Ilie Rares-Stefan

423A

Cologviu Dispozitive Electronice

1. Caracteristica de transfer

Tabelul 3.1

VGS [V] 0 -0,5 -1 -2 -2,2 -2,5 -2,7 -3 -3,01 -3,1

VDD V 15 15 15 15 15 15 15 15 15 15
VDS V 2.11 4.75 8.21 13.1 13.72 8.86 12.23 14.82 14.86 15
RD=R12 [KΩ] 1k 1k 1k 1k 1k 11k 11k 11k 11k 11k
ID [mA] 12.89 10.25 6.79 1.9 1.28 0.558 0.252 0.016 0.013 0
Curentul ID = (VDD – VDS) / RD
T1 Inserați graficul caracteristicii de transfer ID=f(VGS) a tranzistorului TEC-J.

ID=f(VGS)
14
12
10
8
ID[mA]

6
4
2
0
-3.5 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0
-2
VGS[V]

T2 Determinați pe simulări tensiunea de prag la 10µA a tranzistorului TEC-J.

Daca modificam valoarea lui VGS la =3.02V, atunci curentul Id=10.3 µA
Am incercat si setarea lui VGS la -3.015V pentru a avea o mai buna precizie, insa simulatorul
aproximeaza prin adaos valoarea la -3.02V.
Asadar, tensiunea de prag=-3.02V.

2. Caracteristica de ieşire

Tabelul 3.2
VDS [V] 0 0.5 0.6 0.8 1 1.5 2 4
VDS,măs [V] 0 0.5 0.6 0.8 1 1.5 2 4
VDD [V] 0 4,71 5.57 7.2 8.71 12 14.55 18.51
VGS=0 [V]
R12+RJ22 [K] 1k 1k 1k 1k 1k 1k 1k 1k
ID= [mA] 0 4.21 4.97 6.4 7.71 10.5 12.55 14.51
VDS,măs [V] 0 0.5 0.6 0.8 1 1.5 2 4
VGS=-0,5
VDD [V] 0 3.99 4.69 6.03 7.25 9.78 11.58 14.22
[V]
R12+RJ22 [K] 1k 1k 1k 1k 1k 1k 1k 1k
 ID= [mA] 0 3.49 4.09 5.23 6.25 8.28 9.58 10.22
VDS,măs [V] 0 0.5 0.6 0.8 1 1.5 2 4
VDD [V] 0 3.25 3.81 4.85 5.77 7.56 8.59 10.68
VGS=-1 [V]
R12+RJ22 [K] 1k 1k 1k 1k 1k 1k 1k 1k
ID= [mA] 0 2.75 3.21 4.05 4.77 6.06 6.59 6.68
VDS,măs [V] 0 0.5 0.6 0.8 1 1.5 2 4
VDD [V] 0 1.76 2.03 2.48 2.76 3.32 3.83 5.84
VGS=-2 [V]
R12+RJ22 [K] 1k 1k 1k 1k 1k 1k 1k 1k
ID= [mA] 0 1.26 1.43 1.68 1.76 1.82 1.83 1.84
VDS,măs [V] 0 0.5 0.6 0.8 1 1.5 2 4
VGS=-2,2 VDD [V] 0 1.47 1.65 2 2.21 2.72 3.22 5.23
[V] R12+RJ22 [K] 11k 11k 11k 11k 11k 11k 11k 11k
ID= [mA] 0 0.088 0.095 0.109 0.110 0.111 0.111 0.112
VDS,măs [V] 0 0.5 0.6 0.8 1 1.5 2 4
VGS=-2,5 VDD [V] 0 1.02 1.13 1.33 1.54 2.04 2.54 4.55
[V] R12+RJ22 [K] 11k 11k 11k 11k 11k 11k 11k 11k
ID= [mA] 0 0.047 0.048 0.048 0.049 0.049 0.049 0.050
VDS,măs [V] 0 0.5 0.6 0.8 1 1.5 2 4
VDD [V] 0 0.515 0.615 0.815 1.02 1.52 2.02 4.02
VGS=-3 [V]
R12+RJ22 [K] 11k 11k 11k 11k 11k 11k 11k 11k
ID= [mA] 0 0.001 0.001 0.001 0.002 0.002 0.002 0.002
R12+RJ22 este RD din circuit, iar in tabel VDS,măs = VDS; ID = (VDD – VDS) / RD

T3. Inserați graficul caracteristicii de ieșire ID = f (VDS ,VGS) ;VGS - parametru.

 3. TEC-J ca generator de curent

Tabelul 3.4 (Fig.3.13)

RS [Ω] 10 100 300 500 700 900 1k
VD [V] 14,91 14.98 15.13 15.28 15.42 15.69 16.23
VS [V] 0,151 1.5 4.46 7.36 10.2 12.88 13.77
VDD [V] 30 30 30 30 30 30 30
VDS [V] 14,76 13.48 10.67 7.92 5.22 2.81 2.46
VGS [V] 0 0 0 0 0 0 0
ID [mA] 15,09 15.02 14.87 14.72 14.58 14.31 13.77
ID = (VDD – VD) / RD si VDS = VD - VS
T4 Inserați graficul variației lui ID funcție de VDS (ID = f(VDS) - caracteristica curent-tensiune).

4.1 Măsurători in regim dinamic

Tabelul 3.6 ( Fig.3.14) condiția de cc: VDS =5V (Vout in circuitul din figura)
VGS [V] 0 -0.5 -1 -1,5 -2 -2.5
ID [mA] 14.52 10.39 6.87 4.04 1.93 0.578
Vout [mV] 88.44 76.64 63.35 49.61 34.72 19.17
Vgs [mV] 10 10 10 10 10 10
Id [µA] 88.44 76.64 63.35 49.61 34.72 19.17
AV 8.844 7.664 6.335 4.961 3.472 1.917
gms [mA/V] 1 1 1 1 1 1
vo
AV = = – gms ‧ RD (in c.a. vo = Vout iar vi = Vgs); Vgs-semnal sinusoidal, A=10mV, f=1kHz
vi

T5 Inserați simularea amplificatorului sursă comună pentru o valoare VGS aleasa din tabelul
3.6, Vgs=10mV și VDS=5V și calculați amplificarea si gms, apoi înserați graficele: AV=f(VGS) si
AV=f(ID).

4.2 Măsurători rezistenta dinamica in saturație rd,sat (Atenție!! Cond. in cc: VDS = Vout = 5V
cu VGS = – 2V valoare fixa, pt ambele valori ale lui RD)
 Tabel 3.5 (Fig.3.14) 21.77 38.55
RD 11k 22k
ID [mA] 1.52 0.76
Vds = Vout[mV] 315.28 595.57
Vgs [mV] 10 10
rd,sat 187232,63

1 RD2 - RD1
Se calculează apoi: rd,sat = =
g d,sat RD2 ×vds1
-1
RD1 ×vds2

In concluzie, graficele sunt realizate conform tabelelor, desi exista o marja de eroare
prezenta.