Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing.

Paşca Sever

Materiale semiconductoare
Prof. Dr. Ing. Sever Paşca
Catedra de Electronică Aplicată şi Ingineria Informaţiei
Facultatea Electronică, Telecomunicaţii şi Tehnologia Informaţiei
Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti

Materiale semiconductoare
2
Conţinutul cursului

 N ţi i ffundamentale
Noţiuni d t l d
despre structura
t t corpurilor
il solide
lid şii conducţia
d ţi
electrică în acestea

 Structura şi caracteristicile semiconductoarelor fără şi cu impurităţi

 Concentraţiile de purtători mobili de sarcină electrică în

semiconductoare şi participarea lor la conducţia în semiconductoare

 Structura şi funcţionarea unei joncţiuni semiconductoare

Materiale semiconductoare 1
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Corpuri solide

Sunt corpurile care la temperatura normală îşi păstrează forma şi

dimensiunile neschimbate.

Materiale semiconductoare
4
Corpuri solide

Structura corpurilor solide

 Atom = nucleu + electroni care gravitează pe diverse învelişuri
 Electronii de valenţă = electronii de pe ultimul înveliş ocupat
 Atom + energie = ion + electron liber (ionizarea atomului)
 Electronul liber poate participa la conducţia electrică
 Energia electronului e mai mare dacă el este mai îndepărtat de nucleu
 Electronul este mai strâns legat de nucleu când este mai aproape de el
 Energia potenţială a electronului în câmpul nucleului este negativă
 Cu cât electronul este mai aproape de nucleu, forţa de legătură este mai
mare, energia potenţială este mai mare în modul, dar fiind negativă este
mai mică (sistemul este mai stabil cu cât energia este mai mică)
 C
Corp solid
lid = structură
t t ă cristalină
i t li ă îîn care atomi
t i şii moleculele
l l l suntt
distribuite în nodurile unei reţele cristaline regulate
 Datorită interacţiunii dintre electroni dintr-o reţea cristalină, nivelele
energetice se scindează, astfel că practic electronii ocupă benzi
energetice şi nu nivele energetice singulare
 Banda de valenţă (BV) = ultima bandă ocupată de electroni
 Banda de conducţie (BC) = prima bandă neocupată de electroni
 Banda interzisă (BI) = banda dintre BV şi BC în care nu pot fi electroni

Materiale semiconductoare 2
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
5
Corpuri solide

Conducţia în corpurile solide

 Conducţia curentului electric într-un corp solid se datorează mişcării

ordonate, sub acţiunea unui câmp electric aplicat din exterior, a unor
purtători mobili de sarcină.

 Clasificarea corpurilor solide din punct de vedere al conducţiei electrice:

 Conductoare (metale) [ = 106 – 108 (m)-1 la temperatura
camerei]i]
 Izolatoare (dielectrici) [ < 10–9 (m)-1 la temperatura camerei]
 Semiconductoare [ = 10–9 – 105 (m)-1 la temperatura camerei]

Materiale semiconductoare
6
Corpuri solide
W
Banda de
Conductoare (metale) conducţie

 Banda de valenţă nu este ocupată complet Banda de

 Electronii de valenţăţ (eV)
( ) sunt slab legaţi
g ţ de valenţă
atomii reţelei cristaline (BC este lipită de BV)
 Agitaţia termică şi câmpul electric din exterior determină eV să urce pe
nivelele energetice superioare din BC, devenind liberi, deci pot participa
la conducţie devenind astfel electroni de conducţie (eC)
 eC se mişcă haotic în interiorul corpului solid sub forma unui “gaz
electronic” iar sub acţiunea unui câmp electric exterior, mişcarea haotică
capătă un caracter ordonat, dirijat, formând curentul de conducţie
 Legătura metalică (care asigură stabilitatea cristalului) este determinată
tocmai din punerea în comun a eV a tuturor atomilor dintr-un
dintr un cristal
cristal, care
nu mai aparţin unui singur atom ci întregului cristal
 La temperatura camerei există cca. 1028 electroni/m3, ceea ce determină
o rezistivitate mică respectiv o conductibilitate mare  = 106 – 108 (m)–1
 Atomul metalic care a contribuit cu un electron devine un ion pozitiv fix
în reţea care nu poate participa la conducţie
 Cristalul este neutru d.p.d.v. al sarcinilor electrice (numărul eC este egal
cu numărul ionilor ficşi în reţea)

Materiale semiconductoare 3
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
7
Corpuri solide
W
Banda de
Izolatoare (dielectrici) conducţie

Banda

W
 Banda de valenţă este complet ocupată interzisă
 Electronii de valenţă sunt puternic legaţi de Banda de
atomii reţelei cristaline (între BC şi BV există o valenţă
bandă interzisă cu W mare)
 Legătura ionică este puternică deoarece constă în forţe columbiene între
doi ioni de semn contrar, ioni care şi-au realizat configuraţii electronice
stabile (cu ultimul strat de electroni complet ocupat), unul prin cedare şi
celălalt prin captare de electroni
 La temperatura camerei,
camerei puţini electroni pot trece bariera de potenţial
W (puţine legături ionice se pot rupe), existând cca. 107 electroni/m3,
ceea ce duce la o rezistivitate mare respectiv conductivitate mică
 < 10–9 (m) –1

Semiconductoare

D.p.d.v. al conductibilităţii electrice, semiconductoarele constituie o

categorie intermediară între conductori (metale) şi izolatoare (dielectrici)
având conductivitate intermediară  = 10–9 – 105 ((m))-1, puternic
p
dependentă de diverşi factori (temperatură, impurităţi etc.).
Proprietăţile semiconductoare apar în cristale, corpuri solide ale căror atomi
sunt aranjaţi într-o reţea regulată, simetrică şi periodică.
Proprietăţi semiconductoare prezintă elementele tetravalente Ge şi Si,
precum şi unii compuşi intermetalici: GaAs, CdS, ZnO, CdSe, AlGaAs.

Materiale semiconductoare 4
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
9
Semiconductoare
W
Banda de
Semiconductoare fără impurităţi conducţie
Banda
eV nu sunt liberi ci participă la formarea unei

W
 interzisă
legături covalente între atomii din nodurile Banda de
reţelei
ţ l i cristaline
i t li valenţă

 Legătura covalentă constă în punerea în comun W = 0,7eV pentru Ge

1,1 eV pentru Si
de către doi atomi vecini a câte unui eV, cei doi
aparţinând în egală măsură ambilor atomi
 Legătura covalentă este intermediară, adică
electronii nu sunt nici aşa de legaţi de atomi ca + 32

la izolatoare, nici liberi ca la metale

 La elementele din grupa a IV-a, există 4 eV şi
reţeaua cristalină este tetraedrică, astfel încât Ge 32= 2+ 8+ 18+ 4

fiecare atom este situat la egală distanţă de alţi

4 atomi
+ 14
 Astfel, fiecare atom şi-a realizat o configuraţie
stabilă cu 8 electroni pe ultimul strat (4 proprii +
4 de la 4 atomi învecinaţi) Si 14= 2+ 8+ 4

Materiale semiconductoare
10
Semiconductoare

Semiconductoare fără impurităţi (cont.)

 O reprezentare schematică într-un model
bidimensional al unui cristal de semiconductor
este prezentat alăturat
alăturat.
 Dacă nu intervine o acţiune exterioară (radiaţii),
la temperaturi foarte coborâte, apropiate de
zero absolut, eV sunt ataşaţi atomilor, fără a se
putea deplasa prin reţeaua cristalină (deci nu
pot participa la conducţie). La temperaturi mai
mari, o parte a legăturilor covalente se rup
datorită agitaţiei termice.
 Ruperea unei legături covalente datorită agitaţiei termice se numeşte
generare de purtători mobili
mobili.
 Completarea unei legături covalente rupte cu un electron care se mişcă
liber prin reţea se numeşte recombinare de purtători.
 Agitaţia termică determină continuu ruperea şi completarea legăturilor
covalente. La fiecare temperatură se stabileşte un echilibru dinamic între
cele două fenomene contrarii (generarea şi recombinarea), rezultatul
fiind existenţa unui anumit număr de legături covalente rupte, număr
care este cu atât mai mare cu cât temperatura cristalului este mai mare.

Materiale semiconductoare 5
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
11
Semiconductoare

Semiconductoare fără impurităţi (cont.)

 Ruperea unei legături covalente determină:
 Apariţia unui electron liber (o sarcină electrică –q, care se deplasează
lib prin
liber i reţea,
ţ unde
d q = 1,61 6 10–19
19 C);
C)
 Apariţia unei legături covalente nesatisfăcute, care este echivalentă cu
o sarcină electrică +q dată de sarcina electrică pozitivă, necompensată,
a nucleului atomic; ea se deplasează în interiorul semiconductorului,
deoarece lipsa electronului din legătura covalentă se poate transfera de
la un atom la altul prin transferul în sens invers al unui electron din
banda de valenţă. Mişcarea complexă a electronilor legaţi în legăturile
covalente este echivalentă din punct de vedere macroscopic cu un gol,
având sarcina electrică +q, care se deplasează liber prin reţea.
 Generarea termică determină apariţia unei perechi electron
electron-gol,
gol iar
recombinarea determină dispariţia unei perechi electron-gol.
 Determinarea curentului electric necesită cunoaşterea numărului de
purtători mobili participanţi la conducţie. Specificarea acestui număr se face
prin intermediul concentraţiei de purtători mobili, reprezentând numărul
de purtători mobili de sarcină din unitatea de volum (n = număr
electroni/unitatea de volum, p = număr goluri/unitatea de volum).
 Pentru semiconductorul fără impurităţi, n = p. Semiconductorul este neutru
d.p.d.v. al sarcinilor electrice.

Materiale semiconductoare
12
Semiconductoare

Semiconductoare fără impurităţi (cont.)

Concluzii:
 Un semiconductor are două feluri de purtători mobili de sarcină: goluri
cu sarcina electrică +q şi electroni cu sarcina electrică –q; mişcările
golurilor şi electronilor sunt aleatoare şi independente una de cealaltă.
 Electronii respectiv golurile sunt nişte modele care descriu mişcarea
electronilor de conducţie respectiv a electronilor de valenţă în interiorul
unui semiconductor. Ambele participă la conducţie fiind mobile.
 Semiconductorul pur, fără impurităţi, se numeşte semiconductor
intrinsec deoarece proprietăţile sale sunt intrinseci materialului
materialului. La o
temperatură dată, semiconductorul se găseşte într-un echilibru dinamic.
În permanenţă în semiconductor se generează şi se recombină perechi
de purtători mobili. Numărul purtătorilor generaţi în unitatea de timp este
egal cu numărul purtătorilor care se recombină în unitatea de timp.
Numărul purtătorilor existenţi la un moment dat este dependent de
temperatura la care se află semiconductorul, fiind cu atât mai mare cu
cât temperatura este mai mare.

Materiale semiconductoare 6
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
13
Semiconductoare

Semiconductoare cu impurităţi donoare

 Prezenţa unei cantităţi infime de impurităţi
BC
modifică echilibrul între concentraţiile
golurilor şi electronilor (n  p).
p)
Wdonor
 Impurităţile donoare sunt constituite din BI
atomi pentavalenţi, ca de exemplu: Fosfor,
Arseniu, Bismut, Stibiu. Concentraţia
donorilor este notată cu Nd. BV
 Ionizarea atomului de impuritate are
următoarele efecte:
0K 300 K
 apariţia unui electron liber (nu apar
perechi electron-gol!);
 iţi uneii sarcini
apariţia i i electrice
l t i pozitive
iti
fixe (+q) dată de nucleul atomului de
impuritate ionizat.
 În semiconductoare cu impurităţi donoare,
concentraţia electronilor este mai mare
decât a golurilor (n > p). Semiconductorul
este de tip n. El este neutru deoarece
sarcina electronilor liberi este compensată
de sarcina pozitivă a ionilor ficşi în reţea.

Materiale semiconductoare
14
Semiconductoare

Semiconductoare cu impurităţi acceptoare

 Impurităţile acceptoare sunt formate din BC
atomi trivalenţi,ţ ca de exemplu:
p Bor,
Aluminiu, Galiu, Indiu. Concentraţia
acceptorilor este notată cu Na. BI
Wacceptori
 Ionizarea atomului de impuritate are
următoarele efecte: BV
 apariţia unui gol care se deplasează
liber prin reţea; 0K 300 K
 apariţia unei sarcini electrice negative
fixe ((–q)
q), datorată ionizării atomului de
impuritate.
 În semiconductoare cu impurităţi acceptoare,
concentraţia golurilor este mai mare decât a
electronilor (p > n). Semiconductorul este de
tip p. El este neutru deoarece sarcina
golurilor libere este compensată de sarcina
negativă a ionilor ficşi în reţea.

Materiale semiconductoare 7
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
15
Semiconductoare

Denumiri frecvent folosite

 semiconductor intrinsec – un semiconductor fără impurităţi;
 semiconductor extrinsec – un semiconductor cu impurităţi donoare
sau acceptoare;
 dopare – introducerea de impurităţi în semiconductor;
 semiconductor tip n – un semiconductor la care predomină impurităţile
donoare şi deci numărul de electroni este mai mare decât numărul de
goluri;
 semiconductor tip p – un semiconductor la care predomină impurităţile
acceptoare şi deci numărul de goluri este mai mare decât numărul de
electroni;
 purtători majoritari – purtătorii mobili, de acelaşi tip cu cei daţi de
impurităţile predominante;
 purtători minoritari – purtătorii mobili de tip opus cu cei daţi de
impurităţile predominante.

16

Concentraţii de purtători mobili

de sarcină în semiconductor

Pentru a exprima cantitativ curenţii într-un semiconductor, este necesar să

cunoaştem concentraţiile de purtători mobili – de goluri (p) şi de electroni
((n)) – într-un semiconductor a cărui impurificare
p ((concentraţiile
ţ atomilor
acceptori Na şi donori Nd) este cunoscută.

Materiale semiconductoare 8
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
17
Concentraţii de purtători mobili

Concentraţii de purtători mobili la echilibru termic

 Un semiconductor este la echilibru termic dacă nu este supus unor
influenţe perturbatoare externe (radiaţii ionizante, radiaţii luminoase,
injecţii de purtători mobili din exterior sau câmpuri electrice şi magnetice
perturbatoare).
 Densitatea de sarcină electrică pozitivă (totală = mobilă plus fixă):
q(p + Nd) = qp + qNd
 Densitatea de sarcină electrică negativă (totală = mobilă plus fixă):
q(n + Na) = qn + qNa
 Densitatea totală de sarcină va fi:
v = q(p + Nd – n – Na)
Concluzii:
 Într-un semiconductor omogen (dopat uniform) aflat la echilibru termic,
densitatea de sarcină electrică se anulează, respectiv avem v = 0.
 La echilibru putem scrie:
p – n = N a – Nd

Materiale semiconductoare
18
Concentraţii de purtători mobili

Concentraţii de purtători mobili la echilibru termic (cont.)

 În fizica statistică se demonstrează că produsul concentraţiilor de
purtători mobili la echilibru este independent de tipul şi numărul
impurităţilor introduse, respectiv avem
n0  p0  ni 2 T 
 Mărimea ni(T) se numeşte concentraţie intrinsecă şi este o constantă
în raport cu concentraţiile de impurităţi, dar depinde puternic de
temperatură.
 Concentraţiile de purtători mobili la echilibru se pot determina rezolvând
sistemul de ecuaţii
n0  p0 = ni2(T)

 p0  n0 = N a  N d
 Soluţiile pozitive ale ecuaţiei de gradul II care se formează sunt:
Na  Nd  N a  N d 2  4ni2  N a  N d   N d  N a 2  4ni2
p0  n0 
2 2

Materiale semiconductoare 9
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
19
Concentraţii de purtători mobili

Concentraţii de purtători mobili la echilibru termic (cont.)

 Particularizarea soluţiilor pentru cele două tipuri de semiconductoare:
 Pentru un semiconductor tip p cu Na > Nd, notând concentraţie
efectivă de impurităţi acceptoare cu NA = Na – Nd, cum uzual
avem NA > > ni rezultă: 2
n
p0  N A şi n0  i
NA
 Pentru un semiconductor tip n cu Nd > Na, notând concentraţie
efectivă de impurităţi donoare cu ND = Nd – Na, cum uzual avem
ND > > ni rezultă:
n2
n0  N D şi p0  i
ND
 Variaţia cu temperatura a concentraţiei intrinseci ni este descrisă
aproximativ de relaţia
ni2 T   ni2 T0   e a T T0 
a [1/K] ni(T0) [cm–3]
Ge 0,12 1013
 Valori orientative pentru ni(T0) şi a sunt date în tabel Si 0,18 1010

Materiale semiconductoare
20
Concentraţii de purtători mobili

Purtători în exces
 Se numesc purtători în exces purtătorii mobili care produc abateri ale
concentraţiilor de purtători mobili faţă de valorile de echilibru:
p' = p – p0 şi n' = n – n0 (cu p  p0 şi n  n0).
 Aceste concentraţii pot fi atât pozitive (creşteri), cât şi negative (scăderi).
Densitatea de sarcină este în acest caz
 v  q   p  N d  n  N a   q   p0  N d  n0  N a   q   p' n'   q   p' n' 
 Într-un semiconductor dopat uniform, densităţile de purtători în exces
(goluri şi electroni) sunt peste tot aproximativ egale: p – p0 = n – n0.
 În majoritatea cazurilor se consideră căcă, şi în afara echilibrului
echilibrului,
neutralitatea electrică se păstrează, respectiv putem scrie v  0.
Aceasta reprezintă o aproximaţie şi se numeşte condiţia de
cvasineutralitate electrică.
 Se numesc nivele mici de injecţie situaţiile în care concentraţia
purtătorilor minoritari nu depăşeşte 5 % din concentraţia purtătorilor
majoritari. În aceste condiţii cvasineutralitatea electrică este respectată.

Materiale semiconductoare 10
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
21
Concentraţii de purtători mobili

Variaţia temporală a purtătorilor în exces

 Dacă la un moment dat apare o abatere (exces sau lipsă) faţă de
valorile la echilibru, aceasta va dispare în timp, sistemul tinzând să
revină la echilibru (un exces favorizează recombinarea iar o lipsă
favorizează generarea). Variaţia în timp a purtătorilor în exces este
exponenţială: t

p
p t   p0   p0   p0  e
p(t)-p0
unde p0 este concentraţia la p(0)-p0
echilibru p(0) este concentraţia la
echilibru,
momentul t = 0, iar t = p este
durata medie de viaţă a unui gol
în exces (având semnificaţia p(0)-p0
______ t
__
e e-  p
duratei în care concentraţia în
exces a golurilor dispare – scade
p0
de e ori). 0 t

Materiale semiconductoare
22
Concentraţii de purtători mobili

Variaţia spaţială a purtătorilor în exces

 Dacă la unul din capetele unei bare de semiconductor apare un exces
de goluri (sau de electroni) faţă de valorile la echilibru, aceştia vor difuza
în interiorul semiconductorului, dar pe măsură ce ei difuzează, se şi
recombină, astfel încât concentraţia în exces a golurilor scade
exponenţial: x

p x   p0   p0   p0  e
Lp

p(x)-p0
unde p0 este concentraţia la p(0)-p0
echilibru p(0) este concentraţia la
echilibru,
capătul barei semiconductorului
x = 0, iar x = Lp este lungimea
medie de difuzie a golurilor p(0)-p0
______ x
__
(având semnificaţia lungimii pe e e- L
p

care difuzează golurile în exces

p(x)-p0
până la recombinare – când
0 Lp x
concentraţia lor scade de e ori).

Materiale semiconductoare 11
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

23

Curentul electric în semiconductor

 Purtătorii mobili de sarcini (golurile şi electronii) sunt într-o mişcare

continuă, aleatoare, în interiorul cristalului de semiconductor. Această
mişcare
ş se desfăşoară
ş sub forma unor deplasări
p p
printre atomii reţelei,
ţ ,
ciocnire cu aceştia, schimbarea direcţiei de mers etc. Vectorul viteză
este o mărime aleatoare şi este egal probabil în orice direcţie. Această
mişcare nu produce curent electric.
 Pentru apariţia unui curent electric, este necesar ca purtătorii mobili de
sarcină să se deplaseze preferenţial într-o anumită direcţie, astfel încât
să avem un transport de sarcină electrică într-un anumit sens.

Materiale semiconductoare
24
Curentul electric în semiconductor

Curentul electric de drift

 Apare datorită influenţei unui câmp electric intern.
 Apar vitezele de drift, viteze medii nenule date de interacţiunea
purtătorilor mobili de sarcină cu câmpul electric extern, viteze mult mai
mici decât vitezele datorate agitaţiei termice care au componente medii
nule.
 Având sarcini diferite dar şi deplasări pe direcţii diferite, golurile şi
electronii au curenţii de drift de acelaşi sens, sensul câmpului electric.
 Densitatea totală de curent de drift este
 
J drift=J p  J n  q  p p  n n  E
 S d
Se defineşte
fi t conductivitatea
d ti it t materialului
t i l l i semiconductor
i d t ca fiind
fii d
mărimea

σ  q  p μ p  n μn 
unde mărimile p şi n reprezintă constantele de proporţionalitate ale
vitezelor de drift cu câmpul electric şi se numesc mobilităţi. Unitatea de
măsură a mobilităţilor este [cm2/Vs].
 Curenţii de drift ai golurilor şi electronilor nu sunt egali la acelaşi câmp
electric.

Materiale semiconductoare 12
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
25
Curentul electric în semiconductor

Curentul electric de difuzie

 Apare dacă există un gradient de concentraţie al purtătorilor mobili de
sarcină electrică.
 Purtătorii de sarcină difuzează în materialul semiconductor, fiind liberi,
tinzând să restabilească echilibrul prin anularea diferenţei de
concentraţie între zonele diferite ale semiconductorului.
 Sensul deplasării purtătorilor mobili datorită variaţiei concentraţiei este
acelaşi pentru electroni şi goluri, deplasarea făcându-se din zonele cu
concentraţie mai mare către zonele cu concentraţie mai mică. Curenţii
de difuzie asociaţi sunt însă de semne contrare datorită sarcinilor
electrice opuse
p ale ggolurilor şşi electronilor.
 Expresiile curenţilor de difuzie ale golurilor şi electronilor sunt
dp x  dnx 
J p   q D p  J n  q Dn 
dx dx
unde constantele Dp şi Dn se numesc constante de difuzie şi au ca
unitate de măsură [cm2/s].
 Pentru acelaşi gradient de concentraţie, curenţii de difuzie a golurilor şi
electronilor nu sunt egali datorită constantelor de difuzie diferite Dp  Dn.

26

Joncţiunea pn

 Prin procedee speciale, în structura monocristalului de semiconductor

pot fi incluse selectiv în regiuni învecinate impurităţi acceptoare
respectiv
p donoare.
 Fenomenele care apar la aceste treceri între regiuni de conductivitate
diferită stau la baza funcţionării majorităţii dispozitivelor electronice
semiconductoare.

Materiale semiconductoare 13
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
27
Joncţiunea pn

Structura joncţiunii pn
 O distribuţie neuniformă de impurităţi
care produce o trecere abruptă de la un
material
t i l semiconductor
i d t d de titip p la
l un
material de tip n în volumul aceluiaşi
cristal de semiconductor determină
formarea unei joncţiuni pn.
 Se numeşte joncţiune metalurgică
suprafaţa de separaţie unde doparea
efectivă se schimbă de la atomi
acceptori la atomi donori.
 Vom folosi pentru explicaţii un model
bidi i
bidimensional. l
 Zona haşurată din jurul joncţiunii
metalurgice marchează regiunea de p p 0  n p 0 nn 0  pn 0
trecere. Există o porţiune p şi una n a
regiunii de trecere.
 Porţiunile p şi n rămase în afara regiunii
de trecere sunt regiuni neutre. Avem o
regiune neutră n şi o regiune neutră p.

Materiale semiconductoare
28
Joncţiunea pn

Procese fizice în joncţiune

 Difuzia purtătorilor majoritari şi
golirea de purtători mobili a regiunii de trecere
 Datorită gradientului de concentraţie, golurile difuzează din regiunea
p în n. Aici, ele devin purtători minoritari şi sunt anihilate în cea mai
mare parte prin recombinare cu electronii liberi.
 Acelaşi lucru se întâmplă şi cu electronii, purtători majoritari în n,
care difuzează şi se recombină în p.
 Într-o zonă foarte îngustă în jurul
joncţiunii metalurgice, apare o lipsă p n
de purtători mobili (care fie au difuzat, + + + - - -
- - -
fie s-au recombinat), concentraţia A + + + -
+
-
+
-
+
K
lor scăzând brusc faţă de zonele - - - + + +
+ + + - - -
neutre mai depărtate. - - - + + +
_ _ +
Această zonă formează E
regiunea de trecere a joncţiunii. ioni fixi în reţea
purtători mobili de sarcină

Materiale semiconductoare 14
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
29
Joncţiunea pn

Procese fizice în joncţiune (cont.)

 Formarea câmpului electric intern
 Reducerea masivă a numărului p purtătorilor mobili în regiunea g de
trecere a joncţiunii produce un dezechilibru de sarcini electrice.
Sarcina electrică a atomilor de impuritate ionizaţi, nu mai este
compensată de sarcina electrică a purtătorilor mobili.
 În regiunea de trecere p, sarcina electrică a atomilor acceptori
ionizaţi negativ nu mai este compensată de sarcina electrică pozitivă
a golurilor. Apare o sarcină negativă fixă în imediata apropiere a
joncţiunii metalurgice.
 Similar şi în regiunea n apare o
p
sarcină electrică po
pozitivă
iti ă fifixă.
ă n
+ + + - - -
 Cele două sarcini determină apariţia - - - + + +
A K
unui câmp electric intern îndreptat -
+
-
+
-
+ -
+
-
+
-
+
de la n la p aflat exclusiv în interiorul + + + - - -
- - - + + +
regiunii de trecere. Cu cât diferenţa _ _ +
concentraţiilor de impurităţi este mai E
mare cu atât câmpul electric intern ioni fixi în reţea
este mai intens. purtători mobili de sarcină

Materiale semiconductoare
30
Joncţiunea pn

Procese fizice în joncţiune (cont.)

 Interacţiunea dintre câmpul electric intern şi purtătorii mobili
 Câmpul electric intern
intern, îndreptat de la n la p,
p prin forţe electrostatice,
electrostatice
are tendinţa să împingă golurile – sarcini pozitive – spre regiunea p
(în sensul câmpului) şi electronii – sarcini negative – spre regiunea n
(în sens opus câmpului).
Aceasta are ca efect:
 Frânarea difuziei purtătorilor majoritari,
 Antrenarea (driftul) purtătorilor minoritari.
p n
+ + + - - -
- - - + + +
A + + + - - - K
- - - + + +
+ + + - - -
- - - + + +
_ _ +
E
ioni fixi în reţea
purtători mobili de sarcină

Materiale semiconductoare 15
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
31
Joncţiunea pn

Joncţiunea pn la echilibru
A K
 Când joncţiunea pn este la echilibru,
+
curentul total (drift plus difuzie) de goluri –
şi curentul total de electroni trebuie să +
fie zero. –

 Transportul de sarcină produs de difuzia

difuzie
purtătorilor majoritari va fi echilibrat de Majoritari
minoritari
+ goluri (p)
– electroni (n) drift
driftul purtătorilor minoritari.
 Zona în care se formează câmpul i pM  i pm
electric ((regiunea
g de trecere)) se extinde
inM  inm
atât cât este necesar pentru ca A K
egalitatea celor două componente să fie ipM
asigurată. inM
 Difuzia purtătorilor majoritari este ipm
frânată până la nivelul curentului produs inm
de antrenarea purtătorilor minoritari _
E
generaţi în interiorul regiunii de trecere.

Materiale semiconductoare
32
Joncţiunea pn

Variaţiile principalelor mărimi în joncţiune la echilibru

a) Concentraţia impurităţilor b) Densitatea de sarcină c) Concentraţiile de
purtători mobili d) Câmpul electric e) Potenţialul intern

Materiale semiconductoare 16
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
33
Joncţiunea pn

Joncţiunea pn polarizată direct

 La aplicarea unei tensiuni din exterior, câmpul electric produs de
aceasta se suprapune peste câmpul electric intern.
 Polarizare directă = aplicarea unei tensiuni exterioare cu plus la p şi
minus la n (+ la anod şi – la catod)
 Câmpul electric produs de tensiunea aplicată este de sens contrar
câmpului electric intern. Câmpul electric total se micşorează şi bariera
de potenţial scade.
 Difuzia purtătorilor majoritari este mai
puţin
p ţ frânată,, iar driftul purtătorilor
p + –

minoritari scade. A K

 Echilibrul de curenţi se strică şi prin ipM

joncţiune circulă un curent determinat inM
în principal de difuzia purtătorilor ipm
inm
majoritari. Datorită numărului mare
_
al acestora, curentul are valori E
semnificative – joncţiunea conduce.

Materiale semiconductoare
34
Joncţiunea pn

Joncţiunea pn polarizată invers

 Polarizare inversă = aplicarea unei tensiuni exterioare cu minus la p şi
plus la n (– la anod şi + la catod).
 Câmpul electric produs de tensiunea aplicată la borne este de acelaşi
sens cu câmpul electric intern. Câmpul electric total creşte şi bariera
(diferenţa) de potenţial creşte.
 Difuzia purtătorilor majoritari este practic blocată. Driftul purtătorilor
minoritari creşte, dar numărul mic al
acestora nu duce decât la apariţia
unui curent foarte mic prin joncţiune. – +
 Joncţiunea este practic blocată, A K
curentul prin joncţiune fiind neglijabil. ipM
 Zona din jurul joncţiunii metalurgice inM
în care apare sarcină electrică ipm
necompensată şi câmp electric inm
_
intern se mai numeşte regiune E
de sarcină spaţială.

Materiale semiconductoare 17
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
35
Joncţiunea pn

Concluzii:
 În vecinătatea joncţiunii metalurgice, pe o distanţă de ordinul micronilor,
apare o regiune de trecere caracterizată prin:
 Existenţa unei sarcini spaţiale dipolare imobile
 Lipsa purtătorilor mobili de sarcină
 Rezistivitate mult mai mare ca a regiunilor neutre
 Existenţa unui câmp electric intern intens
 Existenţa unei bariere de potenţial care
 se opune trecerii purtătorilor majoritari
 favorizează trecerea purtătorilor minoritari
 Prin polarizarea joncţiunii:
Directe Inverse
Regiunea de trecere Se îngustează Se lărgeşte
Rezistenţajoncţiunii Scade Creşte
Bariera de potenţial Se reduce Creşte

Materiale semiconductoare
36
Joncţiunea pn

Observaţii:
 Adeseori, concentraţiile de impurităţi din regiunile p şi n diferă foarte
mult ca valoare. O asemenea joncţiune nesimetrică se notează cu +
în dreptul regiunii mai puternic dopate (p+n dacă NA >> ND).
Într-o astfel de joncţiune:
 Regiunea de trecere se găseşte practic în întregime în regiunea
slab dopată şi lărgimea ei este practic determinată de concentraţiile
din această regiune;
 Curentul direct va fi predominant de purtătorii majoritari ai regiunii
puternic dopate
p p (g
(goluri la jjoncţiunea
ţ p+n).
)
 Dispozitivele semiconductoare la care curentul este condus de două
tipuri de purtători de sarcină se numesc dispozitive bipolare. Cele la
care curentul este dat de un singur purtător de sarcină se numesc
dispozitive unipolare.
 Condiţia de funcţionare a unei joncţiuni este ca trecerea de la o
conductibilitate la alta să se facă pe o distanţă foarte scurtă.

Materiale semiconductoare 18
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Materiale semiconductoare
37
Joncţiunea pn

Curentul prin joncţiunii pn

 Teoria din fizica solidului demonstrează următoare expresie a curentului
prin joncţiune (ecuaţia joncţiunii idealizate):
 qVD 
 
I D  I S   e kT  1
 
 
unde q este sarcina elementară, k constanta lui Boltzman, T este
temperatura absolută iar IS este curentul de saturaţie al joncţiunii.
Observaţii:
 Mărimea vT = kT/q = 26mV la T = 300K se numeşte tensiune termică.
 Dependenţa curent-tensiune este puternic neliniară datorită prezenţei
funcţiei exponenţiale.
 Sensul curentului ID şi al tensiunii VD pentru care este valabilă ecuaţia
este cel dat alăturat împreună cu simbolul diodei.
 Curentul de saturaţie IS este direct proporţional cu aria joncţiunii şi
concentraţiile de purtători minoritari.

Materiale semiconductoare
38
Joncţiunea pn

Caracteristica idealizată a joncţiunii pn

 Dependenţa ID(VD) dată sub forma grafică se numeşte caracteristica
idealizată a joncţiunii.
 În figura a) este reprezentată această caracteristică la curenţi direcţi
mici, de acelaşi ordin de mărime cu curentul de saturaţie IS.
Caracteristica b) este reprezentată la curenţi mult mai mari decât IS.
 Caracteristica diodei trece prin origine dar acest lucru este mai puţin
vizibil în graficul de la curenţi mari.
 Se observă de asemenea
că pentru a avea un curent
semnificativ prin diodă,
tensiunea la bornele diodei
trebuie să depăşească o
tensiune minimă numită
tensiune de deschidere
a diodei.

Materiale semiconductoare 19