În tranzistoarele bipolare vom întâlni, ca şi în diodele semiconductoare,

atât zgomote termice, cât şi zgomote de alice. În plus, datorită caracterului

aleator al procesului de distribuţie a curentului de emitor în curent de
colector şi curent de bază, în tranzistorul bipolar apar şi zgomote de
distribuţie.
Zgomotele termice ale tranzistorului bipolar apar atât în domeniul
bazei, cât şi în domeniul emitorului şi cel al colectorului. În practică însă,
deoarece emitorul şi colectorul sunt mult mai bogat dopaţi decât baza, vom
lua în considerare numai zgomotele termice datorate rezistenţei de volum a
bazei, rB :
2
u zB  4kTrB Be . (2.33)
Neglijând curentul invers de emitor şi de colector, zgomotele de alice
din circuitul de emitor pot fi atribuite doar componentei de curent continuu a
curentului de emitor:
2
izE  2eBe I E . (2.34)

În cazul unui proces riguros de recombinare a purtătorilor în bază,

zgomotele de alice din circuitul de colector şi cel de bază vor fi statistic
dependente, provenind din I zE , determinându-se cu relaţiile:

i  i  0   2eBe I E 02 ;
' 2 2
zC zE (2.35)

i    izE  1   0    2eBe I E  1   0  .
' 2 2 2
zB (2.36)
Zgomotul de distribuţie, datorat caracterului haotic al procesului de
recombinare din bază, cunoscut şi sub denumirea de zgomot de licărire
(atribuit haosului din dinamica sistemelor) şi a cărui putere scade odată cu
frecvenţa (zgomot 1 f sau zgomot roz), se poate determina ca:

izd  izC izB , (2.37)

rezultând:
izd2  izE
2
 0  1   0   2eI E Be  0  1   0  . (2.38)

Injecţia purtătorilor prin bariera de potenţial şi recombinarea acestora

în bază reprezintă procese aleatoare independente statistic, fapt pentru care,
în circuitul exterior al colectorului şi al bazei vom avea un curent de zgomot
a cărui valoare medie pătratică va fi:
   izC   izd2  2eI E Be  0
2 ' 2
izC (2.39)

  izB   izd2  2eI E Be  1   0  .

2 ' 2
izB (2.40)

Se poate demonstra că aceşti doi curenţi sunt statistic independenţi.

Pentru aceasta presupunem procesul aleator:
izE  izC  izB , (2.41)

a cărui valoare medie pătratică va fi:

M  izE
2
 M i zC  izB 
2
  M  i   M  i   2M  i
2
zE
2
zE zC izB  (2.42)
sau:
2eI E Be  2eI E Be  0  2eI E Be  1   0   2M  izC izB  (2.43)

de unde rezultă că funcţia de corelaţie a proceselor aleatoare izC , izB este

zero:

M  izC izB   0 . (2.44)

Prin urmare cele două procese aleatoare nu sunt corelate statistic şi,
deoarece au o distribuţie normală a amplitudinilor, se poate concluziona că
ele sunt şi independente.
Pe baza celor prezentate mai sus putem construi schema de zgomot a
tranzistorului bipolar, prezentată în fig. 2.7, considerând toate sursele de
zgomot în exteriorul tranzistorului ideal (care nu ia în considerare rezistenţa
de volum a bazei), nezgomotos.

Fig. 2.7 Sursele de zgomot în tranzistorul bipolar

Pentru a simplifica evaluarea performanţelor de zgomot ale oricărui

circuit ce conţine tranzistoare bipolare este comod să plasăm toate sursele de
zgomot la intrarea tranzistorului real (care ia în considerare şi rezistenţa de
volum a bazei), nezgomotos. În acest caz, schema echivalentă de zgomot a
tranzistorului bipolar se prezintă ca în fig. 2.8.

Fig. 2.8 Schema echivalentă de zgomot a tranzistorului bipolar

În această figură, generatorul de curent de zgomot iz ia în considerare

zgomotele termice u zB , de alice şi de distribuţie izB , existente în circuitul
bazei, toate aceste zgomote fiind atribuite parametrului conductanţă
echivalentă de zgomot a tranzistorului bipolar Gz , care se poate evalua cu
relaţia [ ]:

2 2
Gz  G 1  rBYg  rBt B Yg , (2.45)

e
unde G  S  I B  20  V -1  I B  A  , t B  T T0 - temperatura relativă a
2kT0
bazei, T - temperatura absolută a rezistenţei de volum a bazei rB , Yg -
conductanţa internă a sursei de semnal, conectată la bornele de intrare ale
tranzistorului, I B - componenta continuă a curentului de bază.
În aceste condiţii, valoarea medie pătratică a curentului de zgomot iz ,
va fi:
iz2  4kt BT0 Be Gz . (2.46)

Generatorul de tensiune de zgomot u z , ia în considerare zgomotele de

alice şi de distribuţie din circuitul de colector izC , transferate în circuitul de
bază prin intermediul admitanţei de transfer direct a tranzistorului conectat
în montaj emitor comun Y21 :
2
izC 2eI E Be  0
uz 
2
2
 2
 4kT0 Be Rz . (2.47)
Y21 Y21
 Pentru comoditate, aceste zgomote vor fi atribuite parametrului
rezistenţă echivalentă de zgomot a tranzistorului bipolar în montaj emitor
comun Rz :
e I E 0 I
Rz   2  20  C 2 . (2.48)
2kT0 Y21 Y21
Dacă tranzistorul este conectat în montaj bază comună, se va folosi
rezistenţa echivalentă de zgomot Rzb [ ]:
2
Y21b
Rzb  Rz 1  , (2.49)
Y11b  Yg

unde Y11b , Y21b sunt parametri interni ai tranzistorului în montaj bază

comună.
Valoarea medie pătratică a tensiunii echivalente de zgomot ce
acţionează la intrarea tranzistorului real, nezgomotos, luând în considerare
cele două surse,