Capitolul I.

Dispozitive de putere

1.Tranzistorul bipolar de putere

In electronica de putere TB lucreaza in regim saturat-blocat, comportandu-se ca un
comutator. La ora actuala aceste tranzistoare suporta curenti si tensiuni destul de
mari(800A-1200V). Aceste valori ridicate pentru curenti si tensiuni se datoreaza
structurii interne a TB de putere. Fata de un TB de mica putere, TB de putere are o
structura interna modificata si este prezentata in fig.1:

fig.1

Pentru a minimiza caderea de tensiune in conductie se prefera structura

verticala de circulatie a curentului prin dispozitiv(zona N- a colectorului
este putin dopata). In figura 2 sunt prezentate variatiile in timp ale
curentilor,tensiunii, puterii considerand circuitul din figura 3.
 VBE

VBE1
t0 t
V BE2

i
B
IB1

-I B2
iC t off
t on
90%
V
I cs CE ICE x
10% R c
td tr ts tf
VCE

t +Vcc
V CC V V CC
CEsat
Rc
p iC
Rb i B
vCE
com
t 0
vBE

FIG.2 Fig.3 0
-Definim timpiitd ..
tr ,
ts .,
t f .; unde:
td tr ton
ts t f toff
Puterea pe sarcina inductive cunoaste o crestere semnificativa mai ales la
blocare.
Tensiunea maxima care se poate aplica intre colector si emitor in cazul
blocarii unui tranzistor, depinde de metoda utilizata pentru blocare. In
fig.4 este prezentata caracteristica I C f (VCE ) cu ajutorul careia sunt
evidentiate diferite modalitati pentru blocarea unui transistor

IC
0 R
S
X
I
CE 0
I
CER
I
CES
I
CEX

V
CE 0
VCER VCES V
CEX VCE
FIG.4
 VCE 0 VCER VCES VCEX
|sunt date de catalog
ICE 0 I CER I CES I CEX

VCE 0 -tensiunea colector-emitor atunci cand blocarea se realizeaza lasand

baza libera;
VCER -tensiunea colector -emitor atunci cand blocarea se realizeaza
conectand o rezistenta intre baza si emitor;
VCES -tensiunea colector-emitor atunci cand blocarea se realizeaza
scurtcircuitand baza si emitorul;
VCEX - tensiunea colector-emitor atunci cand blocarea se realizeaza prin
polarizarea inversa a jonctiunii baza-emitor cu o tensiune;

In figura 5 este prezentata caracteristica IC f (VCE ) si sunt puse in

evidenta fenomenele strapungerii secundare.
IC
strapungere secundara
in c.c.
prima
strapungere

impulsuri
scurte

impulsuri relativ
lungi

I B1 0
IB 0

VCE 0 VCB 0 VC E
IB 0 IB 0

Fig.5
Presupunand jBE polarizata direct , daca tensiuneaVCE creste in apropiere
de VCE 0 , curentul de colector incepe sa creasca datorita multiplicarii prin
avalansa a purtatorilor. Acesta este fenomenul primei strapungeri care nu
este distructiv.
Insa daca IC creste mult, la un anumit moment data apare fenomenul
celei de-a doua strapungere care conduce la scaderea drastica a tensiunii
VCE si distrugerea TB.
Explicarea fenomenului starpungerii secundare consta in neuniformitatea
distributiei curentului de colector care apare la tensiuni si curenti mari.
Aceasta distributie neuniforma determina aparitia unei zone in care
densitatea de curent devine foarte mare , materialul se incalzeste si
datorita coefecientului termic negative , rezistenta scade conducand la
concentrarea si mai puternica a curentului in zona, se realizeaza practic
un scurtcircuit intre E si C , baza se topeste , iar TB se distruge. Unind
punctele in care apare acest fenomen se obtine curba strapungerii
secundare
Acest fenomen apare si atunci candjBE este polarizata invers,deci la
comutatie inversa a TB,doar ca tensiunea la care apare prima strapungere
este VCEO VCE VCB 0 .
In cadrul convertoarelor de putere(invertoare,choppere) tranzistorul
lucreaza in regim de comutatie ,trecand succesiv din starea de conductie
cvasisaturat in starea blocat si invers. Pentru ca tranzistorul sa nu se
distruga este necesar ca punctual sau (M) de functionare in timpul
comutatiei sa se mentina in cadrul ariei de functionare sigure (SOA)(safe-
operating area).Aria de functionare sigura se defineste in planul
caracteristicei de iesire I C f (VCE ) |I ct si este data de foaia de catalog a
B

tranzistorului.
Marimile care delimiteaza SOA sunt prezentate in fig.6 si sunt prezentate
in scara logaritmica:

Fig.6
 Pd ICVCE , log aritmand log Pd log I c log VCE
Unii producatori dau caracteristicele TB la intrarea in conductie
FBSOA(Forward Biased Safe Operating Area), respective la iesirea din
conductie(blocare) RBSOA(Reverse Biased Safe Operating Area)
prezentate in fig. 7
 Protectia tranzistoarelor de putere care au in colector
sarcina inductiva
Se considera circuitul din figura 8:

IC
IB ( saturatie)
SAT
EC VCE ea 0 VCE EC ea
DACA : L 20 H , toff 0.1 s, I C 1A
di 1A
ea L 20 200V
dt 0.1 s
VCE EC ea EC 200V (1)
Presupunand tranzistorul T in conductie la saturatie,sarcina L,R va fi
parcursa de un curentIC .Cand tranzistorul T comuta invers, adica se
blocheaza, se intrerupe circulatia curentului. Inductia sarcinii se va opune
di
variatiei generice de curent ea L . Polaritatea acestei tensiuni este
dt
prezentata in fig 8. Din relatia 1 se observa ca valoarea tensiuniiVCE poate
deveni destul de mare si poate distruge tranzistorul daca nu sunt luate
masuri de protectie pentru tranzistor .Un circuit de protectie este dat in
fig.9:
La trecerea tranzistorului din saturat in blocat se deschide dioda D si
curentul IC , mentinut de L, va fi comutat de pe tranzistor pe D:
+E C VCE max EC VD
IC In continuare curentul descreste exponential in timp dupa legea :
t
L,R
D VD L
i IC e R

EC
T VCE
O BS ER V A T IE
R elatiile c are s tau la b aza d eterm inarii tens iunii p e un c o nd ens ato r
Fig.9 res p ec tive a c urentului p rintr-o ind uc tanta s unt:

t

VC (t ) V (V0 V ) e
RC

t
L
iL (t ) I ( I 0 I ) e
R

Anularea curentului prin sarcina se face intr-un timp de anulare:

L
a 3
R
Daca rezistenta R a sarcinii este prea mica ,timpul de anulare poate
deveni inacceptabil de lung. Sunt situatii in care la o noua comanda de
conductie a tranzistorului T,curentul de sarcina trebuie sa fie zero.Pentru
micsorarea timpului de anulare se foloseste schema din figura 10:
+E C

D VD
IC -
L,R R
+
EC
T V CE

Fig.10
 L
a 3
R R1
VCE max EC VD R1 I C VCE 0

Trebuie mentionat faptul ca dioda D din ambele scheme trebuie sa fie

rapida.
Daca se doreste o scadere mai pronuntata a timpului de anulare a
curentlui se foloseste schema 11:
+E C

D VD
IC
L ,R Z VZ VCE EC VD VZ
EC
T V CE

F ig . 1 1
Este absolut obligatoriu introducerea lui D pentru a evita conductia lui
Z(dioda Zener) ca dioda obisnuita la saturarea lui T.Timpul de anulare a
curentului prin bobina este mai mic deoarece tensiunea pe Z ramane
constanta pe toata durata descarcarii energiei inmagazinate in c.m a lui L
si astfel energia disipata pe Z rezulta mai mare in aceeasi unitate de timp
decat pe rezistentaR1 .
Un alt circuit folosit este prezentat in fig.12:

+E C
VCE max VZ1
IC EC VZ1 VCE 0
L,R Z

T VCE VZ EC

Fig.12
 Tranzistorul bipolar avand in colector un T.I.
(transformator de impulsuri)

Astfel de situatii se intalnesc la etajele finale a dispozitivelor de

comanda cu tiristoare in surse de comutatie, in invertoare si convertoare
cu tranzistoare. T.I. este un transformator ce are in primar o tensiune
rectangulara sau un impuls de tensiune. Se da schema din fig.13:
 +EC

(- ) + + (- )

V 1 n1 n2 RS V2
(+) - - (+) +EC
IC
VC E V1 L1 n1
2
T R S' RS
iL n2
Fig.13 iC iR
K
Fig.14
Intrucat T lucreaza saturat-blocat ,tranasformatorul se alimenteaza in
impulsuri.Considerand transformatorul ideal circuitul echivalent este dat in fig.14.
 L1 =inductanta primarului transformatorului cu secundarul in gol
R' S =rezistenta de sarcina din secundar
reflectat in primar.Contactul K
modeleaza tranzistorul T. Ne propunem sa vedem cum variaza in timp
marimile din figuri . +EC
1. T: saturat k inchis:
n1 V1 n n
V1 EC V2 2 V1 2 EC 2
n2 V2 n1 n1 V1 L1 n1
V E n
2
R S' RS
iC iL iR (2) iR 1' C 2 (3)
RS RS n1 iL n2
diL di E E iC iR
V1 L1 EC L C iL (t ) C t A
dt dt L1 L1
K
Presupunem ca pentru t=0
Fig.14
iL (0) A 0
V1 EC

n E
t t1 0 V2 2 EC iL (t ) C t
n1 L1
2
E
i (t ) C n2
C 1
R S 1
n
 EC n2 2 EC
inlocuind relatia (3) si (4) in (2) iC (t ) ( ) t
RS n1 RS

V1
EC
t1 t2 t
A
V2
n2
EC
n1

B t
iC
2
EC n2
C
RS n1

t
Fig.15
 2. La momentult2 blocam tranzistorul T, K deschis.Curentul iC se
anuleaza, curentuliL va fi deviat peRS' determinand o tensiune
V1 cu
polaritatea din paranteze.
iC 0
n1 2
V1 RS' iL RS ( ) iL
n2
t
Cu originea de timp lat2 : RS'
L

t
EC EC t
L
iL (t ) I L e ; dar I L
R
EC
iL (t ) e RS'
e L
;
L1 L1 L1
De unde avem:
EC n1
2

RS n1 2
( ) t
RS n1 2
( ) t
V1 (t ) RS e
L1 n2
Ae L1 n2

L1 n2
R n R n
n E n S ( 1 )2 t S ( 1 )2 t
2
V 2
V1 C
R S
1
e L1 n2
Be L1 n2

n 1 L1 2
n
2
EC n1 EC
iC (t ) C
RS n2 L1

Fenomenul aparitiei unei tensiuni cu polaritatea inversa, la comutatia
inversa a tranzistorului se numeste oscilatie inversa.
Valoarea maxima a tensiunii
2
E n1
V1max C RS
RS n2
Aceasta oscilatie inverse mareste tensiunea pe tranzistor :
2
E n
VCE max EC C 1
L1 n2
Daca aceatsa tensiune depasesteVCE 0 schema trebuie prevazuta cu circuit
de protectie.
EC
Valoarea maxima iL max acest curent produce magnetizarea
L1
miezului si la cresterea sa creste si inductnata prin miez.
Daca iL max atinge o astfel de valoare a.i. miezul se satureze, efectul de
transformator dispare si curentul de collector creste foarte mult
conducand la distrugerea tranzistorului si totodata se anuleaza si
tensiunea din secundar.