TEC-) - /

TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP TEC-J

1. INTRODUCERE Tranzistoarele cu efect de cmp (TEC) se bazeaz pe controlul efectuat de un cmp electric asupra curentului care trece prin dispozitiv. Curentul electric trece printr-un canal conductor, a crui conductan depinde de valoarea cmpului electric de control. Curentul este format dintr-un singur tip de purttori de sarcin, care se deplaseaz de la un capt al canalului, numit surs ( ), la cellalt capt numit dren (!). !eplasarea purttorilor are loc datorit diferenei de potenial aplicat "ntre dren #i surs. Cmpul electric care moduleaz conductana acestui canal provine din tensiunea aplicat pe un al treilea electrod, electrodul de control, numit gril ($) sau poart (%). Tranzistoarele cu efect de cmp se mai numesc #i tranzistoare unipolare, deoarece la conducia curentului electric particip un singur tip de purttori de sarcin mobili #i anume purttorii ma&oritari din canal. !up tipul de purttori care particip la conducia curentului electric e'ist dou categorii de tranzistoare cu efect de cmp( TEC cu canal n, cnd purttorii mobili sunt electronii, #i TEC cu canal p la care curentul electric este dat de goluri. !up modul "n care se face controlul conduciei canalului, e'ist dou tipuri de TEC( TEC cu &onciune, prescurtat TEC-) care se studiaz "n aceast lucrare, #i TEC cu poarta izolat numite #i TEC metal-o'id-semiconductor, prescurtat TEC-*+ . 2. DESCRIEREA FUNCIONRII TEC-J ,a baza funcionrii TEC-) stau urmtoarele proprieti ale &onciunii pn( - regiunea de sarcin spaial se comport ca un mediu dielectric- adncimea de ptrundere "n zona n depinde de polarizarea &onciunii pn #i de gradul de dopare cu impuriti a zonei n- lrgimea canalului depinde de tensiunea de poart .p. ,a TEC-) electrodul de control (grila) "l constituie o &onciune pn, polarizat invers. %e un substrat puternic dopat de tip p se formeaz o zon de tip n care va constitui canalul, a#a cum se poate vedea "n figura /.

0ig. /. tructura fizic a unui TEC-) cu canal n + difuzie p1 se e'ecut pentru a realiza &onciunea pn "ntre poart #i canal. e realizeaz contacte o2mice la cele dou capete ale canalului pentru surs #i dren. Canalul dintre surs #i dren este delimitat de regiunile de trecere ale &onciunilor pe care le formeaz cu grila #i substratul. !ac aceste &onciuni se polarizeaz invers, regiunile de trecere respective se e'tind ptrunznd "n regiunea n, "ntruct aceasta este mai slab dopat cu impuriti dect celelalte zone. 3stfel, lrgimea efectiv a canalului se mic#oreaz. 0enomenul este evideniat

TEC-) - 4

"n figura 4, "n care se consider cele dou regiuni p1 legate "mpreun #i canalul ec2ipotenial. *odificarea seciunii acestui canal determin modificarea conductanei sale $c, adic conductana msurat "ntre surs #i dren. E'tinderea regiunilor de trecere ale &onciunilor se mre#te odat cu cre#terea mrimii tensiunii inverse aplicate &onciunilor. Cnd aceast tensiune atinge valoarea de prag .p, regiunile de trecere fac contact obturnd canalul, a crui conductan scade la zero. +bservaie( substratul este, de obicei, conectat "mpreun cu poarta constituind electrodul de poart. ubstratul poate constitui un al patrulea electrod, caz "n care va avea rolul unei a doua pori. Efectul de cmp efectuat de electrodul gril const, deci, "n variaia limii regiunii de trecere a &onciunii gril-canal "n funcie de potenialul aplicat grilei.

0ig. 4. *odificarea lrgimii canalului cu potenialul aplicat grilei !ac &onciunea gril-canal este polarizat direct, prin aceast &onciune va circula un curent mare fr a determina o modificare important a conductanei canalului. Conductana canalului se poate pune "n eviden prin modificarea curentului de dren 5d corespunztor unei tensiuni de dren -surs mici. e observ, ca "n figura 6, c panta caracteristicii 5d7f(.d) se modific "n funcie de valoarea tensiunii aplicate grilei. e obine o rezisten comandat "n tensiune. !ac tensiunea "ntre dren #i surs cre#te "n continuare, dependena curentului de dren de tensiunea de dren devine neliniar datorit neec2ipotenialitii canalului.

0ig. 6. Caracteristicile statice de ie#ire ale TEC-) 3#a cum se poate observa "n figura 8, potenialul "n canal va cre#te "n lungul canalului de la surs spre dren. 3cest potenial, pozitiv fa de sursa aleas drept referin, mre#te tensiunea invers aplicat &onciunii gril-canal #i lrgimea regiunii de trecere a acesteia se mic#oreaz. pre deosebire de configuraia din figura 4, corespunztoare valorii .d79 (sau .d foarte mare), "n prezena tensiunii de dren, canalul se "ngusteaz pe msur ce se apropie de dren. 3cestei "ngustri a canalului "i corespunde o mic#orare a conductanei sale, motiv pentru care curentul de dren 5d cre#te din ce "n ce mai "ncet la cre#terea tensiunii .d a#a cum se poate observa "n figura 8. Caracteristicile statice ale tranzistorului TEC-) se "mpart "n dou categorii( - caracteristici statice de ie#ire, care dau dependena curentului de dren de tensiunea dren-surs-

TEC-) - 6

- caracteristici statice de transfer, adic dependena curentului de dren "n funcie de tensiunea gril-surs.

0ig. 8. :ariaia grosimii canalului cu tensiunea dren-surs Caracteristicile enumerate mai sus sunt date "n figura ;. !in caracteristica static de ie#ire se observ c la o anumit valoare a tensiunii .ds regiunile de trecere penetreaz "n "ntregime canalul "n punctul 3 (fig. 8). 3cest punct se gse#te la captul dinspre dren (unde potenialul este cel mai mare) al poriunii "nguste a canalului. !iferena de potenial "ntre poart #i punctul 3 este tocmai tensiunea de prag .p. ,a o tensiune .ds mai mare, ca urmare a e'tinderii "n continuare a regiunilor de trecere, apare o poriune "n care canalul constituit de materialul semiconductor de tip n este "ntrerupt, ca "n figura 8.c. ,a un tranzistor cu canal p rezult acelea#i configuraii de canal #i caracteristici statice, cu deosebirea c polaritile tensiunilor #i sensul curentului trebuie inversate. imbolurile folosite pentru cele dou tipuri de tranzistoare sunt date "n figura <.

0ig. ;. Caracteristicile statice de transfer #i de ie#ire ale TEC-)

0ig. <. imbolurile tranzistoarelor TEC-) =n cazul "n care electrozii >(baz) #i $(gril) sunt legai "mpreun, electrodul $ nu se mai

TEC-) - 8

reprezint. ensurile curentului de dren #i polaritile normale ale tensiunilor aplicate sunt date "n figura <. %arametrii tranzistorului TEC-) pe poriunea liniar a caracteristicilor sunt( - panta tranzistorului( 7d(5d)?d(.p), pentru .d7ct. - rezistena intern( @i7d(.d)?d(5d), pentru .p7ct. - factorul de amplificare "n tensiune( u7d(.d)?d(.p)7 A@i. 3. APARATE NECESARE: panou e'perimental, dou voltmetre electronice, ampermetru, dou surse de tensiune reglabile 9-/9 : (dac panoul e'perimental nu are surse incluse). 4. DESFURAREA LUCRRII: 8./. e studiaz referatul lucrrii de laborator pentru fi'area principalelor noiuni teoretice. 8.4. e realizeaz sc2ema electric din figura B.

0ig. B. c2ema electric a monta&ului e'perimental pentru ridicarea caracteristicilor statice ale TEC-) canal n 8.6. e completeaz tabelul / pentru ridicarea caracteristicilor 5d7f(.ds)?.p7ct. #i 5d7f(.gs)?.ds7ct. Tab !"! 1 - pentru ridicarea caracteristicilor statice ale unui tranzistor TEC-) cu canal n. .ds H:I 9 / 4 6 8 ; < B D C /9 .gs H:I 9 -9,; -/,9 -/,; -4,9 -4,; -6,9 8.8. e traseaz grafic, pe 2rtie milimetric, caracteristicile de la punctul 8.6. 8.;. !in grafic se determin parametrii tranzistorului TEC-)( , @i #i u. #. $I$LIO%RAFIE ;./. Ceang E., #.a.- Electronic industrial. E.!.%. >ucure#ti,/CD/. ;.4. Ceang E., #.a.- =ndrumar de laborator pentru electronic. .niversitatea din $alai,/CBD. ;.6. 3iordc2ioaie !., #.a. E Electronic. =ndrumar de laborator. .niversitatea din $alai,/CC8. ;.8. 5liev *ircea, %opa @ustem, 5liev :oic2ia-*arcela - !ispozitive #i circuite electronice E partea 5-a. Editura 0undaiei .niversitare F!unrea de )osG, $alai, 499/.