Sunteți pe pagina 1din 110

UNIVERSITATEA DIN PETROŞANI

CATEDRA AUTOMATICĂ, INFORMATICĂ APLICATĂ ŞI CALCULATOARE

ELECTRONICĂ ANALOGICĂ

- NOTE DE CURS -

CONF.UNIV.DR.ING. NICOLAE PĂTRĂŞCOIU

2006

SCURT ISTORIC

Definiţie. Electronica este un domeniu al ştiinţei şi tehnicii ce se ocupă cu studiul fenomenelor ce se petrec la trecerea purtătorilor de sarcină printr-un mediu (vid, gaz, cristal) precum şi cu realizarea dispozitivelor electronice, a aparatelor şi echipamentelor bazate pe aceste fenomene.

- vechime 100 ani

- începutul în 1895 când s-a realizat prima transmisie la distanţă a undelor electromagnetice fără fir;

- se dezvoltă rapid prin construirea de dispozitive electronice

1904

– dioda cu vid – descoperită de Fleming

1906

– trioda, primul amplificator – descoperită de Lee de Forest - urmează pentoda, tetroda

- fenomenele electronice în cristale sunt mai puţin studiate în această perioadă

1924 – dioda cu cristal descoperită de Losev

- bazele dispozitivelor construite în baza fenomenului de mişcare a electronilor în

cristale sunt puse odată cu prezentarea modelului energetic al electronului în cristale în 1930 –

Strult

- 1947 – efectul de tranzistor – descoperit de Schokley

- 1948 – tranzistorul – descoperit de Barden şi Brattain

- 1950-1960 – se înlocuiesc tuburile cu dispozitive semiconductoare

- după 1960 – cablaj imprimat

- 1964 – Texas Instruments – prima serie de circuite integrate

- 1974 – microprocesoare – Intel – 8 biţi România

- 1905 – telegrafia fără fir

- 1924 – primul emiţător radio

- 1954 – televiziunea

1

Cap 1 ELEMENTE DE CIRCUIT

Def. Elementul de circuit este o parte sau un subansamblu dintr-un circuit ce produce sau consumă energie electrică. Def. Dispozitivul electronic este un element de circuit realizat în baza principiilor electronicii şi la care utilizatorul are acces doar la terminale (picioruşe, pini).

Def. Circuitul electronic este un circuit electric în care există cel puţin un dispozitiv electronic.

Elementele de circuit pot fi : - surse

- receptori

– de tensiune

- de curent

- pasivi

- activi

1.1 Surse Sursele ca elemente de circuit sunt elemente de tip generatoare şi sunt prezentate sursele ideale de tensiune şi curent

Sursa de tensiune

Simbol

>
>
U U 0 I
U
U
0
I

Fig.1.1. Caracteristica statică a sursei de tensiune

Sursa de tensiune este elementul de circuit cu proprietatea că este un element generator şi tensiunea la bornele acesteia U este constantă, adică U = U 0 = constant altfel spus în orice moment tensiunea la bornele sale este

independentă de curentul furnizat. Această proprietate este evidenţiată de caracteristica statică, fig.1.1. aceasta reprezentând dependenţa dintre tensiunea şi curentul la bornele sursei. Rezistenţa internă R i , în conformitate cu legea lui Ohm, este definită ca reprezentând variaţia elementară a tensiunii raportată la variaţia elementară a curentului. Ţinând seama că tensiunea este constantă rezultă: R i =dU/dI=0. Deci o sursă de tensiune are o rezistenţă internă neglijabilă

Sursa de curent Simbol >>
Sursa de curent
Simbol
>>
U I 0 I
U
I
0 I

Fig.1.2. Caracteristica statică a sursei de tensiune

R i

dU

=

=

1

dI dI

dU

Sursa de tensiune este elementul de circuit cu proprietatea că este un element generator şi curentul la bornele acesteia I este constant, adică I = I 0 = constant altfel spus în orice moment curentul la bornele acesteia este

independentă de tensiunea la borne. Această proprietate este evidenţiată de caracteristica statică, fig.1.2. aceasta reprezentând dependenţa dintre tensiunea

şi curentul la bornele sursei. Rezistenţa internă, definită ca şi în cazul sursei de tensiune va fi:

Infinită având în vedere că curentul este constant în raport cu tensiunea Deci o sursă de curent are o rezistenţă internă foarte mare,

→∞

2

teoretic infinită. În electronică se folosesc ca surse de energie surse combinate, adică surse ce pot genera atât tensiune cât şi curent. Sursele prezentate sunt surse ideale şi se utilizează în modelarea dispozitivelor şi circuitelor electronice, fără a avea aplicabilitate practică. Cu toate acestea sunt cazuri în care se ţine seama de proprietăţile acestor surse ideale

1.2. Receptori Receptorii sunt elemente de circuit ce primesc o anumită energie la intrare, de valoare w i şi o transferă către

ieşire la valoarea w e . În funcţie de raportul între cele două energii, de intrare şi ieşire receptorii se clasifică

astfel:

1. w i > w e – receptor pasiv de circuit, caracterizat prin faptul că diferenţa dintre energii w i – w e > 0 este datorată pierderilor pe aceste elemente

2. w i < w e – receptor activ, caracterizat prin faptul că diferenţa dintre energii w e – w i > 0 este preluată de la o sursă de alimentare, un astfel de receptor nu poate funcţiona fără aport energetic de la o sursă

3. w i = w i – receptor ideal, întâlnit numai în modelarea dispozitivelor şi circuitelor

electronice Din categoria receptorilor pasivi fac parte: rezistorul, condensatorul, bobina şi transformatorul

w w i Receptor
w
w
i Receptor

e

1.2.1. Rezistorul

R

Simbol

Simbol
Simbol
Simbol
Simbol
Simbol
w w i Receptor e 1.2.1. Rezistorul R Simbol Rezistor fix Rezistor variabil Rezistor semivariabil
w w i Receptor e 1.2.1. Rezistorul R Simbol Rezistor fix Rezistor variabil Rezistor semivariabil
w w i Receptor e 1.2.1. Rezistorul R Simbol Rezistor fix Rezistor variabil Rezistor semivariabil
w w i Receptor e 1.2.1. Rezistorul R Simbol Rezistor fix Rezistor variabil Rezistor semivariabil
w w i Receptor e 1.2.1. Rezistorul R Simbol Rezistor fix Rezistor variabil Rezistor semivariabil

Rezistor fix

Rezistor variabil

Rezistor semivariabil

(potenţiometru)

Rezistorul este un element pasiv de circuit caracterizat prin mărimea fizică rezistenţă electrică notată simbolic cu litera R

este ohm,

simbolizat , [R] SI = În determinarea valorii rezistenţei electrice a unui rezistor se utilizează, de regulă multiplii, astfel:

Unitatea de măsură, în sistem internaţional, SI, pentru rezistenţa electrică

1k= 10 3 ,

1M= 10 3 k= 10 6 ,

1G= 10 3 M= 10 6 k= 10 9

Marcarea valorii rezistenţei electrice pe corpul rezistorului se poate face:

în clar, adică pe corpul rezistorului se notează valoarea rezistenţei acestuia

exemplu:

10k

150

4k7

10 kΩ

150 Ω

4,7 kΩ

prin codul culorilor, pe corpul rezistorului se marc hează valoarea prin benzi sau puncte colorate având următoarea semnificaţie:

1 – prima cifră semnificativă;

poate lipsi
poate lipsi

2 – a doua cifră semnificativă;

3 a treia cifră semnificativă; m – multiplicator; t – toleranţa;

Fig.1.3 Marcarea rezistoarelor în codul culorilor

Sem nificaţia culo

rilor este prezentată în tabelul următor

3

Valoarea marcat ă pe corpul rezistorului fie în clar fie în codul culorilor reprezint ă

Valoarea marcată pe corpul rezistorului fie în clar fie în codul culorilor reprezintă valoarea nominală a rezistenţei R N . Valoarea reală sau măsurată a acesteia R poate diferi de valoarea nominală şi diferenţa celor două valori este reprezentată de toleranţă T reprezentând valoarea absolută a abaterii valorii reale faţă de valoarea nominală, exprimată procentual şi definită prin relaţia:

T

[

%

]

=

R − R N ⋅ R N
R
R
N
R
N

100

(1.1)

Un alt parametru al rezistorului este reprezentat de puterea disipată P d şi aceasta reprezintă puterea ce dată corpului rezistorului prin efect Joule şi evidenţiată prin încălzirea acestui a. Valoarea acestui parametru depinde de valoarea rezistenţei şi a curentului I prin rezistor fiind un parametru care indică valoarea maximă a curentului la care poate fi utilizat

respectivul rezistor

2 . Există valori standardizate ale acestui parametru, câteva dintre

acestea fiind următoarele P d = 0,125W; 0,25 W; 0,5W; 1W; 2W; 3W.

P

d

= R I

Într-un circu it electric

un rezistor are două aplicaţii fundamentale:

1. limitarea curentului

se observă că valoarea curentului I este determinată de valoarea rezistenţei R dacă valoarea U a tensiunii este constantă

2. divizor de tensiune prin intermediul unui grup rezistiv R 1 şi R 2 se pot ob ţine valori de tensiune U diferite de valorile tensiunii de alimentare U dar întotdeauna mai mici decât aceasta, U < U

I R U ∆U
I
R
U
∆U

U U

 

I =

U

;

∆ =

U

R

I

 

R

 
 

(1.2)

I =

 

U

 

R

1

+

R

2

 

∆ =

U

R

I

=

R

2

U

 

2

 

R

1

+ R

2

Fig.1.4. Aplicaţii ale rezistorului

4

1.2.2. Condensatorul

Simbo l

1.2.2. Condensatorul Simbo l fix Condensatorul este un electrolitic v a r i a b i
1.2.2. Condensatorul Simbo l fix Condensatorul este un electrolitic v a r i a b i
1.2.2. Condensatorul Simbo l fix Condensatorul este un electrolitic v a r i a b i

fix

Condensatorul

este un

electrolitic

variabil

element pas

iv de cir

cuit cara

cterizat

semivariabil

(trimer)

prin mărimea fizică

capacitate electrică notată simbolic cu litera C Unitatea de măsură, în sistem internaţional, SI, pentru capacitatea electrică este farad, simbolizat F, [C] SI = F În d eterminarea valorii capacităţii electrice a unui condensator se utilizează, submultiplii deoarece capacitatea de 1F este foarte mare, astfel:

1mF = 10 -3 F,

1µF = 10 -3 mF = 10 -6 F,

1nF = 10 -3 µF =

1pF = 10 -3 nF = 10 -6 µF =

10 -6 mF = 10 -9 F

10 -9 mF = 10 -12 F

20 µF 50 V - +
20 µF
50 V
-
+

Ma

rca ea valorii rezistenţei electrice pe c

r

orpul rezistorului se poate face:

în clar, adică pe corpul condensatorului

se notează valoarea capacităţii

acestuia. Se utilizează în cazul condensatoarelor electrolitice sa u cu tantal acestea având capacităţi de ordinul microfarazilor (µF) sau milifarazilor (mF)

astfel de condensatoare sunt polarizate astfel că se specifică şi polaritatea pentru conectarea în circuit a acestora precum şi valoarea maximă a tensiunii la care pot fi utilizate. prin codul culorilor, pe corpul rezistorului se marchează valoarea prin benzi sau puncte c olorate având următoarea semnificaţie şi este utilizat de regulă la condensatoarele ceramice:

e

i este utilizat de regul ă la condensatoarele ceramice: e d c b a semnif ica

d

c

b

a

semnif icaţia culorilor pentru marcarea valorii capacităţii electrice este

şi codificări pentru

prezent

coeficientul de temperatură şi toleranţă:

ată

în

tabelul

următor

unde

se

remarcă

ă ri pentru prezent coeficientul de temperatur ă ş i toleran ţă : at ă în

5

Pentru identificarea aplicaţiilor tipice ale condensatoarelor se consideră relaţiile de definire a capacităţii electrice în raport cu sarcina Q acumulată pe armăturile acestuia şi tensiunea U la care este conectat condensatorul precum şi curentului electric instantaneu i definit ca viteză de variaţie a sarcinii electrice, rezultând astfel:

Q

1

C =

i =

=

U C

dQ

=

dt

dQ

U

Q

idt;

Q

=

t

0

idt

U =

1

C

t

0

idt

(1.3)

adică tensiunea pe un condensator se obţine prin integrarea curentului, aceasta ajungând la valoarea tensiunii sursei la care este conectat condensatorul după un timp t ce depinde de valoarea curentului de încărcare i. Această proprietate determină utilizarea condensatorului ca element de netezire a pulsaţiilor de tensiune mai ales în schemele surselor de alimentare realizate prin redresarea curentului alternativ (filtru c.a.). Având în vedere relaţiile (1.3) rezultă succesiv:

i =

dQ

=

d(C U)

=

C

dU

i

=

C

dU

 

;

dt

dt

dt

dt

(1.4)

deci, pentru o tensiune constantă în timp U =constant rezultă i=0 adică curentul continuu nu străbate condensatorul sau altfel spus un condensator blochează componentele continuii ale curentului.

urent alternativ condensatorul de capacitate C este caracterizat prin reactanţa

capacitivă X C definită prin relaţia:

În

c

1 1 = = (1.5) X C unde ω⋅ C 2 ⋅π⋅ ⋅ f C
1
1
=
=
(1.5)
X C
unde
ω⋅ C
2
⋅π⋅ ⋅
f
C
1
.2.3. Bobina
L
L
Simbol

fixe

ω – pulsaţia mărimii alternative f – frecvenţa mărimii alternative

L
L

cu miez

L V
L V

variabilă

este un element pasiv de circuit caracterizat prin mărimea fizică inductanţa

electrică notată simbolic cu litera L Unitatea de măsură, în sistem internaţional, SI, pentru capacitatea electrică

este

Henry, simbolizat H, [L] SI = H Pentru identificarea apli caţiilor tipice ale condensatoarelor se consideră relaţiile de definir e a inductanţei în raport cu fluxul magnetic Φ ce înfăşoară bobina şi curentul i ce determină acest flux precum şi tensiunea instantanee u definit ca viteză de variaţie a fluxului

conform legii inducţiei electromagnetice, rezultând astfel:

Bobina

L =

u =

Φ

 

Φ= L i

 

i

d

Φ

=

d(L i)

= L

di

 

u

dt

=

L

di

i

=

1

L

dt

 

dt

dt

;

 

6

t

0

u dt

(1.5)

adică curentul prin bobină se obţine prin integrarea tensiunii. Această proprietate determină utilizarea bobinei ca element de netezire a pulsaţiilor de curent mai ales în schemele surselor de alimentare realizate prin redresarea curentului alternativ (filtru c.a.). Având în vedere relaţiile (1.5) rezultă succesiv:

u =

d

Φ

=

d(L i)

=

L

di

=

L

di

 

;

u

dt

 

dt

dt

dt

(1.6)

deci, pentru un curent constantă în timp i =constant rezultă u=0 adică un curentul continuu nu determină cădere de tensiune pe o bobină dacă se neglijează rezistenţa internă a acesteia. În curent alternativ bobina de inductanţă L este caracterizată prin reactanţa inductivă X L definită prin relaţia:

X

L =ω⋅ = ⋅π⋅ ⋅

L

2

f

L

(1.7)

unde

ω – pulsaţia mărimii alternative f – frecvenţa mărimii alternative

1.2.4. Transformatorul

Transformatorul este un element pasiv de circuit a cărui principală aplicaţie o constituie modificarea amplitudinii unei tensiuni electrice alternative, acesta putând fi

ridicător sau coborâtor de tensiune. Această aplicaţie este reprezentată de prezenţa acestuia în structura surselor de alimentare cu rolul în principal de coborâtor de tensiune. În continuare se prezintă a altă aplicaţie şi anume aceea de adaptare de impedanţă. Un transformator este format din două înfăşurări obţinute prin bobinare pe un miez magnetic. Se consideră un astfel de element conform fig.1.5 în care înfăşurarea primară are n 1 spire şi înfăşurarea secundar are n 2 spire. Prin alimentarea înfăşurării primare cu tensiunea cu valoarea momentană u 1 acesta va fi parcursă de un curent i 1 acesta pe baza principiului inducţiei electromagnetice va determina apariţia unei tensiuni u 2 în înfăşurarea secundară, tensiune care în circuitul închis format de această înfăşurare şi rezistenţa de sarcină R S va

determina apariţia curentului i 2 . Considerând puterea P 1 din primar, P 2 puterea din secundar şi randamentul η al transformatorului, care este o mărime adimensională şi subunitară (η 0,8) şi având în vedere relaţia de definire a puterii electrice ( P = u i )se poate scrie

înfăşurare primară miez magnetic înfăşurare secundară i 1 i 2 u 1 R s u
înfăşurare primară
miez magnetic
înfăşurare secundară
i 1 i
2
u 1
R
s
u
2

Fig.1.5. Transformatorul

P

u

2

2

=η⋅

P

1

i

⋅ =η⋅

2

u

1

i

1

(1.8)

În secundar conform legii lui Ohm se poate scrie u = R i şi prin înlocuire în relaţia (1.8):

2

s

2

2

R i =η⋅u i

S

2

1

1

Prin împărţire cu i 1 2 se obţine:

(1.9)

R

S

i

2

2

⎟ =η⋅

u

1

i

1

1

i

1

(1.10)

7

Raportul

n

i

u 1 = k

u

1 =

2

2

n

1

=

2 i

reprezintă

raportul

de

transformare

iar

1

i

1

1 = r

u

1

reprezintă rezistenţa echivalentă sau reflectată (nu este o rezistenţă fizică) din primar. Prin înlocuiri se obţine:

R

S

k

2

= η⋅

r

1

deci

r

1

=

1

η

k

2

R

S

(1.10)

Se observă din relaţia (1.10) că valoarea rezistenţei reflectate în primarul transformatorului este dependentă de rezistenţa din secundarul acestuia R S multiplicată cu pătratul raportului de transformare k şi cu cantitatea supraunitară 1/η astfel că prin modificarea raportului de transformare, ceea ce însemnă modificarea raportului numărului de spire între înfăşurări, se pot realiza rapoarte corespunzătoare aplicaţiei între r 1 şi R S adică adaptarea de impedanţă

8

Cap 2 ELEMENTE DE FIZICA SEMICONDUCTORILOR

2.1 Nivele, benzi de energie şi purtători de sarcină în corpuri cristaline

În construcţia dispozitivelor electronice se utilizează materialele semiconductoare siliciu (Si) şi germaniu (Ge). Aceste materiale, în funcţie de valoarea conductivităţii electrice, ocupă o poziţie intermediară între materialele conductoare şi cele dielectrice sau izolatoare. Conducţia electrică în acest tip de materiale se realizează prin două categorii de purtători de sarcină:

electroni

goluri,

spre deosebire de conducţia în materialele conductoare şi vid care se realizează printr-un singur tip de purtători de sarcină şi anume electroni sau ioni. Purtătorii au o anumită mobilitate astfel că sub influenţa unui câmp electric aceştia primesc o mişcare dirijată de orientarea câmpului electric generând astfel un curent electric. Din punct de vedere al generării purtătorilor de sarcină, semiconductoarele pot fi:

de conductibilitate intrinsecă

de conductibilitate extrinsecă.

Semiconductorul de conductibilitate intrinsecă este un material pur din punct de vedere chimic. În conformitate cu modelul atomic al lui Bohr, electronii sunt aşezaţi pe nivele energetice în jurul nucleului şi cu cât un nivel energetic este mai depărtat de nucleu cu atât acesta este mai instabil din punct de vedere energetic deoarece electronii pot să părăsească uşor acest nivel. Ultimul nivel energetic pe care se mai găsesc încă electroni se numeşte nivel de valenţă. Toate nivelele energetice situate deasupra acestuia poartă denumirea de nivele de conducţie deoarece un electron ajuns aici prin aport de energie din afara structurii devine electron liber şi constituie un purtător de sarcină electrică. Deoarece într-o structură cristalină atomii sunt apropiaţi, nivele energetice se suprapun şi devin benzi de energie sau benzi energetice care vor fi formate deci din totalitatea nivelelor energetice de acelaşi fel. Se disting astfel banda de valenţă şi banda de conducţie. Între cele două benzi : de valenţă şi de conducţie, se află o bandă numită zona interzisă pe care nu se pot găsi electroni.

w ⎫ ⎬ Bandă de conductie ⎭ ∆W Bandă interzisă ⎫ ⎬ Bandă de valenţa
w
Bandă de conductie
∆W Bandă interzisă
Bandă de valenţa
Ge Ge Ge − e Ge Ge Ge Ge Ge Ge
Ge
Ge
Ge
e
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge
Ge

Fig.2.1. Benzi energetice în semiconductori intrinseci

Aplicând din exterior o energie a cărei cantitate este cel puţin egală cu lăţimea benzii interzise W care, pentru Si este de 1,12 eV, iar pentru Ge de 0,76 eV, un electron poate părăsi banda de valenţă trecând în banda de conducţie astfel că se rupe legătura covalentă a atomului de Ge de la care acesta provine. Dacă structura se află situată într-un câmp electric, electronul primeşte o mişcare orientată de sensul câmpului electric şi dă naştere unui curent de conducţie. Legătura covalentă rămasă nesatisfăcută în urma ruperii corespunde unei sarcini electrice care va fi considerată pozitivă prin analogie cu sarcina negativă a electronului ce

9

părăseşte legătura şi se numeşte gol (fig.2.1). Golul rezultat în urma mişcării unui electron poate fi ocupat de electronul unui atom vecin astfel încât apare o deplasare de goluri în sens invers deplasării de electroni, formându-se astfel un curent de electroni i ni şi un curent de goluri i pi , Între cei doi curenţi de purtători de sarcină există relaţia i ni >i pi datorită mobilităţii diferite ale celor două tipuri de purtători. La realizarea dispozitivelor electronice se utilizează tipul de conductibilitate extrinsecă care se obţine prin introducerea în reţeaua cristalină pentavalentă (câte 4 electroni în banda de valenţă) a germaniului sau siliciului a unor atomi cu 5 sau 3 electroni în banda de valenţă, denumiţi impurităţi. Procedeu tehnic de introducere a acestor atomi se numeşte dopare. Dacă un semiconductor pur este dopat cu atomi pentavalenţi (Arseniu, As sau Fosfor, P)în urma formării legăturilor covalente cu atomii semiconductorului (Ge sau Si) înconjurători rămâne un electron care nu va fi cuprins în nici-o legătură covalentă. Acesta

w ⎫ Ge Ge Ge ⎬ BC − e ⎭ ∆W Nivel d + Ge
w
Ge
Ge
Ge
BC
e
∆W
Nivel
d
+
Ge
As
Ge
donor
⎬ ⎫ BV
Ge
Ge
Ge

Fig.2.2. Semiconductorul de tip “n”

− − + − + + − − − + + + + − −
+ − +
+
+
+
+
+
+
+
+

poate părăsi atomul cu un aport extern foarte mic de energie (0,01 – 0,05 eV) devenind electron liber e - Atomii impurităţilor pentavalente se numesc donori şi introduc un nivel energetic în banda interzisă numit nivel donor situat foarte aproape de banda de conducţie. Cu un aport energetic corespunzător temperaturii ambiante, practic toţi atomii donori furnizează câte un electron liber aceştia reprezentând purtătorii majoritari, iar semiconductorul obţinut astfel se numeşte semiconductor de tip “n”. Şi în acest caz avem purtători de sarcină goluri care constituie însă purtători minoritari reprezentaţi de goluri. Prin pierderea electronului atomul impurificator devine un ion pozitiv. Se obţine astfel o structură semiconductoare în care există electroni liberi ce constituie purtători majoritari de sarcină şi ioni pozitivi formaţi din atomii ce au pierdut aceşti electroni. Deci un semiconductor de tip „n” este format din goluri ca purtători de sarcină (convenţional pozitivă) majoritari şi ioni negativi (fig.2.2) Prin doparea unui semiconductor cu atomi trivalenţi (Aluminiu, Al sau Indiu, In) aceştia captează câte un electron de la un atom semiconductor vecin pentru satisfacerea legăturii conducând la apariţia unui gol în structura acestuia adică a unei legături covalente nesatisfăcute.

w ⎫ ⎬ BC ⎭ Nivel ∆W a acceptor ⎫ ⎬ BV ⎭
w
BC
Nivel
∆W
a
acceptor
BV
Ge Ge In − Ge Ge
Ge
Ge
In
− Ge
Ge

Fig.2.3. Semiconductorul de tip “p”

10

+ + + - - - - + + + - - - - +
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
-
-
-

Aceşti atomi se numesc acceptori, se transformă în ioni negativi imobilizaţi în reţeaua cristalină şi introduce un nivel energetic în banda interzisă foarte aproape de banda de valenţă. Astfel, cu un aport energetic corespunzător temperaturii ambiante, practic toţi atomii acceptori captează câte un electron de la atomii vecini, formându-se un număr de goluri egal cu numărul acestora. În acest semiconductor, purtătorii majoritari sunt golurile, iar purtătorii minoritari electronii şi se numeşte semiconductor de tip. Prin acceptarea electronului atomul impurificator devine un ion negativ. Deci un semiconductor de tip „p” este format din goluri ca purtători de sarcină (convenţional pozitivă) majoritari şi ioni negativi (fig.2.3).

2.2. Joncţiunea p – n. polarizarea joncţiunii

Joncţiunea p – n este o structură fizică obţinută într-un monocristal prin trecerea

bruscă de la un tip de semiconductor la un alt tip de semiconductor.

p n x
p
n
x

Joncţiunea metalurgică

N A - N D N A > N D x
N A - N D
N A > N D
x

N A < N D

N A = număr atomi acceptori

N D = număr atomi donori

Prin unirea celor două regiuni de-a lungul joncţiunii metalurgice apare fenomenul de difuziune prin care golurile din semiconductorul de tip “p” (regiunea “p”) se vor recombina cu electronii majoritari din regiunea “n”. Astfel în jurul joncţiunii metalurgice se va forma în regiunea “p” o zonă cu exces de

sarcină negativă iar în regiunea “n” o zonă cu exces de sarcină pozitivă şi prezenţa
sarcină negativă iar în regiunea “n” o zonă cu exces de sarcină pozitivă şi prezenţa celor două
zone determină apariţia unui câmp electric orientat de la regiunea “n” la regiunea “p” care se
opune difuziei în continuare de electroni din
p
jonctiune
n “n” în “p” şi a golurilor din “p” în “n” prin
+ +
+
transportarea în sens invers de purtători.
+
- -
- +
E
Se formează în structură trei regiuni
+
+ +
+
- -
- +
astfel:
+
+ +
+
- -
- +
regiune de trecere în care nu există
purtători de sarcină datorită fenomenului
l p
l n
regiune
regiune de
regiune
neutră
trecere
neutră
de recombinare dar există ioni pozitivi şi
negativi de o parte şi de alta a joncţiunii
metalurgice. Câmpul electric este maxim
în dreptul joncţiunii metalurgice şi are
E
x
dreapta de
aproximare D 1
dreapta de
aproximare D 2
distribuţia
valoarea E 0 .
două regiuni neutre din punct de vedere
electric în care există atât purtător de
sarcină cât şi ioni, astfel că în aceste
regiuni câmpul electric este nul
Pentru studiul potenţialului electric φ
E 0
câmpului electric E
Fig.2.4. Structura joncţiunii p – n şi
distribuţia câmpului electric
de-a lungul structurii se pleacă de la relaţia
dintre acesta şi câmpul electric E ştiind că
potenţialul electric se obţine prin integrarea
câmpului electric de-a lungul direcţiei de
orientare a acestuia:

ϕ=− Edx

11

(2.1)

Experimental s-a observat o variaţie în formă de clopot a distribuţiei câmpului electric de-a lungul joncţiunii şi pentru uşurinţa calculului şi cu o bună aproximaţie se poate considera o variaţie liniară deci curbele vor fi înlocuite cu dreptele D 1 şi D 2 a căror ecuaţii se determină prin tăieturi astfel:

D :

1

D

2

:

x

E

prin t ă ieturi astfel: D : 1 D 2 : − ⎛ ⎜ ⎜ ⎝

l

p

x

l

n

E

0

E

E

0

− =

1

0

de

unde

E

=

E

0

0

l

⎛ ⎜ x

l

n

p

− =

1

0

de

unde

E

=−

E

x

1

1

(2.2)

Ţinând seama de relaţiile (2.2) care exprimă variaţia aproximată a câmpului electric în regiunea de trecere şi de absenţa câmpului electric în regiunile neutre, rezultă

E

=−

E

E = E

E = 0, x <− l n ⎛ x ⎞ ⎜ + 1 , ⎟
E
=
0,
x
<−
l
n
x
+ 1 ,
l
x
0
0
n
l
p
⎛ ⎜ x
− 1 ⎟ ,
0
<
x
l
0
p
l
n
E
=
0,
x
>
l
p

(2.3)

Astfel prin integrare se obţine distribuţia de potenţial:

⎧ ⎪ ϕ= =−ϕ C 1 1 2 E x E 0 0 2 ⎪
ϕ= =−ϕ
C
1
1
2
E
x
E
0
0
2
⎪ ϕ=+
+
E
x
=
x
+
E
x
0
0
l
2
2l
p
p
2
E
x
E
0
0
2
ϕ=−
+
E
⋅ x =−
x
+
E
x
0
0
l
2
2l
n
n
ϕ= =ϕ
C
2
2
care reprezentată grafic va fi:
φ
φ
x
φ 2
x
φ 0 = φ 2 - φ 1
-φ 1

(2.4)

Fig.2.5. Potenţialul electric al joncţiunii p – n

unde ϕ 0 = ϕ 2 - ϕ 1 reprezintă bariera de potenţial a joncţiunii care se opune stră pungerii acesteia de către purtătorii de sarcină. Se numeşte polarizare electri că sau pe scurt polarizare a joncţiunii alimentarea acesteia cu tensiune astfel În funcţie de modu l de conectare a sursei joncţiunii la sursa de tensiune există două tipuri d e polarizări 1. dacă po laritatea „+” a sursei este aplicată semiconductorului de tip “p” iar polaritatea „–”a sursei este aplicată semiconductorului de tip “n” se numeşte polarizare directă

12

2. dacă polaritatea „–” a sursei este aplicată semiconductorului de tip “p” iar polaritatea „+” a sursei este aplicată semiconductorului de tip “n” se numeşte polarizare inversă.

p E n p E n E S E S + - - + U
p
E
n
p
E
n
E S
E S
+
-
- +
U
U
φ
φ
x
x
φ 0 φ 0 -U
φ 0
φ
0 +U
U
U
b)
a)

Fig.2.6. Distribuţia poten

ţialului în jon i polarizate

cţiun

În cazul polarizării directe (a) cele două câmpuri electrice: al joncţiunii E şi al sursei

loarea maximă ϕ 0

– U. Această

polarizare are ca efect reducerea puternică a lăţimii joncţiunii astfel încât un număr mare de

purtători de sarcină o vor putea străbate şi prin structură apare un curent important numit curent direct I. În cazul polarizării inverse (b) cele două câmpuri sunt de acelaşi sens deci şi

potenţialul joncţiunii va creşte de la valoarea ϕ 0 cu cantitatea U reprezentând potenţialul

sarcina de potenţial a

acesteia va fi învinsă de un număr foarte mic de electroni care formează un curent nesemnificativ din punct de vedere practic, numit curent invers I i . Rezultă calitatea esenţială a unei joncţiuni p-n de a permite curgerea curentului numai la polarizarea directă îndeplinind rolul de supapă electronică.

sursei de alimen tare ceea ce are ca efect creşterea lăţimii joncţiunii

E S vor fi de sensuri cu cantitatea U rep

opuse deci potenţialul joncţiunii va scădea de la va

rezentând potenţialul sursei de alimentare la valoarea

ϕ

0

şi

13

Cap 3

DIODE

3.1. Dioda semiconductoare cu joncţiune Dioda semiconductoare cu joncţiune este un dispozitivul electronic construit în baza joncţiunii p-n la care utilizatorul are acces la 2 terminale

anodul A de la semiconductorul de tip „p”

catodul C de la semiconductorul de tip „n”.

A

p

n

C

catodul C de la semiconductorul de tip „n”. A p n C Structur ă A C
catodul C de la semiconductorul de tip „n”. A p n C Structur ă A C

Structură

A C
A
C
A C
A C

Simbol

la

Sensul săgeţii din simbol indică sensul de curgere al curentului (convenţional), de la „+” „-” adică de la semiconductorul de tip „p” la semiconductorul de tip „n”. Joncţiunea se încapsulează în plastic pentru puteri mici sau metal pentru puteri mari.

Diodele por fi: - redresoare -

putere mică

 

-

putere medie

-

putere mare

- de detecţie

speciale

- Zener

-

- Tunel

- Gunn

- Pin

- Varicap

D I U R E
D
I
U
R
E

Fig.3.1. Schema pentru determinarea caracteristicii statice

În aprecierea unui dispozitiv electronic este foarte importantă caracteristica statică a acestui denumită şi caracteristică volt – ampermetrică. Aceasta reprezintă dependenţa curentului I ce curge prin acel dispozitiv de cădere de tensiune măsurată la bornele acestuia. Pentru determinarea caracteristicii statice a diodei se consideră următoarea schemă şi deci

caracteristica statică va reprezenta dependenţa I = f(U).

I U I polarizare polarizare inversă directă teoretică U U ST I I
I
U
I
polarizare
polarizare
inversă
directă
teoretică
U
U ST
I I

experimentală

ecuaţia

caracteristicii statice dedusă având în vedere densitatea şi mobilitatea

purtătorilor de sarcină este:

În

cazul

diodei

I = I

i

U

e

U

T

U

T

=

1

kT

q

(3.1)

unde

(3.2)–potenţial termic

k-constanta lui Boltzman T-temperatura în o K q-sarcina elementară a electronului

Fig.3.2. Caracteristica statică

14

Pentru T = 300 o K (27 o C), U 0,025 V Deosebirea dintre cele 2 caracteris tici teoretică şi experimentală se manifestă în

domeni

invers vor fi smulşi electroni de legăturile covalente care antrenaţi de câmp vor lovi alţi atomi smulgând şi de la aceştia electroni fenomenul devenind cumulativ şi se numeşte multiplicare în avalanşă şi dacă nu se iau măsuri de limitare a curentului dispozitivul se poate străpunge. În domeniul tensiunilor directe apar deosebiri mai pronunţate în domeniul valorilor mici ale curenţilor prin dispozitiv şi se ţine seama de acestea prin introducerea unui coeficie nt

η în ecu aţia caracteristicii statice:

rea unei valori U ST datorită câmpului electric

T

ul tensiunilor inverse mari unde la atinge

⎛ ⎜

U

1

I

=

I

i

e

η U

T

unde η=2 p entru tensiuni; η=1 pentru tensiuni mari

aplicaţii mai puţin pretenţioase se

I

(3.3)

α
α

U

0

Fig.3.3. Liniarizarea caracteristicii statice

În anumite

realizează o liniarizare a caracteristicii pe porţiuni. Aceasta

constă

segmente de dreaptă (fig.3.3) definite prin intermediul a doi parametrii U 0 şi R d U 0 se numeşte tensiune de deschidere şi reprezintă valoarea căderii d e tensiune pe dioda polarizată direct pentru c are curentul prin aceasta are o valoare semnificativă (practic I > 1 mA). Valoarea cestui parametru depinde de tipul de semiconductor utilizat la realizarea joncţiunii diodei a stfel:

în aproximarea caracteristicii statice prin două

U

U

U

0

0

=

0,2

÷

0,3V

pentru Ge

=

0,6

÷

0,7V

pentru Si

cteristicii liniarizate îl constituie rezistenţa internă

R d , se mai numeşte şi rezistenţ

acestui

defineşte panta celui de-al doilea segment de dreaptă din aproximarea prin liniarizare a caracteristicii statice a diodei. Ţinând seama de modul de definire al pantei unei drepte rezultă:

teia deoarece după cum se va vedea valoarea

parametru este dependentă de valoarea curentului prin diodă. Acest parametru

U n alt parametru defin

itoriu al cara

a dinamică a aces

R

d

=

tg

α

sau

1

1

dI

=

=

R

d

tg α

dU

(3.4)

Ţinând seama de definirea caracteristicii statice prin e cuaţia (3.1) se obţine:

dI

1

=

dU

U

T

I e

i

U

U

T

(3.5)

Considerând neglijabil curentul invers I i pri n joncţiune în ecuaţia caracteristicii statice (3.1), rezultă:

I

=

I e

i

U

U

T

deci

dI

I

U

T

dU

U

T

d

I

=

si deci

R

=

(3.6)

Se observă că valoarea lui R d este funcţie de curentul ce c urge prin diodă; se mai numeşte rezistenţă dinamică.

şi a celor doi parametrii ce o definesc se poate

construi un model al diodei re prezentat în fig.3.4.

Pe baza caracteristicii liniarizate

15

Dioda ideală din structura modelului reprezin t ă numai proprietatea de conducţie

unilater ală a joncţiunii p – n şi are atât rezistenţa dinamică cât şi tensiunea de deschidere nule (R d = 0, U 0 = 0) Conform modelului diodei atâta timp cât căderea de tensiune pe diodă U este mai

mică de cât tensiunea de deschidere U < U 0 dioda ideală este polarizată învers de către sursa U 0 deci curentul prin acesta va fi nul. Atu nci când U U tensiunea U anulează valoar ea

dioda

U 0 ideală I R d A + - C U
U 0
ideală
I
R d
A
+
-
C
U

Fig.3.4. Modelul diodei semiconductoare

0

sursei U 0 şi dioda ideală va fi polarizată dire ct astfel prin aceasta curentul este determinat numai de valoarea rezistenţei R d Principala aplicaţie a diodei rezultă din funcţionarea joncţiunii p-n şi este de redresor, aceasta conducând numai pe dur ata unei semialternanţa a tensiuni alternative corespunzătoare

cazului când este polarizată direct astfel încât pe sarcină polaritatea tensiunii rămâne

neschimbată.

3.2. Di oda Zener

Es te construită astfel încât să lucreze în domeniul în care apare fenomenul de generare

in multiplicare în avalanşă numit domeniu Zener. Acesta este un

chi electroni-gol pr

de pere

fenome n de multiplicare în avalanşă al purtătorilor de sarcină.

A

p

n

C

în avalan şă al purt ă torilor de sarcin ă . A p n C Structur
în avalan şă al purt ă torilor de sarcin ă . A p n C Structur

Structură

A C
A
C
A C
A
C

Simbol

Ca urmare a creşterii tensiunii inverse aplicate diodei ceşte şi intensitatea câmpului

electric din jon cţiune astfe

sem iconductoare se va rupe. Se generează astfel 2 electroni liberi care antrenaţi de prezenţa şi intensitatea câmpului electric vor căpăta o mişcare ciocnind atomi vecini cărora le cedează energie. Ca urmare al acestui aport energetic se va rupe o legătură covalentă a atomului ciocnit. În acest fel fiecare electron liber în mişcare generează doi electroni liberi prin ruperea legăturii covalente. Aceştia la rândul lor vor genera alţi 4 electroni liberi şi fenomenul se repetă prin multiplicare în avalanşă al purtătorilor de sarcină. Efectul acestei multiplicări în avalanşă constă într-o creştere pronunţată a curentului prin dispozitiv la o tensiune practic constantă la bornele acestuia. Pentru a putea funcţiona în domeniul Zener cele două regiuni

l că cel puţin una din legăturile covalente din structura regiunilor

sunt puternic dopate pentru a obţine o lăţime cât mai mică a joncţiunii, dioda să intre în zona de străpungere la tensiuni la tensiuni relativ mici şi creşterea curentului să fie periculoasă pentru dispozitiv. Domeniul de funcţionare este domeniul

A – B (fig .3.5) unde dispozitivul este polarizat

invers ş i se observă aici că la variaţii pronunţate ale curentului în limitatele I zmin şi I zmax tensiunea

la

borne se modifică foarte puţin (U zmin ÷ U zmax )

de

unde rezultă că prin conectarea unei sarcini în

paralel cu dioda se obţine o tensiune practic constantă pe sarcină şi aceasta numită stabilizare

a tensiunii este principala aplicaţie a didei Zenner.

16

I Polarizare inversă Polarizare directă U U zmax U zmin I zmin A B I
I
Polarizare inversă
Polarizare directă
U
U zmax
U zmin
I zmin
A
B
I zmax

Fig.3.5. Carateristica de funcţionare a diodei Zenner

La polarizare directă se comportă ca o diodă obişnuită. Se consideră aplicaţia tipică a diodei Zenner reprezenta tă de schema unui stabilizator parame tric conform fig.3.6. în care

U nestab reprezintă tensiunea ne stabilizată de la intrare

U stab reprezintă tensiunea stabilizată ce se va obţine pe rezistenţa de sarcină R S

I Z reprezintă curentul prin dioda Zenner;

I Z reprezintă curentul prin rezistenţa de sa rcină;

R reprezintă rezistenţa de balast şi rolul aceste ia este de limitare a curentului prin dioda Zenner adică de limitare a efectului de multiplicare în avalanşă a purtătorilor de sarcină Prin apli carea legilor circuitelor electrice se pot scrie succesiv relaţiile, (3.7):

R I + s I I z U nestab U stab −
R I
+
s
I I
z
U nestab
U stab

R

S

Fig.3.6. Stabilizator parametric de tensiune cu diodă Zenner

U = R ⋅ I + U nestab stab U stab I = I +
U
= R ⋅ I + U
nestab
stab
U
stab
I
=
I
+
I
=
I
+
z
s
z
R
s
U
stab
U
= I
R
+
⎟ + U
nestab
z
stab
R
s
⎛ R
U
= ⋅
R
I
+
+ 1 ⎟ ⋅ U
nestab
z
⎜ stab
R
s
R
R
R
s
s
U
=
U
stab
nestab
R
+
R
R
+
R
s
s

I

z

(3.7)

Ultima relaţie poartă denumirea de ecuaţia dreptei de sarcină.

r cu diodă Zener numit

ator parametric se roteşte caracteristica statică în cadranul I şi se pune condiţia ca

punctul static de funcţionare rezultat prin intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristica statică

să fie cuprins între două limite extreme, limite impuse de valorile tensiunii inverse aplicate diodei astfel încât aceasta să funcţioneze în domeniului Zener.

de

stabiliz

Pentru determinarea relaţiilor de proiectare

a unui stabilizato

R

s

U stab U nestab max nestab min nestab A PSF I z I z min
U stab
U
nestab
max
nestab
min
nestab
A PSF
I
z
I z min
I z max
U stab

s

U

U

R

Proie

ctarea

unui

astfel

R +R

stabiliz

ator presupune cunoscute:

U

min

nestab

nii nes

s

şi respectiv

U

tabilizate U nesta

b

U

min

nestab

> U stab

B

,

valoarea rezisten