Monoclorura de indiu se poate purifica prin distilar~ in vid si raft-hare zonara, iar metalul se poate ob.

tine prin dispropor~ionarea InC1 in apa distilata. Triclorura de indiu se poate purifica prin cMcinare la 300--350C, urmata de filtrare sau prin recristMizari repetate sub forma de clorura dubla de amoniu ~i indiu. Impuritat. ile de Zn, Mg ~i Ca se reduc sub 10-5%, Jar Al, 8i si Mn sub~ 106%'. Tratarea cu cupferon in soluble de aciditate controlata reduce concentra~ia in tier pina la 10-6%, Jar dupa electroliza finala TI~ Cd ~i Fe scad sub 10-6% [40]. i Retopirea ~n vid. ~ndepartarea impurita~ilor mai volatfie se poate reMiza prin retopirea, indiului sub presiune scazuta. Impurita~ile de Itg, Cd, Zn~ S, Se, Te au presiuni de vapori a.preciabile fa,fa tie indiu ~i se pot indeparta prin incalzire in vid, cu excep~ia S, Se ~i Te care din cauza afl-nita~ii 1or chimice formeaza combina~ii greu volatile. Se foloseste in speciM incklzirea la 750--800C tinip indelungat ~i in vid 10-4 -- 10-5 mm col Hg pentru indeparta.rea, impurita,tilor care dau nivele aceeptoare (Zn, Cd, ]~g)in compu$ii semiconductori InSb [41] ~i InAs [34]. Distilarea ~n vid. Indiul, avind o tensiune de vapori relativ mica, distiia numM la temperaturi ridicate ~i in vid inMntat. Sergheeva $i Strum [38] au efectuat distilarea in tuburi de cuar~ sub vid de 10-?--10-$ mm col. Hg. Materialul a. fost separat in trei frac~iuni: prima frac~iune. (cca. 4% din sarje) a disti]at la 825~-925C, concentrind impurita~ile mai volatile (Cd, Zn $i Pb), '~ dotta la 1 025C, rezultind indiu purificat, iar in contain'er s-a depus reziduul, concentrind impurita~ile greu volatile (Cu ~i Ye). Rafinarea prin topire zonarS. ~ncercarile de rafinare zona.ra in con-di~ii obisnuite nu au dus la rezultate Satisfacatoare. Harman [37] reugeste indep~rtarea telurului pin& la a doua zecimMa dupa 5 treceri zonare cu 7,5 cm/ora urinate de alte 5 treceri cu 1 cm/ora, folosind nacele de grafit pur ~i lucrind sub presiune redusa de hidrogen. Eficien~a de purificare a fost considerabil imbunata~ita prin metoda propusa de ~I. ~Kyotani, /~. Tsuyuki ~i K. S isklowa [42], care consta in rr~cirea for~ata a par~ilor netopite ale lingoului, lmpurita~.ile de Sn, Cu, Cd~ Mg $i T1 sint antrena.te spre extremitatea lingoului, in timp ce Pb se coleCte~zi la capatul ini~iM. Plecind de la un indiu cu tithl 99798%, dupa 8--12 treceri zon~re cu o viteza de 17 mm/ora s:a ob~inut in por~iunile mediane a.le lingoului o puritate de 99,994%. Cercet~rile efectuate in tara noastra au dovedit ca, plecindu-se de la indiul tehnic din produc~ia indi-gena, se poate ob~ine un metal de purita.te de peste 99,999 % priu combina-rea metodelor de~purificare electrolitic~, termica ~i topire zona.ra cu adap-tari originMe [43]. Cu acest indiu s-au preparat compu~ii semiconductori InSb ~i InAs cu ma.re mobilitate a purtatorilor de sarcini.