Sunteți pe pagina 1din 26

SINTEZA CLC CU LSI.

HAZARDUL COMBINAIONAL

4.3.3. Sinteza CLC cu LSI


Circuitele integrate de tip LSI (large scale integration) au peste 500 de tranzistoare integrate pe capsul Exist mai multe tipuri de astfel de circuite Descriem sinteza CLC cu:
memorii ROM - Read Only Memory PLA - Programmable Logic Array (au i varianta PAL)

16.11.2011

Curs 6 ASDN

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Memoria ROM - memoreaz cuvinte binare
fix (permanent) nevolatil coninutul nu se modific n timpul funcionrii structura stabilit n procesul de fabricaie sau stabilit de ctre utilizator prin programare tipuri: PROM, EPROM, EEPROM
I0 DCD In-1
16.11.2011

O0 Matrice O m-1
Curs 6 ASDN 3

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Memoria ROM
format din 2 niveluri de pori logice:
nivelul I (un decodificator) nivelul SAU-NU (matricea de memorie)

DCD primete codurile de intrare n binar (numrul intrrilor = n) i activeaz pentru fiecare cod o singur ieire din cele 2n posibile ieirile DCD se conecteaz sau nu se conecteaz la porile de tip SAU-NU i astfel se memoreaz un 0 sau un 1 logic
16.11.2011 Curs 6 ASDN 4

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Intrrile memoriei ROM
se numesc adrese reprezint codurile n binar ale numerelor asociate fiecrui cuvnt de memorie

Ieirile memoriei ROM


pun la dispoziie datele memorate n cuvintele de memorie sunt three-state sau open colector pentru a permite legarea n paralel cu ieirile altor memorii

Exist intrare de Enable care poate inhiba funcionarea memoriei


16.11.2011 Curs 6 ASDN 5

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Notaii:
n = numrul de bii ai vectorului de adrese (intrri) c = numrul de cuvinte memorate n ROM (trebuie s fie putere a lui 2) c = 2n b = numrul de bii din fiecare cuvnt de memorie

Modul de organizare al memoriei este specificat de produsul c x b Capacitatea memoriei C exprim numrul total de bii memorai: C = 2n x b Unitatea de msur pentru capacitate:
kilobitul 1Kb = 210 = 1024 bii Curs 6 ASDN 16.11.2011
6

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Aplicaii:
Memorarea instruciunilor i datelor n sisteme de calcul i sisteme secveniale Transformri de adres i nmagazinarea instruciunilor n microprogramare Conversii de cod Generatoare de caractere Generare de secvene de impulsuri Implementarea CLC cu un numr mare de variabile de intrare i ieire
16.11.2011 Curs 6 ASDN 7

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Implementarea CLC cu memorii ROM:
Se bazeaz pe structura memoriei
La nivelul DCD se decodific toi termenii canonici formai din variabilele de intrare La nivelul matricei de memorie se adun toi termenii din expresia oricrei funcii i rezult funcia de ieire

Lista de cuvinte care se memoreaz reprezint chiar tabelul de adevr al CLC Nu mai este necesar minimizarea (sunt memorai toi termenii canonici i sunt incluse toate posibilitile de apariie a acestora n funcia de ieire) Pentru folosire eficient se folosesc codificarea i MUX
16.11.2011 Curs 6 ASDN 8

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Etapele de implementare a CLC cu memorii ROM
Se stabilete dimensiunea memoriei necesare pentru aplicaie Se aleg tipurile de memorii cu dimensiuni identice sau apropiate cu cele stabilite anterior Se reduce dimensiunea memoriei, dac este posibil, prin codificarea intrrilor i ieirilor sau multiplexarea intrrilor Dac nu exist memorii potrivite se fac transformri de dimensiuni - modificarea numrului de cuvinte sau al numrului de bii pe cuvnt Se stabilete tabelul de adevr al memoriei ROM
Curs 6 ASDN

16.11.2011

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Exemplu: S se implementeze funciile: f0(x3,x2,x1,x0) = x3x2x1x0 f1(x3,x2,x1,x0) = x2x1 f2(x3,x2,x1,x0) = x3x2x1x0 + x3x2x0 + x3x2x0 + x2x1 Vom folosi o memorie de tipul:
x3 x2 x1 x0 A3 A2 A1 A0 16 x 4 bii CS D3D2D1D0 f2 f1 f0
16.11.2011 Curs 6 ASDN 10

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Exemplu Notaii: A3 - A0 intrrile de adrese; D3 - D0 ieirile de date; CS (chip select) intrarea de Enable Dimensiunea: 24 x 4 = 16 x 4 bii (avem 4 intrri de adres 24 cuvinte i avem 4 bii ntr-un cuvnt)
x3 x2 x1 x0 A3 A2 A1 A0 16 x 4 bii CS D3D2D1D0 f2 f1 f0
16.11.2011 Curs 6 ASDN 11

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Exemplu Tabelul de adevr pentru funciile f0, f1, f2, care se vor obine pe ieirile de date D0, D1, D2, se va nscrie n memorie Ieirea D3 nu este utilizat (avem de implementat doar 3 funcii) Variabilele de intrare se aplic pe intrrile de adrese ale memoriei

16.11.2011

Curs 6 ASDN

12

4.3.3.1. Sinteza CLC cu memorii ROM


Exemplu
A3
0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1

A2
0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1

A1
0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1

A0
0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1

D3
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

D2 = f2
0 1 0 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1 1 1

D1 = f1
0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0

D0 = f0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0
13

16.11.2011

Curs 6 ASDN

4.3.3.2. Sinteza CLC cu PLA


PLA = Programmable Logic Array Definiie - PLA este un CLC cu 2 nivele de logic programabil, o matrice de pori I i o matrice de pori SAU
Varianta PAL are matricea de tip SAU neprogramabil, dar are intrrile bidirecionale

Cele 2 matrici sunt programabile n procesul de fabricaie sau de ctre utilizator, conform aplicaiei concrete Implementarea CLC se face folosind varianta minimizat a funciilorCurs 6 ASDN (termenii elementari) 16.11.2011 14

4.3.3.2. Sinteza CLC cu PLA


Structura PLA cu n intrri, m ieiri i p termeni elementari realizabili
x1 x2 xn Matrice I 1 conexiune programabil p 1 Matrice SAU fm m conexiune programabil CS
16.11.2011 Curs 6 ASDN 15

conexiune programabil

f1

4.3.3.2. Sinteza CLC cu PLA


Avantajele implementrii CLC cu PLA
Posibilitatea programrii matricei I Posibilitatea complementrii ieirilor (programare individual ca s fie active pe 0 sau pe 1 logic)

Aplicaii ale PLA


Microprogramare Conversii de cod Generatoare de caractere Realizare de tabele de funcii Implementarea automatelor secveniale
16.11.2011 Curs 6 ASDN 16

4.3.3.3. Sinteza CLC cu VLSI


Circuitele VLSI (Very Large Scale Integration) grad extins de integrare Capitol special de studiu pentru proiectarea lor

16.11.2011

Curs 6 ASDN

17

4.4. Hazardul combinaional


Definiie - reprezint o comportare greit a CLC, pentru scurt timp Cauze:
ntrzieri produse de circuitele logice ntrzieri produse de firele de legtur

Efect - starea ieirii circuitului, n momentul modificrii variabilelor de intrare, nu coincide cu valoarea funciei corespunztoare valorilor intrrilor n momentul considerat
16.11.2011 Curs 6 ASDN 18

4.4. Hazardul combinaional


Hazard:
De funcie - dac la un moment dat se modific mai mult dect o singur variabil de intrare - greu de realizat proiectarea CLC Static - la un moment dat se modific o sigur variabil de intrare - condiie asigurat prin notarea diagramei Karnaugh n cod Gray - se poate elimina

16.11.2011

Curs 6 ASDN

19

4.4. Hazardul combinaional


Exemplu - hazard static
Funcie de 3 variabile, implementat doar cu pori de tip I-NU pentru a avea aceleai tipuri de pori logice f (x1, x2, x3) = x1 x3 + x2 x3 = x1 x3 x2 x3 1, 2, 3 sunt ntrzierile diferite ale porilor I-NU
ntrziere - timpul dintre momentul aplicrii intrrilor i momentul apariiei ieirii
x1 x3 x2 x3 1 g 2 h f 3 f
Curs 6 ASDN 20

16.11.2011

4.4. Hazardul combinaional


DK pentru funcia f este:
x1 x2x3 0 1 00 1 01 11 1 1 10 1

ntrzieri diferite hazard static la modificarea intrrilor x1, x2, x3, din starea 010 n starea 011 sau invers Dup un timp de reacie tr, datorat ntrzierilor, apare la ieire un impuls negativ t= 2 - 1pe durata cruia ieirea ia o valoare incorect
16.11.2011 Curs 6 ASDN 21

4.4. Hazardul combinaional


Formele de und pentru intrri, funcii intermediare i ieire
x1 x2 x3 g 2 h f f t 3 tr 1

16.11.2011

Curs 6 ASDN

22

4.4. Hazardul combinaional


Eliminarea hazardului static - n proiectare, la realizarea funciei se iau n considerare i unii termeni redundani din DK astfel ca oricare dou valori de 1 aflate n csue adiacente s fie incluse cel puin ntr-o grupare luat n considerare cnd se face sinteza n exemplul dat se introduce n plus termenul x1 x2 f = x1 x3 + x2 x3 + x1 x2
16.11.2011 Curs 6 ASDN 23

4.4. Hazardul combinaional


Schema corectat:
x1 x3 x2 x3 x1 x2 g 1 h 2 i t f 3

16.11.2011

Curs 6 ASDN

24

4.4. Hazardul combinaional


Formele de und fr hazard combinaional static:
x1 x2 x3 g 2 h i f f 1

16.11.2011

Curs 6 ASDN

25

4.4. Hazardul combinaional


Eliminarea sigur a hazardului combinaional static:
se ia n considerare ieirea circuitului numai dup un interval de timp mai mare dect ntrzierea maxim din circuit

16.11.2011

Curs 6 ASDN

26