07 Tranzistorul Bipolar

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing.
Paşca Sever
Tranzistorul bipolar (TB)

Prof. Dr. Ing. Sever Paşca
Catedra de Electronică Aplicată şi Ingineria Informaţiei
Facultatea Electronică, Telecomunicaţii şi Tehnologia Informaţiei
Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti
Tranzistorul bipolar
2
Conţinutul cursului
 Structura şi funcţionarea TB
 Ecuaţiile de funcţionare ale TB
 Caracteristicile TB în conexiunile bază-comună şi emitor-comun
 Influenţa temperaturii asupra TB
 Regiunile de funcţionare ale TB
 Exemple de circuite de polarizare ale TB
Tranzistorul bipolar 1
Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever
Prezentarea TB
Tranzistorul Bipolar (TB) a fost descoperit în 1948.

Denumirea sa vine de la transfer-resistor, respectiv rezistenţă de transfer.
Un TB este reprezentat de un generator de curent din colector comandat de
tensiunea bază-emitor atunci când este polarizat în regiunea activă
normală, regiune în care realizează funcţia de amplificare. Amplificarea
este o trans-conductanţă, inversul unei trans-rezistenţe.
Funcţionarea s-a este descrisă pe scurt astfel: el transferă un curent de pe
un ochi de rezistenţă mică (ochiul de intrare) într-un ochi de rezistenţă mare
(ochiul de ieşire).
4
Prezentarea TB
Structura simplificată a TB
 Tranzistorul bipolar este o structură
n+p
pn sau p+np p realizată în volumul
aceluiaşi cristal de semiconductor,
având trei terminale: emitor (E),
bază (B), colector (C).
 În reprezentare simplificată (bidimensională)
a structurii npn (pnp) se disting următoarele:
 regiunea neutră a emitorului − zona notată EN
 regiunea neutră a bazei − zona cuprinsă în intervalul [0 ... w].
Dimensiunea w a acestui interval se mai numeşte şi grosimea
efectivă a bazei;
 regiunea neutră a colectorului − zona notată CN;
 regiunea de trecere a joncţiunii bază-emitor − zona haşurată (RTE);
 regiunea de trecere a joncţiunii colector-bază − zona haşurată
(RTC);
 zonele desenate cu linii îngroşate sunt contactele de E, B şi C.
5
Prezentarea TB
Condiţiile de funcţionare ale structurii ca un TB

 Zona centrală – baza – să fie mult mai subţire în comparaţie cu
grosimile celorlalte două regiuni – emitorul şi colectorul
 Regiunile laterale să fie mult mai dopate decât regiunea bazei
 Regiunea emitorului să fie mai puternic dopată decât regiunea
colectorului
 Colectorul să înconjoare regiunea emitorului pentru a putea “colecta” cât
mai mulţi purtători “emişi” de emitor.
Observaţie:
 Ulti l d
Ultimele douăă condiţii
diţii nu suntt obligatorii,
bli t ii d dar e bi
bine să
ă fifie îîndeplinite
d li it
pentru a obţine un TB cu performanţe ridicate (amplificare mare).
Concluzie:
 Cu aceste condiţii îndeplinite, purtătorii injectaţi de emitor, traversează
baza şi în cea mai mare parte ajung în colector (foarte puţini
recombinându-se în bază), formând astfel curentul de colector.
6
Prezentarea TB
Simbolurile utilizate pentru TB

 TB sunt de două tipuri: npn şi pnp.
 Tranzistorul bipolar are două joncţiuni:
 joncţiunea emitor-bază (jBE);
 joncţiunea colector-bază (jBC).
 Tensiunile pe cele două joncţiuni se
notează de la p la n, respectiv:
 VBE, VBC pentru un tranzistor npn
 VEB, VCB pentru un tranzistor pnp.
Observaţii:
 Simbolul standard este inclusiv cu un
cerc care înconjoară simbolul.
 În general în scheme, se utilizează:
 simbolul cu cerc pentru TB discrete,
 cel fără cerc pentru TB integrate.
7
Prezentarea TB
Regiunile de funcţionare ale TB

 În funcţie de polarizarea joncţiunilor, jBE jBC Regiunea
TB poate să lucreze în 4 regiuni
Direct Invers Activă Normală (RAN)
(sau regimuri) de funcţionare.
Invers Invers Blocare
Invers Direct Activă Inversată (RAI)
Direct Direct Saturaţie
 Punctul de funcţionare (PF) al TB este definit de perechea de valori

(iC, vCB) sau (iC, vCE)
unde mărimile care intervin reprezintă componente instantanee.
 Punctul static de funcţionare (PFS) al TB este definit de perechea de
valori
(IC, VCB) sau (IC, VCE)
unde mărimile care intervin reprezintă componente continue.
8
Prezentarea TB
Modurile de conexiune ale TB

 Un TB, privit ca un diport (cuadripol), poate avea
trei moduri de conexiune (după terminalul comun
intrării şi ieşirii):
 Emitor Comun (EC)
 Mărimi de intrare sunt (IB, VBE)
 Mărimi de ieşire (IC, VCE)
 Bază Comună (BC)

 Mărimi de intrare sunt (IE, VBE)
 Mărimi de ieşire (IC, VCB)
 Colector Comun (CC)

 Mărimi de intrare sunt (IB, VBC)
 Mărimi de ieşire (IE, VEC)
9
Prezentarea TB
Caracteristicile TB
 Comportarea în curent continuu a unui TB este uzual descrisă de
caracteristicile acestuia.
 În funcţie de tipul de conexiune caracteristicile diferă puţin.
 Se disting două tipuri de caracteristici:
 Caracteristici de ieşire – dependenţa dintre mărimile de ieşire este
parametrizată în funcţie de una din mărimile de intrare.
 în conexiunea BC – iC(vCB, iE) cu iE parametru
 în conexiunea EC – iC(vCE, iB) cu iB parametru
 Pentru fiecare valoare a parametrului rezultă o caracteristică de ieşire
astfel că în final se obţine o familie de caracteristici.
 Caracteristici de intrare – dependenţa dintre mărimile de intrare
este parametrizată în funcţie de una din mărimile de ieşire.
 În cazul acestor caracteristici dependenţa de mărimea de ieşire
este slabă, rezultând practic o singură curbă.
10
Prezentarea TB
Caracteristicile TB (cont.)
 Exemplu: familia caracteristicilor de ieşire
în conexiunea EC
 Puterea disipată medie într-un tranzistor

conectat într-un circuit este valoarea
medie a produsului iC(t) vCE(t), respectiv
1 T
PDmed 
T 0 ic vCE dt
 P t
Puterea disipată
di i tă îîn punctul
t l static
t ti dde
funcţionare este Pd = IC VCE.
 Puterea disipată într-un tranzistor nu

poate depăşi o anumită valoare maximă
pentru o temperatură ambiantă dată.
11
Structura şi funcţionarea TB
Un tranzistor bipolar este o structură n+pn sau p+np, realizată în volumul

aceluiaşi cristal de semiconductor, care satisface următoarele condiţii:
- emitorul este mult mai puternic dopat decât baza – de aici notaţia n+ sau
p+ pentru emitor;
- grosimea bazei (distanţa dintre joncţiunile metalurgice) este mică în
comparaţie cu lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari – aceasta
făcând ca recombinarea purtătorilor în bază să fie foarte redusă.
12
Structura TB
 În structura desenată lărgimea bazei nu
p
respectă p p ţ reală faţă
proporţia ţ de dimensiunile
emitorului şi colectorului.
 Se foloseşte un model bidimensional pentru
analiza funcţionării TB.
Observaţie:
 O structură npn (sau pnp) se comportă ca un
tranzistor numai dacă ea îndeplineşte
condiţiile din definiţie. Conectarea a două
diode în serie şi în opoziţie nu duce la
formarea unui TB. Această structură –
echivalentă cu un "tranzistor" cu baza groasă
– nu poate conduce curent între punctele C
şi E, dacă una din diode este polarizată
invers. În cazul TB, această conducţie există
şi ea se produce tocmai datorită efectului de
bază subţire.
13
Polarizarea TB pentru explicarea funcţionării

 Pentru a explica funcţionarea TB şi
pentru a pune în evidenţă fenomenul
de amplificare pe care îl realizează,
vom polariza joncţiunile TB astfel încât
el sa fie în RAN:
 jBE polarizată direct, tensiunea la
bornele joncţiunii fiind tensiunea de
la bornele unei diode în conducţie
(VBE  0,6 V);
 jBC polarizată invers cu o tensiune
de ordinul volţilor (VBC = –5 V).
Observaţie:
 Explicarea funcţionării se va face în două moduri: una mai intuitivă,
folosind ponderea curenţilor prin TB, a doua mai ştiinţifică folosind
fenomenele care determină distribuţia purtătorilor minoritari în bază.
14
Ponderea curenţilor în TB
 jBE polarizată direct favorizează trecerea majoritarilor din E în B.
 E injectează electroni în bază,
bază acest curent crescând brusc o data cu
creşterea tensiunii BE.
 Ajunşi în bază, electronii deveniţi minoritari, au tendinţa să se recombine,
dar numai o mică parte datorită grosimii mici a bazei (mult mai mici decât
adâncimea de pătrundere a electronilor) şi dopării slabe a ei.
 Majoritatea ajung la jBC
polarizată invers, pe care
o străbat căci câmpul
intern favorizează
deplasarea minoritarilor.
 Astfel, prin jBC, deşi
polarizată invers, trece
un curent mare, aproape
tot curentul prin jBE.
15
Ponderea curenţilor în TB (cont.)

 Efectul de tranzistor, care stă la baza funcţionării TB, este tocmai
trecerea unui curent mare printr-o
printr o joncţiune polarizată invers datorită
prezenţei în apropiere a unei joncţiuni polarizate direct.
iC   F  iE  I CB 0 F  F 
 iC   iB  1   I CB 0
1F  1F 
iE  iB  iC
iC   F  iB  1   F I CB 0   F  iB
F
F 
1F
 F  [0,95 ... 0,995] reprezintă factorul de amplificare în curent în
conexiunea BC şi este partea din curentul injectat de emitor care ajunge
în colector.

  F  F  20 ... 300 reprezintă factorul de amplificare în curent în
1F conexiunea EC.
16
Concluzii
 Distribuţia purtătorilor minoritari în bază are rol determinant în
funcţionarea TB. Cunoaşterea ei înseamnă cunoaşterea sarcinii
electrice acumulate în bază şi a valorilor curenţilor de colector şi bază.
 Curentul de bază, de valori mici, poate controla valoarea unui curent
mult mai mare – curentul de colector. Valoarea scăzută a curentului de
bază se datorează recombinării reduse din bază şi deci efectului de
bază subţire.
 Curentul de bază se datorează recombinării în interiorul bazei,
recombinare p proporţională
p ţ cu sarcina electrică QB.
 Un curent mic obţinut într-un ochi de rezistenţă mică (ochiul de intrare)
controlează un curent mult mai mare care străbate un ochi de rezistenţă
mare (ochiul de ieşire). Se obţine astfel funcţia de amplificare (de curent,
de tensiune şi de putere).
17
Analiza funcţionării TB în regim static
Deducerea ecuaţiilor de c.c. ale TB se poate face în două moduri:

 O metodă analitică (similară cu cea de la diodă) prin care se
calculează distribuţiile de purtători minoritari în emitor, bază şi colector,
se calculează curenţii de difuzie asociaţi şi apoi curenţii de terminal.
Această metodă furnizează în final parametrii globali ai TB şi legăturile
acestora cu parametrii constructivi.
 O metodă globală prin care se deduc direct curenţii de terminal
combinând efectul de diodă şi de bază subţire. Această metodă permite
obţinerea ecuaţiilor de curent continuu ale TB dar nu poate furniza
informaţii privind legătura dintre parametrii globali şi parametrii
constructivi.
18
Ecuaţiile Ebers-Moll
 Ecuaţiile de funcţionare ale TB
(leagă doi curenţi consideraţi
dependenţi de două tensiuni
considerate independente)
 q VBE   q VBC   Mai există două relaţii de
   
I E  I ES   e k T  1   R ICS  e k T  1
    legătură între curenţi,
   
respectiv tensiuni, cu care se
 q BE
V   q BC
V 
    pot determina celelalte două
I C   F I ES   e k T  1  I CS   e k T  1
    mărimi dependente care
 i
D t ită reciprocităţii
Datorită 
ităţii  
caracterizează funcţionarea
 F I ES   R I CS TB în circuit:
unde IES şi ICS sunt curenţii de I B  I E  IC
saturaţie ai joncţiunilor şi F
(forward) respectiv R (reverse) sunt
VCE  VBE  VBC
amplificările în curent de la E la C
respectiv de la C la E.
19
Observaţii
 Fiecare curent, IE şi IC, are două componente:
 unul dat de polarizarea joncţiunii corespunzătoare
(jBE p
(j pentru IE respectiv
p jjBC p
pentru IC),
 al doilea dat de curentul prin cealaltă joncţiune, care străbate, doar parţial,
joncţiunea corespunzătoare, datorită apropierii celor două joncţiuni (condiţia
de bază subţire).
 Semnele minus apar datorită convenţiei pentru sensul curenţilor într-o joncţiune
şi prin TB.
Concluzii
 Aceste ecuaţii descriu funcţionarea tranzistorului indiferent de polaritatea
t
tensiunilor
i il aplicate
li t lla b
borne.
 Parametrii F, R, IES şi ICS depind de structura TB dar relaţiile de legătură cu
structura nu se pot obţine prin această analiză.
 Componentele tranzitorii de curent necesare modificării sarcinii QB în cazul unor
variaţii ale tensiunilor aplicate nu au fost luate în considerare, astfel că domeniul
de valabilitate al acestor ecuaţii îl constituie numai regimul de curent continuu
sau un regim de variaţii lente care poate fi descris printr-o succesiune de
regimuri de curent continuu.
20
Caracteristicile TB
Caracteristicile unui dispozitiv, privite în general fără a da o definiţie exactă,

înseamnă reprezentarea grafică a dependenţei unora dintre mărimile de la
bornele dispozitivului,
p , convenabil alese pentru
p a descrie funcţionarea
ţ lui.
21
Caracteristicile TB
Definirea caracteristicilor TB
 Caracteristicile tranzistorului sunt reprezentarea grafică parametrică a
mărimilor de ieşire (intrare) în funcţie de una din mărimile de intrare
(ieşire).
 Pentru TB există trei conexiuni posibile, emitor comun (EC), bază

comună (BC) şi colector comun (CC), dar cea de-a treia conexiune (CC)
reprezintă o inversare a rolului emitorului cu al colectorului din
conexiunea EC şi nu prezintă interes în acest context.
 Pentru un TB avem:
 caracteristici de ieşire în conexiunea BC – iC(vCB, iE) cu iE parametru;
 caracteristici de ieşire în conexiunea EC – iC(vCE, iB) cu iB parametru;
 caracteristici de intrare în conexiunea BC – iE(vBE) pentru VBC < 0;
 caracteristici de intrare în conexiunea EC – iB(vBE) pentru VBC < 0.
22
Caracteristicile TB
Caracteristicile de ieşire idealizate în conexiunea BC

 Plecând de la ecuaţiile Ebers-Moll ale tranzistorului, notând VT = kT/q şi
eliminând din primele două ecuaţii termenul conţinând IES obţinem
I C   F I E  I CS  1   F  R    e BC T  1
V V
 
 Notând cu
I CB 0  I CS  1   F  R 
unde ICB0 este curentul rezidual în conexiunea BC, rezultă
 
I C   F I E  I CB 0  eVBC VT  1
 Pentru reprezentarea grafică, să considerăm pe rând următoarele două
cazuri:
 pentru VBC < 0 avem exponenţiala  0 şi rezultă IC = F IE+ ICB0
 pentru VBC > 0 exponenţiala produce o scădere bruscă a curentului
de colector pe măsură ce tensiunea colector-bază creşte.
23
Caracteristicile TB
Caracteristicile de ieşire idealizate

în conexiunea BC (cont.)
 În grafic este reprezentat IC funcţie de VCB = - VBC
24
Caracteristicile TB

în conexiunea BC (cont.)
 Experimental,
E perimental forma acestor caracteristici se verifică
erifică bine
bine.
 Se observă numai o uşoară înclinare a lor, cu pantă pozitivă, în zona
VCB > 0 (echivalentă cu VBC < 0).
 Explicaţia acestui fenomen este dată de modificarea grosimii efective a
bazei, w odată cu modificarea tensiunii VCB. Creşterea tensiunii inverse
aplicate joncţiunii colector-bază determină mărirea lăţimii regiunii de
trecere a acestei joncţiuni. Aceasta are ca efect îngustarea bazei, ceea
ce duce la reducerea recombinării în bază şi la creşterea factorului F.
Creşterea lui F determină evident o creştere a curentului de colector şi
deci înclinarea caracteristicilor.
Observaţie:
 Caracteristica desenată este simulată în PSpice, dar modelul este foarte
aproape de realitate, mult mai precis decât relaţiile Ebers-Moll.
25
Caracteristicile TB
Caracteristicile de ieşire idealizate în conexiunea EC

 Din ecuaţia caracteristicii de ieşire în conexiunea BC, folosind relaţiile
de legătură
g între curenţiţ IE = IC +IB şşi între tensiuni VBC = –(V ( CE – VBE)), şşi
făcând notaţiile
F
I CE 0  CB 0  I CB 0  1   F 
I
F 
1F 1 F
 obţinem ecuaţia caracteristicilor idealizate în conexiunea EC
  VCE VBE 
 
I C   F I B  I CE 0   e VT
 1
 
 Pentru situaţia când jBC este polarizată invers  cu o tensiune în modul
maii mare ddecât
ât VT, adică
di ă VBC < 0 respectiv ti VCE – VBE >> VT, ecuaţia ţi
caracteristicilor se simplifică astfel IC = F IB+ ICE0 şi caracteristicile sunt
drepte orizontale (IC nu depinde de valoarea VCE).
 Pentru VBC > 0 al doilea termen din ecuaţie produce aceeaşi scădere
exponenţială a curentului de colector ca la caracteristicile în BC. În
raport cu tensiunea VCE această scădere se produce în cadranul I atunci
când avem VCE < VBE (variaţia VBE este reprezentată punctat şi este
practic caracteristica unei diode polarizate direct).
26
Caracteristicile TB

în conexiunea EC (cont.)
27
Caracteristicile TB

în conexiunea EC (cont.)
 Experimental se observă abateri mai mari decât în cazul caracteristicilor
în conexiunea BC:
 o înclinare mai pronunţată a caracteristicilor decât în cazul
conexiunii BC, odată cu creşterea tensiunii VCE, datorată
dependenţei mai mari a lui F decât a lui F faţă de variaţia grosimii
efective a bazei (w) cu tensiunea inversă aplicată joncţiunii BC;
 scăderea distanţei între caracteristici odată cu creşterea curentului
de bază IB datorită micşorării lui F odată cu creşterea curentului ca
efect al micşorării eficienţei emitorului.
28
Caracteristicile TB
Caracteristica de intrare în conexiunea BC

 Această caracteristică prezintă interes numai pentru cazul când jBC este
polarizată invers VBC < 0 cu o tensiune mult mai mare în modul decât
tensiunea termică, când prima ecuaţie Ebers-Moll poate fi aproximată cu

I E  I ES  eVBE VT
 
 1   R I CS  I ES  eVBE VT

1
 Acest grafic
este
caracteristica
unei diode
având curentul
de saturaţie IES.
29
Caracteristicile TB
Caracteristica de intrare în conexiunea EC

 Reprezentarea acestei caracteristici se face în aceleaşi condiţii. Ţinând
cont de legătura dintre curenţii de emitor, bază şi colector rezultă
ecuaţia acestei caracteristici

I B  I E  I C  I E   F I E  1   F   I ES  eVBE VT

1
 La fel ca şi în cazul precedent, această ecuaţie reprezintă caracteristica

unei diode al cărei curent de saturaţie este (1 – F) IES.
 Graficul
G fi l ecuaţiei
ţi i este
t identic
id ti cu cell de
d la
l conexiunea
i BC,
BC schimbându-
hi bâ d
se numai valorile de curenţi din axa verticală.
30
Analiza regiunilor de funcţionare ale TB
Comportarea unui tranzistor bipolar în circuite este diferită în funcţie de

polarizările aplicate joncţiunilor, adică de regiunea de funcţionare a sa.
Descrierea completă a comportării TB în curent continuu este dată de
ecuaţiile Ebers-Moll dar rezolvarea unor circuite cu acest model este
posibilă în cazurile numerice (folosind rezolvarea numerică a ecuaţiilor
neliniare) şi imposibilă în cazurile generale (rezolvare algebrică) deoarece
sistemul obţinut conţine ecuaţii transcendente.
31
Comportarea TB în circuit
 Pentru înţelegerea funcţionării circuitelor este
necesar să putem efectua rapid anumite
calcule şi din această cauză este necesar să
descriem tranzistorul prin funcţiuni şi ecuaţii
simple cu care să se poată opera uşor, chiar
dacă precizia lor nu este foarte mare.
 Vom analiza comportarea TB pentru diferitele
polarizări aplicate joncţiunilor şi vom deduce
modele simplificate pentru fiecare din cele
patru regiuni de funcţionare posibile ale TB.
 Notaţiile şi sensurile pozitive pentru tensiuni şi

curenţi pentru cele două tipuri de TB sunt acela
prezentate alăturat
32
Regiunea activă normală (RAN)

 RAN corespunde polarizării TB ca amplificator
 TB se comportă ca un generator de curent comandat
comandat, ceea ce constituie
esenţa fenomenului de amplificare
Condiţii de
npn pnp
polarizare
jBE Direct VBE > 0 VEB > 0
jBC Invers VBC < 0 VCB < 0
33
Regiunea activă normală (RAN) (cont.)

 Zona din caracteristici
 p
RAN corespunde p ţ
porţiunilor p p
apropiate ş
de nişte
drepte orizontale.
 În raport cu C, TB se comportă ca un
generator de curent comandat de curentul de
emitor sau bază, în funcţie de conexiune.
 Ecuaţiile de funcţionare şi schema echivalentă
 ecuaţia de ieşire:
I C   F I E  I CB 0 I C   F I B  I CE 0
 ecuaţia de intrare:
 
I E  I ES  e( VBE / VT )  1  
I B  ( 1   F )  I ES  eVBE / VT  1
34
Regiunea de blocare
 Curenţii prin tranzistor sunt de valoare mică, practic neglijabili.
 Un tranzistor blocat se comportă
p între cele trei terminale ca un circuit
întrerupt.
Condiţii de
npn pnp
polarizare
jBE Invers VBE < 0 VEB < 0
jBC Invers VBC < 0 VCB < 0
35
Regiunea de blocare (cont.)

 Indiferent de valoarea tensiunilor aplicate
joncţiunilor, care însă satisfac condiţiile de
funcţionare în blocare, avem IC  0. Zona de
blocare este reprezentată de axa orizontală
Ox în caracteristicile de ieşire ale
dispozitivului .
 Deoarece exponenţialele tind spre zero,
ecuaţiile Ebers-Moll se simplifică astfel:
I E   I ES   R I CS  1   F   I ES  0
IC   F I ES  ICS  1   R   ICS  0
I B  I E  I C   I ES  I CS  0
36
Regiunea de saturaţie
 Ambele joncţiuni fiind polarizate direct, tensiunile pe ele au valoare mică.
 Rezistenţa echivalentă a joncţiunilor este mică, curenţii de valori mari
sunt limitaţi de circuitul exterior. TB este echivalent cu un scurtcircuit.
Condiţii de
npn pnp
polarizare
jBE Direct VBE > 0 VEB > 0
jBC Direct VBC > 0 VCB > 0
37
Regiunea de saturaţie (cont.)

 Corespund acelor porţiuni din
caracteristici unde curentul de colector
scade brusc odată cu scăderea tensiunii
din axa orizontală. Aceasta corespunde
polarizării directe a jCB.
 Condiţia de saturaţie a unui tranzistor este
ICsat  F IBsat
unde ICsat B t sunt curenţii de colector şi
C t şi IBsat
emitor la saturaţie ai tranzistorului. Aceasta
înseamnă că pentru saturarea unui TB
trebuie să se injecteze în bază un curent
suficient de mare.
38
Regiunea de saturaţie (cont.)

 Descrierea exactă a comportării tranzistorului pentru această regiune
este dată de ecuaţiile Ebers-Moll.
 Joncţiunile fiind polarizate direct, tensiune pe acestea se pot
aproxima cu valori constante (VBEsat  0,7 V şi VBCsat  0,7 V pentru
TB cu siliciu).
 Deoarece curenţii de emitor şi colector nu sunt egali şi jEB şi jCB nu
sunt identice. Această diferenţă este reprezentată de sursa VCEsat 
[0,1 … 0,3] V din schema echivalentă. Dacă se ţine cont şi de
rezistenţa colector-emitor la saturaţie, atunci în schema echivalentă,
în serie cu colectorul
colectorul, se poate conecta şi acesta (RCEsat
CE t având uzual
valori sub 15 ).
39
Regiunea activă inversată (RAI)

 RAI este rar utilizată. Un tranzistor care comută din blocare în saturaţie
inversată şi invers trece prin RAI.
 La CI digitale TTL, TB de intrare (multi-emitor) când intrarea este pe
nivel logic H.
Condiţii de
npn pnp
polarizare
jBE Invers VBE < 0 VEB < 0
jBC Direct VBC > 0 VCB > 0
 Schemele echivalente sunt identice cu cele din RAN, dacă se face

echivalenţa notaţiilor.
40
Comportarea TB la tensiuni colector-bază mari

 În RAN, creşterea bruscă a curentului de colector, odată cu depăşirea
unei anumite valori a VBC se numeşte străpungerea tranzistorului.
 Străpungerea TB are la bază două fenomene fizice:
 multiplicarea în avalanşă în regiunea
de trecere a jCB (similară cu cea de la
străpungerea diodei Zener);
 anularea grosimii regiunii neutre a bazei
(w  0) şi întrepătrunderea regiunilor de
trecere ale joncţiunilor EB şi CB.
 Pentru conexiunea BC străpungerea apare la
VA numită tensiune de străpungere prin
avalanşă (tensiune de amorsare).
 Pentru conexiunea EC, străpungerea apare
la VS mai mică decât VA, tensiunea de
străpungere fiind cu atât mai mică cu cât
curentul de colector este mai mare.
 În cazul polarizării inverse a jEB, tensiunea de
străpungere este chiar tensiunea de amorsare VA.
41
Circuite de curent continuu cu TB
Vom analiza în continuare diverse circuite de polarizare a TB în RAN.
42
Limitări în funcţionarea TB
 Un circuit de polarizare în RAN caută să
asigure situarea punctului de funcţionare
în această regiune, ceea ce corespunde
la a satisface condiţiile:
 vCE > VCEsat (şă nu fie saturat)
 vCE < VCEmax(să nu se străpungă);
 iC > 0 (să nu fie blocat);
 iC < ICmax (să nu se distrugă structura);
 Pd < Pdmax (să
( ă nu se ambaleze
b l ttermic).
i )
 Punctul de funcţionare trebuie să fie stabil în această zonă în raport cu

variaţiile temperaturii sau ale parametrilor TB.
 Zona sigură de funcţionare în RAN este zona haşurată.
43
Polarizarea TB de la o singură sursă

 R1, R2 şi R3 stabilesc curentul de colector.
 R4 participă la stabilirea valorii tensiunii CE
CE.
 R3 stabilizează PSF prin introducerea unei
reacţii negative în c.c.
 Rezolvare (calculul circuitului) prin 2 metode:
 Se rezolvă sistemul format cu ecuaţiile
Kirchoff pentru circuit şi ecuaţiile
caracteristice pentru dispozitive.
Se poate dacă se fac aproximaţii pentru
caracteristicile TB, cel puţin pentru cele de intrare.
 Metoda iterativă, asemănător cu calculul curentului prin diodă.
Considerând valori iniţiale pentru IB şi pentru VBE, calculăm punctul
de funcţionare iar apoi facem corecţii modificând valorile iniţiale.
Viteza de convergenţă dă o informaţie despre stabilitatea circuitului
la variaţiile de temperatură (care modifică parametrii circuitului).
44
Polarizarea TB de la o singură sursă (cont.)

 Ecuaţiile pentru circuit
R2 RR VB  VBE
VB  VS   1 2  IB IE 
R1  R2 R1  R2 R3
VCE  VS  R4 I C  R3 I E IC  I E  I B
 Ecuaţiile tranzistorului
I I
VBE  VT  ln E I B  C  I CE 0
I ES F
 Calculul punctului de funcţionare decurge în felul următor:
 se consideră valorile iniţiale IB = 0 şi VBE = 0,6V;
0 6V;
 se calculează VB şi IE;
 se determină VBE şi IB din ecuaţiile tranzistorului;
 se reia calculul cu noul set de valori iniţiale.
 Calculul se consideră încheiat când şirul valorilor numerice pentru IE
se stabilizează. Se verifică daca este în RAN pentru care am scris
ecuaţiile caracteristicilor tranzistorului.
45
Circuitul de polarizare a TB cu două surse

 Rezistenţa din bază (R1) nu este necesară
pentru polarizarea tranzistorului. Lipsa ei nu
modifică substanţial polarizarea. Ea este însă
indispensabilă dacă se doreşte aplicarea unui
semnal în bază.
 Din circuit rezultă următoarele ecuaţii:
VE   R1 I B  VBE VE  VS
IE 
VCE  VS  R3 I C  VE R2
 Procedând ca la circuitul anterior, cu valorile

din schemă şi aceiaşi parametri ai TB, rezultă
punctul de funcţionare al TB având
coordonatele:
I E  0,94 mA VCE  6 ,672 V
46
Grup de TB polarizat de la două surse

 TB sunt polarizate interdependent de la
două surse. Stabilizarea PSF se face prin
reacţia negativă de curent continuu
existentă în circuit.
 Scriem ecuaţiile circuitului.
 Presupunem că tensiunile BE rămân
constante VBE1 = VBE2 = 0,6 V.
 Considerăm iniţial IB1 = IB2 = 0.
 Calculăm tensiunile şi curenţii din circuit
circuit.
VB1   R1 I B1
 Calculăm valorile modificate ale curenţilor
de bază. VE1  VB1  VBE1
 Repetăm ultimii doi paşi de câte ori este VE1  VS  R4  I E1  I C 2 
necesar. VC 2  R3 I C 2  VE1
După a treia repetare rezultatele nu se
VEB 2  R2  I C1  I B 2 

mai modifică semnificativ şi ne oprim:

07 Tranzistorul Bipolar

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

07 Tranzistorul Bipolar

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing.

Tranzistorul bipolar (TB)

 Ecuaţiile de funcţionare ale TB

 Caracteristicile TB în conexiunile bază-comună şi emitor-comun

 Influenţa temperaturii asupra TB

 Regiunile de funcţionare ale TB

 Exemple de circuite de polarizare ale TB

Tranzistorul Bipolar (TB) a fost descoperit în 1948.

Condiţiile de funcţionare ale structurii ca un TB

Simbolurile utilizate pentru TB

Regiunile de funcţionare ale TB

Invers Direct Activă Inversată (RAI)

Direct Direct Saturaţie

 Punctul de funcţionare (PF) al TB este definit de perechea de valori

Modurile de conexiune ale TB

 Bază Comună (BC)

 Colector Comun (CC)

 Puterea disipată medie într-un tranzistor

 Puterea disipată într-un tranzistor nu

Un tranzistor bipolar este o structură n+pn sau p+np, realizată în volumul

Polarizarea TB pentru explicarea funcţionării

Ponderea curenţilor în TB (cont.)

Analiza funcţionării TB în regim static

Deducerea ecuaţiilor de c.c. ale TB se poate face în două moduri:

Caracteristicile unui dispozitiv, privite în general fără a da o definiţie exactă,

 Pentru TB există trei conexiuni posibile, emitor comun (EC), bază

Caracteristicile de ieşire idealizate în conexiunea BC

Caracteristicile de ieşire idealizate

Caracteristicile de ieşire idealizate

Caracteristicile de ieşire idealizate în conexiunea EC

Caracteristicile de ieşire idealizate

Caracteristicile de ieşire idealizate

Caracteristica de intrare în conexiunea BC

Caracteristica de intrare în conexiunea EC

 La fel ca şi în cazul precedent, această ecuaţie reprezintă caracteristica

Analiza regiunilor de funcţionare ale TB

Comportarea unui tranzistor bipolar în circuite este diferită în funcţie de

 Notaţiile şi sensurile pozitive pentru tensiuni şi

Regiunea activă normală (RAN)

Regiunea activă normală (RAN) (cont.)

Regiunea de blocare (cont.)

Regiunea de saturaţie (cont.)

Regiunea de saturaţie (cont.)

Regiunea activă inversată (RAI)

 Schemele echivalente sunt identice cu cele din RAN, dacă se face

Comportarea TB la tensiuni colector-bază mari

Circuite de curent continuu cu TB

Vom analiza în continuare diverse circuite de polarizare a TB în RAN.

 Punctul de funcţionare trebuie să fie stabil în această zonă în raport cu

Polarizarea TB de la o singură sursă

Polarizarea TB de la o singură sursă (cont.)

Circuitul de polarizare a TB cu două surse

 Procedând ca la circuitul anterior, cu valorile

Grup de TB polarizat de la două surse

S-ar putea să vă placă și