Dimensiuni mici:
Conexiuni mai scurte intre dispozitive:
Elemente parazite rezistive, capacitive si inductive de valori reduse; Viteza de procesare mai mare;
Cost redus:
La circuitele propriu-zis ; La consum de putere; La incapsulare;
Navigation
Remote sensing RF identification Automotive and Highways Sensors
Medical
Radio-astronomy
6
La frecvente foarte inalte dimensiunea elementelor de circuit devine comparabila cu lungimea de unda:
Astfel pe langa teoria circuitelor (analogice sau digitale) va trebui sa utilizam si teoria propagarii pe linii de transmisiune;
Elementele parazite, la inalta frecventa, incep sa capete valori care nu se mai pot neglija in functionarea nominala a circuitelor, ele trebuie modelate si luate in considerare; Materialele semiconductoare prezinta pierderi proportionale cu frecventa semnalului, astfel cu cat frecventa semnalului este mai mare cu atat pierderile trebuie luate in considerare; Insasi asigurarea functiilor de tranzistor este limitata la inalta frecventa astfel incat s-au dezvoltat tranzistoare si tehnologii noi dedicate functionarii circuitelor la inalta frecventa;
Noise
Gain
Linearity
Fabrication Technology
Testing
Technology
Standards
CAD Tools
12
13
VLSI:
Semiconductori:
Siliciu (Si);
RFIC:
Semiconductori:
Si, SiGe; III-V compounds (GaAs, InP) Wide bandgaps (SiC, GaN)
Tipuri de tranzistor:
MOSFET; BJT (pentru cateva aplicatii);
Tipuri de tranzistor:
MOSFET; BJT; HBT; MESFET; HEMT;
14
VLSI
Guvernata de legea lui Moore urmareste cresterea continua a numarului de dispozitive pe chip; Scalabila; Tinde catre nanotehnologii dar MOSFET pe Siliciu inca este dominant;
RFIC
Legea lui Moore nu se respecta; Nescalabila; Tendinta de a urmari nodurile VLSI in Siliciu utilizand tehnologia CMOS doar din motive de cost pentru aplicatii comerciale de masa;
15
16
Costuri dominante:
Pentru circuite produse in volum foarte mare:
Incapsularea este costul cel mai mare ; Testarea este al doilea cost important ;
17
18
19
Specificatiile
Specificatiile CI se refera la toate aspectele legate de: Funtionarea acestuia:
La nivelul sistemului din care face pare; La nivel de blocuri functionale si moduri de lucru;
Conditiile de mediu:
Gama de temperaturi de functionare si stocare; Alte conditii speciale de mediu;
Securitate si fiabilitate:
ESD; EMC;
21
22
23
24
Specificatiile globale se distribuie in specificatiile blocurilor componente; Se creeaza Modele Comportamentale descrise in limbaje de nivel inalt (HDL, VHDL, System Verilog, AMS-VHDL, System-C) ale blocurilor componente;
Se simuleaza functionarea intregului Sistem in medii CAD dedicate (Matlab, ModelSim, etc.);
25
26
27
28
29
30
31
32
In faza de proiectare se lucreaza cu elemente abstracte care incearca sa emuleze functionarea reala (fizica) a circuitelor. Aceste elemente abstracte se numesc in general modele;
Exista o diversitate mare de modele functie de comportamentul pe care dorim sa-l simulam: Electric, Termic, Mecanic, Electromagnetic, etc. Chiar reprezentarea straturilor (layerelor) de procesare a CI in faza de proiectare se face pe baza unui model (geometric); Pentru proiectarea CI intr-un mediu de dezvoltare computerizat (CAD) fiecare tehnologie beneficiaza de biblioteci de modele necesare procesului de simulare si optimizare a circuitelor;
33
34
35
Simulari CAD
Pe baza schemelor (electrice, logice, functionale, etc.) ale circuitelor concepute si a modelelor componentelor din tehnologia aleasa se simuleaza functionarea pe blocuri sau in intregime (Top Level) a CI in medii CAD dedicate cum sunt ADS de la Agilent sau Virtuoso Spectre de la Cadence:
Toti parametri relevanti vor fi : variati, ajustati si optimizati; Rutine automate de optimizare pot fi utilizate; In ciuda puterii mari de calcul existente interventia designerului este decisiva in aceasta etapa de creatie pentru gasirea compromisului intre cerinte contradictorii ale parametrilor functionali (zgomot-castig, arieconsum, etc.); Simularile vor lua in consideratie variatiile: Procesului tehnologic (P), tensiunilor de alimentare (V) si temperaturii (T); Se recomanda descompunerea complexitatii circuitului printr-o descriere ierarhica bazata pe sub-blocuri functionale;
36
Tipuri de simulari
38
Simulatoare Comerciale
39
Seturile de proiectare mai avansate contin biblioteci denumite P-cells cu layout-ul unor dispozitive prerealizat si parametrizabil prin specificatii ale proiectantului (de exemplu lungimea si latimea unui tranzistor);
40
41
42
Verificarea faptului ca regulile electrice nu sunt incalcate; ERC (Electrical Rule Check);
Extragerea elementelor parazite datorate interconexiunilor dintre componente;
LRC Parasitic Extractor;
Verificarea disipatiei termice si a distributiei de temperatura; Fiecare tehnologie beneficiaza de un set de reguli de reprezentare fizica ce reflecta limitarile procesului de fabricatie;
44
45
Programul EXT
Programul EXT (EXTract tool) este utilizat pentru transformarea unui layout untr-o lista (netlist) de tranzistoare, rezistoare, capacitati, etc. pe scurt dispozitive si conexiunile dintre ele; Pentru utilizarea programului EXT trebuie sa existe un set de reguli de recunostere a dispozitivelor pe baza modului in care anumite straturi de layout sunt interconectate si/sau suprapuse; Astfel in programul de layout sunt definite straturi suplimentare ce reprezinta diverse operatii logice (intersectie, disjunctie, conjunctie, etc.) intre straturile de proces tehnologic pentru a identifica structuri de dispozitive; Un mare avantaj al programului EXT este acela ca netlistul generat poate fi livrat direct programului de simulare si simulat fara a exista o schema prealabila de foarte multe ori optimizarea unui circuit de RF se va face prin iteratii intre ajustarea layout-ului (reprezentare mai apropiata de realitatea fizica decat o schema electrica) si rularea simularii;
46
47
Programul LVS
Programul LVS (Layout Versus Schematic) compara intre ele netlist-ul obtinut pe baza schemei electrice si cel obtinut pe baza layout-ului prin programul EXT; In cazul in care exista coincidenta LVS clean! se pot continua alte verificari necesare (DRC, ERC, etc.); In cazul unor diferente, programul va incerca sa dea indicatii asupra elementelor ce nu coincid si aceste vor fi investigate de proiectant; In cazul unor necoincidente poate apare o serie lunga de indicatii cu privire la cauzele necoincidentei ce adesea sunt nerelevante si proiectantul trebuie sa se descurce intr-un noian de informatii confuze gasirea rapida a cauzei este dictata de experienta proiectantului de layout;
48
Programul DRC
Programul DRC (Design Rule Check) verifica layout-ul pe baza unor seturi de reguli de tehnologie care sunt definite intr-un fisier text; Definitiile regulilor pentru DRC se adreseaza spatiilor ce trebuie pastrate intre diferite zone tehnologice, pozitia relativa a contactelor, metalizarilor, implanturilor, difuziilor; Regulile pentru DRC se adreseaza nu numai straturilor necesare pentru generarea mastilor ci si straturilor ajutatoare/derivate in proiectarea layout-ului ce se obtin prin operatii logice (Boolean derivation) intre diverse straturi; Anumite reguli de tehnologie pot fi imposibil de interpretat de programul de DRC - in general cele care presupun distante de garda ce depind de arile ce se iau in consideratie in acest caz trebuie generate straturi logice suplimentare pentru a realiza comparatii si numarul acestora poate fi exagerat, conducand la timpi de rulare excesivi ai programului DRC;
49
Programul ERC
Programul ERC (Electrical Rule Check) este un program de verificare de nivel superior care verifica nu numai reguli care tin de respectarea unor geometrii tehnologice ci si reguli care tin de buna functionarea electrica a circuitului; Programul ERC are nevoie de informatii suplimentare care apar la simularea sau in specificatiile electrice ale circuitelor; Exista o diversitate foarte mare de verificari care pot fi imaginate in vederea cresterii increderii in buna functionare a circuitului dupa fabricatie; La definirea regulilor ce trebuie verificate de ERC participa inginerii tehnologi si inginerii proiectanti in egala masura deoarece domeniul acestor verificari acopera ambele domenii de competenta; Implementarea unui program ERC este absolut necesara pentru CI complexe cu mai multe domenii de tensiuni de alimentare si care functioneaza cu semnale analogice si digitale;
50
In utilizarea programului exista optiuni diverse pentru a oferi o extragere graduala a elementelor parazite si a verifica influenta acestora prin simulare;
In platforme foarte avansate exista optiunea prin care anumite structuri parazite sunt adaugate in schema electrica in nodurile sau pe liniile de conexiune corespunzatoare (backannotation) astfel incat proiectantul poate fi prevenit de locul in care fenomenele parazite pot influenta functionarea circuitului;
51
Tape-Out
Dupa rularea cu success a rutinelor LVS si DRC (cel putin!) fisierele ce contin proiectul in format electronic se trimit la fabrica pentru realizarea mastilor tehnologice (Tape-Out) pe baza carora chipul sa fie realizat fizic;
Fisierele in format electronic ce contin reprezentarea fizica a circuitului (Layout-ul) se proceseaza pentru a obtine fisierele grafice pentru proiectarea mastilor necesare proceselor de fabricatie; In procesul de obtinere a fisierelor grafice pentru mastile de fabricatie se pot introduce operatii de completare a layoutului cu elemente necesare procesului tehnologic [markeri de aliniere, completari cu suprafete de metal (filing), decupari in suprafetele de metal (cheezing)] care scapa, adesea, posibilitatilor de simulare Acestea trebuie riguros controlate si verificate pentru a nu altera functionalitatea circuitului;
52
Mastile
Toate procesele aplicate la suprafata CI sunt realizate prin fotomascare; Fiecare strat tehnologic necesita una sau mai multe masti produse pe baza layout-ului proiectat; O masca este realizata dintr-o suprafata plana de sticla transparenta pe care se depune corespunzator un strat metalic (Crom) pentru a bloca selectiv trecerea luminii; Mastile sunt realizate la o dimensiune de 5 ori mai mare decat dimensiunea dorita pe siliciu astfel incat in productie expunerea se realizeaza printr-o lentila ce micsoreaza imaginea in raportul de 1:5; Fiecare masca este realizata cu un inscriptor de masti bazat pe un spot de electroni ce impresioneaza un strat fin de fotorezist care dupa developare permite o corodare selectiva a stratului subtire de metal (fotolitografie);
53
Costul Mastilor
54
55
56
57
Arie pierduta clamp area zone din placheta care nu sunt productive; Zone tehnologice neexpuse necesare alinierii optice a dispozitivelor de expunere OAT (optical alignment target); Process Control Monitors (PCM) zona de placuta dedicata culegerii datelor despre fabricatie aceste structuri sunt masurate dupa fabricatia plachetei cu wafer porbers si se strang date cu privire la: tensiuni de prag, rezistivitatea tuturor straturilor, etc.
58
60
61
Clasa III: Ofera cateva procese CMOS si cateva BIP. De obicei procese vechi dezvoltate pe baza unor proiecte. Sunt foarte mici si flexibile. Pot fi adesea echipate si pentru procese mai moderne.
62
64
66
67
68
69
Miniaturizarea in viitor
70
71
72
73
74
75
Bibliografie
http://public.itrs.net/home.html International Technology Roadmap for Semiconductors; The VLSI Handbook 2nd, Wai-Kai Chen, CRC Press, 2007; ASIC DESIGN in the SILICON SANDBOX, Keith Elliot Barr, McGraw-Hill, 2004; Radio Frequency Integrated Circuits and Technologies, Frank Ellinger, Springer, 2007;
76