Universitatea Tehnica a Moldovei Universitate Tehnic a Moldovei Catedra "Microelectronic i Dispozitive cu Semiconductori"

Disciplina: Electronica

RAPORT
Lucrare de laborator Nr. 1

Tema: Cercetarea tranzistorului bipolar n conexiune cu baza comun i emitor comun

A efectuat :

studentul grupei SI-111, Noroc Victor

A verificat:

lect. sup.

N.Niculi

Chiinu 2012

1. Scopul lucrrii
Ridicarea caracteristicilor de intrare i ieire a tranzistorului bipolar(TB) n conexiune cu baz comun (BC) i emitor comun (EC). Determinarea parametrilor h.

Fig.1 Schema electric pentru trasarea experimental a caracteristicilor statice a TB n conexiunea BC

2. Formule de calcul
rezistena de intrare a TB n conexiunea BC n regim de scurtcircuit la ieire; coeficientul reaciei inverse de amplificare n tensiune n regim de mers n gol la intrare; coeficientul de amplificare a curentului la regimul de scurtcircuitare la ieire; admitana de ieire a tranzistorului la regimul de funcionare n gol n circuitul de intrare.

3. Tabele msurri
Tabelul 1. Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale TB n conexiunea BC UEB, mV IE, mA UCB=0V UCB=-5V
20 0 0 40 0 0 60 0.1 0.1 80 0.1 0.2 100 0.1 0.4 120 0.7 0.9 140 1.2 1.6 160 2 2.4 200 4.6 5.7 220 5.6 8 250 7.2 12.7

Tabelul 2. Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicilor de ieire ale TB n conexiunea BC UCB, V IE=5mA IC, mA IE=10mA
0 4.3 8.9 2 4.3 9 4 4.4 9 6 4.4 9.1 8 4.4 9.2 10 4.5 9.2 12 4.5 9.2 14 4.5 9.2

4. Construirea graficelor pe baza datelor din tabele

5. Calcule
Analiznd graficele obinem urmtoarele valori: Pentru caracteristicile de intrare: IE = 6,6-5,1=1,5 mA; UEB = 240-212=28 mV; UCB = UCB1-UCB2=5 V; Pentru caracteristicile de ieire: IC = 9-4,4=4,6 mA; IC = 9,2-9=0,2 mA; UCB = 10-5=5 V IE= IE1-IE2=-5 mA Calculm parametrii h:

Concluzii
Efectund aceast lucrare de laborator am studiat tranzistorul bipolar n condexiune cu baza comun. Observm c caracteristicile de intrare depind de tensiunea de ieire UCB (la aceeai tensiune de intrare observm c valoarea curentului de intrare crete de aproape 2 ori la o mrire a UCB cu 5 V). Analogic observm c caracteristicile de ieire sunt influenate de curentul de intrare IE (la aceeai tensiune de ieire observm c valoarea curentului de ieire crete de aproape 2 ori la o mrire a IE cu 5 mA).