Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing.

Paşca Sever

Dioda semiconductoare
Prof. Dr. Ing. Sever Paşca
Catedra de Electronică Aplicată şi Ingineria Informaţiei
Facultatea Electronică, Telecomunicaţii şi Tehnologia Informaţiei
Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti

Dioda semiconductoare
2
Conţinutul cursului
 Caracteristica idealizată a diodei şi abateri de la această caracteristică

 Influenţa temperaturii asupra parametrilor diodei

 Funcţionarea şi caracteristica diodei Zener

 Rezolvarea unor circuite de curent continuu cu diodă

 Aproximaţii ale caracteristicii diodei şi schemele echivalente

corespunzătoare

 Prezentarea altor tipuri de diode

 Simbolurile şi parametrii de catalog ai diodelor

 Câteva exemple de circuite fundamentale cu diodă

Dioda semiconductoare 1
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
3
Prezentarea diodei
 O joncţiune pn este în esenţă un monocristal de semiconductor în care
se află două zone dopate diferit, una de tip p şi una de tip n.

 Dioda este o joncţiune pn împreună cu ansamblul mecanic constituit din

terminalele care fac contact electric la cele două regiuni de
conductivitate diferită şi carcasa care asigură protecţia joncţiunii.

 Contactul la regiunea p se numeşte anod, iar cel la regiunea n se

numeşte catod.

 Există şi diode care au la bază un contact metal-semiconductor în loc de

o joncţiune pn (diodele Schotky).

Descrierea şi comportarea diodei în circuit

Dioda semiconductoare 2
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
5
Descrierea şi comportarea diodei în circuit

Descrierea diodei în circuit

 Sensurile pozitive ale tensiunii la borne vD şi
curentului prin diodă iD sunt alese prin convenţie
cele prezentate în figura alăturată împreună cu
simbolul utilizat pentru reprezentarea diodei în
circuitele electronice.
 Ecuaţia care descrie dioda în circuit este ecuaţia joncţiunii ideale:
 
I D  I S  e qVD kT  1
 unde:
 IS – se numeşte t curentt de
d saturaţie
t ţi all di diodei
d i şii are valori
l i cuprinse
i
între [10–8 ... 10–11] A pentru siliciu şi [10–5 ... 10–8] A pentru
germaniu;
 VT = kT/q – se numeşte tensiune termică şi are valoarea de 25 mV
la temperatura T = 300 K (aproximativ 27°C).
 Reprezentarea grafică a ecuaţiei diodei iD(vD) (ecuaţia joncţiunii ideale)
se numeşte caracteristica idealizată a diodei.

Dioda semiconductoare
6
Descrierea şi comportarea diodei în circuit

Descrierea diodei în circuit (cont.)

 Dependenţa inversă, tensiune-curent, este dată de ecuaţia
kT I 
VD   ln D  1
q  IS 
 În conducţie directă, când curentul prin diodă este mult mai mare decât
curentul de saturaţie, cele două ecuaţii se pot aproxima cu:
qV
D
kT I
I D  I S e kT VD  ln D
q IS
Observaţie:
 Aceste relaţii pun în evidenţă posibilitatea folosirii diodei ca element de
exponenţiere, respectiv logaritmare.

Dioda semiconductoare 3
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
7
Descrierea şi comportarea diodei în circuit

Caracteristica idealizată a diodei

 Se numeşte polarizare directă aplicarea unei tensiuni pozitive VD > 0,
((+ la anod şi – la catod) la bornele diodei.
 Se numeşte polarizare inversă aplicarea unei tensiuni VD < 0
(– la anod şi + la catod) la bornele diodei.
 Comportarea diodei în circuit:
 La polarizarea directă dioda conduce, valoarea curentului fiind în
general determinată de circuitul exterior. Dioda prezintă o cădere
mică de tensiune la borne şi se comportă
ca o rezistenţă de valoare mică.
mică
 La polarizare inversă, dioda este blocată
(nu conduce), curentul prin diodă fiind practic
nul (ID  0). Tensiune la bornele diodei este
determinată de circuitul exterior şi dioda se
comportă ca o rezistenţă de valoare mare.

Dioda semiconductoare
8
Descrierea şi comportarea diodei în circuit

Caracteristici reale ale diodelor cu Ge şi Si

 Străpungerea unei diode înseamnă apariţia unui curent invers prin
diodă mult mai mare decât curentul de saturaţie IS, atunci când este
polarizată invers.
 Caracteristicile au axele scalate corespunzător. ID
[mA]
Ge Si
Coeficientul m
1
1,3 … 1,6 Ge Si
în ecuaţia diodei idealizate (variaţii abrupte)

Tensiunea de deschidere 0,1 … 0,2 0,4 ..0,6

Căderea di
Căd directă
tă de
d tensiune
t i 02…0
0,2 0,3
3 06…0
0,6 0,7
7 [V]
[zeci V]
(la curenţi mari) (0,5 … 0,6) (0,8 … 1,2)
zeci de zeci de
VD
Curentul de saturaţie
nA ... A pA … nA
Gama temperaturilor
< 80 C < 125 C
de lucru
mici mari
Tensiuni de străpungere
zeci de V sute de V [A]

Dioda semiconductoare 4
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Rezolvarea circuitelor cu diode

Ca şi la circuitele electrice, rezolvarea unui circuit electronic înseamnă

determinarea tuturor mărimilor care descriu funcţionarea componentelor
pasive şşi active în circuit,, adică tensiunile la bornele componentelor
p p şşi
curenţii care le străbat.

Dioda semiconductoare
10
Rezolvarea circuitelor cu diode

Exemplu de circuit cu o diodă

 Ecuaţiile circuitului alăturat sunt:
 dreapta de sarcină:

E  R  I D  VD

 caracteristica diodei:
 
I D  I S  eVD VT  1

 Sistemul de ecuaţii
ţ este transcendent şiş nu are o soluţie
ţ exprimabilă
p sub
formă algebrică (prin formulă).
 Acest sistem de ecuaţii nu poate fi rezolvat decât grafic sau numeric.

Dioda semiconductoare 5
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
11
Rezolvarea circuitelor cu diode

Rezolvarea numerică a circuitelor cu diode

 Se transformă ecuaţiile astfel: Iteraţia Vd [V] Id [mA]
E  VD  ID  1 0 5
ID  l 
VD  VT  ln  1
 Algoritm:
R  IS  2 0,63559045 4,68220477
3 0,63389620 4,68305190
 Se ia iniţial VD = 0 (s-a considerat o diodă
4 0,63390086 4,68304957
cu Si) şi se calculează curentul prin diodă
5 0,63390085 4,68304957
din prima ecuaţie.
6 0,63390085 4,68304957
 Cu valoarea curentului obţinută la primul 7 0,63390085 4,68304957
pas se determină din a doua ecuaţie o 8 0,63390085 4,68304957
nouă valoare pentru tensiunea pe diodă VD. 9 0,63390085 4,68304957
Această valoare devine valoarea iniţială 10 0,63390085 4,68304957
pentru pasul anterior şi calculele se repetă.
 Convergenţa acestor iteraţii (stabilizarea valorilor tensiunii şi curentului
de la o iteraţie la alta) este foarte rapidă datorită funcţiei logaritmice.
 Această rezolvare este evident posibilă numai într-o situaţie numerică
bine determinată.

Dioda semiconductoare
12
Rezolvarea circuitelor cu diode

Rezolvarea grafică a circuitelor cu diode

 Soluţia sistemului (intersecţia dintre dreapta
de sarcină şi caracteristica diodei) se
numeşte punct static de funcţionare şi este
punctul de coordonate (VD0, ID0).
 Valoarea rezistenţei R reprezintă panta
dreptei de sarcină; modificarea lui R
înseamnă schimbarea acestei pante;
 Valoarea tensiunii E reprezintă punctul de
intersecţie
ţ al dreptei
p de sarcină cu axa Ox;;
modificarea valorii lui E înseamnă
translatarea dreptei paralel cu ea însăşi.
 Utilizarea metodei grafice pentru un caz
concret numeric nu este indicată. Această
rezolvare nu este precisă şi nici rentabilă din
punct de vedere al volumului de lucru.

Dioda semiconductoare 6
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
13
Rezolvarea circuitelor cu diode

Concluzii
 Rezolvarea grafică este relevantă în cazurile
 când nu se cunosc valori precise ale valorilor elementelor din
schemă
 când se urmăresc aspecte generale legate de modificarea unora din
parametrii circuitului.
 Rezolvarea numerică este rapidă şi precisă.

 Atenţie! – modificarea temperaturii cu numai patru grade duce la

d bl
dublarea curentului
t l idde saturaţie
t ţi şii schimbă
hi bă d
datele
t l calculului.
l l l i
 Pentru a urmări evoluţia tensiunii la borne şi a curentului prin diodă cu
variaţia temperaturii trebuiesc efectuate o mulţime de calcule destul de
laborioase.
 Evident utilizarea unui program specializat de simulare se impune.

14

Aproximaţii ale caracteristicii diodei la

variaţii lente în timp (în curent continuu)

Pentru aprecierea aproximativă şi rapidă a comportării circuitelor cu diode,

atunci când tensiunile sau valorile componentelor din circuit sau ambele se
schimbă,, s-au dezvoltat modele aproximative
p p
pentru caracteristica diodei.
Analiza unui circuit are două etape:
- analiza calitativă sau analiza funcţionării acestuia;
- analiza cantitativă sau analiza numerică a acestuia.
Această împărţire se face în scopul simplificării analizei numerice şi pentru
a obţine o imagine rapidă, globală, a ceea ce se întâmplă în circuit.

Dioda semiconductoare 7
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
15
Aproximaţii ale caracteristicii diodei la variaţii lente în timp (în curent continuu)

Dioda ideală
 Dioda ideală – este o diodă a cărei caracteristică
curent tensiune arată ca cea alăturată.
curent-tensiune
 Dioda ideală se comportă ca un comutator ideal
comandat de tensiunea la borne:
 pentru tensiuni negative dioda este un circuit
întrerupt;
 când tensiunea la borne are tendinţa să
devină pozitivă dioda devine un scurtcircuit,
zero
forţând tensiunea la borne la valoarea zero,
curentul fiind limitat doar de circuitul exterior.
 Curentul prin dioda ideală este
0 pentru v D  0
iD  
 nedefinit pentru vD  0

Dioda semiconductoare
16
Aproximaţii ale caracteristicii diodei la variaţii lente în timp (în curent continuu)

Dioda ideală cu cădere de tensiune

 Acest model pentru caracteristica diodei şi
circuitul echivalent corespunzător ţin cont de
căderea de tensiune la borne dar fac abstracţie
de variaţia tensiunii la borne atunci când se
modifică curentul prin diodă.
 Curentul prin diodă va fi dat de relaţia
0 pentru v D  0
iD  
nedefinit pentru v D  VD
 Această aproximaţie a caracteristicii diodei este
valabilă în general pentru o gamă de variaţie a
curentului prin diodă care să nu depăşească un
raport între valoarea maximă şi minimă de 10:1.
 Tensiunea la bornele diodei în conducţie
depinde de gama de curenţi în care se lucrează.

Dioda semiconductoare 8
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
17
Aproximaţii ale caracteristicii diodei la variaţii lente în timp (în curent continuu)

Dioda ideală cu caracteristică liniarizată

 Aceasta este o aproximare mai exactă a
caracteristicii diodei, în care se pune în evidenţă
variaţia tensiunii la borne cu curentul prin diodă,
printr-o relaţie simplă.
 În conducţie dioda este echivalentă cu o sursă
de tensiune VD şi o rezistenţă RD, a căror
semnificaţie se poate vedea din caracteristica
diodei.
 Aproximarea
p introdusă este acceptabilă
p dacă
gama de variaţie a curentului prin diodă nu
depăşeşte raportul [1:10 … 1:15].
 Circuitul echivalent este liniar, ceea ce simplifică
analiza.

Dioda semiconductoare
18
Aproximaţii ale caracteristicii diodei la variaţii lente în timp (în curent continuu)

Liniarizarea în jurul unui punct de funcţionare

 Pentru o diodă care lucrează numai în conducţie,
la variaţii mici şi lente de tensiune şi curent, în
jurul unui punct de funcţionare, caracteristica sa
se poate aproxima în intervalul respectiv cu
tangenta la curbă în punctul de funcţionare.
 Panta caracteristicii vD / iD = tg  = rD defineşte
rezistenţa dinamică a diodei.
 Din ecuaţia diodei în conducţie
v D  VT  ln iD I S 
avem
 di  V
dv D  VT   D   rD  T
 D 
i ID
 Dacă se ţine cont recombinarea în interiorul
regiunii de trecere, atunci
m VT
rD 
ID

Dioda semiconductoare 9
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
19
Aproximaţii ale caracteristicii diodei la variaţii lente în timp (în curent continuu)

Sinteza aproximărilor caracteristicii diodei

 (a) RON = 0, ROFF = , VD = 0;
 (b) RON = 0, ROFF = , VD = 0,7V;
 (c) RON > 0, ROFF = , VD = 0,7V;
 (d) RON > 0, ROFF < , VD = 0,7V.

Observaţie:
 Diodele sunt, din punct de
vedere energetic, elemente
pasive. Sursele de tensiune din
schemele echivalente (VD sau
VZ) nu generează energie, ele
fiind "încărcate" de surse de
tensiune din exterior, sensul
curentului corespunzând regulii
de la receptoare (şi nu surse).

20

Alte tipuri de diode

Dioda semiconductoare 10
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
21
Alte tipuri de diode

Dioda Zener
 Dioda Zener este o diodă care lucrează în mod
normal în străpungere (la polarizare inversă).
 În conducţie inversă, tensiunea la bornele diodei
Zener este aproximativ constantă (–VZ) numită şi
tensiune de străpungere a diodei sau tensiune
Zener.
 În conducţie directă, dioda Zener se comportă ca
o diodă obişnuită.
 Aproximarea caracteristicii diodei Zener
Zener, în
conducţie inversă, se face asemănător liniarizării
caracteristicii unei diode în conducţie directă.
 Datorită unei bune liniarităţi a caracteristicii
inverse, rezistenţa definită în grafic poate fi
asimilată cu rezistenţa dinamică RZ a diodei
pentru un interval cu IZmax / IZmin < [10 … 15].

Dioda semiconductoare
22
Alte tipuri de diode

Diodele tunel şi varicap

 Dioda tunel
Are în caracteristică o porţiune de rezistenţă
dinamică negativă care îl face util în realizarea
ID
oscilatoarelor de frecvenţă foarte înaltă.
IP
 Dioda varicap
(cu capacitate variabilă, varactor)
 Este o diodă polarizată invers cu o capacitate
care depinde de tensiunea inversă aplicată. IV
 Utilizare ca şi capacitate variabilă comandată în VD
tensiune în:
 acordul automat al circuitelor
 amplificatoare parametrice
 oscilatoare de frecvenţă înaltă
 filtre reglabile

Dioda semiconductoare 11
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
23
Alte tipuri de diode

Dioda Schotky
 La contactul dintre un metal şi un semiconductor
slab dopat apare o comportare tip joncţiune.
 La contactul dintre un metal şi un semiconductor
A K
puternic dopat apare o comportare ohmică.
 Caracteristica curent-tensiune este similară cu a
unei diode cu siliciu având căderea directă de n+
tensiune mai mică (tipic 0,3 V). n

 Timpul de comutaţie este foarte mic (de ordinul ps

deoarece electronii trec din regiunea n în metal p
substrat
unde se mişcă liber) şi are şi o capacitate foarte
mică a joncţiunii.
 Se utilizează în aplicaţii de mare viteză şi în
combinaţie cu un tranzistor bipolar conectat între
colector şi bază pentru al împiedica să intre în
saturaţie, tranzistorul comutând astfel foarte rapid.

Dioda semiconductoare
24
Alte tipuri de diode

Dioda electroluminescentă
 Emisia radiaţiei luminoase de către semiconductor este rezultatul unei
g , care se realizează prin
conversii de energie, p recombinarea radiativă a
unor purtători de sarcină (electroluminescenţă).
 La joncţiunea pn excitaţia se poate realiza prin injecţia de purtători de
sarcină într-o joncţiune polarizată direct. În vecinătatea joncţiunii se
creează o densitate mare de purtători care se pot recombina.
 La Ge şi Si, recombinarea duce la degajare de căldură (W este 1,1
respectiv 0,7 eV). La GaAs, GaP, GaASP recombinarea duce la
eliberarea de fotoni (W=h cu  în spectrul vizibil).
 Folosind impurităţi activatoare diferite, se poate modifica spectrul
radiaţiei emise (culoarea: roşu, galben, portocaliu, verde, albastru, alb).
 Avantaje faţă de alte surse de lumină: timp de comutare scurt,
dimensiuni reduse, fiabilitate mare, rezistenţă la vibraţii, consum de
putere mic, cost scăzut, lumină rece (nu degajă căldură).
 Utilizare: indicatoare optice, afişoare numerice şi alfanumerice, surse de
lumină etc.

Dioda semiconductoare 12
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
25
Alte tipuri de diode

Fotodioda
 La baza funcţionării stă efectul de separare de către
p intern al jjoncţiunii
câmpul ţ ap
purtătorilor de sarcină
(perechi electron-gol) generaţi prin ruperea
legăturilor covalente de către radiaţia incidentă.
 Caracteristica fotodiodei:
 
I D  I S  e qVD kT  1  i p ID
i p  qA
unde  – eficienţa cuantică; q – sarcina elementară; regim de
fotodiodă
 – fluxul
fl l radiaţiei
di ţi i iincidente;
id t A – aria
i jjoncţiunii.
ţi ii
 Regimul de fotodiodă (de obicei polarizată invers)
 Regimul de fotogenerator VD

regim de
fotogenerator
creşte 

26

Circuite cu diode

Se prezintă calitativ structura şi funcţionarea câtorva circuite fundamentale

utilizând diode.

Dioda semiconductoare 13
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
27
Circuite cu diode

Selecţia impulsurilor după polaritate

 Circuitul este format dintr-un derivator C, R3 şi
un separator al impulsurilor după polaritatea
lor – D1, R1 pentru impulsuri negative şi D2,
R2 pentru impulsuri pozitive.
 Cu grupul C, R3 se obţine secvenţa de
impulsuri pozitive şi negative prin derivarea
semnalului dreptunghiular dat de generator.
 Impulsurile obţinute sunt separate de diodele
D1 şşi D2 în funcţie
ţ de polaritatea
p lor. Pe
rezistenţa R1 se obţin impulsurile negative iar
pe R2 cele pozitive.
 Amplitudinea impulsurilor de la ieşirea
separatoarelor de polaritate este mai mică cu
aproximativ 0,6 V decât a impulsurilor de la
intrare datorită căderii de tensiune pe diode.

Dioda semiconductoare
28
Circuite cu diode

Redresor monofazat monoalternanţă

 Un redresor converteşte energia de curent
alternativ în energie de curent continuu
folosind dispozitive cu conducţie unilaterală.
 La bornele rezistenţei de sarcină RL tensiunea
nu poate fi decât pozitivă datorită sensului unic
al curentului prin diodă. Când tensiunea de
intrare este negativă dioda este blocată,
curentul prin diodă este nul şi tensiunea de
ieşire este de asemenea nulă.
 Durata de timp cât dioda este în conducţie
este mai mică de o semiperioadă datorită
faptului că dioda începe să conducă numai în
momentul când tensiunea de la generator
depăşeşte tensiunea de deschidere a diodei
(aproximativ 0,45 V). Acest lucru se observă în
formele de undă.

Dioda semiconductoare 14
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
29
Circuite cu diode

Redresor monofazat monoalternanţă cu filtru de netezire

 La ieşirea unui redresor, tensiunea pe sarcină
este continuă (curentul trece într-un
într un singur
sens prin sarcină) dar este pulsatorie (nu are o
valoare constantă).
 Filtrul de netezire reduce pulsaţiile tensiunii pe
sarcină (componentele alternative), netezind
variaţiile tensiunii pe sarcină.
 Explicarea funcţionării cu forme de undă: Cât
timpp tensiunea de intrare este mai mare decât
tensiunea pe condensator (egală cu cea de pe
sarcină), dioda se deschide şi furnizează
curent în sarcină şi încarcă condensatorul.
 Explicarea funcţionării ca filtru: C este un
scurtcircuit la frecvenţa reţelei, oprind pulsaţiile
să treacă prin sarcină.

Dioda semiconductoare
30
Circuite cu diode

Redresor monofazat bialternanţă

 Pentru tensiune pozitivă dată de
generator (transformator) conduc
diodele D1 şi D4, iar pentru tensiune
negativă, diodele D2 şi D3.
 Deoarece pentru fiecare alternanţă
conducţia se face prin două diode în
serie, căderea de tensiune pe diode
este dublă. Tensiunea de ieşire va fi
mai mică faţă de tensiunea dată de
generator cu 2 VD  1,2 V. Desigur,
dacă curenţii prin diode sunt mari,
această cădere de tensiune poate
ajunge la [1,5 … 2] V.
 Pulsaţiile sunt de frecvenţă dublă
decât la cel monoalternaţă, deci mai
uşor de filtrat.

Dioda semiconductoare 15
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
31
Circuite cu diode

Limitator de maxim cu diodă

 Circuitele de limitare sunt utilizate pentru a elimina o
p p
parte din semnalul de intrare care se află deasupra
sau dedesubtul unui anumit nivel de referinţă.
 R1 limitează curentul prin diodă atunci când aceasta
intră în conducţie. R2 este rezistenţa de sarcină la
bornele căreia se culege tensiunea de ieşire.
 Dioda D conduce numai dacă potenţialul anodului devine mai
mare decât al catodului, respectiv tensiunea de ieşire vO devine
mai mare decât tensiunea de polarizare a catodului diodei plus
tensiunea de deschidere a diodei ((vO  VLIM + VDon)).
 Expresia tensiunii de ieşire este
VLIM  VD pentru vO  VLIM  VD

vO   R2
v pentru vO  VLIM  VDon
 R1  R2 I
 Caracteristica de transfer este graficul tensiunii
de ieşire în funcţie de tensiunea de intrare.

Dioda semiconductoare
32
Circuite cu diode

Stabilizator cu rezistenţă de balast cu diodă Zener

 Funcţionarea se bazează pe caracteristica diodei Zener la care VD = –VZ
pentru un curent invers prin diodă aflat în domeniul [IZmin – IZmax].
 Scopul este menţinerea unei tensiuni constante la bornele sarcinii prin:
 Stabilizarea faţă de tensiunea de alimentare E: la variaţia lui E,
variază corespunzător I, variaţia lui I este preluată de IZ astfel încât
IL, şi deci şi tensiunea pe sarcină, să rămână aproximativ constantă.
 Stabilizarea tensiunii pe sarcină la variaţiile rezistenţei de sarcină (a
consumului): variaţiile lui IS sunt compensate prin variaţii contrare
ale lui IZ astfel încât tensiunea pe sarcină
sarcină, să rămână aproximativ
constantă.
Observaţie:
 Cu cât rezistenţa de balast R este mai
mare se îmbunătăţeşte stabilizarea
faţă de variaţiile tensiunii de alimentare,
dar scade randamentul stabilizatorului.

Dioda semiconductoare 16
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Dioda semiconductoare
33
Circuite cu diode

Comanda unui LED

V  VF V  VF  VCE
R  cc R  cc
IF IF

Dioda semiconductoare 17