Ministerul Educatiei si Invatamintului al RM Catedra MDS

Disciplina: Modelarea proceselor tehnologice

Darea de seama
la lucrarea de lab. Nr.1
Tema: Modelarea proceselor de difuzie in pachetele de programe SUPREM, ATHENA

A efectuat:

Studentul gr.ME-091 Rusu Valeriu

A verificat:

Conf. univ. Pocaznoi Ion

Chisinau 2011

Cuprins: 1.Modelul fizico-matematic al difuziei impuritatilor in Si. Prima lege a lui Fick traduce tendinta de imprastiere; fluxul de atomi difuzanti este proportional cu gradientul concentratiei acestor atomi si se exprima prin :

unde D este coeficientul de difuzie. D depinde puternic de temperatura; practic nul la temperatura ambianta, acest coeficient este de ordinul unitatii pe micron patrat si ora la temperaturi de ordinul a 1100C. A doua lege de luat in considerare este ecuatia de continuitate. Intr-un element de volum dat, de grosime dx, daca fluxul ce intra e superior fluxului ce iese, concentratia substantei considerate creste. Aceasta ecuatie este utila atat pentru modelarea difuziei, cat si pentru modelarea deplasarii putatorilor de sarcina (electroni si goluri) in semiconductori (de remarcat insa ca, in cazul difuzizi atomilor, nu are loc nici generare de perechi, nici recombinari).

Prin combinarea celor doua ecuatii precedente se ajunge la a doua lege a lui Fick :

Pentru integrarea acestei ecuatii diferentiale, continand o derivata de ordinul I in raport cu timpul si o derivata de ordinul II in raport cu spatiul, se cer precizate 3 conditii la limita. Aceste conditii vor depinde de procedeul tehnologic folosit.

2.Procedeele tehnologice pentru realizarea difuziei Procedeele pentru realizarea difuziei depind de natura surselor de dopant. Exista trei mari tipuri de surse care permit furnizarea elementelor dopante ce urmeaza sa penetreze in substrat : surse gazoase, lichide sau solide.

Figura 23 : Realizarea difuziei intr-un cuptor, pornind de la surse gazoase. Gazele dopante sunt antrenate de un gaz purtator neutru (ex.: azot)

Sursele sunt gaze continand elemente dopante, ca spre exemplu arsina (AsH3), fosfina (PH3) sau diboranul (B2H6) - figura 23. De notat ca prin cuptor circula in permanenta un gaz neutru (azot) pentru a evita orice poluare cu elemente provenind din atmosfera ambianta. Azotul trebuie sa fie la randul lui foarte pur, pentru a nu polua cuptorul.

Figura 24 : Difuzia folosind surse lichide. Baloanele continand lichide sunt incalzite pentru a produce vaporizarea. Vaporii patrund in cuptor.

Chiar daca a priori aces gaze sunt usor de obtinut, ele sunt foarte periculoase, concentratia letala pentru om fiind de cateva ppm (parti pe milion). Din acest motiv se prefera folosirea surselor lichide de dopant, cum ar fi POCl3 sau BBr3, substante care sunt in forma lichida la temperatura ambianta, dar care se evapora usor pentru a fi introduse in cuptorul de difuzie (figura 24).

Pot fi folosite si surse solide. Acestea sunt materiale de tipul sticlei, continand subnstante dopante ca nitrura de bor sau sticla dopata
cu fosfor. Aceste surse se prezinta sub forma de plachete (discuri) si sunt introduse in cuptor printre plachetele de siliciu ce urmeaza a fi dopate (figura 25). Sticla dopata se evapora si se depune pe plachete. Se retrag apoi sursele solide. Prin incalzirea la temperatura inalta a plachetelor in cuptor dopantii depusi pe suprafata difuzeaza spre interiorul substratului. In practica, inaintea acestei etape de difuzie se indeparteaza prin gravura chimica sticla depusa pe plachete, cantitatea de dopant ce a penetrat stratulsuperficial al substratului in timpul etapei de depunere fiind suficienta.

Figura 25 : Procedeu de dopare pornind de la surse solide. Plachetele din sticla dopata permit realizarea unui depozit pe substraturile montate pe o nacela port-substrat.

3. Simularea difuziei B, P, Sb si As in programul SUPREM(v.a.1983)

3.1.Textul programului de simulare: TITLE EXEMPLU GRID DYSI=.1,DPTH=4.,YMAX=200 SUBSTRATE ORNT=111, ELEM=P, CONC=10E18 PLOT WIND=4., IDIV=T, AXIS=T STEP TYPE=PDEP, ELEM=B, CONC=10.E20, TIME=10., TEMP=950 STEP TYPE=OXID,TIME=60.,TEMP=1100.,MODL=STM1 END // Se simuleaza difuzia Borului cu concentratia 1021 cm-3 in Si cu planul de orientare (111) dopat cu P cu concentratia 1019cm-3. Difuzia se va petrece timp de 10 min, la temperature de 950. Urmatoarea operatie tehnologica este oxidarea in mediu umed. 3.2.Prezentarea grafica a rezultatelor simularii I STEP = 1 I DEPTH I TIME = 10.0 MINUTES. CONCENTRATION (LOG ATOMS/CC)

(UM) I 14 15 16 17 18 19 20 21 .00 ----------------------------------------------------------------------I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I .00 ----------------------------------------------P-----------------------I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I 1.00 --------------------------------------------------P-------------------I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I 2.00 --------------------------------------------------P-------------------I STEP = 1 TIME = 10.0 MINUTES. I DEPTH I CONCENTRATION (LOG ATOMS/CC) (UM) I 14 15 16 17 18 19 20 21 .00 ----------------------------------------------------------------------I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I .00 ----------------------------------------------------------------------B I I I I I I I BI I I I I I I I B I I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I BI I I I

I I B I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I 1.00 B---------------------------------------------------------------------B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I 2.00 B---------------------------------------------------------------------I STEP = 2 TIME = 60.0 MINUTES. I DEPTH I CONCENTRATION (LOG ATOMS/CC) (UM) I 14 15 16 17 18 19 20 21 -.68 ----------P-----------------------------------------------------------I I I I P I I I I I I I I P I I I I I I I IP I I I I I I I I P I I I I I I I I P I I I I I I I I P I I I I I I I I P I I I I I I I I P I I I I I I I I P I I I .00 -------------------------------------------P--------P-----------------I I I I I IP I I I I I I I IP I I I I I I I IP I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I 1.00 --------------------------------------------------P-------------------I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I I I I I I P I I 2.00 --------------------------------------------------P-------------------I STEP = 2 TIME = 60.0 MINUTES. I DEPTH I CONCENTRATION (LOG ATOMS/CC) (UM) I 14 15 16 17 18 19 20 21 -.68 -----------------------------------------------B----------------------I I I I I I BI I I I I I I I IB I I I I I I I IB I I I I I I I I B I I I I I I I I B I I I I I I I IB I I I I I I I IB I I I I I I I B I I I I I I I BI I .00 --------------------------------------------------------B-B-----------I I I I I I B I I I I I I I I B I I I I I I I I B I I I I I I I I B I I I I I I I I B I I I I I I I I B I I I I I I I I B I I I I I I I I B I I I I I I I I B I I 1.00 -------------------------------------------------------B--------------I I I I I I B I I I I I I I I B I I I I I I I IB I I I I I I I BI I I I I I I I B I I I I I I I IB I I I I I I I B I I I I I I I IB I I I I I I I B I I I I I 2.00 ----------------------B------------------------------------------------

4.Textul programului pentru diferite regime de difuzie:

TITLE PREDEP GRID DYSI=.1,DPTH=4.,YMAX=200 SUBSTRATE ORNT=111 PLOT WIND=4., IDIV=T, AXIS=T STEP TYPE=PDEP, ELEM=B, CONC=10.E20, TIME=10., TEMP=950 STEP TYPE=PDEP, ELEM=B, CONC=10.E20, TIME=20., TEMP=950 STEP TYPE=PDEP, ELEM=B, CONC=10.E20, TIME=60., TEMP=950 STEP TYPE=PDEP, ELEM=B, CONC=10.E20, TIME=20., TEMP=1100 STEP TYPE=PDEP, ELEM=B, CONC=10.E20, TIME=20., TEMP=1200 STEP TYPE=PDEP, ELEM=B, CONC=10.E20, TIME=20., TEMP=700 STEP TYPE=OXID, TIME=0.6, TEMP=1200 END 5.1 Prezentarea

grafica a rezultatelor

I STEP = 1 TIME = .0 MINUTES. I DEPTH I CONCENTRATION (LOG ATOMS/CC) (UM) I 14 15 16 17 18 19 20 21 .00 ----------------------------------------------------------------------I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I .00 ------------------------------------------------------------B---------I I IB I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I B I I I I I I I 1.00 B----------------------------------------------------------------------

6.Simulari in programul FR: pentru diferiti paramatri: temparatura, timp. 6.1)Rezultatele simularii pentru BORE in Siliciu: a) Regimuri cu temperature variabile

b)Rezultatele simularii pentru impuritati de PHOSPHOR

c)Rezultatele simularii pentru impuritati de ARSENIC

6) Programul de simulare ATENA 1D ATHENA 1D Procesul 1D 1D Simulator ATHENA este un mod 1D de funcionare a industriei Simulator standard de ATHENA Procesul de 2D. 1D ATHENA formeaz un scop cuprinztor unul general-dimensional (1D) simulatorul de proces utilizate n de predicie de profile dopajului si grosimi de produse semiconductoare de prelucrare. Acesta utilizeaz aceleai modele fizice ca ATHENA, SILVACO 2D simulator de proces utilizate pe scar larg n industria de semiconductori pentru proiectarea si optimizarea tehnologiilor de fabricare diverse. 1D ATHENA este, aadar, foarte precis i extrem de rapid. 1D ATHENA este capabil de a simula un flux proces complet ntr-o chestiune de minute. an1dex12. n: Diffusion Oxidarea consolidat de bor Recomandari: 1D ATHENA Acest exemplu demonstreaz modele de difuzie pentru Diffusion de oxidare consolidat (OED). Cnd difuzie este efectuat ntr-o ambiant oxidant, defecte punctul sunt injectate n siliciu, cu o rata care este o funcie de rata la care de siliciu este de oxidare. Aceast injecie defect punct d natere la o difuzie a crescut, care este denumit n mod obinuit OED. Pentru modelul OED, cele dou. Modelul de difuzie DIM trebuie specificate n declaraia MODUL. Atunci cnd acest model este specificat, concentraia interstiial i posturile vacante vor fi calculate mpreun cu impuriti. Acest model Cupluri slab defecte punct, generate de oxidare Si-SiO2 interfa, cu bor difuzarea. Atunci cnd modelare defecte punct, este necesar s se extind substratul spaiu de simulare a oferi o chiuveta adecvat pentru defecte punctul. Simulrile arat c o adncime de la 20 la 50 microni este necesar, n majoritatea cazurilor. Acest exemplu re-execut simularea folosind fermimodel de a compara rezultatele. Complot suprapunere de la sfritul simulrii demonstreaz accesoriu de oxidare suplimentar la adncimea de difuzie. Pentru a ncrca i a executa acest exemplu, selectai butonul exemplu Load. Aceast aciune va copia toate fisierele asociate la directorul curent de lucru. Selectai butonul Run pentru a executa DeckBuild exemplul.

Textul programului:
go athena1d # OED of Boron #the line line line vertical definition y loc = 0 spacing = 0.02 y loc = 2.0 spacing = 0.20 y loc = 25.0 spacing = 2.5

#initialize the mesh init silicon c.phos=1.0e14 #perform uniform boron implant implant boron dose=1e13 energy=70 #set diffusion model for OED method two.dim #perform diffusion diffuse time=30 temperature=1000 dryo2 # extract name="xj_two.dim" xj silicon mat.occno=1 x.val=0.0 junc.occno=1 #save the structure structure outfile=an1dex12_0.str # repeat the simulation with default FERMI model go athena1d #TITLE: Simple Boron Anneal #the line line line vertical definition y loc = 0 spacing = 0.02 y loc = 2.0 spacing = 0.20 y loc = 25.0 spacing = 2.5

#initialize the mesh init silicon c.phos=1.0e14 #perform uniform boron implant implant boron dose=1e13 energy=70 #select diffusion model method fermi #perform diffusion diffuse time=30 temperature=1000 dryo2 # extract name="xj_fermi" xj silicon mat.occno=1 x.val=0.0 junc.occno=1 #save the structure structure outfile=an1dex12_1.str # compare diffusion models tonyplot -overlay an1dex12_0.str an1dex12_1.str -set an1dex12.set // pu programu ista, ce prevede el

Rezultatele datelor a simularii: Culorile diferite concentratii

Simularea in programu SSuprem 4

SSuprem4
2D Core Process Simulator SSuprem4 is a 2D process simulator that is widely used in the semiconductor industry for design, analysis and optimization of various fabrication technologies. SSuprem4 accurately simulates all major process steps in modern technology by using a wide range of physical models for diffusion, ion implantation, oxidation, etching, deposition, silicidation, epitaxy and stress formation. Within the ATHENA framework, SSuprem4 is fully integrated to Optolith for photolithography simulation, Elite for physical etching and deposition simulation and MCImplant for advanced Monte Carlo ion implantation.

7. Concluzii: In urma efectuarii lucrari de laborator nr1 ne-am familarizat cu modelarea

proceselor de difuzie in programele SUPREM, ATHENA