Proprieti electrice ale corpurilor solide

Aplicaie I: S se calculeze rezistivitatea unui monocristal

de Ge intrinsec i a unui monocristal de Si intrinsec la
T=400 K. Se cunosc concentraia intrinsec a purttorilor
de sarcin pentru Ge ni=pi=2,6 , iar pentru Si
ni=pi=2,1 i mobilitatea purttorilor de sarcin
la aceast temperatur:


| |
3 19
10

m
| |
3 16
10

m
|
|
.
|

\
|
(

=
(

=
Vs
m
Vs
m
Ge
p n
2 2
20 , 0 , 40 , 0
|
|
.
|

\
|
(

=
(

=
Vs
m
Vs
m
Si
p n
2 2
075 , 0 , 15 , 0
Proprieti electrice ale corpurilor solide
Rezolvare: Conductivitatea electric a semiconductorului
intrinsec este:
iar rezistivitatea este:


nlocuind datele numerice se obine:
( )
p n
p n e o + =
( )
p n
p n e o

+
= =
1 1
| |
| | m
m
Si
Ge
O =
O =
75 , 1322
400 , 0

Semiconductori intrinseci
Aplicaie II: S se calculeze cu cte grade trebuie
nclzit o bar de Ge intrinsec aflat la temperatura
camerei (295 K) pentru a-i reduce la jumtate rezistena
dac nu se consider deendena de temperatur a
mobilitii purttorilor. Lrgimea benzii interzise este

Rezolvare:
Rezistena R a unui conductor de lungime l, seciune S i
rezistivitate este dat de:


Concentraia purttorilor intrinseci este dat de:
Reducerea la jumtate a rezistenei este provocat de
dublarea concentraiei purttorilor:








| | eV
g
67 , 0 = c

S
l
R =
T k
i i
B
g
e C n
c

=
f B
g
T k
i i f
e C n n
c

= = 2
Semiconductori intrinseci
Rezolvare: Se obine:









. 95 , 7
2 ln
2 ln
2 ln
2
2
K T
T k
T k
T T T
T k T k
e C e C
B g
B
f
B
g
f B
g
T k
i
T k
i
f B
g
B
g
= A

= = A
=
=

c
c c
c
c
Semiconductori intrinseci i extrinseci
Aplicaie III: S se determine valorile limit ale lungimilor de
und, ale radiaiilor necesare pentru crearea de perechi
electron-gol n Si, Ge, GaAs.
Rezolvare: Crearea perechilor electron-gol are loc atunci cnd
cristalului i se transmite atta energie nct electronii pot trece
din BV n BC. Aceast condiie este dat de:


Rezultatele numerice sunt prezentate tabelar astfel:






p

g
p g p
hc
h
c
c v = =
Semiconductori intrinseci i extrinseci






Material
Si
1,12 1,11
Ge
0,69 1,80
GaAs
1,45 0,86
| | eV
g
c
| | m
p

Semiconductori extrinseci
Aplicaie IV: a) S se determine concentraia electronilor i a golurilor
ntr-un cristal de germaniu de tip p la temperatura camerei (295 K)
dac conductivitatea electric este
b) S se determine concentraia electronilor i a golurilor ntr-un cristal
de siliciu de tip n la temperatura camerei (295 K) dac conductivitatea
electric este .
Rezolvare: a)

Numeric concentraia golurilor este:

Concentraia electronilor este:


Numeric concentraia electronilor este:
| |
1
150

O = cm o
| |
1
1

O = cm o
p
p p p p n
e
p e p p n

o
o = = <<
(

=
3
21
10 688 , 4
m
goluri
p
p
p
i
p
p
n
n
2
=
| |
3
16
10 44 , 1
m
electroni
n
p
=
Semiconductori extrinseci
.
Rezolvare: b) Concentraia electronilor este:


Numeric concentraia electronilor este:

Concentraia golurilor este:


Numeric concentraia golurilor este:
n
n n n
e
n p n

o
= >>
| |
3
19
10 17 , 4
m
electroni
n
n
=
n
i
n
n
n
p
2
=
(

=
3
13
10 06 , 1
m
goluri
p
n
Jonciunea p-n
Aplicaie V: Se consider o jonciune p-n la temperatura
camerei (295 K). Ce tensiune, n cazul polarizrii directe,
trebuie aplicat astfel nct curentul s fie de 119 ori mai mare
dect curentul rezidual?
Rezolvare:
Curentul prin jonciune este dat de relaia:








|
|
.
|

\
|
= 1
T k
eU
s A
B
A
e I I
| | V
e
T k
I
I
e
T k
U
B
S
A B
A
122 , 0 120 ln 1 ln = =
|
|
.
|

\
|
+ =
Jonciunea p-n
Aplicaie VI: S se determine creterea tensiunii de polarizare
direct a unei jonciuni p-n dac valoarea curentului a crescut
de 3 ori la temperatura camerei 295 K.
Rezolvare:









T k
eU
s
T k
eU
s
T k
eU
S
T k
eU
s
B
B
B B
A
e I I
e I I
e I I e I I
2
1
2
1
1

=
=
~
|
|
.
|

\
|
=
( )
1 2
1
2
U U
T k
e
B
e
I
I

=
( ) U
T k
e
U U
T k
e
I
I
B B
A = =
1 2
1
2
ln
mV
I
I
e
T k
U
B
95 , 27 ln
1
2
= = A
Proprieti electrice ale semiconductorilor
Aplicaie VII: Conductivitatea electric a unei probe
semiconductoare intrinseci este la
temperatura T1=273K. Lrgimea benzii interzise este
Eg=0.1eV. S se calculeze conductivitatea probei la
temperatura T2=500K.





Rezult:
| |
1
2
1
10

O = m o
Rezolvare:
( )
2
3
2
2
1
* *
2
3
2
2 ,
2
exp
(
(
(

=
(

=
t
p n g
m m k
A
kT
E
T A n
( )
p n
g
A e B
kT
E
BT o + =
(

= ,
2
exp
2
3
( )
( )
( )
( )
( )
5 . 6
2
exp
1
2
2 1
1 2
1
2
1
2
=
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|
=
T
T
T T k
T T E
T
T
T
T
g
o
o
o
o
Jonciunea p-n
Aplicaie VII: S se determine cmpul electric i distribuia de
potenial pentru o jonciune p-n realizat prin dopare dup o
lege liniar.
S se stabileasc grosimea regiunii de sarcin spaial pentru
cazul cnd se aplic jonciunii diferena de potenial Ua.
Rezolvare:


Dar
Unidimensional avem:

Pentru dopare dup o lege liniar avem:




c

= V = E D

div
c

= A V = U U E

=
2
2
dx
V d
( ) ( )
c
o o
aqx
dx
V d
n qx x = V = = =
2
2
Jonciunea p-n
Obinem:



Constantele C1,C2 se determin din condiiile la limit.
Presupunem jonciunea simetric, RSS de lrgime l este
simetric, deci:

Astfel:



( )
( )
2 1
3
1
2
C C
6
C
2
+ + =
+ = =
x
x
aq x U
x
aq
dx
dV
x E
c
c
( ) ( ) ( ) ( )
( ) .
24
,
8
0
2
2 2 2
3
2
2
1
c c
aql
C l
aq
C
l
x U
l
x
dx
dV
l
x E
l
x E
= = = =
= = = = =
( )
( )
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
.
|

\
|
=
4 4
3
6
4 2
3 2
3
2
2
l xl
x
aq
x U
l
x
aq
x E
c
c
Jonciunea p-n
Pentru a stabili grosimea regiunii de sarcin spaial
impunem:






( ) .
12
12
2
3
1
3
|
|
.
|

\
|
= = = =
aq
U
l l
aq
U U
l
x V
a
a a
c
c
Celula solar
Aplicaie VIII: O celul solar are un curent de saturaie
Is=1 , iar la iluminare produce, la temperatura camerei
(295K), un curent de scurtcircuit Isc=-99 mA. S se determine:
a)Rezistena intern a celulei cnd iluminarea tinde spre zero;
b)Tensiunea n circuit deschis pe celula solar n condiiile de
iluminare din problem;
c) Tensiunea pe rezistorul de sarcin cu valoarea Rm=5 ce
corespunde regimului de putere maxim;
d) Randamentul de conversie a energiei luminoase n energie
electric, dac puterea radiaiei incidente pe celula solar este
Pi=200 mW.
Rezolvare: a) n circuit deschis (I=0) tensiunea la bornele
celulei este:









A
O
|
|
.
|

\
|
+
+ =
S
L B
I
I I
e
T k
U 1 ln = =
|
|
.
|

\
|
=

C e q e I I I
kT
qU
S L
19
10 6 . 1 , 1
Celula solar
IL este fotocurentul provocat de lumina incident.
Rezistena intern a celulei este dat de relaia:

n absena iluminrii I=IL=0,

b) n condiiile de iluminare din problem:


La scurtcircuit (Isc=-IL), rezult:

U=292,93 mV.

s L
B
I I I e
T k
dI
dU
R
+ +
= =
1
O = = k
eI
T k
R
s
B
44 , 25
0
|
|
.
|

\
|
+ =
S
L B
I
I
e
T k
U 1 ln
|
|
.
|

\
|
=
S
sc B
I
I
e
T k
U 1 ln
Celula solar
c) Rezistena de sarcin Rm este egal cu rezistena intern a celulei
solare la iluminare.





deoarece

|
|
.
|

\
|
+
+ =
S
L B
I
I I
e
T k
U 1 ln
mV
R
R
e
T k
U
m
B
m
15 , 217 ln
0
=
|
|
.
|

\
|
=
eR
T k
I I I
eR
T k
I
B
S L
B
s
= + +
=
0
Celula solar
d)

% 7 , 4
43 , 9
2
= =
= =
i
m
m
m
m
P
P
mW
R
U
P
q
Aplicaie IX: Energia potenial de interaciune dintre doi atomi
este data prin: , unde r este distana dintre cei

doi atomi, A, B sunt constante reale pozitive, m, n sunt numere
naturale.
a) S se stabileasc n ce condiii cei doi atomi formeaz un
compus stabil;
b) S se stabileasc n ce condiii compusul stabil se desface n
constituieni.








( )
n m
r
B
r
A
r U =