Sunteți pe pagina 1din 20

Lucrare de laborator Nr.

1 Tema: Cercetarea etajelor aperiodice de amplificare n tensiune cu rezistena de legtur de tip pasiv i activ (dinamic) Indicaia metodic conine: - partea teoretic n ce privete etajele aperiodice de amplificare n tensiune n care rezistena de legtur, numit rezisten colector n etajele cu tranzistori bipolari sau rezisten dren Rdn etajele echipate cu tranzistori cu efect de cmp se nlocuiete cu o rezisten activ (dinamic); - sarcina pentru acas - exemplu de calcul pentru sarcin de acas; - sarcina pentru cercetarea etajului n laborator; - ntrebrile pentru auto-control. n lucrare se studiaz parametrii i caracteristicele etajului de amplificare (EC), cum ar fi amplificarea n tensiune, impendana de intrare i impedana de ieire, semnalul de intrare maximal admisibil, caracteristica de amplitudine i caracteristicile de amplitudine i faz-frecven, caracteristica tranzitorie. Studiul se petrece pentru dou cazuri la condiii egale: a) rezistena de legtur a etajului n curent alternativ ( Rc, Rd) este de caracter pasiv, adic prezint o rezisten obinuit ohmic pasiv; b) rezistena de legtur ( Rcd, Rdd) este ohmica activ, fiindc prezint de sine rezistena de ieire n curent alternativ a unui tranzistor cercetat ce nlocuiete rezistena Rc (sau Rd n etajele echipate cu tranzistori cu efect de cmp) caracteristic etajelor obinuite. Cu alte cuvinte cnd ca element amplificator se folosete tranzistorul bipolar, rezistena Rc se nlocuiete cu un tranzistor de asemenea bipolar, iar cnd ca element amplificator se folosete tranzistorul cu efect de cmp respectiv rezistena Rd se nlocuiete cu un tranzistor de asemenea cu efect de cmp. Locul de lucru pentru partea experimental de laborator Fiecare loc de lucru n laborator este asigurat cu un calculator (sau stand n care este montat etajul studiat), n care este instalat programul MULTISIM. Numrul de studeni n echip poate fi nu mai mare de 2...3. ATENIE! n toate etajele amplificatoare studiate polarizarea tranzistorului se asigur prin fixarea tensiunii baz, adic prin intermediul divizorului de tensiune compus din rezistenele R1 i R2 calculate n sarcina pentru acas. Regimul de funcionare al tranzistorului regimul clasa A. ATENIE! Msurrile n curent continuu se efectueaz cu ajutorul voltmetrului de curent continuu, iar n curent alternativ cu ajutorul voltmetrului de curent alternativ. Valoarea rezistenei de legtur RC (pentru schema colector comun respectiv rezistena RE ) i rezistena sarcinii etajului RS se alege din tabelul 1 conform numrului locului de lucru, adic a numrului echipei.
Tabelul 1 Numrul echipei Valoa-

rea rezistenei i tipul tranzistorului Rc ,

1 0.75 2.0 0.75

2 1.1 3.9 1.1

3 2.2 1.2 2.2

4 1.3 2.7 1.3

5 1.8 2.2 1.8

6 2.0 3.3 2.0

7 1.6 2.5 1.5

8 0.82 1.8 0.82

RS 1 ,

RS 2 ,

Scopul lucrrii: studierea parametrilor i a caracteristicelor etajului aperiodic rezistiv pentru dou cazuri: 1) rezistena de legtur a etajului cu sarcina lui extern este de tip rezistiv-pasiv; 2) rezistena de legtur a etajului cu sarcina lui extern este de tip rezistiv-activ la aceleai condiii de funcionare a etajului. 1.1 Sarcina pentru acas (se execut n procesul de pregtire ctre lucrarea de laborator) 1.1.1 De studiat profund teoria etajelor amplificatoare aperiodice de curent alternativ, folosind indicaia metodic, literatura corespunztoare i conspectul de prelegeri. 1.1.2 De compus schemele electrice principale pentru cazurile: - cnd rezistena de legtur a etajului cu sarcina lui extern este de caracter rezistiv-pasiv; - cnd rezistena de legtur a etajului cu sarcina lui extern este de caracter rezistiv-activ, iar tranzistorul se polarizeaz prin fixarea tensiunii baz n conectarea EC. 1.1.3 Pentru tranzistorul amplificator indicat n sarcina de laborator se alege tranzistorul sarcin activ. Pentru ambii tranzistori (cel amplificator i cel de sarcin activ) se alege punctul lor stativ de funcionare i prin calculul divizoarelor de polarizare a lor se asigur regimul de funcionare ales. 1.1.4 Se calcul cderea de tensiune de curent continuu pe tranzistorul = amplificator pentru cazul cnd rezistena de legtur este pasiv RCp i cnd rezistena de legtur este activ RCa (rezistena n curent continuu a tranzistorului ca element de legtur a etajului cu sarcina lui). 1.1.5 Se calcul frecvenele limita (la nivelul de 3dB) a benzei de frecvene lucrtoare a etajului pentru ambele cazuri, folosind formulele de calcul date n actuala indicaia metodic. Se calcul durata frontului anterior pentru cazul cnd la intrarea etajului acioneaz o treapt de tensiune. Valorile mrimilor necesare pentru calculul punctului 1.1.5 se aleg din tabelul 2.
Tabelul 2

Parametrii Schema de conectare

RS

Rg,

S, nF

Cb, F

fS

tcret.

fi

RS1 EC

RS2

50.0 50.0 50.0 1000 1000 1000 50.0

0 1.0 1.0 1.0 0 1.0 1.0

0.1 1.0 0.1 0.1 0.1 1.0 0.1

+ + + + + + +

+ + + + + + +

+ + + + + + +

+ + + + + + +

1.1.6 Fiecare echip de studeni obligatoriu pregtete un semifabricat al drii de seam pentru lucrarea de laborator, iar fiecare student - un semifabricat al drii de seam cu coninutul: partea teoretic al lucrrii (calculele parametrilor etajului), metoda de executare a prii experimentale de lucrare (schema bloc i schema electric principial a etajului cu comutarea aparatelor msurtoare i a generatorului necesare pentru executarea fiecrui punct de sarcin), tabelele n care se vor introduce datele obinute experimental (msurate). 1.1.7 n scris rspundei la ntrebrile de control, anexate la sfritul actualei indicaii metodice. 1.2 Partea experimental a lucrrii de laborator se efectueaz n sala de calculatoare (sau n laborator la machete) 1.2.1 Cu ajutorul programului MULTISIM montai schemele electrice a etajelor amplificatoare pregtite acas, folosind elementele artate n fig.1. n schemele montate nominalizai valorile electrocomponentelor n conformitate cu datele obinute n calculele efectuate acas pentru tranzistorul dat de sarcin. Msurrile se petrec numai pentru o singur sarcin extern RS 1 (sau Rs 2 ). La etajul montat conectai aparatele de msur i generatorul de semnal msurtor. Artai schemele montate profesorului.

Figura 1 Componentele electrice necesare pentru montarea etajului amplificator rezistiv n conectarea tranzistorului EC

1.2.2 Alimentai etajele montate de la sursa de alimentare cu tensiunea nominal, corespunztoare tranzistorului dat, care se ia din foaia lui de catalog. 1.2.3 Determinai valoarea maximal admisibil a semnalului cules nemijlocit de la ieirea generatorului armonic E g i a semnalului U in .max ce acioneaz nemijlocit la intrarea tranzistorului pentru ce (figura 2): la intrarea etajului amplificator de la generator se aplic un semnal sinusoidal de frecvena 1 kHz; la ieirea etajului amplificator se conecteaz un oscilograf, iar la intrarea lui un voltmetru de curent alternativ cu impedana intern mare. Lent se majoreaz semnalul de intrare, urmrind concomitent forma semnalului ce se elimen pe sarcin extern Rs a etajului (semnalul) de ieire. Valoarea maximal admisibil de intrare Uin.max i corespunztor a generatorului se consider valoarea la care n semnalul de ieire apar mici distorsiuni de amplitudine (din ambele pri ale sinusoidei concomitent). 1.2.4 Culegei caracteristica de amplitudine a etajului, Uie = (Uin), ncepnd cu Uin=0. n procesul de culegere a caracteristicii de amplitudine a etajului amplificator semnalul de intrare se mrete de la zero pn la valoarea maximal admisibil cu pasul 0,1 V, msurnd concomitent i semnalul de ieire i semnalul de intrare a etajului. Datele obinute se introduc n tabelul 3. Semnalul de intrare se mrete pn la valoarea, la care se respect proporionalitatea ntre semnalul de ieire i semnalul de intrare. Se construiete caracteristica de amplitudine a etajului, Uie=(Uint). Caracteristica de amplitudine se culege pentru ambele tipuri de rezisten de legtur a etajului (pasiv i activ).
max

Figura 2 Schema electric principial de culegere a caracteristicii de amplitudine Tabelul 3 Eg

~ RCp

~ RCa

Uint Uie Eg Uint Uie

1.2.5 Dup datele obinute n punctul precedent se calcul amplificarea n


~ tensiune a etajului K 0 EC ( RCp ) =
~

U U ies ~ ies i de asemenea K 0 EC ( RCa ) = U , iar factorul U in in


~

lui de transfer K EC ( RCp ) = U ies / E g i K EC ( RCa ) = U ies / E g pentru RS = RRS 1 . Factorii de amplificare numii se calcul pentru frecvena de semnal 1 kHz i valoarea semnalului de 0,5Uin.max. Mrimea Uin este semnalul aplicat nemijlocit la joniunea baz emiter a tranzistorului studiat, iar E g - fora electromotoare a sursei de semnal (la ieirea generatorului). 1.2.6 Se msoar impedana de intrare a etajului, pentru ce se monteaz schema artat n figura 3, se msoar valorile de semnal U1 i U2, dup ce se calcul impedana de intrare conform conform relaiei: U2 Rint = R3 (1) U1 U 2 unde R3 = 1k .

Figura 3 Schema electric principial de msurare a impedanei de intrare a etajului amplificator

1.2.7 Se monteaz schema artat n figura 4. Se culeg caracteristicile de amplitudine frecven i faz frecven i [K0EC( ) i KEC( ); 0= ( ) i 5

E= ( ), =0... ] pentru rezistenele de legtur RCp i RCa , rezistena de sarcin extern aleas i elementele schemei pentru dou valori de Cb: 1) RS=RS1, Rg=50 , Cb=2 F, CS=0, CE=100 F, C1=100 F 2) RS=RS1, Rg=50 , Cb=20 F, CS=0, CE=100 F, C1=100 F

Figura 4 Schema electric principial de culegere a CAF i CFF i a caracteristicii de tranziie

1.2.8 Din caracteristicele pentru ambele cazuri se determin frecvenele limit de sus f l .s . i de jos f l . j . la nivelul de -3dB. 1.2.9 Culegei dependena frecvenei limit superioar n funcie de capacitatea CS artat n tabelul 4 pentru RS=RS1, Rg=50 . Datele obinute le introducei n tabelul 4.
Tabelul 4 CS, nF fL.S fL.J 2 5 10

1.2.10 Culegei caracteristica tranzitorie i msurai durata frontului anterior i scderea polierului impulsului condiionat de etaj, pentru ce n etajul cercetat generatorul de semnal armonic se nlocuiete cu un generator de impuls cu durata impulsului de X ms i amplitudinea 0,1V. Pentru efectuarea acestui punct de asemenea se utilizeaz figura 4, nominalele elementelor creia sunt: RS=RS1, C1=100 F, Cb=2 F, CS=5nF RS=RS2, C1=100 F, Cb=20 F, CS=5nF 6

Forma impulsului se vizualizeaz pe ecranul oscilografului. Durata frontului de impuls i cderea polierului se calcul conform relaiilor artate n exemplu, folosind imajinea impulsului culeas de pe ecranul oscilografului. 1.3 Prelucrarea rezultatelor obinute n lucrare 1.3.1 Datele obinute prin calcul i experimental se introduc n tabelul 5. 1.3.2 Se compar datele obinute teoretic i experimental. Se fac concluzii n ceea
Parametrii Schema de conectare EC RS, UC, V Rg, S, nF C2, F K0 KE Rint, e c e Rie, c Uin.max, V e g.max V e fS fi tcret

c RS1 50 50 UC1 50 1000 1000 1000 UC2 UC3 RS2 UC1 UC2 UC3 50 50 50 50 50 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0.1 0.1 1 0.1 0.1 1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1

e c

c e c

e c

ce privete diferena lor i se explic cauza. 1.3.3 Se analizeaz corectitudinea rezultatelor obinute. 1.3.4 Se explic n scris, folosind aparatul matematic, care elemente influeneaz caracteristicele de frecven i de ce. Tabelul 5 c valoarea calculat; e valoarea experimental.

Coninutul referatului 1 2 3 4 5 6 7 Foaia de titlu. Formularea scopului lucrrii de laborator. Datele iniiale. Schemele principale ale etajelor cercetate cu indicarea valorilor elemente calculate. Sarcina de calcul (formulele de calcul, substituirea n ele a valorilor numerice i rezultatele de calcul n form de tabel). Din partea experimental a lucrrii: schemele-bloc a machetelor de msurare; valorile K0EC( ), KEC( ), Rint, Egmax, Uin.max, flim.s, flim.j, tcretere msurate i indicate n tabelul 4; caracteristicile de amplitudine de frecven i caracteristicile de tranziie obinute; oscilogramele cu forma impulsului de la intrarea i ieirea etajelor, valorile duratei de front anterior i a distorsiunii de polier msurate. Analiza rezultatelor obinute: comentarii n ceea ce privete rezultatele obinute experimental i teoretic; explicaii n ce privete dependena factorilor de amplificare K0EC( ), KEC( ) i a frecvenei flim.s ca funcie de capacitatea parazit a sarcinii CS i impedana intern a sursei de semnal; formularea ipotezei n ceea ce privete cauza de necoinciden a rezultatelor obinute experimental i a celor obinute teoretic.

Recomandaii metodice, relaiile principale de calcul i exemplu de calcul 3.1 Recomandaii metodice n ceea ce privete pregtirea, calculele teoretice i executarea lucrrii de laborator la frecvene medii n figura 5 sunt artate schemele electrice ale etajelor amplificatoare EC echipate cu rezistena de legtur de tip rezistiv pasiv (a) i de tip rezistiv activ (b).
+Eal
RE3 RE3 +Eal

R1

RCp
Rb1

VT3

VT2

Cb
Rb2

Uin

C1

VT

C1

VT1 RS

CS RS
R1

R2

a)

b)

Figura 5 Schemele electrice a etajelor amplificatoare EC echipate cu rezistena

de legtur de tip rezistiv pasiv (a) i de tip rezistiv activ (b)

Schema-bloc a instalaiei de cercetare a etajelor amplifica-toare numite este artat n figura 6.

Figura 6 Schema-bloc de cercetare a etajelor amplificatoare

n figura 7 este artat schema echivalent deplin (circuitele de intrare i ieire) a etajului (EC) cercetate pentru frecvene medii de semnal, valabil pentru ambele tipuri de rezisten de legtura (pasiv i activ). gg U U g ie
Eg

gb

int U

SU SUint
gg int g g ii

gc g

gs g

Figura 7 Schema echivalent deplin a etajului rezistiv aperiodic

3.2.1 Coeficientul de amplificare n tensiune (figura 7): unde:


S = h 21 e h 11 e

K 0 EC =U ie U int = S g 0 = S R0

(2)

- panta caracteristicii statice a tranzistorului n punctul static de

funcionare;

- conductibilitatea echivalent a circuitului de ieire a etajului; R0=Ries||RC||RS rezistena echivalent a circuitului de ieire de etaj; g ies = 1 R ies - conductibilitatea de ieire a tranzistorului (se deter-min din caracteristica static de ieire a tranzistorului n punctul static de funcionare); g C = 1 R C - conductibilitatea (rezistena RC sau RCa) a rezistenei de legtur a etajului cu sarcina lui extern (RS); g S = 1 R S - conductibilitatea (rezistena RS) sarcinii externe. 3.2.2 Coeficientul de transfer n tensiune a etajului (figura 7): 9

g 0 = g ies + g C + g S = 1 R 0

K EEC = U ies g = K 0 EC K int = K 0 EC

gg g 0.int

= K 0 EC

Rint R0.int

(3)

unde:
K int = U int g =
g g =1 R g

gg g 0. int

R int - coeficientul de transfer al circuitului de intrare; R 0. int

- conductibilitatea (rezistena Rg) sursei de semnal; - conductibilitatea echivalent (rezistena) a circuitului de intrare; g b = 1 R b - conductibilitatea (rezistena Rb=R1||Rb) a circuitului de polarizare a bazei; g int . VT = 1 R int . VT - conductibilitatea (rezistena Rint.VT) de intrare a tranzistorului;
g 0.int = 1 R 0. int =g g + g b + g int . VT

g int = g b + g int . VT = 1 R int

3.2.3 Rezistenele R1 i R2 se calcul n modul urmtor:


R1 = ( Eal U 0 B ) ( I 0 B + I d ) ; R2 = U 0 B I d ; I d = 5...10 I 0 B cnd RE = 0 R1 = [ Eal (U 0 B + U RE ) ] ( I 0 B + I d ) ; R2 = (U 0 B + U RE ) I d ; I d = 5...10 I 0 B

cnd RE 0 3.2.4 Rezistena de intrare a etajului amplificator:


R int = R b R int . VT R int . VT

R int . VT = h 11 e = rb + re (1 + )

(4) (5)

unde: rb rezistena baz distribuit a tranzistorului; re rezistena diferenial a jonciunii emitor; h 21e = - amplificarea tranzistorului n curent continuu la conectare lui EC. 3.2.5 Rezistena de ieire a etajului amplificator:
Rie .et = Ries RC RC

(6)

fiindc Ries >> RC, unde RC = RCp sau RC = RCa. Relaiile principale de calcul: 1. Frecvena limit inferioar a etajului limitat de capacitatea Cb a circuitului de ieire:
f l . inf = 1 2 i .ies

(7)

unde i .ies = b ( R S + R C ) . 2. Factorul de distorsiuni de amplitudine frecven la frecvena limit de jos:


j = 1 1 1+ i .ies
2

1 f 1 + l . inf f
2

(8)

10

3. Frecvena limit inferioar, condiionat de circuitul de intrare:


f l . inf = 1 2 i . int

(9)

unde i . int = 1 ( R g + R int ) 4. Frecvena limit de jos a etajului:


f l . inf = 1 2 i .ech

(10)

unde i .ech =

i .ies i . int i . ies + i . int

constanta de timp echivalent general a etajului

amplificator. 5. Frecvena limit de sus a circuitului de ieire a etajului:


f l . sup = 1 2 s . ies

(11)

unde s .ies = + sarc . constanta de timp a etajului n subgama de frecven nalt, constanta de timp proprie a tranzistorului. = C (1 + S rB ) (12) sarc . = 0 constanta de timp condiionat de influena sarcinii; g 0 = g C + g S g0 conductibilitatea echivalent a sarcinii de tranzistor, CC capacitatea parazit colector. 6. Distorsiunile de frecven a circuitului de ieire la frecvene nalte (caracteristica de frecven normat):
s .ies = 1 1 + ( s .ies )
2

1 f 1 + f l . sup
2

(13)

7. Constanta de timp a circuitului de intrare la frecvene nalte: (14) unde Cint capacitatea dinamic de intrare a tranzistorului; g 0. int = g g + g int suma conductibilitilor a sursei de semnal gg i a circuitului de intrare a tranzistorului gint. 8. Frecvena limit de sus general a etajului este influenat i de circuitul de intrare i de circuitul de ieire a etajului amplificator:
f l . sup = 1 2 s.ech

s.int = int g 0.int

(15)

2 2 unde s.ech = s . int + s . ies constanta de timp echivalent a etajului, constanta ce ine cont de constantele circuitului de intrare i circuitului de ieire. 9. Timpul de cretere a frontului anterior a semnalului de ieire de form impuls: t crest. = 2.2 s.ech (16)

Exemple de calcul: a) Rezistena de legtur pasiv RC = RCp: 11

1. Calculm amplificarea etajului n tensiune la frecvene medii pentru cazul cnd Ri=400 ; RC = RCp=0,75 k; RS1=2k; RS2=0,75 k; R1=100 k; R2=10 k; h21e=62 (h21e=25...100) conform formulei: K 0 = U ie U int = S g 0 = S R 0 (17) unde: S = h 21e h 11e - panta tranzistorului n punctul static de funcionare (conectare EC); g 0 = g i + g C + g S = 1 R 0 - conductana echivalent a circuitului de ieire; R0 = Ri ||RC||RS rezistena circuitului de ieire; g i = 1 R ies - conductana (rezistena Ries) de ieire a tranzistorului; g C = 1 R C - conductana (rezistena RC) sarcinii colector; g S = 1 R S - conductana (rezistena RS) sarcinii. Determinm gi cnd R i = h 11e = 400 , atunci se obine: g i = R = 400 = 0,0025 i (S);
3 gC cnd RC=0,75k , atunci se obine: g C = g Cp = R = 0,75 103 = 1,3 10 (S); C gS cnd R S1 = 2,0k, R S 2 = 0,75k , atunci se obine:

g S1 = gS2 =

1 1 = = 0,5 10 3 (S ) R S1 2,0 10 3

1 1 = = 1,33 10 3 (S ) 3 R S 2 0,75 10 g01 = g 0 = g i + g C + g S1 = (2,5+1,3+0,5) 10-3 =4,310-3 (S); g02 = g 0 = g i + g C + g S 2 = (2,5+1,3+1,33) 10-3 =5,1310-3 (S);
R 01 = R 02 1 1 = = 232,56 (); g 01 4,3 10 3 1 1 = = = 194,93 (); g 02 5,13 10 3

S=

h 21e 62 = = 0,155; h 11e 400 h21e = 25 100; U ie K 01 = = S R 01 = 0,155 232,56 = 36,05 ; U int U ie K 02 = S R 02 = 0,155 194,93 = 30,2 . U int

2. Rezistenele divizorului de polarizare baz se calcul conform relaiilor date mai sus reieind din tipul tranzistorului dat. ns n cazul dat, de exemplu, admitem c Rb=R1|| R2=10...300k. Astfel determinm dou cazuri: 1) Rb = 10k i 2) Rb = 300k.
g b1 = 1 1 = = 10 4 (S); R b 1 10 10 3

12

1 1 = 0,33 10 5 (S); R b 2 3 10 5 1 1 g int . VT = = = 0,25 10 2 (S); h 11e 400 gb2 =

gint1 = gb1 + gint.VT = 10-4 + 0,25 10-2 = 2,6 10-3; gint2 = gb1 + gint.VT = 0,33 10-5 + 0,25 10-2 = 0,283 10-3;
R g = 50 ; gg =

1 1 = = 0,02 ; Rg 50

g0int1 = gg + gb1 + gint.VT = 0,02 + 10-4 +0,25 10-2 =2,26 10-2; g0int2 = gg + gb2 + gint.VT = 0,02+0,3310-5+0,2510-2=2,25 10-2;
K int 1 = K int 2 = gg g 0 int 1 gg g 0 int 2 0,02 = 0,885 ; 2,26 10 2 = 0,02 = 0,889 ; 2,25 10 2

KE1 = K01Kint1 = 36,05 0,885 = 31,9; KE2 = K02Kint2 = 30,2 0,889 =26,8. 3. 4.
R int = R b R int . VT R int . VT = h 11e = 400 .
R ie = R i R C R C = 0,75k .

n tabelul 6 sunt date relaiile recomandate pentru calculul mrimilor K0, KE, Rint i Rie, obinute din schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene medii. n procesul de simplificare a fost inut cont de faptul c n schemele de conectare emitor comun i baz comun practic oricnd au loc relaiile: R int R int . VT , deoarece R b >> R int . VT (18) R S << R i ; R C << R i (19)
Tabelul 6 Parametrii 1 2 3 4

Conectarea tranzistorului EC

R int R ies
K 0 = U ie U int

rb + rE (1 + )
RC

RC RS RC + RS

K E = U ie E g

0 R int ( R int + R g )

3.3 Teoria problemei

13

Etajele amplificatoare cu sarcin dinamic (sarcin activ) se obin din schemele precutate n partea nti a cursului (N.Bejan), prin nlocuirea n ele a rezistenei de legtur RC (RE) cu o surs de curent cu un tranzistor (BP sau EC) cu funcionarea lui n regim activ normal, cu conectarea lui la EA conform figurei 5. Rolul sarcinii de legtur l ndeplinete rezistena de ieire a tranzistorului n curent alternativ sau mai bine zis rezistena lui dinamic (diferenial), conectat n circuitul colector (emitor, dren, surs). Aceast rezisten depete mult rezistena de ieire a tranzistorului n curent continuu (de cteva ordine). Graie acestei soluii schemotehnice n etaj se obine o rezisten de legtur n curent alternativ mare la pierderi mici pe ea a tensiunii de curent continuu (a sursei de alimentare). Acest efect nu se poate obine n etajele obinuite cu RC de rezisten pasiv, deoarece majorarea lui RC conduce la pierderi mari a tensiunii de alimentare pe ea. Majorarea RC n curent alternativ cere la rndul su i majorarea Eal, care poate aduce la strpungerea tranzistorului i de asemenea la micorarea randamentului de etaj. n figura 7 este artat o variant (cea mai simpl) de etaj cu sarcin dinamic, unde VT1 este elementul activ de amplificare de structur n-p-n, EC. Tranzistorul VT2 este de structur opus (p-n-p) i ndeplinete funcia de sarcin dinamic.

Figura 8 Etaj amplificator cu sarcin dinamic

Deoarece ambii tranzistori n raport cu sursa de alimentare sunt conectai n serie, curenii lor colector de curent continuu sunt egali i0C2=i0C1. Aa conectare a tranzistoarelor VT1 i VT2 este binevenit pentru stabilizarea regimului de alimentare n curent continuu pentru fiecare tranzistor. Menionm, c sarcina dinamic cerut de valoare mare poate fi obinut numai din partea de ieire a tranzistorului VT2, adic atunci cnd n calitate de sarcin a EA se utilizeaz rezistena de ieire a tranzistorului VT2. n etajul EC aceasta se poate asigura numai cnd VT2 este de structur opus EA. Din familia de caracterisitici curent-tensiune de ieire statice (figura 9) se calcul rezistena de ieire a tranzistorului VT2 n curent alternativ n PSF (punctul static de funcionare) conform relaiei: 14

R~ = R~
Ca

iesVT 2

u i

C2

(1)

C2

n curent continuu rezistena de ieire a tranzistorului se determin de relaia:


R=
iesVT 2

u i

0C 2

<< R ~

iesVT 2

= R~

Ca

(2)

0C 2

Figura 9 Caracteristica curent-tensiune de ieire

Valoarea majorat a rezistenei de ieire n curent alternativ permite de a considera tranzistorul VT2 ca o surs de curent stabil, adic a unei surse de curent cu rezistena de ieire ce tinde spre infinit, curentul cruia datorit rezistenei infinit mari cu schimbarea parametrilor de circuit n care el intr nu se schimb i=const. Aadar, tranzistorul VT2, ce ndeplinete rolul de sarcin dinamic, este o surs de curent stabil (SCS). n figura 10 sunt prezentate schemele electrice a dou etaje cu sarcin dinamic mai perfecte dup parametri:

Figura 10 Schemele electrice ale etajelor amplificatoare cu sarcin dinamic

n figura 10, a) rezistorul RE2 introdus n circuitul emiter a tranzistorului VT2 asigur o reacie negativ att n curent continuu, ct i n curent alternativ. Ultima majoreaz esenial rezistena de ieire a tranzistorului VT2 n curent alternativ. 15

Datorit acestui fapt, sarcina dinamic ce prezint o combinaie din VT2 i RE2 este cu mult mai mare dect n schema din figura 7. Reacia negativ de curent continuu stabilizeaz curentul continuu colector a tranzistorului VT i corespunztor curentul continuu i0CVT1 n PSF a tranzistorului VT1, deoarece prin ambii tranzistori circul acelai curent, adic i0CVT2= i0CVT1. Plus la aceasta, n divizorul de polarizare a SCS (VT2, RE2) este introdus tranzistorul VT3 n conectare diodic, care suplimentar stabilizeaz curenii i0C2 i i0C1. Mecanismul de stabilizare a curentului continuu a SCS cu ajutorul diodei (sau a tranzistorului n conectare diodic) n divizorul de polarizare a SCS cnd temperatura mediului ambiant variaz este: admitem c temperatura a crescut de la T 1=25oC pn la T2=T1+T. Ultima conduce la deplasarea n stnga a caracteristicii current tensiune a SCS, aa cum este prezentat n figura 11 de mai jos:

Figura 11 Aciunea variaiei temperaturii asupra caracteristicii curent-tensiune

Dac tensiunea de polarizare a SCS era fixat, atunci curentul constant a SCS o fi crescut de la valoarea iniial i0CT1 pn la valoarea i0CT2. nsi datorit prezenei diodei n divizorul de polarizare aceasta nu se ntmpl: datorit diodei, tensiunea de polarizare culeas de pe diod, cu creterea temperaturii scade de la valoarea iniial u0BVT1 pn la valoarea u0BVT2, ce reine cre-terea curentului SCS. Aceasta se explic prin faptul, c la creterea temperaturii caracteristica curent-tensiune a diodei se deplaseaz n stnga i deoarece curentul ce circul prin diod (curentul divizorului) depete mult curentul baz a SCS, practic, tensiunea ce cade pe diod este tensiunea de polarizare i se micoreaz de la u0dVT1=u0BVT1 pn la u0dVT2=u0BVT2, la care curentul colector n PSF rmne neschimbat. Schema din figura 10,a) se caracterizeaz printr-o stabilitate de funcionare nalt n curent continuu, avnd o sarcin dinamic. Schema din figura 10,b) este analogic figurei 10,a), nsi numrul de rezistori n ea este mai mic, ceea ce este mai comod din punct de vedere al confecionrii integrate. n figura 12 este artat schema de tip cascad echipat cu tranzistori cu efect de cmp cu sarcin dinamic pe tranzistorul VT2 cu reacie negativ (Rsur.2) ce are drept scop majorarea rezistenei dinamice i a stabilitii de funcionare a SCS. n figura 12, VT1 este un element amplificator cu canal de tip-n, iar VT2 este sarcina dinamic de structur opus, adic cu canal de tip-p.

16

Figura 12 Etaj amplificator echipat cu tranzistori cu efect de cmp cu sarcin dinamic

Deoarece schemele din figurile 8, 10 i 12 au proprieti analogice cu etajele EC (SC), n calculul lor pot fi utilizate relaiile deja cunoscute pentru analiza i calculul etajelor rezistive EC i SC, n care rezistenele RC i Rsurs se nlocuiesc cu rezistena de ieire a SCS n curent alternativ. n figura 13 este artat schema unui repetor pe emiter cu sarcin dinamic.

Figura 13 Schema repetorului pe emiter cu sarcin dinamic

Menionm, c deoarece n figura 13 se cere o sarcin dinamic de rezisten mare, care poate fi obinut numai prin utilizarea rezistenei de ieire a tranzistorului, tranzistorul VT2 trebuie conectat numai la emitorul VT1 cu borna sa colector. Aceasta este posibil numai folosind tranzistoare de aceeai structur. Ambele tranzistoare sunt unite n serie n raport cu sursa de alimentare, ce mrete stabilitatea regimurilor de alimentare n curent continuu. Aadar, VT2 este o surs de curent continuu, ndeplinind funcia de sarcin dinamic pentru VT1, care concomitent stabilizeaz regimul lui de alimentare n curent continuu. Un repetor cu sarcin dinamic mai perfect este repetorul cu schema din figura 14 n care cu scopul de a mri suplimentar rezistena dinamic a etajului i a stabilitii n curent continuu se utilizeaz o SCS mai complicat cu VT2, cu RE2 n emiter i cu 17

un divizor dependent de temperatur compus din Rb3, tranzistorul VT3 n conectare diodic i RE3.

Figura 14 Schema repetorului pe emiter cu sarcin dinamic ce utiliteaz tranzistorul VT3 n conectare diodic

n mod identic se construiesc i repetoarele pe surs cu tranzistoare cu efect de cmp (figura 15) cu sarcin dinamic, unde rezistena pasiv Rsur se nlocuiete cu o SCS n baza tranzistorului cu efect de cmp.

Figura 15 Schema repetorului pe surs cu sarcin dinamic

n schema din figura 15, SCS ndeplinete trei funcii concomitent: asigur polarizarea tranzistorului VT1; asigur stabilizarea regimului lui de lucru n curent continuu; asigur sarcina dinamic de rezisten mare. Pentru calculul indicelor lor pot fi utilizate toate relaiile folosite n calculul RE i RS cu sarcin ohmic pasiv, nlocuind rezistenele RE i RS cu rezistena de ieire a SCS. 18

1. 2.

3.

4.

n sfrit, subliniem problemele cheie a etajelor cu sarcin dinamic: SCS este o surs reuit i foarte efectiv ce mbuntete indicii etajelor amplificatoare. Deoarece SCS trebuie s dispun de o rezisten dinamic foarte mare, tranzistorul SCS se unete la elementul amplificator numai cu colectorul (n cazul utilizrii tranzistoarelor bipolare) sau sursa (n cazul utilizrii tranzistoarelor cu efect de cmp). Dac SCS este echipat cu tranzistor de tip p-n-p (sau cu canal de tip-p), atunci el trebuie s se uneasc cu borna pozitiv a sursei de alimentare. Aadar, SCS parc asigur curent stabil elementului amplificator a etajului. Din aceast cauz el se numete surs de curent. Dac SCS este echipat cu tranzistor de tip n-p-n (sau cu canal de tip-n), atunci el trebuie s se uneasc cu basul negativ (ina minus) a sursei de alimentare. Aadar, SCS parc atrage curentul stabil de la elementul amplificator i de aceea el n literatur se numete ,,born sau ,,priz de curent.

1. 2. 3. 4.

BIBLIOGRAFIE Conspectul de prelegeri. B .., .. ,, - , 2001 320 . .., .. ,, , : , 1997 320 . NTREBRI DE CONTROL

19

ANEXA 1
Tab. 1 Variante pentru lucrri de laborator Nr. calculat. (Nr. echipei) Rc , RS 1 , RS 2 , 1 0.75 2.0 0.75 2 1.1 3.9 1.1 3 2.2 1.2 2.2 4 1.3 2.7 1.3 5 1.8 2.2 1.8 6 2.0 3.3 2.0 7 1.6 2.5 1.5 8 0.82 1.8 0.82

Tab. 2 Variante de tranzistoare pentru lucrri de laborator


Nr. Library h ... Tip tranzistor Structura 21emin I (mA) UCEmax (V) Analog Subg EWB 5.12 ...h21emax Cmax 1 2N2222A 2n npn 100...300 300 50 3117 2 2N3390 National2 npn 550...800 50 15 373 3 2N3391 National2 npn 300...550 50 25 373 4 2N3392 National2 npn 150...300 50 30 373 5 2N3393 National2 npn 90...180 50 30 373 6 2N3702 National3 pnp 60...300 200 20 345 7 2N3711 National2 npn 600...7502 100 30 3102 8 2N3903 National2 npn 250...400 100 60 375 1 2N3904 National2 npn 250...500 100 30 375 2 2N3905 National3 pnp 50...150 50 35 361 3 2N4123 National2 npn 250...450 100 50 3102 4 2N4125 National3 pnp 50150 50 20 361 5 2N4126 National3 pnp 120160 100 20 3107 6 2N5226 National3 pnp 30600 200 15 350 7 2N5354 National3 pnp 67 300 15 351 8 2N5365 National3 pnp 67 300 15 351 1 2N5447 National3 pnp 60300 200 20 345 2 BC182BP Zetex npn 400 200 50 3102 3 BC183BP Zetex npn 400 200 50 3102 4 MPS3702 National3 pnp 60300 100 30 3107 5 MPS3703 National3 pnp 30150 100 45 3107 6 MPS6516 National3 pnp 50150 100 25 3107 7 MPS6515 National2 npn 600900 100 30 3102 8 MPS6518 National3 pnp 150300 100 20 3107

20