nvmntul profesional i tehnic n domeniul TIC Proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 2007-2013

Beneficiar Centrul Naional de Dezvoltare a nvmntului Profesional i Tehnic

str. Spiru Haret nr. 10-12, sector 1, Bucureti-010176, tel. 021-3111162, fax. 021-3125498, vet@tvet.ro

Circuite cu componente electronice analogice Material de nvare partea I

Domeniul: Electronic i automatizri Calificarea: Tehnician n automatizri Nivel 3

2009

AUTOR: DANIELA CONDEI Profesor grad didactic I

COORDONATOR: GABRIELA DIACONU Profesor grad didactic I

CONSULTAN: IOANA CRSTEA expert CNDIPT GABRIELA CIOBANU expert CNDIPT ANGELA POPESCU expert CNDIPT DANA STROIE expert CNDIPT

Acest material a fost elaborat n cadrul proiectului nvmntul profesional i tehnic n domeniul TIC, proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 20072013

Cuprins
I. Introducere....................................................................................................................................5 II. Resurse........................................................................................................................................9 Tema 1. Diode semiconductoare...............................................................................................10 Fia de documentare 1.1. Diode semiconductoare................................................................10 Activitatea de nvare 1.1. Msurarea rezistenelor diodei semiconductoare......................14 Activitatea de nvare 1.2. Ridicarea caracteristicii curent tensiune a diodelor semiconductoare....................................................................................................................16 Activitatea de nvare 1.3. Ridicarea caracteristicii curent tensiune a diodei Zener.........18 Activitatea de nvare 1.4. Funcionarea diodei semiconductoare ......................................20 Activitatea de nvare 1.5. Tipuri de diode semiconductoare..............................................21 Activitatea de nvare 1.6. Parametrii diodelor Zener..........................................................22 Tema 2. Tranzistorul bipolar.....................................................................................................23 Fia de documentare 2.1. Tranzistorul bipolar......................................................................23 Activitatea de nvare 2.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar......26 Activitatea de nvare 2.2. Ce tim despre tranzistorul bipolar............................................29 Activitatea de nvare 2.3. Caracteristicile tranzistorului bipolar........................................31 Activitatea de nvare 2.4. Moduri de conectare a tranzistorului bipolar.............................32 Tema 3. Tranzistoare cu efect de cmp.....................................................................................33 Fia de documentare 3.1. Tranzistoare cu efect de cmp......................................................33 Activitatea de nvare 3.1. Ridicarea caracteristicilor de ieire pentru TEC-J.....................37 Activitatea de nvare 3.2. Identificare TEC - J...................................................................39 Activitatea de nvare 3.3. Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat........................40 Activitatea de nvare 3.4. Regiunile caracteristicilor de ieire ale unui TEC - MOS.........41 Tema 4. Tiristorul......................................................................................................................42 Fia de documentare 4.1. Tiristorul.......................................................................................42 Activitatea de nvare 4.1. Ridicarea caracteristicilor anodice ale tiristorului.....................44 Activitatea de nvare 4.2. Tiristorul dispozitiv multijonciune........................................46 Activitatea de nvare 4.3. Identificarea tiristorului.............................................................47 Activitatea de nvare 4.4. Funcionarea tiristorului............................................................48 Tema 5. Dispozitive optoelectronice.........................................................................................49 Fia de documentare 5.1. Dispozitive optoelectronice..........................................................49 Activitatea de nvare 5.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale fotodiodei........................52 Activitatea de nvare 5.2. Ridicarea caracteristicilor statice ale fototranzistorului............54 Activitatea de nvare 5.3. Ridicarea caracteristicii statice a diodei electroluminiscente....55 Activitatea de nvare 5.4. Ridicarea caracteristicii de transfer a optocuplorului................56 Activitatea de nvare 5.5. Tipuri de dispozitive optoelectronice........................................58 Activitatea de nvare 5.6. Simbolurile dispozitivelor optoelectronice................................59 III. Glosar.......................................................................................................................................60 IV. Bibliografie..............................................................................................................................61

I. Introducere
Materialul de invatare are rolul de a conduce elevul la dobandirea competentelor pentru: Domeniul: Electronic i automatizri Calificarea: Tehnician n automatizri Nivelul de calificare 3 Materialul cuprinde: - fie de documentare - activiti de nvare - glosar Prezentul material de invatare se adreseaz elevilor din cadrul colilor liceale, domeniul Electronic i automatizri, calificarea Tehnician n automatizri. Competena / Rezultatul nvrii

Teme Tema 1. Diode semiconductoare

Elemente component Fia de documentare 1.1 Diode semiconductoare Activitatea de nvare 1.1 Msurarea rezistenelor diodei semiconductoare Activitatea de nvare 1.2 Ridicarea caracteristicii curent tensiune a diodelor cu Ge i Si Activitatea de nvare 1.3 Ridicarea caracteristicii curent tensiune a diodei Zener Activitatea de nvare 1.5 Tipuri de diode semiconductoare Activitatea de nvare 1.6 Parametrii diodelor Zener

Identific componentele electronice analogice

Tema 2. Tranzistorul bipolar

Fia de documentare 2.1 Tranzistorul bipolar Activitatea de nvare 2.1 Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar Activitatea de nvare 2.2 Ce tim despre tranzistorul bipolar Fia de documentare 3.1 Tranzistoare cu efect de cmp Activitatea de nvare 3.1 Ridicarea caracteristiclor de ieire pentru TEC-J

Tema 3. Tranzistoare cu efect de cmp

Competena / Rezultatul nvrii

Teme

Elemente component Activitatea de nvare 3.2 Identificare TEC - J Activitatea de nvare 3.3 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat Fia de documentare 4.1 Tiristorul Activitatea de nvare 4.1 Ridicarea caracteristicilor anodice ale tiristorului Activitatea de nvare 4.2 Tiristorul - dispozitiv multijonciune Activitatea de nvare 4.3 Identificarea tiristorului Fia de documentare 5.1 Dispozitive optoelectronice Activitatea de nvare 5.1 Ridicarea caracteristicilor statice ale fotodiodei Activitatea de nvare 5.2 Ridicarea caracteristicilor statice ale fototranzistorului Activitatea de nvare 5.3 Ridicarea caracteristicilor statice a diodei electroluminiscente Activitatea de nvare 5.4 Ridicarea caracteristici de transfer a optocuplorului Activitatea de nvare 5.5 Tipuri de dispozitive optoelectronice Activitatea de nvare 5.6 Simbolurile dispozitivelor optoelectronice Fia de documentare 1.1 Diode semiconductoare Activitatea de nvare 1.1 Msurarea rezistenelor diodei semiconductoare Activitatea de nvare 1.2 Ridicarea caracteristicii curent tensiune a diodelor cu Ge i Si

Tema 4. Tiristorul

Tema 5. Dispozitive optoelectronice

Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice

Tema 1. Diode semiconductoare

Competena / Rezultatul nvrii

Teme

Elemente component Activitatea de nvare 1.3 Ridicarea caracteristicii curent tensiune a diodei Zener Activitatea de nvare 1.4 Funcionarea diodei semiconductoare Activitatea de nvare 1.5 Tipuri de diode semiconductoare Activitatea de nvare 1.6 Parametrii diodelor Zener

Tema 2. Tranzistorul bipolar

Tema 3. Tranzistoare cu efect de cmp

Fia de documentare 2.1 Tranzistorul bipolar Activitatea de nvare 2.1 Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar Activitatea de nvare 2.2 Ce tim despre tranzistorul bipolar Activitatea de nvare 2.3 Caracteristicile tranzistorului bipolar Activitatea de nvare 2.4 Moduri de conectare a tranzistorului bipolar Fia de documentare 3.1 Tranzistoare cu efect de cmp Activitatea de nvare 3.1 Ridicarea caracteristiclor de ieire pentru TEC-J Activitatea de nvare 3.2 Identificare TEC - J Activitatea de nvare 3.3 Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat Activitatea de nvare 3.4 Regiunile caracteristicilor de ieire ale unui TEC - MOS

Tema 4. Tiristorul

Fia de documentare 4.1 Tiristorul Activitatea de nvare 4.1 Ridicarea caracteristicilor anodice ale tiristorului

Competena / Rezultatul nvrii

Teme

Elemente component Activitatea de nvare 4.2 Tiristorul - dispozitiv multijonciune Activitatea de nvare 4.3 Identificarea tiristorului Activitatea de nvare 4.4 Funcionarea tiristorului Fia de documentare 5.1 Dispozitive optoelectronice Activitatea de nvare 5.1 Ridicarea caracteristicilor statice ale fotodiodei Activitatea de nvare 5.2 Ridicarea caracteristicilor statice ale fototranzistorului Activitatea de nvare 5.3 Ridicarea caracteristicilor statice a diodei electroluminiscente Activitatea de nvare 5.4 Ridicarea caracteristici de transfer a optocuplorului

Tema 5. Dispozitive optoelectronice

Absolventul nvmntului liceal cu specialitatea Tehnician n automatizri trebuie s fie capabil s ndeplineasc sarcini cu caracter tehnic i s se familiarizeze cu principiile de funcionare, caracteristicile i parametrii specifici ai componentelor analogice de circuit dar i cu schemele de principiu i funcionarea circuitelor electronice uzuale.

II. Resurse
Prezentul material de invatare cuprinde diferite tipuri de resurse care pot fi folosite de elevi: fie de documentare; activiti de nvare.

Elevii pot folosi att materialul prezent (n forma printat) ct i varianta echivalent online.

Tema 1. Diode semiconductoare Fia de documentare 1.1. Diode semiconductoare

Dispozitivele semiconductoare au n construcia lor regiuni ale reelei monocristaline cu diverse impurificri att ca mrime a concentraiei ct i ca tip de impuritate (regiune de tip donor - n, regiune tip acceptor - p). Cele mai utilizate materiale semiconductoare folosite n construcia dispozitivelor semiconductoare de circuit sunt siliciul i germaniul. Jonciunea pn are o importan esenial n funcionarea unei clase mari de dispozitive electronice semiconductoare, ele coninnd una sau mai multe jonciuni. Dioda semiconductoare, al crei simbol este reprezentat n Fig. 1.1.1, se caracterizeaz prin conducie unidirecional: - n cazul polarizrii n sens direct permite trecerea unui curent mare (curent direct), - n cazul polarizrii n sens invers permite trecerea unui curent mic (curent invers). anod catod

Fig. 1.1.1 Simbolul general al diodei semiconductoare Regiunea p a jonciunii constituie anodul diodei, iar regiunea n, catodul. Funcionarea diodei este descris prin intermediul unui grafic denumit caracteristica static de funcionare (Fig. 1.1.2). Aceasta furnizeaz informaii despre modul n care curentul prin diod variaz n funcie de tensiunea care se aplic ntre terminalele acesteia.

n cazul n care tensiunea pe diod este pozitiv, se spune c aceasta funcioneaz n conducie direct. n cazul n care tensiunea pe diod este negativ, se spune c aceasta funcioneaz n conducie invers.

Fig. 1.1.2 Caracteristica de funcionare a diodei semiconductoare Prin noiunea de polarizare a unei diode se nelege stabilirea tipului de conducie n curent continuu. Astfel, dac dioda funcioneaz n curent continuu n conducie direct, se spune c aceasta este polarizat direct. Analog, dac dioda funcioneaz n curent continuu n conducie invers, se spune c aceasta este polarizat invers. Funcionarea n curent continuu a unei diode este complet caracterizat de ctre valorea curentului continuu care trece prin aceasta i de tensiunea continu ntre terminalele diodei.

10

Punctul Static de Funcionare furnizeaz ntotdeauna informaii despre regimul n care funcioneaz dioda. Aceast observaie este valabil i pentru alte tipuri de dispozitive semiconductoare. Polarizarea diodei este realizat prin intermediul unui circuit special, numit circuit de polarizare. Principalii parametrii ai diodei semiconductoare sunt: Tensiunea de deschidere, (UD) - la diodele care sunt construite din germaniu U D este cuprins ntre 0,2V-0,4V, iar cele din siliciu ntre 0,4V-0,8V; Curentul maxim direct, (IAm); Tensiunea maxim invers, (UBR). Diodele redresoare sunt utilizate pentru redresarea curentului electric alternativ. Frecvena semnalelor redresate este, de regul, frecvena industrial (50/60Hz). Se pot construi cu germaniu, cu siliciu, iar la puteri mici, cu seleniu. Cele mai rspndite sunt cele cu siliciu. Avantajele diodelor cu siliciu fa de cele cu germaniu sunt: - curentul invers este mult mai mic; - tensiunea de strpungere este mult mai mare; - temperatura maxim de lucru de 190 grade fa de 90 grade la germaniu. Dezavantajul diodelor cu siliciu fa de cele cu germaniu este: - tensiunea de deschidere puin mai mare. Performanele unei diode redresoare sunt caracteristice prin 2 mrimi limit care nu trebuie depite n timpul funcionrii: Intensitatea maxim a curentului direct (I M), de ordinul amperi - zeci de mii de amperi; Tensiunea invers maxim (UM), de ordinul zeci de voli - zeci de mii de voli.

Parametrii acestor diode sunt: Tensiunea invers repetitiv maxim admis , (URM); Curentul mediu redresat (curentul mediu la care poate fi solicitat dioda), I 0; Cderea de tensiune n regim de polarizare direct la un curent dat, (UFM); Rezistena termic jonciune capsul, (Rthj-c), sau jonciune ambiant, (Rthj-a).

Diodele varicap (varactoare), cu simbolul din Fig. 1.1.3, prezint capaciti diferite n funcie de tensiunea de polarizare. Denumirea diodei provine de la VARIable CAPacitor. anod catod

Fig. 1.1.3 Simbolul diodei varicap 11

Aceste diode utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a se comporta ca o capacitate ce depinde de tensiunea continu de polarizare invers (aceasta este capacitatea de barier). Posibilitatea de a varia o capacitate ntr-un circuit prin varierea unei surse de polarizare este necesar n circuitele de schimbare a frecvenei, circuitele de reglaj automat al frecvenei, precum i modulaia frecvenei. Diodele varicap au capaciti de ordinul pF sau zecilor de pF i se construiesc cu siliciu pentru a avea o rezisten intern mai mare n polarizarea invers. n acest fel ele pot fi asimilate cu un condensator cu pierderi neglijabile. Diodele Zener (diode stabilizatoare), cu simbolul din Fig. 1.1.4, sunt diode de construcie special, care nu se distrug n cazul n care se strpung, ci funcioneaz chiar n regiunea de strpungere i se utilizeaz ca stabilizatoare de tensiune. anod catod

Fig. 1.1.4 Simbolul diodei Zener Funcionarea acestora se bazeaz pe proprietatea jonciunii p-n de a avea n regiunea de strpungere, o tensiune la borne constant ntr-o gam larg de variaie a curentului invers, cum se poate observa n caracteristica curent tensiune (Fig. 1.1.5).

Fig. 1.1.5 Caracteristica curent - tensiune a diodei Zener Dioda funcioneaz ntr-un regim de strpungere controlat, n care att curentul ct i puterea disipat sunt meninute la valori pe care dioda le poate suporta n regim permanent, fr s se distrug. Dioda Zener este construit cu siliciu, caracteristica de funcionare a acesteia modificndu-se la variaia temperaturii de lucru. Cnd este polarizat direct (+ pe anod i pe catod) funcioneaz ca o diod cu jonciune i cnd este polarizat invers (- pe anod i + pe catod) funcioneaz n regim de strpungere. Parametrii principali ai diodelor Zener sunt: Tensinea nominal de stabilizare, (UZ); Rezistena dinamic, (Rzd); Curentul maxim admis n polarizare invers, (IZmax); Puterea de disipaie a diodei, (Pd); Coeficientul de variaie a tensiunii stabilizate cu temperatura , ().

12

Diodele tunel, cu simbolul din Fig. 1.1.6, sunt un tip de diode semiconductoare capabile de operare la viteze foarte mari.

anod

catod

Fig. 1.1.6 Simbolul diodei tunel La baza funcionrii diodelor tunel st aa - numitul efect tunel. Diodele tunel au concentraii mari de impuriti att n zona p ct i n zona n (jonciune de tip p+n+). De aceea, regiunea de trecere este foarte ngust n raport cu diodele obinuite. La polarizare direct caracteristica curent - tensiune (Fig. 1.1.7) are forma literei N i posed o zon p-v de rezisten negativ de valoarea zecilor de ohmi. La polarizare invers dioda tunel nu are regim de saturaie, ci are o rezisten intern foarte mic. De aceea o inversare a tensiunii pe dioda tunel poate duce la distrugerea acesteia. Diodele tunel au o vitez de comutare foarte mare.

Fig. 1.1.7 Caracteristica curent tensiune a diodei tunel Pentru o bun funcionare este de dorit ca raportul dintre curentul maxim i curentul minim s fie ct mai mare. Dac se folosete ca material semiconductor, arseniura de galiu acest raport depete valoare 15. Dioda tunel lucreaz la puteri mici de ordinul wailor. Caracteristica diodei nu depinde de variaiile de temperatur de aceea ea poate lucra la frecvene foarte nalte de ordinul 104 MHz. Parametrii diodei tunel sunt: Punctul de vale corespunztor curentului Iv i tensiunii Uv; Punctul de vrf corespunztor curentului Ip i tensiunii Up. Aceast diod este folosit la realizarea urmtoarelor circuite: - amplificatoare de frecvene foarte nalte; - oscilatoare de frecvene foarte nalte; - circuite basculante monostabile, bistabile i astabile Dezavantajul diodei tunel este c are numai dou borne i deci nu se poate face separarea ntre circuitul de intrare i cel de ieire.

13

Activitatea de nvare semiconductoare

1.1.

Msurarea

rezistenelor

diodei

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate; - selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse; - nregistrezi datele; - identifici terminalele diodelor; - testezi starea diodelor. Durata: 20 min.

Tipul activitii: experimentul Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi Sarcina de lucru: Determinai cu ajutorul -metrului, rezistena n curent continuu la polarizare direct i invers a diodelor semiconductoare puse la dispozitie. Se vor efectua msurtorile pe fiecare din cele patru game de lucru ale aparatului de msur: x1, x10, x100, x1K. Mod de lucru: Cu ajutorul unui ohmmetru sau a unui multimetrului MAVO-35 se msoar rezistena unor diode cu Ge i Si n conducie direct i invers, pe toate gamele ohmmetrului, rezultatele notndu-se n Tab.1. Tab. 1. Datele experimentale pentru msurarea rezistenei directe i inverse unor diode cu Ge i Si. R( ) Ge Si Gama Direct Invers Direct Invers 1 10 100 k 1 nainte de utilizarea ohmmetrului trebuie realizat reglarea zeroului (aducerea acului indicator la zero). Acest reglaj se realizeaz prin scurtcircuitarea bornelor aparatului de msur si modificarea rezistenei poteniometrului R p. Acest reglaj permite utilizarea aceleiai scale a ohmmetrului pentru mai multe game de rezistene i trebuie efectuat la fiecare trecere de la o gam la alta. n cazul utilizrii unui multimetru digital, n funcionarea sa ca ohmmetru, semnele bornelor sunt inversate. 14

Se observ c valorile obinute pentru Rdir i Rinv difer de la o gam de masur la alta, fapt datorat modificrii rezistenei interne a aparatului de la o scal la alta. Comparai Rdirect i Rinvers , n funcie de starea diodei i completai Tab. 2 Rdirect Rinvers

Tab. 2. Testarea diodelor Starea diodei Funcional Strpuns ntrerupt

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 1.1 i refacei activitatea.

15

Activitatea de nvare 1.2. Ridicarea caracteristicii curent tensiune a diodelor semiconductoare

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate; - selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse; - nregistrezi datele; - ridici caracteristica unei diode polarizate direct i invers; - formulezi concluzii pe baza unei analize critice. Durata: 50 min.

Tipul activitii: experimentul Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi Sarcina de lucru: Reprezentai grafic caracteristicile curent tensiune pentru o diod de Ge i una de Si. Mod de lucru: Ridicarea caracteristicii n polarizare direct Realizai montajul din Fig. 1, utiliznd o diod de Ge. R = 330 IA mA + 1 2 + + U E -

A UA C

Fig. 1 Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei n polarizare direct naintea nceperii msurtorilor: Fixai E=0; Fixai miliampermetrul pe gama de 25 mA; Fixai voltmetrul pe gama de 1V; Variai curentul IA (variind tensiunea de alimentare E) i msurai tensiunea U A la bornele diodei; Completai Tab. 1; Repetai pentru montajul cu dioda de Si; 16

Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica direct a celor dou diode IA (mA) 0,1 0,5 1 5 10 15 20 Ge UA (V) Si

25

Pentru cureni mai mici de 1mA se fixeaz voltmetrul n poziia 1, iar pentru cureni mai mari de 1mA se conecteaz voltmetrul n poziia 2 Ridicarea caracteristicii n polarizare invers Realizai montajul din Fig. 2 utiliznd o diod de Ge. R = 10k IA mA + 1 2 + U -

+ -

C UA A

Fig. 2 Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei n polarizare invers naintea nceperii msurtorilor: Fixai E=0; Fixai miliampermetrul pe gama de 50 A; Fixai voltmetrul pe gama de 25V; Variai E de la 0 la 24 V i msurai curentul I A din circuit cu ajutorul mAmetrului; Completai Tab. 2; Repetai pentru montajul cu dioda de Si.

Se va avea grij s nu se ating tensiunea de strpungere a diodei cu Ge, fenomen pus n eviden de creterea rapid a curentului prin diod. Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristica invers a celor dou diode UA (V) 0,2 0,4 0,6 1 2 5 10 15 Ge IA( A) Si 20 24

Reprezentai grafic pe aceeai foaie caracteristicile curent tensiune ale celor dou diode; Comparai cele dou caracteristici.

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 1.1 i refacei activitatea.

17

Activitatea de nvare 1.3. Ridicarea caracteristicii curent tensiune a diodei Zener

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate; - selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse; - nregistrezi datele; - ridici caracteristica unei diode Zener polarizate direct i invers; - formulezi concluzii pe baza unei analize critice. Durata: 50 min.

Tipul activitii: experimentul Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi Sarcina de lucru Reprezentai grafic caracteristica curent tensiune pentru o diod Zener. Mod de lucru: Ridicarea carcteristicii n polarizare invers Realizai montajul din Fig. 1, utiliznd o diod Zener. R = 680 IA mA + 1 2 + + U E UA -

DZ

Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei Zener n polarizare invers naintea nceperii msurtorilor: Fixai E= 0; Fixai miliampermetrul pe gama de 25 mA; Fixai voltmetrul pe gama de 10V; Variai curentul IA (variind tensiunea de alimentare E) i msurai tensiunea U A la bornele diodei; Completai Tab. 1.

18

Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica invers a diodei Zener Iz (mA) 0,05 0,1 0,5 0,8 1 2 5 10 Uz (V)

15

25

Pentru cureni mai mici de 1mA se fixeaz voltmetrul n poziia 1, iar pentru cureni mai mari de 1mA se conecteaz voltmetrul n poziia 2. Ridicarea caracteristicii n polarizare direct Realizai montajul din Fig. 2 utiliznd o diod Zener. R = 680 IA

+ -

mA + 1 2 + U -

DZ UA

Fig. 2. Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei Zener n polarizare direct naintea nceperii msurtorilor: Fixai E= 0; Fixai miliampermetrul pe gama de 25 mA; Fixai voltmetrul pe gama de 1V; Variai curentul IA (variind tensiunea de alimentare E) i msurai tensiunea U A la bornele diodei; Completai Tab. 2; 25

Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristica invers a celor dou diode IA (mA) 0,1 0,5 1 5 10 15 20 UA (V) Reprezentai grafic pe o foaie caracteristica curent tensiune a diodei Zener.

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 1.1 i refacei activitatea.

19

Activitatea de nvare 1.4. Funcionarea diodei semiconductoare

Competena: Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - descrii principiul de funcionare al diodelor semiconductoare; - identifici punctul static de funcionare al diodei semiconductoare; - difereniezi regimurile de funcionare ale diodei semiconductoare. Durata: 15 min.

Tipul activitii: expansiune Sugestii: elevii se vor mpri n grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual Sarcina de lucru: Pornind de la urmtoarele dou enunuri incomplete, realizai un eseu de aproximativ 10 rnduri n care s dezvoltai ideile coninute n enunuri. n realizarea eseului trebuie s folosii minim 7 cuvinte din lista de mai jos. Din caracteristica curent tensiune a diodei semiconductoare se observ c aceasta poate funciona n regim de ................................... Funcionarea n curent continuu a diodei semiconductoare este caracterizat de ............................ Lista de cuvinte: conducie, direct, invers, polarizare, circuit de polarizare, surs de alimentare, rezisten de polarizare, PSF, strpungere, curent continuu, tensiune continu. Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 1.1 i refacei activitatea.

20

Activitatea de nvare 1.5. Tipuri de diode semiconductoare

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - identifici tipuri de diode semiconductoare; - precizezi principalii parametri pentru fiecare tip de diod semiconductoare; - descrii funcionarea fiecrui tip de diod semiconductoare; - identifici utilizrile fiecrui tip de diod semiconductoare. Durata: 20 min.

Tipul activitii: metoda grupurilor de experi peer learning Sugestii: elevii se vor mpri n 4 grupe Sarcina de lucru: Avnd la dispoziie 10 minute, fiecare grup va completa cte o linie a tabelului de mai jos, folosind surse diferite. Tip de diode semiconductoare Dioda redresoare Dioda varicap Dioda Zener Dioda tunel Simbol Principiu de funcionare Parametri Utilizri

Dup ce ai devenit experi n dispozitivul optoelectronic studiat, reorganizai grupele astfel nct n grupele nou formate s existe cel puin o persoan din fiecare grup iniial. Timp de 10 minute vei mpri cu ceilali colegi din grupa nou format cunotinee acumulate n etapa anterioar.

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 1.1 i refacei activitatea.

21

Activitatea de nvare 1.6. Parametrii diodelor Zener

Competena: Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - precizezi principalii parametri ai diodelor Zener; - identifici notaiile principalilor parametrii ai diodelor Zener. Durata: 10 min. Tipul activitii: potrivire Sugestii: elevii se vor mpri n grupe mici (2 3 elevi) sau pot lucra individual Sarcina de lucru: n coloana A sunt enumerai principalii parametrii ai diodelor Zener , iar n coloana B notaiile parametrilor. Scriei pe foaie asocierile corecte dintre fiecare cifr din coloana A i litera corespunztoare din coloana B. A. Parametrii diodelor Zener 1. Tensiunea nominal de stabilizare 2. Rezisena dinamic 3. Curentul maxim admis n polarizare invers 4. Puterea de disipaie 5. Coeficientul de variaie a tensiunii stabilizate cu temperatura a. b. c. d. e. B. Notaiile parametrilor IZmax UZ Rzd Pd

Dac ai realizat corect toate asocierile, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 1.1 i refacei activitatea.

22

Tema 2. Tranzistorul bipolar Fia de documentare 2.1. Tranzistorul bipolar

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor cu dou jonciuni n succesiune npn sau pnp. Cele trei zone se numesc emitor (E), baz (B), colector (C). Tranzistoarele pot fi pnp (zona din mijloc dopat cu elemente donoare de electroni, celelalte dou dopate cu elemente acceptoare), sau npn (dopat invers). Totui, din cauza grosimii foarte mici a zonei centrale (baza), cele dou jonciuni nu funcioneaz independent i ntre terminalele extreme (colector i emitor) poate aprea un curent, aceasta fiind i proprietatea cea mai important a tranzistorului, i aceea care permite folosirea lui pe post de amplificator.

Se numete bipolar deoarece conducia este asigurat de dou tipuri de purttori de sarcin, electroni i goluri. Particulariti constructive: - E este mult mai impurificat dect B sau C; - B este mult mai subire dect E i C (de ordinul micronilor sau chiar zecimilor de microni). n simbolurile grafice corespunztoare celor dou structuri, npn i pnp (Fig. 2.1), sgeata din simbol corespunde jonciunii pn emitor-baz (vrful sgeii merge ntotdeauna de la zona p spre zona n) i arat i sensul normal pozitiv al curentului principal prin tranzistor.

Fig. 2.1 Structura i simbolurile grafice ale tranzistorului bipolar Se pot defini trei cureni i trei tensiuni (Fig. 2.2), dar pentru descrierea funcionrii nu sunt necesare toate aceste ase mrimi. Tensiunile i curenii sunt legate prin relaiile: uCB = uCE + uEB i iE = iB + iC

Fig. 2.2 Curenii i tensiunile tranzistorului bipolar

23

Deoarece tranzistorul amplific n putere, adic transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic n circuitul de ieire de rezisten mare, de aici denumirea TRANSfer reZISTOR adic transfer de rezisten. n funcie de modul n care sunt polarizate cele dou jonciuni, un tranzistor bipolar se poate afla n urmtoarele regimuri de funcionare: a) regimul activ normal, n care jonciunea emitor-baz este polarizat direct iar jonciunea colector-baz este polarizat invers. n acest regim se obine cea mai mare amplificare; b) regimul invers n care jonciunile sunt polarizate invers fa de cazul anterior; c) regimul de blocare n care ambele jonciuni sunt polarizate invers. n acest caz tranzistorul este blocat (prin el nu circul curent); d) regimul de saturaie n care cele dou jonciuni sunt polarizate direct. Curenii tranzistorului. Notnd IE ( unde - coeficient de transfer al emitorului) acea parte a curentului emitorului care trece prin jonciunea colectorului, vom scrie expresia pentru curentul colectorului n modul urmtor: IC = IE + ICB0 Curentul invers al colectorului. ICB0 este egal cu curentul ce trece prin jonciunea colectorului, cnd la colector se aplic tensiune invers i cnd curentul emitorului este egal cu zero. Prin contactul bazei trece curentul IB, care este egal cu diferena dintre curentul emitorului i colectorului: IB = IE IC Din cele dou relaii avem: IB = IE (1 ) ICB0 Dac vom deconecta circuitul emitorului (IE = 0 i IC = ICB0), atunci vom avea: IB = ICB0 n aa mod, prin contactul emitorului (circuitul emitor - baz) curge curentul de dirijare IE (de intrare), prin contactul colectorului (circuitul colector - baza) curentul de dirijare IE (de ieire) i curentul invers al colectorului I CB0, iar prin contactul bazei diferena curentului emitorului i colectorului. n tranzistoarele reale curenii I E i IC i creterile lor IE i IC sunt aproximativ egale dup valori. Coeficienii de transfer a curenilor. Modificarea curentului colectorului rezultat din modificarea curentului emitorului este condiionat numai de electroni. ns, curentul total al emitorului este determinat att de electroni ct i de goluri. Cu ct mai muli electroni (n comparaie cu numrul golurilor) trec prin jonciunea emitorului i cu ct mai puini din aceti electroni se recombin n baz, neajungnd la jonciunea colectorului, cu att mai bine tranzistorul transmite schimbrile curentului emitorului n circuitul colectorului. Coeficientul static de transfer al emitorului poate fi determinat dup formula: I C I CB0 = IE Coeficientul static de transfer al curentului bazei poate fi determinat dup formula: I I CB 0 = = C 1 I B + I CB 0

24

Caracteristicile statice ale unui tranzistor bipolar sunt grafice ce reprezint dependena dintre curenii ce trec prin bornele tranzistorului i tensiunile ce se aplic la aceste borne. Tranzistorului fiind un dispozitiv cu trei borne, n orice schem electric el poate fi conectat n trei moduri diferite: conectare cu baza comun (BC) (Fig. 2.3.a), conectare cu emitorul comun (EC) (Fig. 2.3.b) i cu colectorul comun (CC) (Fig. 3.3.c).

a baz comun; b emitor comun; c colector comun Fig. 2.3 Moduri fundamentale de conectare ale tranzistorului Fiecare din schemele de conectare ale tranzistorului se caracterizeaz prin patru familii de caracteristici: Iie = f (Uie) la Iin = const caracteristici de ieire; Uin = f (Iin) la Uie = const caracteristici de intrare; Iie = f (Iin) la Uie = const caracteristici de transfer a curentului; Uin = f (Uie) la Iin = const caracteristici de reacie invers dup tensiune. n cataloage de obicei sunt prezentate primele dou tipuri de caracteristici (de intrare i de ieire), cci sunt cele mai importante i utilizabile. Indiferent de tipul tranzistorului, n planul caracteristicilor de ieire se disting trei regiuni de lucru : - regiunea de saturaie care se afl n extremitatea stng a caracteristicilor de ieire; - regiunea de blocare care se afl sub caracteristica IB = 0; - regiunea activ normal de lucru care se afl ntre cele dou regiuni de blocare i saturaie. Asigurarea integritii tranzistoarelor necesit considerarea unor limitri impuse mrimilor ce le determin regimul de lucru. Valorile maxime absolute sunt valori care nu trebuie depite n timpul funcionrii montajului, deoarece se pot produce defectarea tranzistorului. De regul n aceast grup apar: tensiunile maxime ntre terminale: VCB0, VCE0, VEB0; curentul maxim de collector i de baz: I CM, IBM; puterea maxim disipat: Ptot; temperature maxim a jonciunii: TjM. O regul practic util recomand ncrcarea tranzistorului la cel mult, 0,75 din valorile de catalog ale acestor parametri. Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele electronice cu componente discrete, n amplificatoare de semnal (n domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentaie, oscilatoare, modulatoare i demodulatoare, filtre, surse de alimentare

25

liniare sau n comutaie sau n circuite integrate, tehnologia de astzi permind integrarea ntr-o singur capsul a milioane de tranzistori.

Activitatea de nvare 2.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate; - selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse; - nregistrezi datele; - ridici caracteristicile staticile ale unui tranzistor bipolar; - formulezi concluzii pe baza unei analize critice. Durata: 50 min.

Tipul activitii: experimentul Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi Sarcina de lucru: Reprezentai grafic caracteristicile de intrare i de ieire pentru un tranzistor bipolar. Mod de lucru: Ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului n conexiune EC Realizai montajul din Fig. 1.

Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului n conexiune EC Modificai curentul de baz IB din sursa S1 i completai Tab. 1. 40 50

Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicile de intrare UCE [v] IB [A] 0 2 5 10 20 30 26

0 UBE [v] 5 UBE [v] 10 UBE [v] Ridicarea caracteristicilor de ieire ale tranzistorului n conexiune EC Realizai montajul din Fig. 2.

Fig. 2. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor de ieire ale tranzistorului n conexiune EC Modificai curentul de baz IB din sursa S1, modificai tensiunea UCE din sursa S2 i completai Tab. 2.

Tab.2. Datele experimentale pentru caracteristicile de ieire ale tranzistorului n conexiune EC IB [A] UCE [v] 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 1 3 5 7 9 10 0 IC [mA] 10 IC [mA] 20 IC [mA] 30 IC [mA] 40 IC [mA] Reprezentai grafic pe aceeai foaie familia de caracteristici de intrare ale tranzistorului; Reprezentai grafic pe aceeai foaie familia de caracteristici de ieire ale tranzistorului.

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 2.1 i refacei activitatea.

27

28

Activitatea de nvare 2.2. Ce tim despre tranzistorul bipolar

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - descrii principiul de funcionare a tranzistorului bipolar; - identifici tipuri de tranzistoare bipolare; - identifici modurile de conectare a tranzitorului bipolar; - deduci ecuaiile fundamentale in cc; - reprezini caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar; - precizezi principalii parametri care limiteaz funcionarea tranzistorului bipolar; - identifici utilizrile tranzistorului bipolar. Durata: 20 min.

Tipul activitii: cubul Sugestii: elevii se vor mpri n 6 grupe Sarcina de lucru: Pe feele unui cub se nscriu urmtoarele sarcini de lucru referitoare la tranzistorul bipolar. 33 Tipuri de Tipuri de conexiuni conexiuni 1. 1. Principiul de Principiul de funcionare funcionare 22 Structur i Structur i simboluri simboluri grafice grafice 44 Ecuaii Ecuaii fundamentale fundamentale decc cc de 55 Caracteristici Caracteristici statice statice 66 Parametrii care Parametrii care limitezfuncionarea funcionarea limitez i utilizri i utilizri

Fiecare grup de elevi i va alege cte un coordonator, acesta va rostogoli cubul i fiecrei grupe i va reveni o sarcin de lucru care va fi rezolvat pe o foaie de hrtie A 3. Dup 10 minute foile scrise vor fi lipite astfel nct s alctuiasc un cub desfurat. Se va analiza fiecare foaie i se vor face completri acolo unde este cazul.

29

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 2.1 i refacei activitatea.

30

Activitatea de nvare 2.3. Caracteristicile tranzistorului bipolar

Competena: Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - precizezi principalele familii de caracteristici ale tranzistorului bipolar; - identifici expresiile matematice corespunztoare fiecrei familii de caracteristici. Durata: 10 min. Tipul activitii: potrivire Sugestii: elevii se vor mpri n grupe mici (2 3 elevi) sau pot lucra individual Sarcina de lucru: n coloana A sunt enumerate principalele familii de caracteristici ale tranzistorului bipolar, iar n coloana B expresiile matematice ale acestora. Scriei pe foaie asocierile corecte dintre fiecare cifr din coloana A i litera corespunztoare din coloana B. A. Famili de caracteristici 1. caracteristici de ieire 2. caracteristici de intrare 3. caracteristici de transfer a curentului 4. carcateristici de reacie invers dup tensiune B. Expresiile matematice a. Iie = f (Iin) la Uie = const b. Uin = f (Uie) la Iin = const c. Iie = f (Uie) la Iin = const d. Uin = f (Iin) la Uie = const

Dac ai realizat corect toate asocierile, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 2.1 i refacei activitatea.

31

Activitatea de nvare 2.4. Moduri de conectare a tranzistorului bipolar

Competena: Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - identifici principalele moduri de conectare a tranzistorului bipolar. Durata: 15 min.

Tipul activitii: hart tip pnz de pianjen Sugestii: elevii se vor mpri n grupe de 2 3 elevi Sarcina de lucru: Folosind diferite surse, obinei informaii despre modurile de conectare a tranzistorului bipolar i organizai-le dup modelul urmtor:

Baz comun

Tranzistorul bipolar Moduri de conectare

Emitor comun

Colector comun

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 3.1 i refacei activitatea.

32

Tema 3. Tranzistoare cu efect de cmp Fia de documentare 3.1. Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistoarele cu efect de cmp prescurtate TEC sau FET (Field Effect Transistor) fac parte din familia tranzistoarelor unipolare. la care conducia electric este asigurat de un singur tip de purttor de sarcin, fie electroni, fie goluri. Funcionarea lor se bazeaz pe variaia conductivitii unui "canal" dintr-un material semiconductor, ale crui dimensiuni transversale sau concentraii de purttori de sarcin mobili pot fi controlate cu ajutorul cmpului electric transversal, creat ntre un electrod de comand numit poart (gate) situat n vecintatea canalului i masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal. n funcie de tipul de purttori care produc curentul electric, avem: - TEC cu canal de tip n, n care purttorii sunt electroni; - TEC cu canal de tip p, n care purttorii sunt goluri. Dup modul de realizare a controlului conductanei canalului , avem: - TEC cu jonciuni (TECJ sau J-FET); - TEC cu gril (poart izolat), avnd la baz structura metaloxidsemiconductor (TECMOS) sau metalizolatorsemiconductor (TECMIS). Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J) funcioneaz cu purttori majoritari (electroni n canalul n, respectiv goluri n canalul p) fiind un rezistor a crui seciune este controlat de grosimea regiunii sarcinii spaiale a unei jonciuni pn. Termenul de efect de cmp este legat de existena cmpului electric n zona de sarcin spaial, cmp a crui intensitate este determinat de tensiunea aplicat pe terminalul poart (gate). Conducia are loc ntr-un canal n (Fig. 3.1) ntre contactele surs (care emite electroni) i respectiv dren (care i colecteaz). Electrodul denumit poart contacteaz zona difuzat p+ care mpreun cu substratul p+ delimiteaz canalul n. Jonciunea pn poart-canal este polarizat invers, iar grosimea regiunii de sarcin spaial asociat acestei jonciuni face ca seciunea conductiv a canalului (regiunea n Fig.3.1 Structura unui TEC-J neutr) s fie mai mic dect distana dintre cele doua cu canal n jonciuni. Aceast seciune este controlabil electric prin diferena de potenial care exist ntre poart i canal. Sgeata din simbolul grafic (Fig. 3.2) desemneaz o jonciune pn (sensul sgeii de la plan). Curentul de poart este foarte mic (de ordinul nA) i va fi considerat practic nul. Curentul de dren i D este normal pozitiv intr n drena tranzistorului cu canal n (electrod care evacueaz electroni) i iese din drena tranzistorului cu canal p. Curentul de surs este egal cu cel de dren.

Fig. 3.2 Simboluri grafice pentru TEC - J

33

Caracteristicile statice ale TEC-J a. Caracteristicile de ieire (Fig.3.3) iD = iD (uDS ) cu uGS = constant, numite i caracteristici de dren.

Fig. 3.3 Caracteristici de ieire ale TEC-J TEC-J este folosit n zona liniar la tensiuni mici dren-surs ca rezisten controlat n tensiune. Aici conductana dren-surs este identic cu conductana canalului i rezistena dren-surs este funcie liniar de tensiunea poart-surs aplicat. Pentru tensiuni mai mari, distingem a zona neliniar, o zona de saturaie a curentului de dren (aici curentul de dren depinde foarte slab de tensiunea dren-surs), dup care urmeaz o zon de cretere abrupt (strpungere) a curentului, nemarcat pe grafic. Zona neliniar este caracterizat de uDS < uDS,sat, unde uDS,sat este tensiunea la care apare saturaia curentului de dren. Zona de saturaie este caracterizat de faptul c ID nu mai crete cu uDS. uDS < uDS,sat, iD = iD,sat Saturaia corespunde momentului n care canalul este strangulat lng dren. Aceast strangulare apare la rndul ei atunci cnd diferena de potenial ntre poart i extremitatea de lng dren a canalului este egal cu tensiunea de prag. b. Caracteristicile de transfer (Fig. 3.4) sunt iD = iD(uGS). Dispozitivul este folosit ca amplificator n zona de saturaie caracterizat de uDS >uDS,sat , unde iD este practic independent de uDS.

Fig.3.4 Caracteristicile de transfer ale TEC-J Zona preferat de lucru este cea de la cureni mari, acolo unde i panta caracteristicii este mai mare. Aici curentul scade cu creterea temperaturii (la UGS = const) dar problema ambalrii termice nu se pune n cazul TEC-J. Tranzistorul TEC-MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducia curentului electric la suprafaa semiconductorului. Proprietile conductive ale suprafeei semiconductorului sunt controlate de un cmp electric aplicat printr-un electrod izolat de semiconductor (poart). Conducia se realizeaz pe suprafaa substratului de siliciu, ntre doua zone cu tip de conductivitate opus celui al substratului; numite surs (S) i dren (D).

34

n funcie de modul de formare a canalului i de tipul su , TEC-MOS urile sunt de patru categorii: cu canal n, iniial; cu canal p, iniial; cu canal n, Indus; cu canal p, Indus. n figura 3.5 s-a considerat un substrat de tip n; n acest caz sursa i drena sunt de tip p. Pentru a se putea stabili un curent electric ntre surs i dren, suprafaa semiconductorului trebuie inversat ca tip de conductivitate, adic s devin de tip p. n acest caz, la suprafa apare un canal conductor, de tip p, care leag sursa de dren. Inversarea tipului de conductivitate a suprafeei, precum i controlul rezistivitii canalului se face de ctre poart.

Fig. 3.5 Structura unui TEC-MOS cu canal iniial de tip p

Simbolurile grafice pentru tranzistoare MOS cu canal n i p sunt prezentate n figura 3.6:

Fig. 3.6 Simboluri pentru TEC-MOS De obicei n aplicaii obinuite substratul se leag la surs, dar exist dispozitive la care substratul apare ca un terminal separat. Se observ aceeai semnificaie pentru sgeata din simbolul grafic. Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS a. Caracteristicile de dren sau de ieire (Fig. 3.7), iD = iD (uDS ) cu uGS = constant.

Fig. 3.7 Caracteristicile de ieire ale unui TEC- MOS Se deosebesc trei regiuni: - Regiunea liniar, pentru valori mici ale uDS,iD crete proporional cu tensiunea; - Regiunea de saturaie, iD rmne aproape constant chiar la creteri relative mari ale uDS; - Regiunea de strpungere, creterea uDS peste o anumit valoare produce o multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin. 35

b.

Caracteristicile de transfer, iD = iD(uGS). n cazul TEC-MOS cu canal indus (Fig. 3.8), dac acesta este de tip p ambele tensiuni UGS, UDS sunt negative. Aceste tranzistoare au canal indus prin aplicarea unei tensiuni UGS mai mari dect valoarea de prag. Unele tranzistoare prezint canal chiar la tensiuni poart-surs nule (UGS = 0) i se numesc tranzistoare MOS cu canal iniial (Fig. 3.9). Aceast situaie se ntlnete n special la tranzistoare cu canal n. Un asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate a tensiunii de poart. Dac tensiunea de poart este pozitiv UGS > 0, regimul se numete regim de mbogire datorit creterii concentraiei de electroni n canal; dac tensiunea de poart este negativ UGS < 0, regimul poart denumirea de regim de srcire i duce la scderea concentraiei de electroni din canal pn la dispariia lui (la UGS = U T).

tip n tip p Fig. 3.8 Caracteristicile de transfer pentru TEC-MOS cu canal indus

tip n tip p Fig. 3.9 Caracteristica de transfer pentru TEC-MOS cu canal iniial

Tranzistoarele MOS nu prezint fenomenele de strpungere secundar i ambalare termic.

36

Activitatea de nvare 3.1. Ridicarea caracteristicilor de ieire pentru TEC-J

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate; - selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse; - nregistrezi datele; - ridici caracteristicile de ieire pentru TEC-J; - formulezi concluzii pe baza unei analize critice. Durata: 50 min.

Tipul activitii: experimentul Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi Sarcina de lucru: Reprezentai grafic caracteristicile de ieire pentru TEC - J. Mod de lucru: Realizai montajul din Fig. 1. 10K 2M2 S1 + V UGS V UDS S2 ID
mA

Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor de ieire pentru TEC - J Pentru diferite valori ale tensiunii UGS, variai tensiunea UDS; Msurai valorile curentului ID; Completai Tab. 1.

Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicile de ieire pentru TEC-J UGS [v] UDS [V] 1 2 5 10 0 ID [mA] -1 ID [mA] -2 ID [mA] -3 ID [mA] 37

Avei grij ca ID s nu depeasc 15 mA i UDS s nu depeasc 30 V. Reprezentai grafic pe o foaie caracteristicile de ieire pentru TEC J. Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 3.1 i refacei activitatea.

38

Activitatea de nvare 3.2. Identificare TEC - J

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - identifici terminalele unui TEC-J; - identifici mrimile specifice unui TEC - J. Durata: 10 min.

Tipul activitii: problematizare Sugestii: elevii se vor mpri n grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual Sarcina de lucru: Pornind de la simbolul TEC J reprezentat n figur, identificai terminalele acestuia i mrimile specifice reprezentate.

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 3.1 i refacei activitatea.

39

Activitatea de nvare 3.3. Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - descrii principiul de funcionare al tranzistoarelor cu efect de cmp cu poart izolat; - clasifici tranzistoarele cu efect de cmp cu poart izolat; - difereniezi principalele caracteristici statice ale tranzistoarelor cu efect de cmp cu poart izolat. Durata: 10 min.

Tipul activitii: expansiune Sugestii: elevii se vor mpri n grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual Sarcina de lucru: Pornind de la urmtoarele dou enunuri incomplete, realizai un eseu de aproximativ 10 rnduri n care s dezvoltai ideile coninute n enunuri. n realizarea eseului trebuie s folosii minim 7 cuvinte din lista de mai jos. Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat este un dispozitiv electronic bazat pe conducia curentului la suprafaa.................... n funcie de modul de formare a canalului i de tipul su, tranzistoarele cu efect de cmp cu poart izolat sunt ............................ Lista de cuvinte: poart, semicondutor, oxid, surs, dren, canal n, canal p, iniial, indus, substrat, caracterstici statice, transfer, ieire. Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 3.1 i refacei activitatea.

40

Activitatea de nvare 3.4. Regiunile caracteristicilor de ieire ale unui TEC - MOS
Competena: Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - precizezi principalele regiuni ale caracteristicilor de ieire ale unui TEC - MOS; - identifici caracteristicile fiecrei regiuni . Durata: 10 min. Tipul activitii: potrivire Sugestii: elevii se vor mpri n grupe mici (2 3 elevi) sau pot lucra individual Sarcina de lucru: n coloana A sunt enumerate principalele regiuni ale caracteristicilor de ieire ale unui TEC-MOS, iar n coloana B caracteristicile acestora. Scriei pe foaie asocierile corecte dintre fiecare cifr din coloana A i litera corespunztoare din coloana B. A. Regiunile caracteristicilor de ieire 1. regiunea liniar 2. regiunea de saturaie 3. regiunea de strpungere B. Caracteristicile regiunilor a. curentul de dren rmne aproape constant chiar la creteri relativ mari ale tensiunii dren surs. b. creterea tensiunii dren surs peste o anumit valoare produce o multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin. c. valori mici ale tensiunii dren surs, curentul de dren crete proporional cu tensiunea.

Dac ai realizat corect toate asocierile, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 3.1 i refacei activitatea.

41

Tema 4. Tiristorul Fia de documentare 4.1. Tiristorul

Denumirea de tiristor provine de la numele unui tub electronic cu gaz numit tiratron (TIRatron transISTOR). Tiristorul este un dispozitiv multijonciune cu o structur pnpn prevzut cu electrod de comand prin conectarea zonei p adiacente catodului (Fig. 4.1.1. a)

b simbol a structur; Fig. 4.1.1. Tiristorul Electrodul de comand, poarta, G (gate), anod i catod sunt cele trei terminale ale tiristorului simbolizat n Fig. 4.1.1.b. Amorsarea tiristorului se realizeaz prin injectarea unui curent pe poart, la o tensiune mai mic dect cea de autoamorsare sau la tensiunea de autoamorsare fr curent de poart, mod utilizat foarte rar sau deloc. Analiza fenomenelor fizice ce au loc la amorsarea tiristorului prin injectarea unui curent de poart se poate face echivalnd structura cu dou tranzistoare complementare, dup cum se vede n schema echivalent (Fig. 4.1.2)

Fig. 4.1.2 Schema echivalent a unui tiristor Din caracteristicile statice curent tensiune ale tiristorului (Fig. 4.1.3) se observ posibilitatea creterii nelimitate a curentului prin structur, dac este ndeplinit condiia de amorsare, amorsarea poate avea loc la o tensiune anodic mai mic dect tensiunea de autoamorsare. Iniierea amorsrii este provocat prin injectarea unui curent iG prin jonciunea J3 i nu prin creterea tensiunii anodice. Dependena factorilor de curent de curentul prin dispozitiv st la baza procesului de amorsare a tiristorului. Se observ c la curenii de poart mai mari Fig. 4.1.3 Caracteristicile statice tensiunea de amorsare este mic, peste o curent tensiune ale tiristorului anumit valoare a curentului de poart, amorsarea are loc pe curba punctat, ca la o jonciune pn (tiristorul este de fapt o diod comandat). 42

n funcionare normal, tensiunea anodic trebuie s fie mai mic dect tensiunea de autoaprindere UBO. Pentru comutare direct se aplic un curent de poart cruia i corespunde o tensiune de aprindere UA<UBO. n polarizare invers, tiristorul se comport ca o dioda pnpn, prin el trecnd un curent mic, iar la tensiunea UB are loc strpungerea tiristorului. Pentru a bloca tiristorul trebuie micorat curentul prin structur sub valoarea de meninere IH (HOLD) (tensiunea la borne scade i ea sub valoarea de meninere U H), deoarece dup amorsare, poarta si pierde rolul de electrod de comand, n sensul c nu poate aciona i pentru blocarea tiristorului, totui acest rol va fi reluat dar numai dup blocarea tiristorului. Semnalul de comand pentru amorsarea tiristorului poate fi att semnal continuu ct i impulsuri de polaritate corespunztoare. Comutarea direct i blocarea tiristorului au loc n timp finit, fiind legate de procese fizice de injecie i extracie de purttori de sarcin. Timpul de comutare direct crete cu temperatura i cu curentul anodic, dar scade cnd amplitudinea semnalului de comand crete. Dac semnalul de comand este un impuls, trebuie sa aib o durat minim, timp de meninere pe poart, sub care comutarea nu are loc. Timpul de comutare invers crete de asemenea cu temperatura i curentul anodic i scade cnd amplitudinea semnalului de comutare crete. Astfel, pentru blocare este suficient s micorm tensiunea anodic sub valoarea de meninere, dar timpul de comutare invers scade dac inversm polaritatea tensiunii pe anod. Dac semnalul de blocare este un impuls, exist o durat minim a acestuia, numit timp de revenire pe poart sub care blocarea nu are loc. n tiristoarele rapide timpii de comutare sunt de ordinul a cteva microsecunde, iar timpul de blocare este n general mai mare dect cel de comutare direct. Cu ajutorul tiristorului pot fi controlate puteri mari, fiind utilizat frecvent n circuitele redresoare comandate i invertoare. Posibilitatea de control a momentului amorsrii determin un domeniu larg de aplicaii pentru acest dispozitiv care poate fi alimentat de la tensiuni de ordinul zecilor la tensiuni de ordinul sutelor de voli i corespunztor curenilor de ordinul sutelor de amperi.

43

Activitatea de nvare 4.1. Ridicarea caracteristicilor anodice ale tiristorului

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate; - selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse; - nregistrezi datele; - ridici caracteristicile anodice ale tiristorului; - formulezi concluzii pe baza unei analize critice. Durata: 50 min.

Tipul activitii: experimentul Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi Sarcina de lucru: Reprezentai grafic caracteristicile anodice ale tiristorului. Mod de lucru: Realizai montajul din Fig. 1.

Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor anodice ale tiristorului Reglai sursa S1 astfel nct curentul IG = 0; Reglai sursa S2 astfel nct curentul prin tiristor IA s ia valorile din Tab. 1; Msurai tensiunea UAK pentru fiecare valoare a curentului I A i completai Tab. 1; Reglai sursa S1 astfel nct IG s ia toate valorile din Tab.1 i repetai paii anteriori; Completai Tab.1.

44

Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicile anodice ale tiristorului IA [mA] 0 5 10 15 20 IG = 0 UAK [V] IG = 2 mA UAK [V] IG = 4 mA UAK [V] IG = 6 mA UAK [V] IG = 8 mA UAK [V] IG = 10 mA UAK [V] Reprezentai grafic pe o foaie caracteristicile anodice ale tiristorului.

25

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 4.1 i refacei activitatea.

45

Activitatea de nvare 4.2. Tiristorul dispozitiv multijonciune

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - identifici tiristorul; - descrii principiul de funcionare; - reprezini caracteristicile tiristorului; - precizezi principalele utilizri ale tiristorului. Durata: 15 min.

Tipul activitii: hart tip pnz de pianjen Sugestii: elevii se vor mpri n grupe de 2 3 elevi Sarcina de lucru: Folosind diferite surse, obinei informaii despre tiristor i organizai-le dup modelul urmtor:

Simbol Simbol

Caracteristici Caracteristici

Tiristorul Tiristorul

Principiul Principiulde defuncionare funcionare

Utilizri Utilizri

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 4.1 i refacei activitatea.

46

Activitatea de nvare 4.3. Identificarea tiristorului

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - identifici terminalele tiristorului; - identifici mrimile specifice tiristorului. Durata: 10 min.

Tipul activitii: problematizare Sugestii: elevii se vor mpri n grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual Sarcina de lucru: Pornind de la simbolul tiristorului reprezentat n figur, identificai terminalele acestuia i mrimile specifice reprezentate.

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 4.1 i refacei activitatea.

47

Activitatea de nvare 4.4. Funcionarea tiristorului

Competena: Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - identifici mrimile caracteristice tiristorului; - explici funcionarea tiristorului. Durata: 15 min.

Tipul activitii: studiu de caz Sugestii: elevii se vor mpri n grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual Sarcina de lucru: n figura de mai jos sunt reprezentate caracteristicile curent tensiune ale tiristorului.

a. precizai cum este iniiat amorsarea; b. precizai cum se blocheaz tiristorul; c. precizai ce tipuri de semnale se folosesc pentru comand. Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 4.1 i refacei activitatea.

48

Tema 5. Dispozitive optoelectronice Fia de documentare 5.1. Dispozitive optoelectronice

Dispozitivele optoelectronice reprezint elemente care transform energia radiaiilor luminoase (sau a altor radiaii din spectrul invizibil) n energie electric sau invers. Transformarea energiei radiaiei electromagnetice n energie electric i invers se face n mod direct, fr intermediul altor forme de energie. Fenomenele fizice fundamentale care stau la baza funcionrii dispozitivelor optoelectronice sunt absorbia radiaiei electromagnetice n corpul solid i recombinarea radiativ a purttorilor de sarcin n semiconductor. Dispozitivele optoelectronice se mpart n dou mari categorii: - dispozitive bazate pe efectul - fotoelementul, fotorezistena, fotodioda, fotoelectric intern fototranzistorul, fototiristorul dispozitive optoelectronice - dioda electroluminscent, optocuplorul electroluminescente Fotoelementul, simbolizat n Fig. 5.1.1, reprezint un dispozitiv optoelectronic care nu necesit alimentarea de la o surs de tensiune exterioar, el genernd o anumit tensiune atunci cnd este iluminat. Valoarea tensiunii care este msurat pe o asemenea celul care nu este conectat ntr-un circuit poart denumirea de tensiune de circuit deschis i are o variaie pronunat la iluminri mici, iar curentul care strbate terminalele celulei n timpul unui scurtcircuit poart denumirea de curent de scurtcircuit i are o variaie pronunat cu ct iluminarea este mai puternic. Cu ct aria unei celule este mai mare cu att curentul de scurtcircuit este mai mare. Dac n aplicaii dorim s utilizm curentul unei astfel de celule se vor utiliza rezistori de sarcini mici, iar dac dorim utilizarea tensiunii, rezistorul de sarcin trebuie s aib o valoare mare. Valoarea curentului de scurtcircuit depinde i de lungimea de und a luminii (culoarea) care lumineaza fotocelula. Fig. 5.1.1 Simbolul fotoelementului Fotorezistena, simbolizat n Fig. 5.1.2, este format dintr-o pelicul semiconductoare depus prin evaporarea n vid pe un grtar metalic fixat n prealabil pe o plac izolatoare. Aceast pelicul se protejeaz de obicei prin acoperire cu lac sau pelicul de mas plastic. Acestea au proprietatea de a-i modifica valoarea rezistenei electrice sub aciunea fluxului luminos. ntr-un circuit care conine un astfel de dispozitiv alimentat de la o surs de tensiune constant, curentul va crete odat cu iluminarea fotorezistorului. Variaia rezistenei lor cu temperature i ineria ridicat n funcionare, constituie inconvenientele acestor dispozitive.

Fig. 5.1.2 Simbolul fotorezistenei 49

Principalii parametri ai fotorezistenei sunt: Rezistena de ntuneric, (R0); Sensibilitatea, (S). Fotodioda, simbolizat n Fig. 5.1.3 nu difer din punct de vedere a structurii fizice fa de diodele obinuite. Fotodioda este constituit dintr-o jonctiune pn de construcie special, astfel nct s fac posibil incidena razelor de lumin n domeniul zonei de difuzie a acesteia. n funcionarea normal jonctiunea pn este polarizat invers cu ajutorul unei sursei externe. Incidena razelor de lumin n zona de difuzie determin o cretere a curentului invers. Pot fi folosite la frecvene de ordinul miilor de Hz.

Fig. 5.1.3 Simbolul fotodiodei Principalii parametrii ai unei fotodiode sunt: Curentul de ntuneric, (ID); Tensiunea invers maxim, (URM); Curentul de iluminare, (IL); Sensibilitatea, (S).

Fototranzistorul, simbolizat n Fig. 5.1.4, este format din trei zone (pnp sau npn) numite colector, baz i emitor. Zona sensibil la lumin formnd-o jonciune bazcolector. Spre deosebire de fotodiode fototranzistoarele realizeaz i o amplificare a curentului fotoelectric. Fluxul luminos are rolul curentului de baz de aceea fototranzistorul nu este prevzut cu terminalul pentru baz. n circuite fototranzistorul se monteaz n conexiune emitor comun, polarizarea fcnduse ca i la tranzistor, emitorul la potenialul negativ iar colectorul la potenialul pozitiv pentru un tranzistor npn. Ineria n funcionare a fototranzistorului este mai mare dect a fotodiodei.

Fig. 5.1.4 Simbolul fototranzistorul

Fototiristorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structur de tiristor, a crui aprindere se face sub aciunea unui flux luminos. i n acest caz tensiunea de amorsare scade cu creterea intensitii fluxului luminos.

50

Dioda electroluminiscent (LED- ul) , simbolizat n Fig. 5.2.1, numit LED-Light Emmiting Diode se bazeaz pe fenomenul invers fotodiodei. Culoarea luminii emise depinde de semiconductorul utilizat.

Fig. 5.2.1 Simbolul diodei electroluminiscente LED-urile pot fi folosite ca indicatoare numerice sau indicatoare optice pe panourile aparatelor. LED-ul emite lumina ntr-o anumit band foarte ngust de lungimi de und care este caracteristic unei anumite culori. Pentru LED-uri RGB, poate fi un singur LED cu trei structuri (Red/Green/Blue) ncorporate care sunt comandate pe trei linii separate de comand a culorii, sau un punct luminos", compus din structuri LED rou/verde/albastru distincte. Prin comanda separat a fiecrei culori din cele trei se obin peste 16 milioane de nuane (principiu care este utilizat i n monitoarele cu LED-uri Parametrii electrici ai LED-urilor sunt identici cu cei ai diodelor: Curentul direct, (IF); Tensiunea de deschidere a jonciunii, (UF); Tensiunea invers, (UR). Optocuplorul, simbolizat n Fig. 5.2.2, este ansamblul format dintr-un LED i un receptor luminos (fotodiod, fototranzistor) montat ntr-o capsul comun opac.

Fig. 5.2.2 Simbolul optocuplorului Aceste dispozitive au o gam larg de aplicaii ele putnd nlocuii relee, putnd izola partea de for de partea de comand n sistemele automate i n multe alte aplicaii. ntr-un astfel de dispozitiv se transmit ntr-un singur sens de la intrare la ieire. De obicei randamente de transfer relativ ridicate se obin n domeniul frecvenelor infraroii. Optocuploarele pot fi utilizate pentru transfer de semnale att de curent continuu, ct i de curent alternativ, frecvena limit fiind ordinul zecilor de MHz. Pe lng parametrii ce se refer separate la emitor i receptor, parametrii specifici optocuplorului sunt: Tensiunea de lucru care este diferena de potenial ntre emitor i receptor; Factorul de transfer n curent care este egal cu raportul dintre variaia curentului la ieire i variaia curentului la intrare; Timpul de rspuns care reprezint timpul scurs ntre momentul aplicrii semnalului luminos i cel la care fotocurentul crete pn la 0,1 din valoarea sa maxim.

51

Activitatea de nvare 5.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale fotodiodei

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate; - selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse; - nregistrezi datele; - ridici caracteristicile statice ale fotodiodei; - formulezi concluzii pe baza unei analize critice. Durata: 50 min.

Tipul activitii: experimentul Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi Sarcina de lucru: Reprezentai grafic caracteristicile statice ale fotodiodei. Mod de lucru: Realizai montajul din Fig. 1.

Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor statice ale fotodiodei Acoperii fotodioda pentru a nu fi iluminat; Variai tensiunea sursei S2; Completai Tab. 1;

Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica static de ntuneric a fotodiodei UCC [V] 1 3 5 8 10 IFD [A] UFD [V] Reglai I1 = 10 mA i modificai U CC din sursa S2 din volt n volt pn se obine o instabilitate a lui IFD. Valoarea lui UFD n acest caz reprezint URmax (tensiunea invers maxim); Pentru diferite valori ale curentului I1, variai tensiunea sursei S2; Completai Tab.2; 52

Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristicile statice la iluminare a fotodiodei I1 [mA] UFD [V] 0 .........................................................................U Rmax IFD [mA] IFD [mA] IFD [mA] Trasai caracteristicile statice ale fotodiodei n cadranul trei al planului curent tensiune.

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 5.1 i refacei activitatea.

53

Activitatea de nvare 5.2. Ridicarea caracteristicilor statice ale fototranzistorului

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate; - selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse; - nregistrezi datele; - ridici caracteristicile statice ale fototranzisorului; - formulezi concluzii pe baza unei analize critice. Durata: 50 min.

Tipul activitii: experimentul Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi Sarcina de lucru: Reprezentai grafic caracteristicile statice ale fototranzistorului. Mod de lucru: Realizai montajul din Fig. 1.

Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor statice ale fototranzistorului Pentru diferite valori ale curentului I1, variai tensiunea UCE; Completai Tab.1; Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicilor statice ale fototranzistorului I1 [mA] UCE [V] 0 1 2 3 5 8 10 IC [mA] IC [mA] IC [mA] IC [mA] Trasai caracteristicile statice ale fototranzistorului. Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 5.1 i refacei activitatea.

54

Activitatea de nvare 5.3. Ridicarea caracteristicii statice a diodei electroluminiscente

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate; - selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse; - nregistrezi datele; - ridici caracteristica static a diodei electroluminiscente; - formulezi concluzii pe baza unei analize critice. Durata: 50 min.

Tipul activitii: experimentul Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi Sarcina de lucru: Reprezentai grafic caracteristica static a diodei electroluminiscente. Mod de lucru: Realizai montajul din Fig. 1.

Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii statice a diodei electroluminiscente Pentru diferite valori ale curentului prin LED, I L, msurai tensiunea la bornele sale, UL; Completai Tab.1;

Tab. 1. Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicii statice a diodei electroluminiscente IL [mA] 1 2 3 5 8 10 12 15 20 UL[V] Trasai caracteristica static a diodei electroluminiscente. Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 5.1 i refacei activitatea. 55

Activitatea de nvare 5.4. Ridicarea caracteristicii de transfer a optocuplorului

Competena: Identific componentele electronice analogice Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate; - selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse; - nregistrezi datele; - ridici caracteristica de transfer a optocuplorului; - formulezi concluzii pe baza unei analize critice. Durata: 50 min.

Tipul activitii: experimentul Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi Sarcina de lucru: Reprezentai grafic caracteristica de transfer a optocuplorului. Mod de lucru: Realizai montajul din Fig. 1.

Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii de transfer a optocuplorului Reglai sursa S2 la 12 V; Pentru diferite valori ale curentului prin elementul emitor (LED), I L, msurai curentul prin fototranzistor, IC; Completai Tab.1; Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica de transfer a optocuplorului IL [mA] 1 2 3 5 8 10 12 15 20 IC [mA] Trasai caracteristica de transfer a optocuplorului.

56

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 5.1 i refacei activitatea.

57

Activitatea de nvare 5.5. Tipuri de dispozitive optoelectronice

Competena: Identific componentele electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - identifici tipuri de dispozitive optoelectronice; - precizezi principalii parametri pentru fiecare tip de dispozitiv optoelectronic; - descrii funcionarea fiecrui tip de dipozitiv optoelectronic; - identifici utilizrile fiecrui tip de dispozitiv optoelectronic. Durata: 20 min.

Tipul activitii: metoda grupurilor de experi peer learning Sugestii: elevii se vor mpri n 6 grupe Sarcina de lucru: Avnd la dispoziie 10 minute, fiecare grup va completa cte o linie a tabelului de mai jos, folosind surse diferite. Tip de dispozitiv optoelectronic Fotoelementul Fotorezistena Fotodioda Fototranzistorul LED Optocuplor Simbol Principiu de funcionare Parametri Utilizri

Dup ce ai devenit experi n dispozitivul optoelectronic studiat, reorganizai grupele astfel nct n grupele nou formate s existe cel puin o persoan din fiecare grup iniial. Timp de 10 minute vei mpri cu ceilali colegi din grupa nou format cunotinee acumulate n etapa anterioar. Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 5.1 i refacei activitatea.

58

Activitatea de nvare 5.6. Simbolurile dispozitivelor optoelectronice

Competena: Identific componentele electronice analogice Obiectivul/obiective vizate: Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s: - precizezi principalele dispozitive optoelectronice; - identifici simbolurile dispozitivelor optoelectronice. Durata: 10 min. Tipul activitii: potrivire Sugestii: elevii se vor mpri n grupe mici (2 3 elevi) sau pot lucra individual Sarcina de lucru: n coloana A sunt enumerate pricipalele dispozitive optoelectronice, iar n coloana B simbolurile acestora. Scriei pe foaie asocierile corecte dintre fiecare cifr din coloana A i litera corespunztoare din coloana B. A. Dispozitive optoelectronice 1. Fotoelementul a. 2. Fotorezistena b. 3. Fotodioda c. 4. Fototranzistorul d. 5. Dioda electroluminiscent e. 6. Optocuplorul f. B. Simboluri

Dac ai realizat corect toate asocierile, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai fia de documentare 5.1 i refacei activitatea.

59

III. Glosar
Amorsare comutarea dispozitivului electronic din starea de blocare n starea de conducie. Circuit de polarizare circuit alctuit dintr-o surs de alimentare (o surs de tensiune continu sau o surs de curent continuu), care se mai numete i surs de polarizare i o rezisten de polarizare care are rolul de a limita curentul prin diod astfel nct aceasta s nu se distrug. Comutaie trecerea rapid a unei jonciuni din stare de conducie n stare de blocare i invers. Dezamorsare comutarea dispozitivului electronic din starea de conducie n starea de blocare. Dioda - component electronic constituit dintr-o jonciune pn prevzut cu contacte metalice la regiunile p i n i introdus ntr-o capsul din sticl, material plastic, ceramic sau metal. Dispozitive multijonciune dispozitive semiconductoare din siliciu, care au n structura lor mai mult de dou jonciuni pn. Efectul de tranzistor - efectul de comand a curentului printr-o jonciune polarizat invers cu ajutorul curentului unei jonciuni polarizate direct i plasat n apropiere . Efectul tunel - un electron cu energie mai mic dect bariera energetic corespunztoare barierei de potenial reuete s treac dincolo de aceasta nu peste barier ci prin ea (ca printr-un tunel). Jonciunea pn - zon de contact dintre dou cristale semiconductoare, unul de tip p i unul de tip n, avnd o grosime foarte mic de aproximativ 10 -8 ... 10-6 m. Polarizare direct aplicarea unei diferene de potenial unei jonciuni pn astfel ca + s fie conectat la regiunea p, iar la regiunea n. Polarizare invers - aplicarea unei diferene de potenial unei jonciuni pn astfel ca + s fie conectat la regiunea n, iar la regiunea p. Punct Static de Funcionare (PSF) - perechea de mrimi electrice compus din curentul continuu prin diod i de tensiunea continu pe diod reprezentat n planul caracteristicii, cu coordonatele iA, uA. Tranzistorul bipolar - o pastil de siliciu dopat astfel inct s se creeze trei straturi dopate diferit, i deci dou jonciuni pn; una emitor-baz i alta baz-colector.

60

IV. Bibliografie
1. Bioiu, Adrian. Blu, Gheorghe. Icou, Corneliu. Lingvaz, Iosif. (1984). Practica electronistului amator, Bucureti: Editura Albatros 2. Ceang, Emil. Saimac, Anton. Banu, Emilian. (1981). Electronic Industrial, Bucureti: Editura didactic i pedagogic 3. Ceang, Emil. (1978). ndrumar de laborator pentru electronic , Galai: Universitatea Dunrea de Jos Galai 4. Croitoru, Victor. Sofron, Emil. Componente i circuite electronice Lucrri practice: Bucureti: Editura didactic i pedagogic 5. Dan, Pentru Alexandru. Luca, Dan Mihai. Albu, Adrian. Dunca, Tudor. Primejdie, George. (1986). Diode cu siliciu - catalog, Bucureti: Editura Tehnic 6. Dascalu, Dan. Rusu, Adrian. Profirescu, Marcel. Costea, Ioan. (1982). Dispozitive i circuite electronice, Bucureti: Editura didactic i pedagogic 7. Florea, S. Dumitrache, I. Gburici, V. Munteanu, F. Dumitriu, S. Catan, I. (1983). Electronic industrial i automatizri, Bucureti: Editura Didactic i Pedagogic 8. Stan, Alexandru Iulian. Cnescu, Traian. Huhulescu, Mihai. Popescu, Constaniu. Simulescu, Drago. (1998). Aparate, echipamente i instalaii de electronic industrisl tehnologia meseriei- manual pentru clasele a IX a i a X a licee industriale i coli profesionale, Bucureti: Editura didactic i pedagogic 9. Steriu, Dan. Brezeanu, Gheorghe. (1990). Dispozitive i circuite electronice ndrumar de laborator, Bucureti: Facultatea de electronic i telecomunicaii 10. Vasilescu, Gabriel. Lungu, erban. (1981). Electronic, Bucureti: Editura Didactic i Pedagogic

61