Proiect

file:///C:/Documents and Settings/Dany/Desktop/test.php.htm

1.1. (5p)

In tabel sunt date potentialele (Volti) masurate pe electrozii unui MOS cu canal n cu factorul k=1mA/V2 VT=1,8V si =0,01/V S G D 0 2 0,15 Transistorul este: A) in zona activa(cvasiliniara) B) in zona de rezistenta variabila C) in saturatie

D) in blocare 2.1. In circuitul din figura curentul prin dioda Zener este: (10p)

A) Iz=0; B) Iz=((Vcc-V)/R2)-ID1. C) Iz=Io; 3.1. (6p) D) Iz=((Vcc-V)/R2)-Io n circuitul din figur jonciunea baz-colector a tranzistorului este ntrerupt. Celalt jonciune este functionala. Tensiunea pe colectorul tranzistorului este:

A) 0.2V B) 0V C) 15V D) 9.3V 4.1. (6p) LD Tensiunea masurata la bornele unei diode redresoare este 0,7V Dioda este polarizata : A) fie in strapungere fie in conductie B) fie in strapungere fie in blocare C) in blocare D) in conductie 5.1. (6p) LD Curentul masurat printr-o o dioda este de 5mA Dioda este polarizata : A) in blocare B) in conductie C) fie in strapungere fie in blocare 6.1. (6p) D) fie in strapungere fie in conductie LBW.Cu un voltmetru de tensiune continua se masoara urmatoarele potentiale (exprimate in volti) pe electrozii unui transistor npn(zero (0) volti este potentialul de referinta) E1 B0 C1 Regimul de lucru este: A) blocare B) RAN C) saturatie D) RAI 7.1. (6p) LB.Prin reprezentare la scar logaritmic a caracteristicii IC(VBE) s-a pus n eviden

2 of 3

05.01.2011 15:44

Proiect

file:///C:/Documents and Settings/Dany/Desktop/test.php.htm

A) dependena ptratic IC(VBE); B) dependena liniar IC(VBE); C) dependena exponenial IC(VBE); 8.1. (6p) D) dependena logaritmic IC(VBE); Pentru circuitul din fig. rezistenta de intrare este:

A) RG1; B) RG1 // RG2; C) . D) RG2;

3 of 3

05.01.2011 15:44