nvmntul profesional i tehnic n domeniul TIC Proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 2007-2013

Beneficiar Centrul Naional de Dezvoltare a nvmntului Profesional i Tehnic

str. Spiru Haret nr. 10-12, sector 1, Bucureti-010176, tel. 021-3111162, fax. 021-3125498, vet@tvet.ro

Titlul modulului Dispozitive electronice Material de nvare partea II

Domeniul: Electronic automatizri Calificarea: ELECTRONIST REELE DE TELECOMUNICAII Nivel 2

2009
1

AUTOR: MARIANA DAROLI Profesor grad didactic I, Colegiul Tehnic Geoarge Bariiu Baia Mare

COORDONATOR: REMUS CAZACU Profesor, gradul didactic I, Colegiul Tehnic de Comunicaii N.V. Karpen Bacu

CONSULTAN: IOANA CRSTEA expert CNDIPT GABRIELA CIOBANU expert CNDIPT ANGELA POPESCU expert CNDIPT DANA STROIE expert CNDIPT

Acest material a fost elaborat n cadrul proiectului nvmntul profesional i tehnic n domeniul TIC, proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 20072013 2

CUPRINS I.Introducere.....................................................................................................................................4 II.Resurse.........................................................................................................................................6 Tema 1. Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J)....................................................7 Fia de documentare 1.1. Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J).....................7 Activitatea de nvare 1.1. Tipuri de tranzistoare cu efect de cmp.....................................12 Activitatea de nvare 1.2. TEC-J: simbol, marcaj, aspect fizic, dispunerea terminalelor pe capsul ..................................................................................................................................13 Activitatea de nvare 1.3. TEC-J structura intern i principiul de funcionare .............17 Activitatea de nvare 1.5. Circuite de polarizare pentru TEC - J. Determinarea punctului static de funcionare ..............................................................................................................24 Activitatea de nvare 1.6. Aplicaii ale tranzistoarelor cu efect de cmp cu jonciune n amplificatoare........................................................................................................................28 Tema 2. Tranzistoare cu efect de cmp cu grila izolat ............................................................29 (TEC - MOS).............................................................................................................................29 Fia de documentare 2.1. Tranzistoare cu efect de cmp cu grila izolat.............................29 Activitatea de nvare 2.1. Structura i funcionarea TEC- MOS.......................................33 Activitatea de nvare 2.2. Caracteristicile statice ale TEC- MOS .....................................34 Tema 3. Triacul.........................................................................................................................38 Fia de documentare 3.1. Triacul...........................................................................................38 Activitatea de nvare 3.1. Triacul.......................................................................................43 Fia de documentare 4.1. Diacul ..........................................................................................45 Activitatea de nvare 4.1. Diacul........................................................................................47 III. Glosar.......................................................................................................................................49 IV. Bibliografie .............................................................................................................................50

I.

Introducere

Materialul de nvare are rolul de a conduce elevul la dobandirea competenelor : Identific componentele electronice discrete Selecteaz dispozitivele electronice discrete Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete ntr- un montaj Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete

Domeniul: Electronic i automatizri Calificarea: Electronist reele de telecomunicaii Nivelul de calificare: 2 Materialul cuprinde: fie de documentare activiti de nvare glosar

Prezentul material de nvare se adreseaz elevilor din anul de completare, domeniul Electronic i automatizri, calificarea Electronist reele de telecomunicaii. Tema Tema 1. Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J) Competena/rezultatul nvrii - Identific componentele electronice discrete - Selecteaz dispozitivele electronice discrete - Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete ntr- un montaj - Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete Elemente componente Fia de documentare 1.1. Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J) Activitatea de nvare 1.1. - Tipuri de tranzistoare cu efect de cmp Activitatea de nvare 1.2. TECJ: simbol, marcaj, aspect fizic, dispunerea terminalelor pe capsul Activitatea de nvare 1.3. TEC J structura intern i principiul de funcionare Activitatea de nvare 1.4. Ridicarea caracteristicilor statice ale TEC-J Activitatea de invatare 1.5. TEC-J circuite de polarizare; determinarea p.s.f. Activitatea de nvare 1.6. Aplicaii ale tranzistoarelor cu efect de cmp cu jonciune n amplificatoare

 Tema 2. Tranzistoare cu efect de cmp cu grila izolat (TEC-MOS)

- Identific componentele electronice discrete - Selecteaz dispozitivele electronice discrete - Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete ntr- un montaj

Fia de documentare 2.1. Tranzistoare cu efect de cmp cu grila izolat (TEC-MOS) Activitatea de nvare 2.1. Structura i funcionarea TEC- MOS

Activitatea de nvare 2.2. - Verific funcionalitatea Caracteristicile statice ale TEC- MOS dispozitivelor electronice discrete Tema 3. Triacul - Identific componentele electronice discrete - Selecteaz dispozitivele electronice discrete - Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete ntr- un montaj - Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete Tema 4. Diacul - Identific componentele electronice discrete - Selecteaz dispozitivele electronice discrete - Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete ntr- un montaj - Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete Activitatea de nvare 4.1. Diacul Fia de documentare 4.1. Diacul Fia de documentare 3.1. Triacul

Activitatea de nvare 3.1. Triacul

Absolvenii nivelului 2, an de completare, calificarea pregtirea la nivelul 3.

Electronist reele de

telecomunicaii, vor fi dobndi abilitai i cunotine care le vor permite s continue

II.

Resurse

Prezentul material de nvare cuprinde diferite tipuri de resurse care pot fi folosite de elevi: fie de documentare activiti de nvare

Elevii pot folosi att materialul prezent (in forma printat) ct i varianta echivalent online.

Tema 1. Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J) Fia de documentare 1.1. Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune
(TEC-J)

Structura : Un tranzistor cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J) este format

dintr-un bloc semiconductor de un anumit tip, p sau n, reprezentnd canalul , avnd la capete cei doi electrozi, sursa (S) i drena (D). n zona central dintre S i D, de o parte i de alta a blocului semiconductor, se formeaz cte o zon de tip opus, reprezentnd grila (poarta) i respectiv baza sau substratul, legate electric ntre ele, de obicei n interiorul capsulei tranzistorului. (Fig.1.2.a.)

Fig.1.1. Simbolurile TEC-J

Fig. 1.2. Structura intern a TEC-J

Simbolurile i terminalele pot fi identificate n Fig. 1.1. Funcionare circulaia curentului la TEC se face printr-un canal a crui conductan este controlat de un cmp electric. Se consider un TEC-J cu canal n: La tensiune de 0V pe gril, canalul dintre surs i dren este delimitat de regiunile de trecere ale jonciunilor pe care le formeaz cu grila i substratul, regiuni care au o anumit extindere, aa cum apare n Fig.1.2.a. 7

 La aplicarea unei tensiuni negative pe gril, aceste jonciuni se polarizeaz invers, regiunile de trecere respective se extind i mai mult n regiunea n, subiind canalul i micornd curentul ID (pentru aceeai tensiune U DS). (Fig.1.2.b.) La o anumit tensiune de gril, numit tensiune de prag,sau de tiere, cele dou regiuni de trecere anuleaz grosimea canalului, curentul ID devenind extrem de mic, practic nul. Intre TEC-J i tranzistoarele bipolare pot fi stabilite corespondene (Fig. 1.3.): TEC-J cu canal n tranzitor NPN i TEC-J cu canal p tranzistor PNP

Fig, 1.3. Corespondena TEC-J tranzistor biplar Corespondena trminalelor: sursa S emitor E; grila G baza B; drena D colector C

Caracteristicile statice ale tranzistorului TEC-J sunt reprezentrile grafice ale dependenei curentului de dren in funcie de tensiunile ce se aplic pe terminalele lui. a. Caracteristicile statice de ieire,

ID=f(UDS) cu UGS=const, redau dependena curentului de dren n funcie de tensiunea dren-surs, pstrnd tensiunea grilei constant; (Fig.1.4.)

Fig.1.4. Caracteristicile statice de ieire b. Caracteristicile statice de transfer, ID=f(UGS) cu UDS=const, arat dependena curentului de

dren n funcie de tensiunea gril-surs, meninnd constant tensiunea dren-surs. (Fig.1.5.) Fig.1.5. Caracteristicile statice de transfer Conexiunile TEC J sunt: - sursa comun - sursa fiind legat la mas , intrarea este pe gril (ntre gril i surs) iar ieirea este pe dren (ntre dren i surs) - drena comun - drena fiind legat la mas, intrarea este pe gril (ntre gril i dren) iar ieirea este pe surs (ntre surs i dren) - grila comun - grila fiind legat la mas, intrarea este pe surs (ntre surs i gril) iar ieirea este pe dren (ntre dren i gril) Circuitul de polarizare automat pentru TEC J cu sursa comun (Fig.1.6.):

Fig.1.6. Circuitul de polarizare automat Rolul elementelor din circuitul de polarizare: rezistena RD are rol de polarizare a drenei de la tensiunea E D, precum i rol de rezisten de sarcin. Dimensionarea ei se face prin relaia: RD=
E D U DS I DM

rezistena RS este necesar pentru a obine un anumit curent n regim static, I DM,
| U GS | R S= I DM

din punctul static de funcionare.

rezistena RG determin existena unei tensiuni negative ntre gril i surs, necesar polarizrii inverse a jonciunii dintre gril i canal. 9

Punctul static de funcionare (P.S.F.) este caracterizat prin ansamblul valorilor a trei mrimi electrice care apar n planul caracteristicilor statice, respactiv: I D, UGS i UDS. Poziia p.s.f. n planul caracteristicilor de ieire se adopt n funcie de scopul urmrit. El trebuie s aparin dreptei statice de sarcin. (Fig. 1.7.)

Fig. 1.7. TEC-J cu sursa comun dreapta static de sarcin

Determinarea dreptei statice de sarcin se face aplicnd teorema a doua a lui Kirchhoff n circuitul de ieire pe dren: ED= UDS + RDID , de aici rezult curentul:
ID = E 1 U DS + D RD RD

Cel mai simplu se poate reprezenta dreapta prin tieturi adic prin interseciile ei cu axele de coordonote: - pentru UDS=0 se obine ID= ED/RD - pentru ID=0 se obine UDS= ED

Parametrii specifici: curentul IDmax este curentul de dren maxim garantat de fabricant curentul IDSS pentru UGS=0 este curentul de saturaie pentru tensiunea de gril nul (cnd grila este scurtcircuitat la surs) 10

 tensiunea de prag UP este tensiunea dintre gril i surs la care curentul prin tranzistor se anuleaz, pentru o anumit tensiune V DS. Se mai numete tensiune de tiere (UT).

Fig. 1.8. Tipuri de capsule pentru TEC J

11

Activitatea de nvare 1.1. Tipuri de tranzistoare cu efect de cmp

Competene: Identific dispozitivele electronice discrete Obiective vizate La finalul acestei activiti elevii vor fi capali s: defineasc tranzistoare cu efect de cmp justifice denumirea lor enumere tipurile de tranzistoare cu efect de cmp denumeasc terminalele lor

Tipul activitii: Expansiune Sugestii : elevii pot fi organizai n grupe de cte 3-4 sau pot lucra individual timp de lucru: 10 minute

Coninutul: Definirea i clasificarea tipurilor de tranzistoare cu efect de cmp Scopul activitii: Aceast activitate v va ajuta s aprofundai i s sintetizai informaiile referitoare la tranzistoarele cu efect de cmp. Enun: Pornind de la urmtoarele dou enunuri incomplete, realizai un eseu de 10 -20 de rduri n care s definii tranzistoarele cu efect de cmp, preciznd denumirea terminalelor, apoi facei clasificarea lor n funcie de tipul purttorilor de sarcin din canal i n funcie de tehnologia de realizare. Justificai denumirea acestor tranzistoare. Tranzistorul cu efect de cmp (TEC) este un dispozitiv electronic al crui curent este controlat de un electric aplicat din exterior.

12

 Tranzistoarele cu efect de cmp se mai numesc i tranzistoare unipolare deoarece conducia curentului se face printr-un singur tip de purttori

Evaluare Punctajul se acord n funcie de: ncadrarea n timp pentru rezolvarea sarcinilor de lucru, corectitudinea informaiilor furnizate, calitatea prezentrii.

Activitatea de nvare 1.2. TEC-J: simbol, marcaj, aspect fizic, dispunerea terminalelor pe capsul
Competena: Identific dispozitivele electronice discrete

Obiective vizate: La sfritul acestei activiti elevii vor reui s recunoasc TEC J dup simbol, aspect fizic, marcaj s identifice terminalele unui TEC J s recunoasc dispunerea lor pe capsul

Durata:15 min

Tipul activitii: Observare sistemic i independent Sugestii elevii pot fi organizai n grupe de cte 3-4

13

Coninutul: Tipuri de TEC-J

Scopul activitii: Aceast activitate v va ajuta s identificai tipurile de TEC-J dup simbol, aspect fizic i marcaj, precum i s recunoatei dispunerea pinilor corespunztori drenei, sursei i grilei pe capsulele tranzistoarelor. Sarcini de lucru

1. Reprezentrile simbolice ale tranzistoarelor cu efect de cmp cu grila jonciune (TEC-J ) sunt urmtoarele:

a. Se cere : a. b. c. identificai tipul fiecrui tranzistor din simbol. precizai denumirea terminalelor notate cu 1,2,3.

b.

stabilii corespondena dintre simbolurile TEC-J i simbolurile tranzistoarelor bipolare.

2. Analizai tranzistoarele cu efect de cmp cu grila jonciune din imaginile urmtoare.

14

1.

2.

3.

4.

Folosind fia de documentare 1.1. identificai tipurile de capsule pentru fiecare tranzistor din imagine i recunoatei dispunerea terminalelor pe capsul, completnd tabelul urmtor, unde este precizat i denumirea fiecrui tranzistor conform foii de catalog. Nr. crt. Denumire Dispunerea terminalelor 1. 1. VCRN 2N 2. 3. 1. 2. 2S K30A 2. 3. 1. 3. 2N4119 2. 3. 4 1. 4. MMBF4391 2. 3. Tipul capsulei Terminale

15

Evaluare : Punctajul se acord n funcie de numrul de rspunsuri corecte.

16

Activitatea de nvare 1.3. TEC-J structura intern i principiul de funcionare

Competene: Identific dispozitivele electronice discrete Selecteaz dispozitivele electronice discrete

Obiective vizate

La finalul acestei activiti elevii vor fi capali s:

deseneze structura intern identifice tipurile TEC-J dup simbol explice funcionarea TEC-J enumere parametrii principali identifice conexiunile

Tipul activitii: Harta conceptual pnza pianjen Sugestii elevii vor fi organizai n grupe de cte 4 activitatea se va desfura n sala de clas sau n laboratorul de electronic timp de lucru 30 minute 17

Coninutul: structura intern i principiul de funcionare ale TEC-J Scopul activitii: Aceast activitate v va ajuta s aprofundai i s sintetizai informaiile referitoare la tranzistoarele cu efect de cmp cu grila jonciune. Enun : Folosind surse diverse (internet, manual, reviste de specialitate, caietul de notie, fie de documentare, etc.) obinei informaii despre structura intern i funcionarea TEC-J i organizai-le dup modelul urmtor.

Tipuri Tipuri i i simboluri simboluri

Parametri Parametri

Structura Structura intern intern

TEC-J

Tipuri Tipuri de de conexiuni conexiuni Funcionarea Funcionarea

Polarizare Polarizare

Evaluare: Punctajul se va acorda n funcie de: ncadrarea n timp pentru rezolvarea sarcinilor de lucru corectitudinea informaiilor furnizate calitatea prezentrii

18

Activitatea de nvare 1.4. Ridicarea caracteristicilor statice ale TEC-J

Competene: Selecteaz dispozitive electronice discrete Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete ntr- un montaj Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete

Obiective vizate La sfritul acestei activiti elevii vor reui s: msoare tensiuni i cureni ntr-un circuit dat prelucreze datele obinute prin msurtori traseze caracteristicile statice de ieire i de transfer ale TEC-J interpreteze rezultatele obinute analizeze funcionarea TEC-J pe baza caracteristicilor statice Durata: 3 ore

Tipul activitii: Experimentul

Sugestii elevii vor fi organizai n grupe de cte 4 activitatea se va desfura n laboratorul de electronic

19

Coninutul: Caracteristicile statice ale TEC-J Scopul activitii: Aceast activitate este o lucrare de laborator care v va ajuta s aprofundai informaiile referitoare la caracteristicile de regim static ale tranzistoarelor cu efect de cmp cu grila - jonciune. Enun : Realizai, pe platforma de laborator, circuitul din figura urmtoare, pentru msurarea i trasarea caracteristicilor statice de ieire i de transfer ale unui TEC-J cu canal n. Elementele din circuit sunt: R1= 10k; R2= 1M; RD=1k; surse de tensiune variabil n c.c. : EG, ED = 020 V; tranzistor cu canal n : BF 245 C ; aparate de msur: multimetre digitale sau analogice.

La finalul lucrrii ntocmii un referat care s conin: obiectivele experimentului schema electric a montajului tabelele completate graficele caracteristicilor statice de ieire i de transfer obinute identificarea parametrilor specifici: curentul I Dmax, curentul IDSS pentru UGS=0, tensiunea de prag UP. interpretarea datelor experimentale obinute observaii i concluzii

20

Mod de lucru:

Trasarea caracteristicilor statice de ieire

I D=f(UDS), UGS=const

Reglai sursa EG astfel nct valoarea tensiunii UGS s fie 0V i meninei-o constatnt. Folosind sursa ED, se regleaz tensiunea UDS crescnd valoarea ei, pe rnd, pn la 10V, n trepte de 1V. Pentru fiecare valoare a tensiunii U DS se msoar intensitatea curentului de dren ID i se nscriu valorile obinute n tabelul 1.1. Reglai valoarea tensiunii UGS= 1V, meninei-o constatnt i cretei tensiunea U DS pe rnd, n trepte de 1V, la fel ca n cazul precedent. Valorile corespunztoare obinute ale curentului de dren ID se nscriu n tabelul 1.1. Repetai msurtorile pentru urmtoarele valori meninute constante ale tensiunii grilsurs : UGS = 2V; 3V; 4V i completai datele obinute n tabelul 1.1. Reprezentai, punct cu punct, familia caracteristicilor statice de ieire I D=f(UDS) pentru diferitele valori UGS=const, folosind datele din tabelul 1.1. Comparai caracteristicile obinute cu cele din foile de catalog ale tranzistorului .

21

Tabelul 1.1. UDS [V] UGS= 0V UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V ID [mA] ID [mA] ID [mA] ID [mA] ID [mA] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Trasarea caracteristicilor statice de transfer ID=f(UGS), UDS=const

Reglai sursa ED astfel nct valoarea tensiunii UDS s fie 10 V i meninei-o constatnt. Msurai curentul de dren ID pentru valori ale tensiunii UGS= 0V, 1V, 2V, 5V crescnd pn la tensiunea de prag (de tiere), cnd curentul de dren devine practic nul. Valorile obinute se nscriu n tabelul 1.2. Repetai msurtorile pentru o tensiune constant U DS = 15V i completai datele n tabelul 1.2. Trasai caracteristicile statice de transfer I D=f(UGS) cu UDS=const folosind datele din tabelul 1.2.

Tabelul 1.2. 22

UGS [V] UDS= 10V UDS= 15V ID [mA] ID [mA]

Pentru analiza i interpretarea rezultatelor obinute facei comparaia lor cu caracteristicile tipice de ieire (a) i de transfer (b) ale tranzistorului BF 245 C, prezentate mai jos.

a.

b.

23

Activitatea de nvare 1.5. Circuite de polarizare pentru TEC - J. Determinarea punctului static de funcionare
Competene: Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete ntr- un montaj

Obiective vizate La sfritul acestei activiti elevii vor fi capabili s: polarizeze TEC-J n regim static determine punctul static de funcionare definesc dreapta de sarcin static

Tipul activitii: Metoda grupurilor de experi

Sugestii - elevii vor fi mprii n 3 grupe, fiecare grup avnd o tem de studiat. Dup 15 minunte, n care elevii se informeaz cu privire la tema de grup, se reorganizeaz grupele astfel nct n grupele nou formate s existe cel puin o persoan din fiecare grup iniial. Timp de 30 minute elevii vor mprti cu ceilali colegi din grupa nouformat cunotinele dobndite n pasul anterior, astfel nct toti elevii s parcurg toate 3 materialele.

Coninutul: Circuite de polarizare pentru TEC-J; determinarea punctului static de funcionare 24

Scopul activitii: Aceast activitate v va ajuta s recunoatei circuitele de polarizare pentru TEC-J i s-i determinai p.s.f.-ul i dreapta de sarcin.

Enun : Timp de 15 minute studiai tema primit de grupa voastr. n urmtoarele 30 de minute, dup ce ai devenit experi n tema studiat, vei mprti aceste informaii cu colegii votri din grupele nou-formate prin reorganizare.

Grupa 1: Circuitul de polarizare automat

Grila este legat la mas printr-o rezisten R G de valoare foarte mare. Polarizarea grilei fa de surs se asigur prin cderea de tensiune dat de curentul I D pe rezistena de surs RS. Deoarece curentul de gril este neglijabil, potenialul grilei fa de mas este nul iar curentul de dren produce o cretere a potenialului sursei astfel nct tensiunea dintre gril i surs este automat negativ, U GS = RSID. De aici rezult ID= UGS/RS, care este ecuaia dreaptei de polarizare. Pentru a obine ecuaia dreptei de sarcin se aplic legea lui Kirchhoff pe ochiul de ieire: UDS = ED(RS+RD)ID

25

Intersecia dreptei ID= UGS/RS cu caracteristica de transfer (stnga graficului) determin valorile tensiunii UGS i curentului ID din p.s.f. Intersecia dreptei de sarcin cu caracteristica de ieire corespunztoare lui U GS determin valoarea tensiunii UDS (dreapta graficului), definind complet p.s.f.-ul tranzistorului.

Grupa 2: Polarizarea prin divizor rezistiv

n unele cazuri se folosete polarizarea grilei prin intermediul unui divizor rezistiv, cum este i la tranzistoarele bipolare. Potenialul grilei fa de mas este UGM=UDDR2/(R1+R2) Potenialul sursei fa de mas este USM=RSID Deoarece USM= UGMUGS, valoarea curentului de dren va fi ID= (UGMUGS)/ RS. Pentru o bun stabilitate trebuie ca UGM s fie mult mai mare ca UGS. Tensiunea ntre dren i surs este UDS = UDD(RS+RD)ID

Grupa 3: Determinarea p.s.f. problem

n circuitul alturat se cunosc: UDD=20V,

26

RD=2K, RG=2M, RS=600. S se determine p.s.f.-ul tranzistorului n cazul n care tensiunea U GS= 3V.

Rezolvare - Deoarece curentul de gril este nul, deci I S=ID i, de aici, UGS = RSID. Rezult ID=UGS/RS; ID= (3V)/600 = 5mA - Din legea a doua a lui Kirchhoff pe ochiul de ieire UDD= RDID+ UDS+ RSID rezult UDS = UDD(RS+RD)ID UDS = 20 510-3 (600+2000)= 20 13=7V

Rspuns:

p.s.f. are valorile: ID=5mA, UDS = 7V i UGS=3V.

27

Activitatea de nvare 1.6. Aplicaii ale tranzistoarelor cu efect de cmp cu jonciune n amplificatoare
Competene: Identific dispozitivele electronice discrete Selecteaz dispozitivele electronice discrete Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete ntr- un montaj Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete

Obiective vizate : La sfritul acestei activiti elevii vor fi capabili s: identifice tranzistoarele unipolare specifice parametrii tranzistoarelor enumere conexiunile tranzistoarelor explice funcionarea amplificatorului cu surs comun

Tipul activitii: Proiect Sugestii : elevii pot lucra n perechi sau n echipe de 3-4 rezultatele muncii elevilor vor fi prezentate ntregii clase timp de lucru recomandat : dou sptmni

Coninutul: Amplificator de joas frecven cu TEC-J cu sursa comu Scopul activitii: Aceast activitate v va ajuta s aprofundai i s sintetizai informaiile referitoare la tranzistoare. Enun : Realizai practic un amplificator de joas frecven cu un TEC-J cu sursa comun i ntocmii o prezentare scris de maxim 5 pagini, care s conin: pagina de

28

titlu, autorii i clasa, schema electric a montajului,date despre componentele utilizate, funcionarea i parametrii circuitului, observaii i concluzii, bibliografie.

Tema 2. Tranzistoare cu efect de cmp cu grila izolat (TEC - MOS) Fia de documentare 2.1. Tranzistoare cu efect de cmp cu grila izolat
Spre deosebire de TEC-J, la tranzistoareleTEC - MOS (Metal Oxide Semiconductor) grila este izolat de semiconductor prin intermediul unui strat de oxid de siliciu foarte subire. In funcie de modul de formare a canalului de conducie al curentului electric, tranzistoarele TEC-MOS se clasific n dou categorii:

- TEC-MOS cu canal indus - TEC-MOS cu canal iniial Fig. 2.1. Simbolurile TEC MOS

TEC-MOS cu canal indus: Structura este format dintr-un substrat de material semiconductor, de exemplu de tip p, iar zona centrala a suprafeei superioare a materialului este acoperit cu un strat subire de oxid de siliciu care este un foarte bun izolant electric. Suprafaa stratului de oxid este metalizat. n substratul semiconductor de tip p, la marginile stratului de oxid, se creeaz dou insule de tip n, ai cror electrozi metalici sunt sursa (S) i drena(D). Grila este conectat la suprafaa metalic a stratului de oxid. Un al patrulea electrod, numit baz, este conectat la substratul sermiconductor i este de obicei legat intern la surs. Funcionare: Daca grila nu este polarizat atunci ntre surs i dren sunt trei zone: n, p i n care 29

sunt echivalente cu dou diode aezate n opoziie i de aceea curentul nu poate trece. Dac se scurtcircuiteaz grila la surs se constat c nici n acest caz nu exist curent de dren deoarece jonciunea dren substrat este polarizat invers si nu permite inchiderea circuitului. Dac grila este polarizat cu o tensiune pozitiv U GS suficient de mare atunci ntreaga tensiune se regasete pe stratul izolant , structura MOS se comport ca un condensator plan. Pe contactul metalic al grilei apar sarcini pozitive i, prin influen electrostatic, pe partea opus, adic n substrat apar sarcini negative, unind cele dou regiuni ntre ele printr-un canal de tip n i pemind trecerea curentului. Tensiunea UGS la care se induce canalul i apare curentul se numete tensiune de prag. Caracteristici statice : a) de ieire ID=f(UDS), cu UGS=const. b) de transfer ID=f(UGS), cu UdS=const

a) caracteristici de ieire

b) caracteristici de transfer

TEC-MOS cu canal iniial: Structura pentru TEC-MOS cu canal iniial este asemntoare cu a celui cu canal indus, cu deosebirea c ntre surs i dren, la suprafaa substratului semiconductor exist un canal conductor. Funcionarea implic unele deosebiri fa de cel cu canal indus deoarece existena canalului face ca prin tranzistor s circule un curent de dren pentru tensiuni de gril att pozitive ct i negative .

30

Funcionare: La tensiune de gril zero curentul de dren nu mai este nul ci are o anumit valoare. La TEC cu canal iniial de tip n, tensiunile pozitive pe gril vor mri conductana canalului i curentul de dren (pentru o tensiune de dren dat) pentru c atrag mai muli electroni n canal, iar tensiunile negative vor micora conductana canalului, pentru c resping electronii din canal. Caracteristici statice :

a) caracteristici deieire Polarizarea TEC-MOS

b) caracteristici de transfer

Pentru tranzistoarele MOS cu canal indus tensiunile de pe dren i gril au aceeai polaritate i de aceea se poate folosi o surs unic de c.c. UGS= UDDR2 / (R1+R2) UDS= UDD RDID

Pentru tranzistoarele MOS cu canal iniial polarizarea se face astfel nct tensiunea de gril s poat avea att valori pozitive ct i negative. Acestea se obin prin alegerea convenabil a rezistenelor R1, R2 i Rs. UGS= UDDR2 / (R1+R2) RSID

31

Precauii i msuri speciale de utilizare a TEC-MOS Datorit rezistenelor mari i capacitilor mici ale structurii gril-canal din tranzistorul MOS, pot aprea tensiuni mari de strpungere datorate acumulrii de sarcin electrostatic chiar la manipularea tranzistoarelor. Cum capacitatea depunerii metalice a grilei fa de ceilali electrozi este foarte mic (ordinul 10 -12), sarcini extrem de mici, accidentale (10-10 C) pot determina tensiuni de ordinul 102 V. Aceste tensiuni strpung oxidul stratului izolator, de grosime foarte mic (de exemplu SiO 2 de 0,1 m ) i distrug tranzistorul. Acumularea de sarcini electrostatice poate aprea datorit containerelor de plastic utilizate la transportul materialelor semiconductoare, datorit tensiunii electrostatice cu care este ncrcat o persoan ce ine n mn asemenea tranzistoare deplasndu-se ntr-o ncpere cu covor de plastic, datorit echipamentului de testare sau lipire dac nu este legat la pmnt. Pentru a proteja tranzistoarele, uneori, n procesul de fabricaie, ntre gril i substrat sunt introduse diode Zener. Aceste diode protejeaz tranzistoarele ns reduc rezistena de intrare. La manipularea i utilizarea tranzistoarelor cu efect de cmp trebuie luate anumite msuri de protecie cum ar fi: - scurtcircuitarea terminalelor (cu un inel care va fi ndeprtat) att timp ct tranzistorul este depozitat sau manipulat; - legarea la mas a vrfului pistolului de lipit cu care se lucreaz; - n montaje este indicat ca tranzistorul s fie protejat de un ecran mpotriva ncrcrilor electrostatice; - respectarea unor tehnologii speciale de testare, montare i depanare .

32

Activitatea de nvare 2.1. Structura i funcionarea TEC- MOS

Competene: - Identific dispozitivele electronice discrete Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete ntr- un montaj

Obiective vizate : La sfritul acestei activiti elevii vor fi capabili s: identifice tranzistoarele MOS dup simbol deseneze structura intern a tranzistoarelor MOS explice funcionarea celor dou tipuri de TEC-MOS

Tipul activitii: Rezumare Sugestii elevii pot lucra individual sau n echip cu colegii de banc timpul de lucru recomandat 30 minute

Coninutul: Structura i funcionarea TEC-MOS Scopul activitii: Aceast activitate v va ajuta s aprofundai i s sintetizai informaiile referitoare la tranzistoarele cu efect de cmp cu grila izolat. Enun : Folosind sursele de informare pe care le avei la dispoziie (caiete de notie, Internetul, fie de documentare, manuale, cataloage de componente, etc.) avei sarcina de a studia tranzistoarele cu efect de cmp cu grila izolat (TEC-MOS) Desenai structura intern pentru TEC-MOS: (a) cu canal indus i (b) cu canal iniial i ntocmii un rezumat, de maxim o pagin, despre funcionarea fiecrui tip. Desenai, de 33

asemenea, simbolurile celor dou tipuri de tranzistoare, att pentru canal n ct i pentru canal p. Evaluare: Punctajul realizat de fiecare grup se va acorda de ctre profesor n funcie de ncadrarea n timp pentru rezolvarea sarcinii de lucru, corectitudinea informaiilor i calitatea prezentrii.

Activitatea de nvare 2.2. Caracteristicile statice ale TEC- MOS

Competene: Selecteaz dispozitive electronice discrete Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete ntr- un montaj Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete

Obiective vizate La sfritul acestei activiti elevii vor reui s: msoare tensiuni i cureni ntr-un circuit dat prelucreze datele obinute prin msurtori traseze caracteristicile statice de ieire i de transfer ale TEC-MOS interpreteze rezultatele obinute analizeze funcionarea TEC-MOS pe baza caracteristicilor statice Durata: 3 ore

Tipul activitii: Experimentul 34

Sugestii elevii vor fi organizai n grupe de cte 3-4 activitatea se va desfura n laboratorul de electronic

Coninutul: Caracteristicile statice ale TEC-MOS Scopul activitii: Aceast activitate este o lucrare de laborator care v va ajuta s aprofundai informaiile referitoare la caracteristicile de regim static ale tranzistoarelor cu efect de cmp cu grila izolat. Enun : Realizai, pe platforma de laborator, circuitul din figura urmtoare, pentru msurarea i trasarea caracteristicilor statice de ieire i de transfer ale unui TEC-MOS cu canal n iniial. Sursa de tensiune S1, trebuie s asigure att tensiune pozitiv ct i negativa pentru stabilirea tensiunii UGS.

La finalul lucrrii ntocmii un referat care s conin: -obiectivele experimentului -schema electric a montajului -tabelele completate -graficele caracteristicilor statice de ieire i de transfer obinute -identificarea parametrilor specifici: curentul IDSS pentru UGS=0, tensiunea de prag UP. -interpretarea datelor experimentale obinute -observaii i concluzii

35

a.Trasarea caracteristicilor statice de ieire

I D=f(UDS), UGS=const

Reglai sursa S1 astfel nct valoarea tensiunii UGS s fie 0V i meninei-o constatnt. Folosind sursa S2, se regleaz tensiunea UDS crescnd valoarea ei, pe rnd, pn la 10V, n trepte de 1V. Pentru fiecare valoare a tensiunii U DS se msoar intensitatea curentului de dren ID i se nscriu valorile obinute n tabelul 2.1. Reglai valoarea tensiunii UGS= 1V, meninei-o constatnt i cretei tensiunea U DS pe rnd, n trepte de 1V, la fel ca n cazul precedent. Valorile corespunztoare obinute ale curentului de dren ID se nscriu n tabelul 2.1. Repetai msurtorile pentru dou valori negative ale tensiunii gril-surs : UGS = 2V; 3V; i completai datele obinute n tabel. Repetai apoi msurtorile pentru trei valori pozitive ale tensiunii gril-surs : U GS = 1V; 2V; 3V; i completai n tabel datele obinute. Folosind datele din tabelul 2.1., reprezentai, punct cu punct, caracteristicile statice de ieire ID=f(UDS) pentru diferitele valori UGS=const.

Tabelul 2.1. UDS [V] 1 2 3 4 36 5 6 7 8 9 10

UGS= 3V UGS= 2V UGS= 1V UGS= 0V UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V

ID [mA] ID [mA] ID [mA] ID [mA] ID [mA] ID [mA] ID [mA]

b.Trasarea caracteristicilor statice de transfer I D=f(UGS), UDS=const Reglai sursa S2 astfel nct valoarea tensiunii UDS s fie 10 V i meninei-o constatnt. Msurai curentul de dren ID pentru patru valori pozitive ale tensiunii gril-surs, U GS= 0V, 1V, 2V, 3V, 4V iar apoi pentru mai multe valori negative ale acesteia, crescnd pn la tensiunea de prag (de tiere), cnd curentul de dren devine practic nul. Valorile obinute se nscriu n tabelul 2.2 Tabelul 2. 2.

UGS [V] UDS= 10V ID [mA]

37

Tema 3. Triacul
Fia de documentare 3.1. Triacul

Triacul este un dispozitiv semiconductor cu cinci straturi, echivalent cu dou tiristoare legate n paralel i n opoziie, montate n acelai monocristal semiconductor, avnd un singur electrod de comand, grila sau poarta, notat cu G. Electrozii principali, notai A1 (anod 1) i A2 (anod 2) ndeplinesc succesiv rol de anod i rol de catod. Spre deosebire de tiristoare, triacul are conducie bilateral.

Fig. 3.1. (a) Structura intern a triacului (b) schema echivalent cu tiristoare Triacul se utilizeaz n circuite de curent alternativ (TRIAC = TRIode Alternating Current) i este un dispozitiv bidirecional, conducnd n ambele sensuri. Simbolul triacului arat cele dou tiristoare n antiparalel, avnd spre exterior cele trei terminale : A1, A2 i G . (fig.2.) n figura 3 sunt prezentate cteva tipuri de triace.

Fig. 3.2. Simbolul triacului

38

Fig. 3.3. Tipuri de triace Funcionarea triacului n absena impulsului de comand pe gril, triacul este blocat, i se comport, ntre terminalele principale A1 i A2, ca un ntreruptor deschis, (curentul anodic este neglijabil n ambele sensuri). Amorsarea triacului se realizeaz cu impulsuri de curent, pozitive sau negative, aplicate grilei i rmne n conducie pn la scderea curentului sub valoarea de automeninere. Cnd terminalul A2 este pozitiv in raport cu A1, amorseaz tiristorul T1; cnd terminalul A2 devine negativ i terminalul A1 joaca rol de anod, intr in conducie tiristorul T 2, care amorseaz atunci cnd poarta este negativ in raport cu A 1.

Fig. 3.4. Caracteristica curent tensiune a triacului pentru funcionarea lui n dou cadrane 39

Din caracteristica curent-tensiune rezult c, pe masur ce crete curentul de comand aplicat pe poart, triacul poate bascula la tensiuni anodice din ce n ce mai mici.

Ca i n cazul tiristoarelor, comanda pe poarta triacului se efectueaz prin tensiune continu, alternativ sau n impulsuri. Datorit structurii mai complexe a triacului, funcia de comand a grilei se exercit n patru moduri distincte, prezentate in figura 5. moduri cunoscute i consacrate n limbajul tehnic de specialitate ca funcionarea n patru cadrane. Curentul IG necesar pentru amorsare va fi diferit in cele patru situaii. Sensibilitatea la comand a triacului devine maxim n cadranul I, medie n cadranul III i minim n cadranele II i IV.

Fig. 3.5. Funcionarea n patru cadrane

40

Formele de und ale tensiunii sinusoidale aplicate unui triac i curentului care apare ntre cei doi electrozi, arat ca n figura 6.

Fig. 3.6. Forma curentului n triac, pentru funcionarea n dou cadrane Parametri specifici i valori limit ale triacului

Principalii parametri ai triacului indicai n foile de catalog sunt: UB0 tensiunea de ntoarcere sau de amorsare este tensiunea anodic n punctul de ntoarcere al caracteristicii triacului, tensiunea anodic minim la care triacul se amorseaz fr comand pe poart. UDRM tensiunea de vrf repetitiv n stare blocat direct este valoarea maxim a tensiunii pe care triacul o poate suporta n regim permanent la temperatura maxim admis a jonciunii URRM - tensiunea invers de vrf repetitivdefinit la fel cu UDRM dar pentru starea de blocare invers UGT tensiunea de poart de amorsare este tensiunea de poart pentru care triacul amorseaz la o tensiune anodic specificat UTM tensiune rezidual care, dup amorsare, rmne practic constant IH curentul de meninere este curentul minimal pentru meninerea triacului n conducie n absena oricrui semnal pe gril ITef intensitatea efectiv a curentului sinusoidal n conducie direct

41

Fig. 3.7. Identificarea parametrilor triacului pe caracteristica static Pentru alegerea tipului de triac dup UDRM se va ine seama de valoarea de vrf a tensiunii alternative a reelei i de eventualele supratensiuni care pot aprea. De exemplu, dac tensiunea reelei este 220V, tensiunea de vrf corespunztoare are valoarea 220 x 2 = 310 V i dac admitem o supra tensiune de 25% rezult c triacul pe care-l vom alege va trebui s aib o tensiune minim U DRM = 1,25x310 = 388 V. Se va alege un triac cu UDRM = 400 V.

42

Activitatea de nvare 3.1. Triacul

Competene: - Identific dispozitivele electronice discrete Selecteaz dispozitive electronice discrete Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete

Obiective vizate : La sfritul acestei activiti elevii vor fi capabili s: identifice triacul dup simbol, aspect fizic i marcaj recunoasc structura intern i schema echivalent a triacului explice funcionarea in 2 i 4 cadrane deseneze caracteristica static curent-tensiune a triacului

Tipul activitii: Cubul Sugestii Clasa este mprit n 6 grupe, fiecare grup avnd cte un coordonator care va rostogoli un cub pe ale crui fee sunt nscrise sarcini. Faa superioar a cubului va indica sarcina care revine grupei respective, urmnd ca grupa s o rezolve n 10 minute. Coninutul: Triacul Scopul activitii: Aceast activitate v va ajuta s aprofundai i s sintetizai informaiile referitoare la dispozitivul electronic numit triac (structura intern i echivalena, simbol, tipuri, funcionare, caracteristica curen - tensiune, forme de und, parametrii). Enun: Folosind surse diverse (internet, manual, reviste de specialitate, caietul de notie, fie de documentare, etc.) obinei informaii despre triac i rezolvai sarcina nscris pe faa superioar care v revine dup rostogolirea aleatoare a cubului.

43

Sarcini:

Descrie structura intern i simbolul triacului. Compar modurile posibile de funcionare a triacului n patru cadrane Analizeaz funcionarea i caracteristica static a triacului Asociaz parametrii triacului cu punctele importante ale caracteristicii statice Aplic funcionarea triacului pe o sarcin rezistiv i deseneaz formele de und ale tensiunii anodice sinusoidale i ale tensiunii pe rezistena de sarcin. Argumenteaz numele dispozitivului triac, n funcie de conducia lui bilateral i enumer cteva utilizri ale sale.

Evaluare: Timp de 5 minute coordonatorul fiecrei grupe va prezenta n plen rezultatele obinute. Punctajul realizat de fiecare grup se va acorda de ctre profesor n funcie de:ncadrarea n timp pentru rezolvarea sarcinii de lucru, corectitudinea prezentrii, calitatea prezentrii.

44

. Tema 4. Diacul

Fia de documentare 4.1. Diacul

Diacul este un dispozitiv cu dou terminale, T 1 i T2, avnd conducie bilateral, ncepnd de la o anumit tensiune UB0. Diacul are o structur simetric cu cinci straturi semiconductoare, asemntor triacului, dar fr born de poart.

a.

b.

c.

d.

Fig. 4.1. Diacul a.-structura; b.-simbolul; c.- schema echivalent; d.- caracteristica curent-tensiune In unele aplicaii i n special n circuitele de comand ale triacului sau tiristorului sunt necesare dispozitive care s conduc curentul n ambele sensuri i s aib dou stri de echilibru stabile: nchis i deschis. Un astfel de dispozitiv este diacul ( Diode Alternating Current) . Schema lui echivalent reprezint o grupare de dou diode pnpn n montaj antiparalel (fig.4.1.c.). La aplicarea unei tensiuni pozitive pe terminalul T 1 partea dreapt a structurii este polarizat direct i intr n conducie la o anumit valoare de tensiune U B0 numit tensiune de amorsare sau de aprindere . Caracteristica I=f(U) se prezint ca n fig. 4.1.d. cadranul I.

45

 Dac tensiunea aplicat i schimb polaritatea, intr n conducie partea stng a structurii (atunci cnd este atins UB0), caracteristica curent - tensiune fiind simetric, reprezentat n cadranul III. Pentru a se dezamorsa este necesar ca tensiunea dintre anozi s fie zero i curentul s scad sub valoarea de meninere I H. Deoarece poate s conduc curentul n ambele sensuri, diacul este folosit pentru generarea impulsurilor de comanda ale triacelor i tiristoarelor . UB0, tensiunea de amorsare, uzual este cuprins ntre 28V i 42 V. Curentul nominal de lucru este de ordinul zecilor de mA, ns pentru scurt durat (pn la 20 s) diacul suport cureni de vrf pn la 2A.

46

Activitatea de nvare 4.1. Diacul

Competene: Identific dispozitivele electronice discrete Selecteaz dispozitive electronice discrete Determin funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete Verific funcionalitatea dispozitivelor electronice discrete

Obiective vizate : La sfritul acestei activiti elevii vor fi capabili s: identifice diacul dup simbol, aspect fizic i marcaj recunoasc structura intern i schema echivalent a diacului explice funcionarea lui deseneze caracteristica static curent-tensiune a diacului

Tipul activitii: Harta conceptual pnza pianjen Sugestii elevii vor fi organizai n grupe de cte 4 activitatea se va desfura n sala de clas sau n laboratorul de electronic timp de lucru 30 minute

Coninutul: Diacul Scopul activitii: Aceast activitate v va ajuta s aprofundai i s sintetizai informaiile referitoare la dispozitivul electronic numit diac. Enun : Folosind surse diverse (internet, manual, reviste de specialitate, caietul de notie, fie de documentare, etc.) obinei informaii despre 47

structura intern i funcionarea diacului, despre caracteristica static i utilizrile lui i organizai-le dup modelul urmtor.

STRUCTURA INTERN

UTILIZRI

SIMBOLUL I ECHIVALENA

DIACUL

PARAMETRII

FUNCIONAREA

CARACTERISTIC STATIC

Evaluare: Punctajul se acord difereniat n funcie de corectitudinea i numrul informaiilor furnizate.

48

III. Glosar

amorsare antiparalel caracteristica static comutaie conductan

comutarea dispozitivului electronic din starea de blocare n starea de conducie legarea n paralel a dou diode sau tiristoare avnd sensuri de conducie opuse graficul variaiei curentului n funcie de tensiune, n regim de c.c. trecerea rapid a unei jonciuni din stare de conducie n stare de blocare i invers mrime care definete capacitatea de conductibilitate a unui element de circuit, egal cu inversul rezistenei electrice comutarea dispozitivului electronic din starea de conducie n starea de blocare aplicarea unei diferene de potenial unei jonciuni pn astfel ca + s fie conectat la regiune p, iar la regiunea n aplicarea unei diferene de potenial unei jonciuni pn astfel ca - s fie conectat la regiune p, iar + la regiunea n tranzistor cu efect de cmp cu jonciune tranzistor cu efect de cmp cu grila izolat

dezamorsare polarizare direct

polarizare invers TEC - J TEC - MOS

49

IV. Bibliografie
1. Damachi, E. (1980). Dispozitive semiconductoare multijonciune, Bucureti: Editura Tehnic 2. Schlett, Z..Hoffman, I.,Cmpeanu, A. (1981).Semiconductoare i aplicaii, Timioara: Editura Facla 3. Cosma, Drago. Chivu, Aurelian. (2008). Componente i circuite electronice lucrri practice, Editura Arves 4. Coloi, T. Morar, R. Miron, C. .a. (1979). Tehnologie electronic componente discrete, Cluj Napoca: I.C.P. litografie 5. Vasilescu, G. Lungu, S. (1981). Electronic, Bucureti: Editura didactica i pedagogic

50