1 0 0 0 1 1 0 1
6 1 1 1 1 1 1 1 1
7 0 0 0 0 1 1 1 1
2

Read
 Memoriile RAM

• Permit accesul aleator la date în regim scriere și citire.

• Se pot realiza în două tehnologii:
- În memoriile RAM statice (SRAM) – elementele de memorare sunt bistabile.
- În memoriile RAM dinamice (DRAM) - elementele de memorare sunt
condensatoare.
Random-
Access
Memory
(RAM)

Static Dynamic
RAM RAM
(SRAM) (DRAM)

Synchronous Fast Page Extended Burst

Asynchronous SRAM with Mode Data Out EDO DRAM Synchronous
SRAM DRAM
burst feature DRAM DRAM (BEDO
(ASRAM) (SB SRAM) (FPM DRAM) (EDO DRAM) DRAM) (SDRAM)
 Tipuri de memorii

• DDR4 SDRAM – 2014

• DDR5 SDRAM – 2019-2020
Tipuri de memorii
Memóriák típusok
Tipuri de memorii
 Memoriile RAM statice (SRAM)
• La oprirea alimentării își pierd conținutul.
• Cât timp sunt alimentate își păstrează conținutul (nu trebuiesc reîmprospătate).
• Pot fi realizate în tehnologie bipolară, nMOS sau CMOS (6 tranzistoare).
• Au capacitate mai mică dar sunt mai rapide decât memoriile DRAM, (deoarece nu
trebuie reîmprospătate).
• Consum mare. Densitate de integrare de 4x mai mică.
Row Select 0

Row Select 1

Memory cell
Row Select 2

Row Selectn

Data Input/Output
Buffers and Control

Data I/O Data I/O Data I/O Data I/O

Bit 0 Bit 1 Bit 2 Bit 3
 Memorii statice RAM asincrone

128 k X 8 bits
Ciclul de citire (Read):
Memory array
• Se pune o adresă validă pe mag.
Address Row 256 rows x
de adrese lines decoder 128 columns x
• Chip select = LOW 8 bits
• Output enable = LOW
Eight
• Datele apar pe mag. de date input buffers
I/O0 Input
Ciclul de scriere (Write): data
Column I/O
• Se pune o adresă validă pe I/O7 control Column decoder
mag. de adrese
• Chip select = LOW Address lines
CS
• Write enable = LOW WE
G1

• Punem datele pe magistrala de OE

G2

date
Un SRAM tipic: 512 k X 8 bits.
 Memoriile RAM dinamice (DRAM)

• Se realizează de obicei în tehnologie CMOS.

• Chiar și în prezența alimentării trebuiesc reîmprospătate permanent
la 2-10 ms, deoarece în timp conținutul dispare.
• Consum mic
• capacitate mai mare decât la SRAM, dar mai lente (reîmprospătare!)
• Timpul de acces de două ori mai mare decât al ciclului R/W :
• 2*T(R/W Cycle) = T(Access Time).
• Construcție mai simplă (1 tranzistor + condensator), față de SRAM.
Densitate de integrare de 4x mai mare.

• Utilizări: memorii sisteme de calcul (DDR-, DDR-II, DDR3-SDRAM)

 Memoriile RAM dinamice (DRAM)

Refresh
control
and
timing
Refresh counter

În cazul memoriilor de capacitate mare

cum ar fi de ex. „1M x 1” bit adresele 1
2

(20 biți) se împart în adrese linii și de Memory array

coloane (multiplexate în timp) A0/A1 0
A1/A11
A2/A1 2
Data
selector
Row
decoder 1024 rows ´
A3/A1 3 Row 1024 columns
-Row address Address
lines
A4/A1 4
A5/A1 5
A6/A1 6
address
A7/A1 7 latch
-Column address A8/A1 8
A9/A1 9 1024
1 2
Astfel se obține a arhitectură 2D
1024
1
2

Input/Output buffers
Column Column and
address decoder Sense amplifier
latch DOUT
Addresses DIN

RAS 1024

CAS
CAS RAS R/W E

Row address is Column address

latched when is latched when
RAS is LOW CAS is LOW
 Împrospătarea memoriilor DRAM

• Trebuiesc reîmprospătate la 2-10 ms, deoarece informația se

stochează pe un condensator pe care tensiunea scade exponențial
în timp.
• La reîmprospătare se dă un singur semnal CAS (adresă coloană),
urmată de toate adresele de linie pe durata RAS.
 Diagramele de timp ale memoriei RAM
dinamice asincrone

•Ciclu de citire Ciclu de scriere

• Adrese: selecție linie, coloana (RAS-CAS).

• Adresa liniei (Row), urmată de adresa coloanei (Col) apar pe magistrala de adrese.
• Memoria devine disponibilă (setup time).
• În funcție de timpul de acces al memoriei (Tacc) după scurt timp datele devin valide (Valid).
• RAS este eliberat (T REL) ieșirea revine în starea tri-state.
 ROM (Read Only Memory)

• Datele memorate pot fi doar citite

• Scrierea datelor se poate face doar cu ajutorul unui programator
Read-Only
Memory
(ROM)

Electrically
Mask Programmable Erasable Ultraviolet Erasable
ROM ROM PROM EPROM PROM
(PROM) (EPROM) (UV EPROM) (EEPROM)

• Programarea poate avea loc

• La producător prin mască (Mask ROM), la producător în timpul procesului de
fabricație,
• La utilizator,
• o singură dată - PROM (Programabble Read Only Memory),
• de mai multe ori – EPROM (Erasable Programabble Read Only Memory),
ștergere cu raze UV
• EEPROM –ok (Electrical Erasable Programabble Read Only Memory) ștergere
pe cale electrică (în sistem).
 ROM (Read Only Memory)

• Triunghiul din dreptul unui terminal simbolizează un port de ieșire (tri-state)

• Citirea ROM:
• Se pune adresa pe magistrala de adrese
• După activarea CS la scurt timp (access time) datele apar pe ieșiri
Address ROM 256´4
input lines
A0 Data
0
outpu
Address transition A1 lines
Address A2
Valid address on input lines D
O0
input lines A3 0 D
A 255 O1
ta A4 D
O2
A5
Data Valid data on output lines
D
O3
outputs A6
Data output A7 7
transition
E0 &
Chip EN
select E1
 Programarea prin mască Mask ROM
• Tehnologie bipolară
- În primele etape ale procesului tehnologic -
se realizează matricea de memorie
lăsând întrerupte legăturile bazelor la
linia de cuvânt (l0, l1, l2, l3).
- Programarea - o etapă a procesului de
fabricaţie în care cu ajutorul unei măşti,
se realizează unele dintre legăturile
l0,..,l3.
- Cost ridicat, mai ales pentru serii mici
• Tehnologie unipolară
se face pe baza tabelului privind conţinutul
matricei de memorie, furnizat de utilizator
- În primele etape ale procesului de fabricaţie
se realizează toate tranzistoarele MOS, cu
excepţia depunerii stratului izolant al porții şi
a electrodului poartă.
- În etapa de programare, tranzistoarele
inactive se realizează cu o grosime mai
mare a stratului izolant al porţii, iar cele
active cu o grosime mai mică.
 Programarea de către utilizator
PROM, EPROM și EEPROM

• Memoriile bipolare
- PROM: ROM programabil, elementele de memorie pot fi
considerate pelicule subţiri de crom-nichel (f0, f1, f2, f3),
fuzibile, prin trecerea unui curent de programare Ip, intens
(zeci sau sute de mA) şi de scurtă durată (zeci de ms) prin
circuitul marcat cu linie întreruptă.
- Diodele d au rolul de a împiedica ramificarea curentului de
programare spre f2, f1 și f0. VPP EPROM
2048 ´ 8
• Memoriile unipolare A0 0

- Portă flotantă neconectată și plasată izolat. În procesul de

A1 D
O0
A2 D
O1
programare la utilizator, prin aplicarea impulsurilor de A3
A4
D
D
O2
O3
programare este realizată dezactivarea unor tranzistoare, în A5 0
A 2047
D
O4
conformitate cu programul ce urmează să fie înscris.
A6 D
O5
A7 D
O6
Ştergerea informației înscrise, se poate face prin iradierea A8 D
O7
A9
matricei de memorie cu radiaţii UV prin fereastra de cuarţ cu A10 10

care este prevăzută capsula. CE/PGM

&
EN
OE
 Memoriile Flash
Floating
• Memoriile Flash sunt memorii nevolatile gate
Control
Drain

care pot fi scrise și citite. gate

MOS
transistor
• Chiar și în absența alimentării pot stoca symbol

informația înscrisă. – –
– – Source –

• Utilizează ca element de memorare un – –

– –
–
– –
tranzistor MOS cu poartă flotantă (floating – –

gate). Poarta flotantă stochează un zero logic 0 is stored logic 1 is stored

logic daca punem tensiune pozitivă pe
poarta de control.
 Extinderea capacităţii memoriilor

• Extinderea capacităţii se poate obţine acţionând asupra numărului de cuvinte,

numărul biţilor pe cuvânt sau mixt.
• Modificarea numărul biţilor/cuvânt (extindere la ieşire),
• Numărul de biți de adresă este neschimbat , magistrala de date se mărește
RAM 2m ´ 2n
Address
bus m bits

RAM 1 RAM 2
m bits 2m ´ n m bits 2m ´ n

D D
Data Data
in/out n bits in/out n bits

Control
bus

2n bits

Data bus
 Extinderea capacităţii memoriilor

• Extinderea numărului de cuvinte

• Se realizează prin extindere de adresă
• Număr de biți/cuvânt neschimbat
RAM 2M ´ 8
Address RAM 1
20 bits
bus 1M ´ 8
21 bits EN
8 bits

Control
bus

8 bits Data
bus
RAM 2
20 bits 1M ´ 8

EN 8 bits
Extinderea capacităţii memoriilor