Amplificatoare de semnal mic cu

tranzistoare

Partea I – Amplificatoare cu tranzistoare bipolare

Partea II – Amplificatoare cu tranzistoare MOS
 Analiza etajelor de amplificare cu
tranzistoare consta in următoarele:

• ANALIZA CIRCUITULUI ÎN REGIM DE CURENT CONTINUU

 ecuaţiile care determină Punctul Static de Funcţionare al
tranzistorului.

• ANALIZA CIRCUITULUI ÎN REGIM VARIABIL DE SEMNAL MIC în

domeniul frecvenţelor medii
 rezistenţa de intrare în circuit Ri
 rezistenţa de ieşire din circuit Ro
 factorul de amplificare IDEAL (al amplificatorului izolat)
 factorul de amplificare in tensiune REAL (al amplificatorului
conectat la circuitele externe)
 I. Amplificatoare de semnal mic cu
tranzistoare bipolare

Tipuri de amplificatoare cu tranzistoare bipolare:

• etaj de amplificare în conexiunea EMITOR COMUN:

– Varianta cu condensator in emitor
– Varianta fara condensator in emitor
• etaj de amplificare în conexiunea COLECTOR COMUN
• etaj de amplificare în conexiunea BAZĂ COMUNĂ
 1. Etaj de amplificare cu
tranzistor bipolar (TB) în
conexiunea Emitor Comun (EC)
– varianta cu condensator in
emitor
semnalul de intrare si de iesire au ca
borna comuna emitorul
 Schema electrica a etajului de amplificare cu TB în conexiunea EC

borne
alimentare
RB RC borne
iO(t)
iesire
borne iI(t)
intrare Q
vO(t)
vI(t)
RE CE

1. Bornele de alimentare: se aplică sursa de tensiune continuă, necesară furnizării

energiei electrice circuitului
2. Bornele de intrare: se aplică semnalul de intrare = informaţia
3. Bornele de ieşire: se furnizează semnalul de ieşire = informaţia amplificată
 Conectarea circuitelor externe la amplificator – pe
aceasta schema electronica se scot in evidenta
pierderile de semnal si se calculeaza amplificarile reale

borne alimentare

RB RC CL Sursa de
iO(t)
tensiune
CG borne iesire continuă
iI(t) +
Q VCC
borne intrare -
vO(t)
Generator RL
vI(t)
semnal
RE CE

sarcina

Condensatoarele de cuplare au capacitati

mari (mai mari decit 1uF)
A. Analiza funcţionării amplificatorului în regim de curent
continuu.

Scop:
calcularea PSF-ului tranzistorului şi verificarea regiunii de funcţionare a
tranzistorului bipolar; se reaminteşte că într-un circuit de amplificare, un
tranzistor bipolar trebuie să funcţioneze în regiunea activă normală (RAN).
 Determinarea circuitului echivalent în curent continuu

IC I C    VCC  VBE 
  RE  RB
RB RC CL Sursa de
tensiune
CG continuă
+
Q VCE VCC
-
VCE  VCC  I C  RC  RE 
RL
Generator 0,5V  VCE  VCC  1V
semnal
RE CE

sarcina

Determinarea circuitului de polarizare:

1. se elimină (nu se mai desenează) RAMURILE care conţin condensatoare
2. se pasivizează sursele INDEPENDENTE şi VARIABILE (adică, sursele de
tensiune se înlocuiesc cu un fir – scurtcircuit aplicat între cele 2 bornele
ale sursei, iar sursele de curent se elimină = nu se mai desenează).
B. Analiza funcţionării amplificatorului în regim variabil
de semnal mic.

Scop:

calcularea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului, care vor fi utilizaţi

pentru modelarea acestuia, în scopul determinării amplificărilor reale,
determinate în condiţiile în care amplificatorului i se conectează circuite externe
 Determinarea circuitului echivalent în regim variabil de semnal mic

RB RC CL Sursa de
iO(t)
tensiune
CG continuă
iI(t) +
gmVbe
Q VCC
rπ -
vO(t)
Generator RL
vI(t) Vbe
semnal
RE CE

sarcina
Determinarea circuitului echivalent în regim variabil de semnal mic:
1. condensatoarele de capacităţi mari (mai mari decât aproximativ 1F) se înlocuiesc
cu un fir aplicat între armături
2. se pasivizează sursele INDEPENDENTE şi CONTINUE (adică, sursele de tensiune
se înlocuiesc cu un fir – scurtcircuit aplicat între cele 2 bornele ale sursei, iar sursele
de curent se elimină = nu se mai desenează).
3. tranzistorul se înlocuieşte cu circuitul echivalent de semnal mic, valabil pentru
domeniul frecvenţelor medii.
 Circuitul echivalent al amplificatorului izolat, în regim
variabil de semnal mic, în domeniul frecvenţelor medii.

Formulele de calcul pentru parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar

panta tranzistorului biploar: rezistenta baza-emitor in semnal mic:

 mA  
g m  40  I C 
V 
 r  k
gm

β  VCC  VBE 
IC 
β  R E  RB
Metoda de calcul a rezistenţei Ri de intrare a amplificatorului -
metoda de calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar
formula finala de calcul a rezistentei

V
Ri  t
It

Circuitul de calcul

Vt  RB r  I t RB  r Vt  r  I t

Ri  r valoare mică/medie = kΩ
Metoda de calcul a rezistenţei Ro de ieşire a amplificatorului -
metoda de calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar
formula finala de calcul a rezistentei

V
Ro  t
It

Circuitul de calcul

Vt  RC  I t

Ro  RC valoare medie = kΩ
 Metoda de calcul a amplificarii în tensiune ideale - metoda de
calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar formula finala de
calcul a amplificarii si relatia intre amplitudinile semnalelor

Vo
AV 
Vi

Circuitul de calcul

Vo  gm Vbe   RC AV   gm  RC AV  gm  RC valoare mare

Vi  Vbe Vo  gm  RC  Vi relatia intre

amplitudini

semnul “-” indică un defazaj de 1800 între vo şi vi

 volti
Vi
0 vi(t) = tensiune de intrare
 2
-Vi

gmRCVi

Defazajul
de 180

0 vo(t) = tensiune de ieşire

- gmRCVi

Formele de unda ale tensiunilor de intrare, respectiv de iesire ale amplificatorului

 Metoda de calcul a amplificarii în curent ideale - metoda de
calcul nu se cere pentru colocviu; se cere doar formula finala de
calcul a amplificarii si relatia intre amplitudinile semnalelor

Io
AI 
Ii

Circuitul de calcul

Io 
RC
 g m  Vbe   g m  Vbe AI  gm  r   valoare mare
RC  0
AI  
RB Vbe Vbe
Ib   Ii Ib  Ii 
RB  r r RB r Io    Ii relatia intre
amplitudini
RB  r Vbe semnul “+” indică un
Ii  defazaj de 00 între io şi ii
r
 amperi
Ii
0 ii(t) = curent de intrare
 2
-Ii

βIi

0 io(t) = curent de ieşire

Defazajul
de 00

- β Ii

Formele de unda ale curentilor de intrare, respectiv de iesire ai amplificatorului

 Metoda de calculul a amplificarii reale in tensiune
a amplificatorului cu TB in conexiunea EC
Se utilizeaza formula generala a amplificarii reale in  Zi   Z L 
AVg  AV    
Z Z  Z Z 
tensiune in care amplificarea ideala si impedantele se
 i g   L o 
vor particulariza in functie structura si datele circuitului

Amplificarea ideala in tensiune

Parametrii amplificatorului cu TB in conexiunea EC izolat:

Zi  Ri  r Zo  Ro  RC AV   gm  RC

Impedanţele circuitelor externe conectate la bornele amplificatorului cu TB in conexiunea EC

Z g  Rg Z L  RL

Amplificarea reala in tenisune a amplificatorului cu TB in conexiunea EC

 rπ   RL 
AVg   g m  RC    
 Rg  rπ   RC  RL 
 
Eliminarea pierderilor de tensiune la bornele de semnal ale
amplificatorului conectat la circuitele externe

 rπ   RL 
AVg   g m  RC   
 
 Rg  rπ   RC  RL 
 

Pierderile de Pierderile de
tensiune la intrare tensiune la iesire

Criteriile de proiectare ale amplificatorului necesare pentru eliminarea

pierderilor de tensiune la bornele de intrare/ieşire:

r  Rg RC  RL
 Metoda de calcul a amplificarii reale in curent a
amplificatorului cu TB in conexiunea EC

Se utilizeaza formula generala a amplificarii reale in  Zg   Zo 

AIg  AI    
 Z Z
curent in care amplificarea ideala si impedantele se vor
Z Z
particulariza in functie structura si datele circuitului
 g i   o L 

Amplificarea ideala incurent

Parametrii amplificatorului cu TB in conexiunea EC izolat:

Zi  Ri  r Zo  Ro  RC AI  

Impedanţele circuitelor externe conectate la bornele amplificatorului cu TB in conexiunea EC

Z g  Rg Z L  RL

Amplificarea reala in curent a amplificatorului cu TB in conexiunea EC

 Rg   RC 
AIg      
R r  R R 
 g    C L 
 Eliminarea pierderilor de curent la bornele de semnal ale
amplificatorului conectat la circuitele externe

 Rg   RC 
AIg      
R r  R R 
 g    C L 

Pierderile de Pierderile de
curent la intrare AV la iesire
curent

Condiţiile de proiectare care trebuie îndeplinite de amplificator pentru a

nu exista pierderi de curent la bornele de intrare/ieşire:

r  Rg RC  RL
Exemplul 1: se consideră amplificatorul cu TB din figura de mai jos, în care: VCC=10V, VBE=0.6V, =100,
RB=910kΩ, RE=330Ω, RC=4.7kΩ, CG=CE=CL=100uF.
Se cer: PSF-ul tranzistorului, determinarea valorilor parametrilor de semnal mic Ri, Ro şi Av şi estimarea
pierderilor de tensiune în cazul în care la intrarea amplificatorului se conectează un generator de semnal a cărui
rezistenţă internă este 600Ω, iar la ieşire o rezistenţă de sarcină de 1kΩ.

borne alimentare

RB RC CL
iO(t)

Rg CG borne iesire
iI(t) +
Q VCC
borne intrare -
vO(t)
+ RL
vI(t)
- vG(t)
RE CE
1. Calcul PSF:   VCC  VBE 
IC 
  RE  RB
100  10  0.6V  940  V 
IC    1mA
100  0.33k  910k 943  k 

VCE  VCC  I C  RC  RE 

VCE  10V   1mA 4.7k  0.33k  10V   5.03V   5V 

2. Verificarea funcţionării tranzistorului în RAN:

0,5V  VCE  VCC  1V
0,5V  5V  10V  1V  9V  ADEVARAT

3. Calcularea parametrilor de semnal mic ai tranzistorului bipolar:

 mA   mA   mA 
g m  40  I C  g m  40 1  40
 V   V   V 

β
rπ  k rπ 
100
k  2.5k
gm 40
4. Determinarea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului

Ri  r Ri  2.5k

Ro  RC Ro  4.7k
AV   gm  RC  mA 
AV  40   4.7k  188
 V 

5. Amplificatorul cu TB poate fi echivalat cu modelul amplificatorului de tensiune:

 6. Calcularea amplificării reale în tensiune şi estimarea pierderilor de tensiune
la bornele amplificatorului

 Ri   RL  A  188   2.5k   1k 

 AV     Vg  
 
 
 0.6k  2.5k   4.7k  1k 
AVg
 R g  Ri   Ro  RL 

 

AVg  188 0.8 0.175

AVg  26.32
Pierderile de Pierderile de
tensiune la tensiune la iesire
intrare
 2. Etaj de amplificare cu
tranzistor bipolar în
conexiunea Emitor Comun

varianta fara condensator in

emitor
 Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu
TB în conexiunea EC – varianta făra condensator in emitor

Punctul static de funcţionare

  VCC  VBE 
IC 
  RE  RB
VCE  VCC  I C  RC  RE 

Parametrii de semnal mic ai amplificatorului

Ri  r  1     RE valoare medie = zeci kΩ

Ro  RC valoare medie = kΩ
RC amplificare mică; defazaj 1800
AV  
RE
 3. Etaj de amplificare cu tranzistor
bipolar (TB) în conexiunea Colector
Comun (CC)

semnalul de intrare si de iesire au ca

borna comuna colectorul
Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu
TB în conexiunea CC

Punctul static de funcţionare

  VCC  VBE 
IC 
  RE  RB
VCE  VCC  I C  RE

Parametrii de semnal mic ai amplificatorului

Ri  rπ  1  β   RE valoare mare = sute kΩ

utilizat pentru adaptarea
r
Ro   valoare mică = zeci Ω impedanţelor a două
1  circuite conectate.
AV  1 nu amplifică in tensiune; defazaj 00

 1     RB  amplificare in curent
AI     mare; defazaj 1800
 B
R  1     RE
 Schema electrica a amplificatorului cu TB în conexiunea CC
conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza
amplificarea reala precum si pierderile de semnal

generator de tensiune: daca marimea electrica de intrare de interes este tensiunea

generator de curent: daca marimea electrica de intrare de interes este curentul electric
Exemplul 2: utilizarea amplificatorului cu TB în conexiunea CC ca buffer;
buffer = etaj de adaptare a impedanţelor a două circuite

Se consideră în primul caz, 2 amplificatoare de tensiune conectate direct, caracterizate de

parametri de semnal mic din figura de mai jos. Să se determine amplificarea reală de tensiune.
Se consideră un al doilea caz, în care, cele 2 amplificatoare sunt conectate prin intermediul
unui “repetor pe emitor”. Să se determine amplificarea reală de tensiune.
Se considera Rg=50Ω, iar RL=100kΩ iar datele pentru amplificatoare sunt:
Amplificatoarele 1 şi 2 sunt amplificatoare cu TB in conexiunea EC care au urmatoarele date:
VCC=10V, VBE=0.6V, =100, RB=910kΩ, RE=330Ω, RC=4.7kΩ. (datele din problema
precedenta).
Amplificatorul cu TB in conexiunea CC: VCC=10V, VBE=0.6V, =100, RB=910kΩ, RE=3.3kΩ.
 v v v v
AVG  o 2  o 2  o1  i1
vg vo1 vi1 v g

  AV 2  vo1 
RL
vo 2 
Primul raport din relaţia de mai sus se determină observând că RL RL  Ro 2
şi Ro2 formează un divizor de tensiune pentru tensiunea Av2Vi2=
vo 2 RL
Av2Vo1 (Vi2 = Vo1), generată de generatorul de tensiune    AV 2
comandat în tensiune a celui de-al 2lea amplificator liniar: vo1 RL  Ro 2

  AV 1  vi1 
Ri 2
Al 2lea raport din relaţia de mai sus se determină observând că vo1 
Ri2 şi Ro1 formează un divizor de de tensiune pentru tensiunea Ri 2  Ro1
Av1Vi1, generată de generatorul de tensiune comandat în vo1 Ri 2
tensiune a primului amplificator liniar:    AV 1
vi1 Ri 2  Ro1

Al 3lea raport din relaţia de mai sus se determină observând că Ri1

vi1   vg
Ri1 şi Rg formează un divizor de tensiune pentru tensiunea vg, Ri1  Rg
generată de generatorul de tensiune sinusoidala aplicat la vi1 Ri1
intrarea circuitului:  
v g Ri1  Rg
Folosind relatiile obtine in slide-ul precedent, se determina amplificarea reala in tensiune

v Ri1 Ri 2 RL
AVG  o 2  AV 1  AV 2   
vg Ri1  Rg Ri 2  Ro1 RL  Ro 2

Se utilizeaza rezultatele numerice obtinute in problema precedenta

2.5k 2.5k 100k

AVG   188   188   
2.5k  0.05k 2.5k  4.7k 100k  4.7k

AVG  35344  0.98 0.35 0.95

Pierderile Pierderile Pierderile
tensiune tensiune la tensiune
la intrare conectarea la iesire
celor 2
amplificatoare

AVG  11517
Determinarea parametrilor de semnal mic amplificatorul cu TB in conexiunea CC

1. Calcul PSF:   VCC  VBE  100  10  0.6V  940  V 

IC  IC      0,75mA
  RE  RB 100  3,3k  910 k 943  k 

VCE  VCC  IC  RE VCE  10V   0,75mA 3,3k  10V   2,475 V   7,525 V 

2. Calcularea parametrilor de semnal mic ai tranzistorului bipolar:

 mA   mA   mA 
g m  40  I C  g  40  0,75 V   30 V 
 V 
m
   
β
rπ  k r 
100
k  3,3k
gm 30

3. Determinarea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului cu TB in conexiunea CC

Ri  rπ  1  β   RE Ri  3,3k  101  3,3k  337 k

r 3.3k
Ro   Ro   32
1  101
AV  1 AV  1
 v v v v v
AVG  o 2  o 2  or  o1  i1
vg vor vo1 vi1 v g
Fiecare bloc scos in evidenta reprezintă un divizor de tensiune:

  AV 1  vi1  vor   1 vo1  vo 2    AV 2  vor 

Ri1 Rir Ri 2 RL
vi1   vg vo1 
Ri1  Rg Rir  Ro1 Ri 2  Ror RL  Ro 2
vi1 Ri1 vo1 Rir v Ri 2 v RL
     AV 1  or   o 2   AV 2
v g Ri1  Rg vi1 Rir  Ro1 vo1 Ri 2  Ror vor RL  Ro 2
Folosind relatiile obtine in slide-ul precedent, se determina amplificarea reala in tensiune
v Ri1 Rir Ri 2 RL
AVG  o 2  AV 1  AV 2    
vg Ri1  Rg Rir  Ro1 Ri 2  Ror RL  Ro 2

Se utilizeaza rezultatele numerice obtinute atit in problema precedenta

cit si cele obtinute in calculul amplificatorului cu TB in conexiunea CC

2.5k 337k 2.5k 100k

AVG   188   188    
2.5k  0.05k 337k  4.7k 2.5k  32 100k  4.7k

AVG  35344  0.98 0.98 0.99 0.95

AVG  31925
Se observa ca prin introducerea amplificatorului cu TB in conexiunea CC intre cele 2
amplificatoare cu TB in conexiunea EC, amplificarea reala in tensiune a crescut de la
11517 la 31925
4. Etaj de amplificare cu tranzistor
bipolar (TB) în conexiunea Baza
Comuna (BC)

semnalul de intrare si de iesire au ca

borna comuna baza
 Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de
amplificare cu TB în conexiunea BC

Punctul static de funcţionare

β  VCC  VBE 
IC 
β  R E  RB
VCE  VCC  IC  RC  RE 

Parametrii de semnal mic ai amplificatorului:

rπ AV  g m  RC amplificare mare defazaj 00

Ri  valoare mică = zeci Ω
1 β
AI  1 nu amplifică; defazaj 1800
Ro  RC valoare medie = kΩ
 Schema electrica a amplificatorului cu TB în conexiunea BC
conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza
amplificarea reala precum si pierderile de semnal
Partea II – Amplificatoare cu
tranzistoare MOS
 Tipuri de amplificatoare de semnal
mic cu tranzistoare MOS

• etaj de amplificare în conexiunea SURSĂ COMUNĂ

– cu condensator in sursa
– fara condensator in sursa
• etaj de amplificare în conexiunea DRENĂ COMUNĂ
• etaj de amplificare în conexiunea GRILĂ COMUNĂ
5. Amplificator cu tranzistor MOS
in conexiunea Sursa Comuna
(SC) cu condensator in sursa

semnalul de intrare si de iesire au ca

borna comuna sursa
Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu tranzistor
MOS în conexiunea SC
Punctul static de funcţionare

I D  k  VGS  VTH 2 1. VGS  ....  VTH

VGS  I D  RS  VGG  0 2. I D  ....

RG1
VGG  VDD
RG1  RG 2

VDS  VDD  I D  RD  RS 

verificarea funcţionării MOS in reg.
saturaţie
Parametrii de semnal mic ai amplificatorului: VGS  VTH si VDS  VGS  VTH
RG1  RG 2
Ri  RG unde RG  valoare medie = zeci kΩ
RG1  RG 2
Ro  RD valoare medie = kΩ

AV   g m  RD amplificare mare; defazaj 1800 unde: gm  2  k  I D

AI  g m  RG amplificare mare; defazaj 00
 Schema electrica a amplificatorului cu MOS în conexiunea SC
conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza
amplificarea reala precum si pierderile de semnal
6. Amplificator cu tranzistor MOS
in conexiunea Sursa Comuna
(SC) fara condensator in sursa

semnalul de intrare si de iesire au ca

borna comuna sursa
 Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu tranzistor
MOS în conexiunea SC fara condensator in sursa

Punctul static de funcţionare

identic ca pentru primul amplificator

Parametrii de semnal mic ai amplificatorului

RG1  RG 2
Ri  RG unde RG  valoare medie = zeci kΩ
RG1  RG 2
Ro  RD valoare medie = kΩ
R
AV   D amplificare mică; defazaj 1800
RS
7. Amplificator cu tranzistor
MOS in conexiunea Drena
Comuna (DC)
semnalul de intrare si de iesire au ca
borna comuna drena
 Schema electrica si calculelel etajului de amplificare cu tranzistor MOS în
conexiunea DC
Punctul static de funcţionare

I D  k  VGS  VTH 2 1. VGS  ....

VGS  I D  RS  VGG  0 2. I D  ....

RG1
VGG  VDD
RG1  RG 2

VDS  VDD  I D  RS
verificarea funcţionării MOS in reg.
Parametrii de semnal mic saturaţie
VGS  VTH si VDS  VGS  VTH
RG1  RG 2 valoare medie
Ri  RG unde RG 
RG1  RG 2 = zeci kΩ
1
Ro  valoare mică = zeci Ω
1
gm 
RS
AV  1 nu amplifică; defazaj 00
AI   g m  RG amplificare mare; defazaj 1800 gm  2  k  I D
 Schema electrica a amplificatorului cu MOS în conexiunea DC
conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza
amplificarea reala precum si pierderile de semnal
8. Amplificator cu tranzistor
MOS in conexiunea Grila
Comuna (GC)
semnalul de intrare si de iesire au ca
borna comuna grila
Schema electrica si relatiile de calcul ale etajului de amplificare cu tranzistor
MOS în conexiunea GC
Punctul static de funcţionare

I D  k  VGS  VTH 2 1. VGS  ....

VGS  I D  RS  VGG  0 2. I D  ....

RG1
VGG  VDD
RG1  RG 2

VDS  VDD  I D  RD  RS 

verificarea funcţionării MOS in reg.
saturaţie
Parametrii de semnal mic VGS  VTH si VDS  VGS  VTH

1
Ri 
1 valoare mică = zeci Ω Ro  RD valoare medie = kΩ
gm 
RS
AV  gm  RD amplificare mare; defazaj 00
gm
AI  
gm 
1 nu amplifică; defazaj 1800 gm  2  k  I D
RS
 Schema electrica a amplificatorului cu MOS în conexiunea GC
conectat la circuitele externe – pe aceasta schema se calculeaza
amplificarea reala precum si pierderile de semnal
Exemplul 3: se consideră amplificatorul cu tranzistor MOS din figura de mai jos, în care, parametrii
tranzistorului MOS sunt: VTH=1V, k=0.25mA/V2. Se cer: PSF-ul tranzistorului, determinarea valorilor parametrilor
de semnal mic Ri, Ro şi Av, Ai, factorul de amplificare de tensiune real, pentru cazul în care la intrarea
amplificatorului se conectează un generator de semnal a cărui rezistenţă internă este 600Ω, iar la ieşire o
rezistenţă de sarcină de 4kΩ. Să se deseneze formele de undă ale tensiunii de intrare vG şi de ieşire vO pentru
cazul în care vG(t)=1xsin(t) [V]. Să se determine factorul de amplificare în curent real.

Punctul static de funcţionare

RG1
VGG  VDD
ID RG1  RG 2
50k
VDS
VGG  10V  5V
VGS 50k  50k
VGG VGS  I D  RS  VGG  0 VGS  I D  2  5  0
ID
I D  k  VGS  VTH 2 I D  0.25  VGS  12

2 2
VGS  0.25  2 VGS  0.25  2  2 VGS  0.25 1 2  5  0 0.5  VGS  4.5  0
VGS1  3V VGS 2  3V se alege soluţia VGS>VTH VGS  3V

 mA  2 I D  1mA VDS  VDD  I D  RD  RS 

I D  0.25   3V  1V 
V 2  VDS  10V  1mA  4k  2k  10V  6V  4V

verificarea funcţionării MOS in reg. saturaţie VDS  VGS  VTH 4V  3V 1V ade var at
Parametrii de semnal mic ai amplificatorului:

RG1  RG 2 100k 100k

Ri  RG unde RG  Ri   50k
RG1  RG 2 100k  100k
Ro  RD Ro  4k
gm  2  k  I D mA mA
g m  2  0.25 1mA  1
V2 V
AV   g m  RD mA
AV  1  4k  4
V
AI  g m  RG mA
AI  1  50k  50
V

Ri  50k Ro  4k AV  4 AI  50
 Calcularea amplificarii reale în tensiune

Ri  50k AV  4 Ro  4k

 Ri   RL  A  4   50k   4k 
AVg  AV     Vg  
 R g  Ri   Ro  RL   50k  0.6k   4k  4k 
  

AVg  4  0,99 0,5 AVg  2

 Formele de undă ale tensiunii de intrare şi de ieşire

volti

1
0 vG(t) = tensiune de intrare
 2
-1

0 vo(t) = tensiune de ieşire

-2
Defazajul
de 180
 Calcularea amplificarii reale în curent

Ri  50k AI  50 Ro  4k

 Rg   Ro   0,6k   4k 
AIg  AI     AIg  50    
 R g  Ri   Ro  RL 
  0,6k  50k   4k  4k 
 

AIg  50  0,012 0,5 AIg  0,3