Efectul Temperaturii Asupra Semiconductoarelor

CAPITOLUL
Efectul temperaturii asupra

caracteristicilor dispozitivelor
semiconductoare

2 mV
dreapta de
sarcina
u la temperatura
u
la temperatura
+ 1 grad
M
N
I
C
V
BE
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
polarizare fix`
polarizare colector-baz`
I
C
I
C
(o)
| |
(o)
aici a fost proiectat
s` func\ioneze circuitul
divizor rezistiv [n baz` ]i rezistor [n emitor
polarizare fix`
cu rezistor [n emitor

A. Termistori 258
B. Diode semiconductoare 259
C. Tranzistoare bipolare 262
D. Tranzistoare cu efect de cmp 275
Probleme rezolvate 279, probleme propuse 283
Lucrare experimental 284

258 Mihai P. Dinc, Electronic - Manualul studentului
Mecanismul conduciei n semiconductoare este diferit de acela al conduciei n metale. Din acest motiv,
n timp ce la metale modificarea temperaturii are un efect foarte slab asupra conductivitii (variaii de cteva
miimi pe grad), caracteristicile dispozitivelor semiconductoare sunt influenate mult mai puternic de
temperatur. n general, acesta este un inconvenient important n utilizarea lor n circuitele electronice, mai
ales n cazul tranzistoarelor i al amplificatoarelor integrate. n anumite situaii ns, cum este cazul
termistorilor i, mai rar, al diodelor, efectul temperaturii este utilizat pentru obinerea unor senzori de
temperatur.

A. Termistori

Termistorii sunt elemente de circuit cu dou
borne (dipoli), utilizai pentru c rezistena lor
depinde puternic de temperatur. Cei mai comuni
sunt aceia la care rezistena scade cu temperatura,
avnd coeficientul de temperatur
A
A
R
R T
negativ,
numii n limba englez NTC (Negative Temperature
Coefficient) thermistors. n anumite aplicaii se
ntlnesc, ns, i termistori cu coeficient de
temperatur pozitiv (PTC thermistors).
Ne vom referi n continuare numai la
termistorii NTC; ei sunt construii din materiale
semiconductoare intrinseci (oxid de mangan, oxid de
cupru, oxid de zinc, etc.). Dac temperatura n tot
volumul termistorului ar fi meninut constant,
termistorul ar avea o comportare de rezistor;
rezistena sa variaz, ns, puternic cu temperatura.
Aceast dependen este destul de bine descris de relaia

|
|
.
|
\
|
=
0
1 1
0
T T
B
e R R (8.1)

unde T este temperatura n K, R
0
este rezistena termistorului la temperatura T
0
iar B este o constant ce
depinde de material i tehnologia de fabricaie, avnd valori n jur de 4000 K. n Fig. 8.1 este reprezentat
grafic dependena de temperatur a unui astfel de termistor; pentru comoditatea interpretrii axa
temperaturilor a fost marcat n grade Celsius.
Coeficientul de temperatur, definit ca
A
A
R
R T
, este aproximativ constant, astfel c
rezistena unui termistor NTC scade cu aproximativ 4 % pe grad, njumtindu-se la o nclzire de 15-
20
o
C.
Temperatura termistorului se poate modifica datorit variaiei temperaturii ambiante (a corpului cu care
este n contact termic), termistorul fiind utilizat n aceast situaie ca senzor de temperatur. Datorit
sensibilitii sale termice ridicate, el este preferat atunci cnd trebuie sesizate varaiii foarte mici de
20 30 40 50 60 70 80 90 100
0.0
2.0k
4.0k
6.0k
8.0k
10.0k
temperatura ( C)
o
R ( ) O

Fig. 8.1. Dependena de temperatur a
rezistenei unui termistor NTC.

Cap. 8. Dependena de temperatur a caracteristicilor 259
dispozitivelor semiconductoare

temperatur (de exemplu, sisteme de termostatare care menin temperatura constant n limita a 10
-5
grade
sau msurarea nclzirii produse la absorbia unei radiaii electromagnetice). Din acelai motiv, utilizarea unui
senzor de temperatur cu termistor este o soluie bun atunci cnd electronica de prelucrare trebuie s fie
simpl. Pe de alt parte, termistorul este utilizat n anumite circuite unde variaia cu temperatura a rezistenei
sale compenseaz efectele nedorite ale variaiei cu temperatura a caracteristicilor altor componente (n special
tranzistoare). Dezavantajele sale ca senzor de temperatur sunt legate de puternica neliniaritate a variaiei
temperaturii (Fig. 8.1) i abaterile de la expresia simpl (8.1).
Dac termistorul este parcurs de un curent electric, o alt cauz a variaiei temperaturii sale o constituie
autonclzirea datorit puterii disipate prin efect Joule. Cnd termistorul este utilizat ca senzor de temperatur,
acest efect trebuie s fie fcut negliabil prin msurarea rezistenei sale cu un curent "de interogare" ct mai
mic.
Exist ns i aplicaii care folosesc scderea rezistenei prin autonclzire. Dac temperatura ambiant
este meninut constant iar curentul care l strbate este suficient de mare ca s-i modifice semnificativ
temperatura "intern", caracteristica static I f U = ( ) se modific, aprnd o regiune cu rezisten dinamic
negativ.

B. Diode semiconductoare

Caracteristica static a unei diode semiconductoare este descris de relaia

I I e
s
V
mV
T
= ( ) 1 (8.2)

unde I
s
este curentul invers de saturaie, V k T e
T B
= este potenialul termic (k
B
constanta Boltzman, T
temperatura absolut, e sarcina electronului). La temperatura camerei, potenialul termic, proporional cu
temperatura n kelvin, este de aproximativ 25 mV. Coeficientul de emisie m are valoarea 1 pentru diodele cu
germaniu i aproape 2 pentru cele cu siliciu. n regiunea V V
T
>> , unde dioda este deschis, I I
s
>> i
relaia anterioar devine

I I e
s
V
mV
T
~ . (8.2')

Logaritmnd n baza zece obinem

log .
I
I
V
mV
s T
= 0 43 (8.3)

adic o relaie liniar; valoarea curentului crete de zece ori la fiecare variaie a tensiunii egal cu 2 30 . mV
T
.
n Fig. 8.1 sunt reprezentate caracteristicile statice (cu intensitatea n scar logaritmic) pentru o diod
cu germaniu i una cu siliciu; aa cum prezice relaia (8.3), graficele sunt (aproximativ) linii drepte. Se
observ pantele diferite datorate valorilor lui m i curentul de saturaie mult mai mare la dioda cu germaniu.

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
temperatura: 27 grade C
curentul (mA)
tensiunea (V)
siliciu
germaniu
m= 1
m 2 ~
0.1 0.2 0.3 0.4
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
curentul (mA)
tensiunea (V)
80 C
o
60 C
o
40 C
o
20 C
o
dioda cu germaniu
a)
b)

Fig. 8.2. Caracteristici statice pentru o diod cu germaniu i una cu siliciu (a) i dependena de
temperatur a caracteristicii pentru o diod cu germaniu (b).

La prima vedere s-ar prea c dependena de temperatur a caracteristicii statice este una simpl:
creterea potenialului termic V
T
proporional cu temperatura ar micora panta caracteristicilor din
Fig. 8.2 a), rotind dreptele n sensul orar. Lucrurile sunt mai complicate, deoarece curentul de saturaie I
s
nu
este constant ci crete cu temperatura. Astfel, n afara rotaiei, dreptele sufer i o translaie n sus.
Pentru germaniu, dependena curentului de saturaie are expresia

I KT e KT e
s
V
T T
~ ~

2
0 78
2
9000
. V
; (8.4)

rezult, de aici, un coeficient de variaie de 11% pe grad. La dioda real apar, ns, i alte componente ale
curentului I
s
, care au o variaie mai lent cu temperatura. Din acest motiv,
dependena msurat a curentului invers de saturaie la diodele cu germaniu pune n eviden o variaie a
acestuia de aproximativ 7 % pe grad, adic o dublare a sa la fiecare variaie de 10 grade.
Combinnd efectul asupra lui I
s
cu efectul factorului e
V V
T
, variaia caracteristicii cu temperatura,
pentru o diod cu germaniu n conducie direct, poate fi urmrit pe Fig. 8.2 b). Efectul variaiei lui I
s
este
dominant: dac meninem tensiunea constant curentul crete practic exponenial cu temperatura,
dublndu-se la fiecare cretere cu 10 grade. Putem privi lucrurile, ns, i altfel:
meninnd curentul constant, obinem o scdere a tensiunii pe diod de aproximativ 2 mV pe grad.
Din grafic rezult c dependena tensiunii cu temperatura este suficient de liniar pentru ca dioda s fie
utilizat ca termometru de performane modeste.


Pentru diodele cu siliciu, recombinarea golurilor cu electronii are loc predominant n zona de trecere; din
acest motiv, curentul de saturaie depinde de temperatur conform relaiei

I KT e KT e
s
V
T T
= =

1 5
1
2 1 5
6900
. .
.21 V
(8.5)

care determin o cretere de aproximativ 8% pe grad.
n conducie direct att dependena lui I
s
ct i factorul e
V V
T
( ) 2
afecteaz caracteristica static, aa
cum se observ n Fig. 8.3. La creterea temperaturii, mrirea lui I
s
produce o translaie n sus a
caracteristicii, pe cnd factorul e
V V
T
( ) 2
determin o rotire a ei n sens orar, micorndu-i panta. La
temperaturi apropiate de temperatura camerei, meninnd constant tensiunea pe diod obinem o variaie a
curentului de aproximativ 7 % pe grad, aproape egal cu cea de la diodele cu germaniu. Dac se menine
constant curentul, tensiunea pe diod scade aproximativ liniar cu creterea temperaturii; pentru cureni
de ordinul miliamperilor
la curent constant, scderea tensiunii pe diodele cu siliciu este de aproximativ 2 mV pe grad, ca i la cele cu
germaniu.

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10 curentul (mA)
tensiunea (V)
40 C
o
20 C
o
60 C
o
80 C
o

Fig. 8.3. Influena temperaturii asupra caracteristicii unei diode cu siliciu.

n concluzie

indiferent de tipul lor, n conducie direct, la tensiune constant, curentul diodelor crete practic
exponenial cu temperatura, cu aproximativ 7 % pe grad, dublndu-se la fiecare nclzire cu 10 grade.
Dac se menine curentul constant, tensiunea pe diod scade liniar cu temperatura cu aproximativ
2 mV pe grad.

C. Tranzistoare bipolare

Tranzistorul ndeplinete funcia unui robinet controlat. Mrimea pe care o controleaz este intensitatea
curentului de colector iar controlul se efectueaz prin polarizarea direct a jonciunii emitor baz.
S vedem, n cteva aplicaii tipice, de ce curentul de colector trebuie s fie stabil n raport cu
temperatura ambiant. Circuitul din Fig. 8.4 a) trebuie s amplifice de 300 de ori variaii de tensiune cu
frecvena peste 20 Hz i amplitudini de ordinul milivoltului. Dac a fost proiectat corect, n absena
semnalului de intrare potenialul colectorului se gsete undeva pe la jumtatea tensiunii de alimentare, s
zicem la 8 V; aplicnd semnalul de intrare, potenialul colectorului va evolua n jurul nivelului de 8 V cu
amplitudini de ordinul a 0.3 V. Condensatorul de ieire blocheaz componenta continu i pe sarcin ajung
numai variaiile, de data aceasta ele efectundu-se n jurul nivelului de 0 V. Creterea prin nclzire a
curentului de colector coboar nivelul mediu al potenialului de colector, dar semnalul de pe sarcin va
continua s fie o versiune amplificat a semnalului de intrare; sarcina nu va sesiza c se ntmpl ceva cu
tranzistorul. Dac ns creterea curentului de colector este prea mare, potenialul colectorului coboar
aproape de nivelul masei i tranzistorul intr n saturaie ncetnd s amplifice. Cum nivelul iniial era la
jumtatea tensiunii de alimentare
o dublare a curentului de colector aduce cu siguran tranzistorul n saturaie, scond din uz amplificatorul.

T
0
V
alim
+15 V
R
C
8 V
C
2
0
V
out
a)
b)
+60 V
difuzor
T
1
T
2
R
1
R
2
R
3
I
H
I
H
sarcina

Fig. 8.4. Amplificator cu emitorul comun (a) i amplificator de putere n contratimp (b).

Nu trebuie s ajungem pn acolo pentru ca efectele s ne deranjeze. Vom vedea c la acest circuit
amplificarea variaiilor de tensiune este proporional cu valoarea medie a curentului de colector. Astfel,
nclzirea tranzistorului va produce mrirea amplitudinii variaiilor care ajung pe sarcin, lucru cu totul
neplcut, mai ales dac utilzm amplificatorul ntr-un lan de msur. Chiar n cazul unui amplificator audio,
o variaie de cteva procente a curentului de colector este tot ce putem accepta.
Situaia se schimb dramatic dac ceea ce dorim s amplificm pentru a msura este un nivel de
tensiune continu. n acest caz nu mai putem separa, cu un condensator, semnalul util de regimul de polarizare
pentru c ambele au aceeai frecven : 0 Hz. Vom vedea c o modificare cu 10 % a curentului de colector
este echivalent cu o variaie a semnalului de 2 mV. Cnd trebuie s sesizm semnale ntr-adevr mici (un


termocuplu ofer n jur de 50 V pe grad), curentul de colector ar trebui s varieze cu temperatura cu mult
mai puin de 0.1 la sut.
Dac nclzirea producea doar inutilitatea amplificatoarelor discutate pn acum, pentru tranzistoarele
din amplificatorul de putere desenat n Fig. 8. 4 b) stabilitatea termic este o chestiune de via i de moarte.
Fr semnal, circuitul de polarizare asigur trecerea unui curent de valoare mic (civa mA) prin cele dou
tranzistoare ctre mas. Principiul de funcionare al amplificatorului se bazeaz pe deschiderea pe rnd a
tranzistoarelor de ctre semnalul alternativ aplicat la intrare, curentul, cu amplitudinea de ordinul amperilor,
trecnd prin condensatorul de ieire spre difuzor. Astfel, pe tranzistoare se disip o putere apreciabil, de
ordinul zecilor de W, care produce nclzirea lor. Creterea temperaturii deschide simultan ambele tranzistoare
i un curent important I
H
ncepe s circule de la alimentarea pozitiv, prin cele dou tranzistoare, spre mas.
Puterea disipat crete suplimentar cu I V
H alim
i tranzistoarele se nclzesc i mai mult: avem o reacie
pozitiv de natur termic. Aa cum am vzut, dac gradul reaciei pozitive depete un anumit prag
sistemul devine instabil; n cazul nostru temperatura crete foarte rapid i procesul se sfrete prin distrugerea
tranzistoarelor, deoarece curentul I
H
nu este limitat de nici o rezisten.. Aceasta este ambalarea termic
(thermal run-away n englez) . Pentru a o prentmpina, n vremurile cnd se mai utilizau tranzistoare cu
germaniu, n locul rezistenei R
2
se conectau n serie doi termistori NTC n foarte bun contact termic cu
capsulele tranzistoarelor. La nclzirea excesiv a acestora, rezistena termistorilor scdea puternic, micornd
tensiunile baz-emitor ale tranzistoarelor i ncercnd s le blocheze. De multe ori, ns, creterea temperaturii
interne a tranzistoarelor, datorat reaciei pozitive, era att de rapid nct pn la nclzirea termistorilor
tranzistoarele erau deja distruse.

Observaie: n Fig. 8.4 am notat tensiunea de alimentare, ca i n capitolele anterioare, cu V
alim
. Acest
manual fiind unul introductiv, am preferat s facem acest lucru pentru a reduce la minimum riscul unor
confuzii. n schemele profesionale, tensiunea de alimentare pozitiv a circuitelor ce conin tranzistoare
bipolare este notat cu +V
CC
. Sunt dou aspecte implicate n aceast convenie. n primul rnd,
dublarea indicelui unei tensiuni este rezervat exclusiv tensiunilor de alimentare.; att pentru litera V ct i
pentru indici se folosesc majuscule deoarece este vorba de o tensiune continu.
n al doilea rnd, n cazul circuitelor cu tranzistoare bipolare tensiunea pozitiv are indicele "CC" pentru c
cele mai utilizate tranzistoare sunt cele de tip npn, la care colectorul este legat spre alimentarea pozitiv.
Tensiunea pozitiv se noteaz cu +V
CC
chiar i n cazul n care circuitul nu conine dect tranzistoare de tip
pnp, care au emitoarele legate spre alimentarea pozitiv. Pentru simetria notaiei, dac circuitul are i o
alimentare negativ fa de mas, tensiunea ei este notat cu V
EE
.

La modificarea temperaturii sau schimbarea tranzistorului cu alt exemplar, curentul de colector se
schimb. Circuitul de polarizare ncearc s "impun" tranzistorului valoarea unei anumite mrimi de control,
care s rmn constant. Dup configuraia circuitului de polarizare, aceast mrime meninut constant
poate fi curentul de emitor, curentul de baz sau tensiunea pe jonciunea emitor-baz. n oricare din aceste
situaii suntem interesai ca modificarea temperaturii s aib un efect ct mai mic asupra mrimii controlate,
care este curentul de colector. Vom analiza, pe rnd, aceste variante, identificnd modul n care temperatura
afecteaz curentul de colector.

i) Curentul de emitor este meninut constant
n funcionare normal, jonciunea emitor-baz
este polarizat direct iar jonciunea colector-baz este
polarizat invers, aa cum se vede pe desenul din
Fig. 4 a). Curentul de colector are dou componente

I I I
C E CB
= +
0
. (8.6)

Prima component, egal cu I
E
, este
determinat de curentul de emitor, unde factorul este
subunitar dar foarte apropiat de unitate (efectul de
tranzistor). Peste aceasta se suprapune curentul invers al
jonciunii colector baz, invers polarizat, care se poate
msura cu circuitul din desenul b), lsnd emitorul n gol;
cum tensiunea invers este n valoare absolut mult mai
mare dect V
T
~ 25 mV, acesta este practic curentul
invers de saturaie al jonciunii.
S presupunem c circuitul de polarizare menine
curentul de emitor constant. n aceste condiii, efectul
temperaturii asupra curentului de colector se poate
manifesta numai prin intermediului factorului sau al
curentului I
CB0
. Factorul are valori foarte apropiate
de unitate iar variaiile sale relative cu temperatura sunt
doar de cteva procente la o variaie ntre 20
o
C i 100
o
C.
Spre deosebire de acesta, curentul I
CB0
are o
dependen de temperatur extrem de puternic. El este
curentul invers de saturaie al unei jonciuni i ne ateptm
la o comportare asemntoare celei ntlnite la studiul
diodelor pentru mrimea I
s
, exprimat de relaiile (8.4) i
(8.5): o cretere aproape exponenial. Graficele din Fig.
8.5 , trasate pentru dou tranzistoare de putere mic,
confirm acest lucru; n plus, se observ c, chiar la
temperaturi apropiate de 100
o
C, curentul I
CB0
, este
neglijabil pentru tranzistoarele cu siliciu, deoarece ajunge
doar la 1 nA n timp ce curenii de colector de repaus sunt cel puin de ordinul a 100 A. La tranzistorul cu
germaniu, curentul I
CB0
ajunge pe la 10 A; el nu mai poate fi uor neglijat dar efectele sale sunt totui
acceptabile.
n Fig. 8.6 aceleai tranzistoare au fost operate la curent de emitor constant i s-a ridicat caracteristica
de ieire la 25
o
C i la 100
o
C. Dei efectul curentului curentului I
CB0
este complet neglijabil la tranzistorul cu
siliciu, curentul su de colector sufer totui o crestere vizibil datorit nclzirii. Aceasta se datoreaz
variaiei cu temperatura a factorului .

I
B
I
E
foarte mic
+
_
+
_ 0.6 V
10 V
I
C
I
E
+ I
CB0
+
_
10 V
I
CB0
I
E
=0
a)
b)

Fig. 8.4. Configuraia cu baz comun utilizat la
polarizare (a) i semnificaia curentului rezidual
I
CB0
.
20 40 60 80 100
10p
100p
1n
10n
100n
1
(A)
temperatura (grade Celsius)
I
CB0
germaniu
siliciu

Fig. 8.5. Dependena de temperatura a curentului
I
CB0
.


0 2 4 6 8 10
0.8
0.9
1.0
(V) V CB
I C
(mA)
0 2 4 6 8 10
0.8
0.9
1.0
(V) V CB
I C
(mA)
germaniu
siliciu
25 C
o
25 C
o
100 C
o
100 C
o
variatie de 0.7 %
a)
b)
variatie de 0.4 %

Fig. 8.6. Efectul temperaturii asupra caracteristicii de ieire la I
E
= const .

Un circuit de polarizare care s menin constant curentul de emitor necesit dou surse de alimentare
(una pozitiv i una negativ, ca n Fig. 8.4 a) i intercalarea n circuitul emitorului a unei surse de curent. Din
acest motiv, el este complet nepractic i dependenele din Fig. 8.6 constituie un caz foarte convenabil dar
nerealist. Vom vedea, mai trziu, cum ne putem apropia de aceast situaie, cu un circuit de polarizare adecvat.

ii) Curentul de baz este meninut constant
10 V
I
B foarte mic
0.6 V
+
_
_
+
I
C
+ I
CE0
10 V
I
B
= 0
+
_
I
CE0
a)
b)
I
B

Fig. 8.7. Configuraia cu emitor comun utilizat la polarizare (a) i semnificaia curentului rezidual I
CE0
.

Polarizarea tranzistoarelor bipolare se realizeaz dup principiul din Fig. 8.7 a), pentru c ambele surse
de tensiune au aceeai polaritate, permiind utilizarea, de fapt, a unei singur alimentator. n plus, pentru
prelucrarea variaiilor conexiunea cea mai frecvent folosit este cea cu emitorul comun. Curentul de intrare
este curentul de baz, mult mai mic dect cel de emitor; utiliznd relaia

I I I
E B C
= + (8.7)
i relaia (8.6), obinem


I I I
C B CB
=
1
1
1
0
(8.8)

unde

=
1
este numit factor de amplificare n curent n conexiunea emitor comun, iar
1
1
0 0
I I
CB CE
este un alt curent rezidual, ntre colector i emitor, definit cu baza n gol ( I
B
= 0), aa
cum se poate vedea n Fig. 8.7 b).
Astfel, pentru conexiunea cu emitorul comun avem relaia

I I I
C B CE
= +
0
(8.9).

Trebuie menionat c, deoarece ~ 1, factorul are valori mari. De asemenea, din aceast cauz, I
CE0
este
mult mai mare dect I
CB0

I I
CE CB 0 0
~ . (8.10)

Relaia (8.9) ne spune c, dac meninem constant curentul de baz, influena temperaturii se va manifesta
asupra curentului de colector prin intermediul factorului i prin intermediul curentului I
CE0
.
Deoarece factorul nu este constant cu temperatura, avem, de asemenea, o variaie cu temperatura a
factorului . Dar

d d d

~
1
1
. (8.11)
Variaia relativ a lui este de ori mai mare dect variaia relativ a factorului

n interpretarea ultimelor dou relaii trebuie
inut seama c factorul scade puternic (chiar cu
un ordin de mrime) atunci cnd curentul de colector
se micoreaz; din acest motiv, valoarea lui din
aceste relaii nu este aceea de la curenii nominali de
operare, de ordinul 100-500. Astfel, la o nclzire
cu 100 de grade, factorul nu crete cu mai mult
de 10-20 %. Din acest motiv, variaia cu
temperatura a curentului rezidual de colector cu
baza n gol, I I
CE CB 0 0
= , pstreaz caracterul
exponenial al dependenei lui I
CB0
, aa cum se
poate constata n Fig. 8.8, pentru dou tranzistoare,
cu germaniu i, respectiv, siliciu.

Dac ne-am hotrt s meninem constant
I
CE0
(A)
20 40 60 80 100
10p
100p
1n
10n
100n
1
10
100
temperatura (grade)
siliciu
germaniu

Fig. 8.8. Dependena de temperatur a curentului
rezidual I
CE0
.


curentul de baz, s urmrim ce se ntmpl cu caracteristica de transfer I f I
C B
= ( ) la nclzirea
tranzistorului de la 25
o
C la 100
o
C (Fig. 8.9). n primul rnd, mrirea temperaturii produce o cretere a pantei
dependenei, A A I I
C B
, adic a factorului de amplificare dinamic; acest efect este aproximativ de aceeai
mrime la ambele tranzistoare, cu germaniu i, respectiv, siliciu. Pentru tranzistorul cu germaniu ns, se
observ un fenomen suplimentar: odat cu nclzirea, caracteristica de transfer este translatat n sus, spre
cureni de colector mai mari. Acesta este efectul creterii curentului I
CE0
, care la germaniu ajunge de acelai
ordin de mrime cu cel de colector.

0 2 4 6 8 10 12 14
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I
B
( A)
I
C
(mA)
25 C
o
100 C
o
germaniu
a)
0 2 4 6 8 10 12
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
B
( A)
I
C
(mA)
25 C
o
100 C
o
siliciu
b)
A I
CE0
{

Fig.8.9. Efectul temperaturii asupra caracteristicii de transfer I f I
C B
= ( )

Cumularea celor dou efecte face ca sensibiltatea tranzistoarelor cu germaniu s fie mai mare dect
aceea a tranzistoarelor cu siliciu. Dac mai aruncm o privire la figura anterioar, observm c la temperatur
mare, din cauza curentului I
CE0
, tranzistorul cu germaniu nici nu mai poate fi dus ntr-un regim apropiat de
cel de blocare prin anularea curentului de baz.
Din aceast cauz, tranzistoarele cu germaniu nu mai sunt astzi utilizate, ntlnindu-ne cu ele
numai n textele introductive de electronic.
iii) Tensiunea baz-emitor este meninut constant
A treia mrime prin intermediul creia putem controla tranzistorul bipolar este tensiunea baz-emitor.
Curenii de colector i emitor, fiind aproximativ egali, au practic aceeai dependen de V
BE
. n Fig. 8.10 am
reprezentat influena temperaturii asupra caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ). n primul rnd constatm
c nu exist diferene semnificative ntre comportarea tranzistorului cu germaniu i a celui cu siliciu
(exceptnd, bineneles, diferena de aproximativ 0.25 V ntre valorile tensiunii de deschidere). Ecuaia care
descrie caracteristica de transfer I f V
C BE
= ( ) n regiunea activ este

I I e
C s
V
V
BE
T
= (8.12)

unde potenialul termic V
T
este proporional cu temperatura masurat n K. Graficele din Fig. 8.10 pun n
eviden dou modificri la variaia temperaturii. Mai nti, la creterea temperaturii panta graficelor scade;

aceasta se datoreaz variaiei lui V
T
, deoarece panta n scar semilogaritmic este proporional cu 1 V
T

adic invers proporional cu temperatura. Putem chiar s calculm de cte ori s-a micorat panta: de
( ) ( ) . 273 100 273 25 1 25 + + = ori.

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
(V) V
BE
(mA) I
C
25 C
o
100 C
o
germaniu
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
(V) V
BE
(mA) I
C
25 C
o
100 C
o
siliciu
a) b)

Fig. 8.10. Influena tempeaturii asupra caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ).
Efectul cel mai puternic l prezint, ns, translatia n sus a caracteristicii, care se datorete creterii
factorului multiplicativ I
s
din relaia precedent. Acest este proporional cu I
CB0
, depinznd i de ali
parametri ai tranzistorului. Indiferent de tipul tranzistorului, nclzirea de la 25
o
C la 100
o
C, cu meninerea
constant a tensiunii baz-emitor, produce creterea puternic a curentului de colector. La un curent de
colector de 1 mA, aceast nclzire provoac o multiplicare de aproape 100 de ori a curentului de colector.
S privim n detaliu modificarea caracteristicii de
transfer I f V
C BE
= ( ) pentru o variaie de un grad
(Fig. 8.11). Dac meninem tensiunea baz-emitor
constant (aa cum nu trebuie s facem), curentul de
colector crete cu 10% pe grad. Dac, pe de alt parte,
dorim ca intensitatea curentului de colector s rmn
constant, trebuie ca tensiunea baz-emitor s scad cu
aproximativ 2 mV pe grad. n toate textele de electronic,
acest efect de modificare cu temperatura a caracteristicii
I f V
C BE
= ( ) este numit variaia cu temperatura a
tensiunii baz-emitor (sau a tensiunii de deschidere) a
tranzistorului, de multe ori fr s se mai specifice c
aceasta se ntmpl la curent constat de colector.
Raiunea pentru care se ntmpl acest lucru va aprea
evident puin mai trziu, cnd vom analiza un circuit real
de polarizare.
La curent de colector constant, tensiunea baz emitor scade liniar cu temperatura, aproximativ cu
2 mV pe grad.
Aa cum se vede n Fig. 8.11, la tensiune baz-emitor constant, valoarea curentului crete cu
aproximativ 10 % pe grad. Cum aceast cretere este exponenial,
(mV) V
BE
(mA) I
C
25 C
o
100 C
o
siliciu
540 550 560 570 580 590 600
0.1
1.0
0.2
0.3
0.4
0.5

Fig. 8.11. Influena temperaturii asupra
caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ).


la V
BE
= const . curentul de colector se dubleaz la fiecare cretere cu 8 grade.

0.6 V
+10 V
1 mA
5 k
5V
+
-
5 V
+
-
la 20 C
o
0.6 V
+10 V
2 mA
5 k
0V
+
-
10 V
+
-
la 28 C
o
~
~
tranzistor in
saturatie !
dublarea curentului I
C

~
+10 V
1 mA
5 k
5V
+
-
5 V
+
-
termocuplu
a) b)
aduce tranzistorul in saturatie

Fig. 8.12. Efectul variaiei cu temperatura a tensiunii baz-emitor.
Pentru circuitele practice aceast variaie este inacceptabil de mare: un amplificator proiectat s
funcioneze bine la 20 de grade (Fig. 8.12 a) ar intra n saturaie i ar nceta s mai amplifice la temperatura
de 28 de grade ! Concluzia este una singur:
tensiunea baz-emitor nu trebuie meninut constant;
n cazul particular al schemei din Fig. 8.7, baza nu trebuie polarizat cu o surs ideal de tensiune, aa cum
am desenat noi acolo, pentru simplitate.
Din acelai motiv, un circuit simplu n conexiune emitor-comun nu poate fi utilizat pentru amplificarea
tensiunii continue furnizat de un termocuplu (Fig. 8.12 b). S presupunem c am ajustat cu grij tensiunea
sursei de polarizare din baz astfel nct la o anumit temperatur de referin
0
curentul de colector este de
1 mA i potenialul din colector este de 10 V-1 mA 5 k = 5 V O . La o nclzire a termocuplului cu un grad,
tensiunea furnizat de acesta crete cu aproximativ 50V aa c ne ateptm la o cretere a curentului de
colector de g V
m BE
A =
1 mA
mV
V = 2 A
25
50 care s coboare cu 10 mV potenialul colectorului. Am putea
spune c am amplificat de 200 de ori informaia de tensiune oferit de termocuplu. Realitatea este ns cu totul
alta. }i temperatura tranzistorului se poate modifica, nu numai a termocuplului, iar variaia echivalent a
tensiunii V
BE
pentru o nclzire cu un grad este de - 2 mV, de 40 de ori mai mare dect aceea dat de
termocuplu. Cu alte cuvinte, tranzistorul este un termometru de 40 de ori mai sensibil dect termocuplul.
Din acest motiv, dac vom observa o scdere a potenialului de colector cu 10 mV nu vom avea de unde s
tim dac termocuplul s-a nlzit cu un grad sau tranzistorul s-a nclzit cu 1 40 0 025 = .
o
C. n concluzie,
datorit sensibilitii sale termice, etajul cu emitor comun nu poate fi utilizat pentru amplificarea tensiunilor
continue.
n legtur cu circuitul din Fig. 8.12 b) mai trebuie s scoatem n eviden o dificultate. Chiar dac
printr-un miracol am aranjat ca tranzistorul s nu-i modifice caracteristica de transfer la variaia temperaturii
ambiante, mai rmne problema sursei de tensiune continue cu care polarizm baza tranzistorului i a crei
tensiune se adun cu informaia de tensiune de la termocuplu. Tensiunea sursei trebuie s aib o valoare

undeva pe la 600 mV i aceast valoare trebuie s se modifice cu mult mai puin de 50 V pe grad, altfel ar
masca semnalul de la termocuplu. Tensiunea sursei trebuie s aib, deci, un coeficient de temperatur mult
mai mic dect 50 V 600 mV pe grad, adic aproxmativ 80 ppm/grad (ppm este prescurtarea pentru "pri
pe milion"). Pentru o diod Zener obinuit putem conta, n cel mai bun caz, pe un coeficient de temperatur
(prescurtat tempco n englez) de 300 ppm/grad. Va trebui s utilizm o referin de tensiune integrat de
performan, care are coeficientul de temperatur de civa ppm/grad, evident cu diferena de pre
corespunztoare.

Observaie: n loc s discute acest aspect esenial, o mulime de dascli de electronic de pe la noi
risipesc zadarnic praful de cret ca s calculeze factorul de stabilitate termic S I I
I C CB
=
0
i uitnd
s mai calculeze variaia relativ a lui I
C
, care era, de fapt, scopul ntregului efort. Dei jocul cu derivate
pariale e foarte frumos, efectul variaiei curentului I
CB0
este neglijabil la tranzistoarele cu siliciu
(singurele folosite astzi), aa cum se poate constata din Fig. 8.7 b). Privind la graficele din figurile 8.10 i
8.9 nelegem ce efecte termice afecteaz curentul de colector al acestor tranzistoare: modificarea
carcteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ) (aa numita scdere a tensiunii baz-emitor) i variaia factorului
. Ali coeficieni de sensibilitate ar trebui calculai, dar nu trebuie s avem pretenia ca ce predau
domniile lor s ne fie uttil; doar in nite cursuri aa de frumoase....

n cutarea unui circuit de polarizare
Aa cum tim, pentru a putea fi utilizat n regiunea activ, un tranzistor bipolar trebuie s fie mai nti
polarizat prin stabilirea unui regim de curent continuu cu jonciunea baz-emitor deschis. Acest lucru se
ntmpl deoarece caracteristica sa de transfer I f V
C BE
= ( ) este puternic neliniar, valori utile ale curentului
de colector obinndu-se abia dup ce V
BE
depete tensiunea de deschidere. S vedem acum n ce mod
putem realiza polarizarea unui tranzistor cu siliciu astfel nct punctul su de funcionare s nu se deplaseze
inacceptabil de mult la variaia temperaturii. n acelai timp, am dori ca intensitatea curentului de colector s
fie ct mai insensibil la modificarea lui , deoarece acest parametru este foarte mprtiat tehnologic.
Ca s tim precis despre ce vorbim, s considerm o tensiune de alimentare de 10 V i s polarizm
tranzistorul cu colectorul la jumtatea acestei tensiuni, la un curent de colector I
C
( ) 0
de 1 mA. Evident,
rezistena din colector va trebui s aib 5 kO. n Fig. 8.13 avem cteva circuite de polarizare. Pentru cel din
desenul a), numit de autorii romni "cu olarizare simpl", valoarea curentului de baz se obine din relaia

V I R V
alim B B BE
= 0; (8.13)

cum tensiunea baz-emitor este de aproximativ 0.6V, mult mai mic dect tensiunea de alimentare, curentul de
baz este aproximativ I V R
B alim B
~ . De aici putem obine valoarea necesar a rezistenei de polarizare
R V I R
B alim
C
C
= =
( ) ( ) ( ) 0 0 0
2 , unde am notat cu
( ) 0
valoarea lui la temperatura pentru care
proiectm circuitul.
Curentul de baz fiind I V R
B alim B
~ , tranzistorul este operat, astfel, la curent de baz practic
constant. Aa cum am vzut pe graficul din Fig. 8.9 b), curentul de colector este afectat de temperatur prin
intermediul factorului

I
V
R
V
R
I
C
B C
C
~ = =

alim alim
( )
( )
( ) 0
0
0
2
(8.14)


valoarea curentului de colector fiind proporional cu noua valoare a lui , aa cum se poate constata i pe
graficul din Fig. 8.14.

a) b)
R
C
I C
R
B
V
alim
I
B
R
C
R
B
V
alim
I
B
V
alim
R
C
R
E
+
-
E
B
V
alim
R
C
R
E
R
B1
R
B2
+
-
V
BE
+
-
c)
d)
10 V
5 k
1 mA
720 k
5 k
I
C
1 mA
430 k
I
C
1 mA
5 k
2k
2.6 V
10 V
10 V 10 V
5 k
I
C
1 mA
2k
20 k
56 k

Fig. 8.13. Circuite de polarizare care asigur un curent de colector de 1 mA i un potenial de 5 V n colector:
(a) polarizare fix, (b) polarizare colector-baz, (c) polarizare cu surs de tensiune n baz i rezisten n
emitor i (d) "autopolarizare" (proiectarea a fost efectuat cu =100).

Chiar dac factorul nu sufer variaii dramatice cu temperatura, nu merit s pieredem timpul cu
acest mod de polarizare pentru c la montarea unui tranzistor ntr-un circuit, n producia de serie, nimeni nu
tie, de exemplu, unde anume este ntre 100 i 250. Acest tip de polarizare trebuie utilizat doar dac vrem
s aruncm apoi peste jumtate din circuitele realizate; l-am discutat aici numai datorit omniprezenei sale n
literatura autohton.
O alt variant de polarizare este cea din desenul b), numit polarizare "colector-baz". Pentru
proiectarea circuitului observm c rezistena R
B
este legat acum n colector, deci la jumtate din tensiunea
de alimentare. Pentru a obine acelai curent de baz ca la primul circuit, valoarea ei trebuie s fie aproximativ
de dou ori mai mic dect la cazul anterior, deci aproape egal cu
( ) 0
R
C
(n aproximaia
V V
alim BE
2 >> ).
Ne intereseaz acum ce se ntmpl cu valoarea curentului de colector la modificarea temperaturii. Din
configuratia circuitului obinem relaia

V I R I R V
alim B C B B BE
1+ = ( ) 0 (8.15)

care, cu aproximaia de mai sus i + ~ 1 , conduce la

( )
) 0 (
+
~
+
~
C
alim
B C
alim
B
R
V
R R
V
I (8.16)

De data aceasta, tranzistorul nu mai este operat la curent de baz constant; la creterea factorului
se produce automat o scdere a curentului de baz, scdere care diminueaz efectele acestei creteri asupra
curentului de colector. Acest tip de polarizare introduce o reacie negativ. Dac exprimm curentul de
colector, obinem


( )
) 0 (
) 0 (
) 0 (
2

+
~
+
~
C
C
alim
C
I
R
V
I . (8.17)

n Fig. 8.14 am reprezentat dependena
( )
) 0 ( ) 0 (
f I I
C C
= i pentru polarizarea
colector-baz. Se observ mbuntirea adus
de polarizarea colector baz: la dublarea
factorului curentul de colector nu se mai
dubleaz ci crete doar cu 30 %. Circuitul
introduce complicaii n ceea ce privete
amplificarea variaiilor, astfel c este rar
utilizat.
S mai trecem odat n revist graficele
din figurile 8.6, 8.9 i 8.10. La toate am
considerat aceeai variaie de temperatur; cele
mai mici modificri ale curentului de colector
sunt cele din Fig. 8.6 b), unde am meninut
constant curentul de emitor, sub 1 % pentru o
nclzire de 75
o
C. Circuitul din Fig. 8.13 c)
ncearc s se apropie de aceast situaie. La
prima vedere se pare c nu suntem pe calea cea
bun, am legat o surs ideal de tensiune n
baz, or tim c meninnd V
BE
= const.
rezultatele sunt dezastruoase. A mai aprut, ns, i o rezisten n emitor, astfel nct putem scrie

E V I R
B BE C E
= 0 (8.18)

(am utilizat faptul c I I
C E
~ deoarece curentul I
CE0
este neglijabil). Valoarea necesar pentru tensiunea
E
B
se obine cu suficient precizie cu relaia E I R
B
C
E
~ + 0 6
0
.
( )
V .
Aceast aproximatie este, ns, insuficient pentru a calcula variaiile datorate temperaturii. Vom
utiliza, pentru acest scop metoda dreptei de sarcin aplicat caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ), ca n
Fig. 8.15 a). Putem acum s vedem ce se ntmpl la creterea temperaturii cu un grad (desenul b).
Reprezentm n detaliu caracteristicile de la cele dou temperaturi i urmrim deplasarea punctului de
funcionare din M n N. Dac admitem s pierdem pe rezistena R
E
o tensiune mult mai mare dect 25 mV,
dreapta de sarcin va fi foarte puin nclinat n comparaie cu caracteristica de transfer a tranzistorului. Cum
distana pe orizontal ntre cele dou caracteristici este de 2 mV, avem valoarea variaiei curentului de colector
A I R
C E
~ 2 mV .
Dac dreapta de sarcin nu ar fi "suficient de orizontal", variaia curentului de colector ar fi cu
siguran mai mic dect 2 mV R
E
aa c aceast valoare reprezint cazul cel mai defavorabil. Din acest
motiv, n analiza stabiliii termice la astfel de circuite, variaia curentului de colector se calculeaz utiliznd
variaia lui V
BE
definit la curent de colector constant, o metod care poate prea paradoxal.

) 0 (
C C
I I
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
polarizare fixa
polarizare colector-baza
aici a fost proiectat
sa functioneze circuitul
circuitul din Fig. 8.13 d)
polarizare fixa
cu rezistor in emitor
) 0 (
B B
I I

Fig. 8.14. Efectul modificrii factorului asupra
curentului de colector pentru polarizare fix, polarizare
colector-baz, polarizare cu divizor rezistiv i rezisten
n emitor (circuitul din Fig. 8.13 d) i polarizare fix cu
rezistor n emitor.


a)
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
tensiunea baza-emitor (volti)
panta = -
1
R
E
curentul de colector (mA)
E
B
2 mV
dreapta de
sarcina
u la temperatura
u
la temperatura
+ 1 grad
b)
M
N

Fig. 8.15. Determinarea grafic a punctului de funcionare pentru circuitul din Fig. 8.13 c) (desenul a) i
modificarea acestuia la o nclzire cu un grad (desenul b).

Pentru a vedea ce mbuntire aduce acest tip de polarizare, s calculm variaia relativ a curentului
de colector la o variaie de temperatur A = 75
o
C, dac acceptm s pierdem pe rezistena R
E
o tensiune
V
R
E
= 2 V. Tensiunea baz-emitor scade liniar cu temperatura, cobornd n total cu
mV 150 grad mV 2 = A = A
BE
V . Cum sursa de tensiune pstreaz constant potenialul bazei, surplusul
de tensiune de 150 mV se va regsi pe rezistena din emitor, producnd o cretere a curentului de colector dat
de legea lui Ohm A A I V R
C BE E
= . Pe de alt parte, curentul de colector iniial ndeplinea relaia
A A I V R
C BE E
=
, de unde obinem

A A I
I
V
V
C
C
BE
R
E
= = =
0 15
2
7 5
.
. %. (8.19)

O asemenea variaie relativ, pentru o nclzire de 75
o
C, este acceptabil n majoritatea aplicaiilor.
Putem formula o prim comcluzie n legtur cu circuitul cu rezisten n emitor i surs ideal de
tensiune n baz:
Stabilitatea termic este cu att mai bun cu ct acceptm s pierdem o tensiune mai mare pe rezistena
din emitor; 2 voli asigur o variaie a curentului de colector de 1 la mie pe grad.
n practic, n locul sursei de tensiune ideale se utilizeaz un divizor rezistiv, ca n desenul d) al figurii,
variant numit n literatura de limb romn "autopolarizare". Dac
B
E este tensiunea Thevenin a
divizorului iar R
B
este rezistena sa echivalent, n locul ecuaiei (8.18) avem acum

E V I R I R
B BE C B C E
= 0 (8.20)

Prezena termenului ce conine R
B
produce acum o oarecare dependen a curentului de colector n raport cu
factorul , nedorit att pentru stabilitatea termic ct i pentru predictibilitatea punctului de funcionare
(factorul nu este cunoscut cu precizie pentru fiecare exemplar de tranzistor). Din acest motiv, valorile

rezistenelor din divizor se aleg att de mici nct divizorul s funcioneze practic nencrcat, astfel nct n
expresia A = 75
o
C termenul al doilea s poat fi neglijat

R
R
B
E
s

10
. (8.21)

Cu valoarea realist R R
B E
=
( ) 0
10, dependena curentului de colector de factorul devine

I I
C
C
=
+
( )
( )
.
.
0
0
11
1 0 1
; (8.22)

ea este reprezentat n Fig. 8. 14, unde se poate constata ct de insensibil a devenit acum curentul de colector
la modificrile factorului : la o dublare a factorului curentul de colector se modific doar cu 5 %. |innd
cont de mprtierea tehnologic a factorului , aceast predictibilitatea a punctului de funcionare este
suficient, tranzistoarele putnd fi montate fr s li se msoare individual acest factor.
Am fi putut ncerca introducerea rezistenei de emitor i n cazul circuitului cu polarizare simpl.
Deoarece tensiunea Thevenin E
B
nu mai poate fi acum aleas, fiind egal cu cea de alimentare, nici valoarea
rezistenei R
B
nu mai este parametru liber. Cu valorile numerice considerate, la utilizarea divizorului rezistiv
am ales-o s fie R R
B E
= =
( ) ( ) 0 0
10 200 O. n cazul polarizrii fixe ea nu poate fi dect
R
B
=
( ) 0
7.4 kO; o asemenea valoare pentru aceast rezisten crete sensibilitatea curentului de colector
n raport cu factorul , aa cum dovedete graficul din Fig. 8.14. Putem formula, deci, o a doua concluzie n
privina polarizrii n prezena rezistenei din emitor:

Rezistena echivalent a sursei cu care alimentm baza trebuie sa fie ct mai mic pentru a face curentul
de colector insensibil la variaiile factorului ; o valoare de
( ) 0
10 R
E
este suficient, producnd o cretere a
lui I
C
de numai 5 % la o dublare a lui .

Analiza comparativ a circuitelor de polarizare, n cazul tranzistoarelor cu siliciu (cele cu germaniu nu
se mai utilizeaz), a artat c
cea mai bun stabilitate termic se obine prin polarizarea bazei de la un divizor rezistiv i introducerea unei
rezistene n emitor; tensiunea care cade pe rezistena din emitor trebuie s fie n jur de 1-2 V iar rezistena
echivalent a divizorului s R
E
10; acest circuit asigur i o bun predictibilitate a punctului de funcionare
n condiiile n care valorile factorului prezint o mprtiere tehnologic mare.

Strpungerea secundar
Dei ambalarea termic nu mai apare la tranzistoarele de putere cu siliciu, datorit sensibilitii termice
mai mici a curentului de colector, ele sunt n continuare afectate de un fenomem mai subtil, strpungerea
secundar. Pentru a putea vehicula cureni mari, tranzistoarele de putere au arii mari i pot fi privite ca un
ansamblu de tranzistoare legate n paralel. Dac toate au aceeai temperatur local, atunci ele i mpart
frete curentul de colector. La cureni mari ns, acest echilibru nu mai este pstrat cu acuratee, unul dintre
tranzistoarele "elementare" se nclzete mai mult dect celelalte, curentul lui de colector crete pe seama


scderii curenilor de colector ai celorlalte tranzistoare care se rcesc (puterea disipat pe ele scade) n timp ce
tranzistorul ghinionist disip mai mult, se nclzete i mai mult, curentul lui de colector crete din nou... Ai
recunoscut fenomenul de ambalarea termic ce are loc, acum, local. Dei puterea total disipat, dac ar fi
repartizat uniform, nu ar conduce la o temperatur periculoas pentru tranzistor, la depirea unei anumite
valori a curentului de colector tranzistorul se distruge prin ceea ce se numete strpungere secundar.
n planul caracteristicilor de ieire, curba de putere disipat constant este o hiperbol
I P V P V
C d CE d CE
= =
1
; pentru ca ea s arate ca o linie dreapt, se deseneaz acest grafic n coordonate
dublu logaritmice (Fig. 8.16). Astfel, curba de putere disipat constant devine o dreapt cu panta de - 1
decad pe decad. Pe acest grafic se figureaz regiunea de operare sigur (SOA - Safe Operating Area n
lb. englez). Se observ c strpungerea secundar limiteaz regiunea de operare sigur mai drastic dect o
face puterea disipat maxim la care poate funciona capsula tranzistorului.

1 10 100
0.01
0.1
1
10
100
tensiunea colector-emitor (volti)
curentul de colector (amperi)
limita I
C max
limita P
d max
limita V CE max
limitarea
de strapungere
secundara
2N6274
REGIUNEA DE
OPERARE SIGURA
(npn, bipolar)
VNE003A
(NMOSFET)

Fig. 8.16. Regiunea de operare sigur pentru un tranzistor bipolar de putere i pentru unul MOSFET.

D. Tranzistoare cu efect de cmp

Diferena esenial a acestor dispozitive fa de tranzistoarele bipolare este aceea c se bazeaz pe
conducia furnizat numai de purttorii majoritari. De aici rezult i comportarea lor, total diferit, la
modificarea temperaturii. ntruct cele dou tipuri de tranzistoare cu efect de cmp (JFET i MOSFET) au
proprieti similare, vom discuta numai cazul tranzistoarelor MOSFET.
La tensiuni dren-surs mari (regiunea de surs de curent comandat V V V
DS GS T
>> ),
caracteristica de transfer a acestor tranzistoare este bine descris de relaiile


I V V
I K V V V V
D GS T
D GS T GS T
= <
= >
0
2
pentru
pentru ( )
(8.23)

unde I
D
este curentul de dren (Fig. 17 a), V
GS
tensiunea poart-surs iar V
T
este tensiunea de prag .
Caracteristica depinde de temperatur att prin intermediul factorului K ct i prin intermediul tensiunii de
prag: factorul K scade cu temperatura, fiind proporional cu T
3 2
, pe cnd tensiunea de prag scade
aproape liniar cu temperatura, cu (2 5 mV) C
o
.

D
S
G
V
GS
I
D
I
G
=0
V
DS
+
_
_
+
2 4 6 8 10
0
I D
+25 C
o
-50 C
o
+125 C
o
0 2 4 6 8 10
0
5
10
15
20
25
curentul de drena (mA)
tensiunea poarta-sursa (volti)
+125 C
o
-50 C
o
+25 C
o
2N3796
a) b)
c)
tensiunea poarta-sursa (volti)

Fig. 8.17. Influena temperaturii asupra caracteristicii de transfer la tranzistoarele MOSFET.

Aceste dou mecanisme au asupra curentului de dren efecte contrare, anulndu-se reciproc la o anumit
valoare a tensiunii poart-surs, unde curentul de dren nu mai depinde de temperatur, aa cum se vede n
Fig. 8.17 b). Pentru a vizualiza mai bine fenomenul, n desenul c) al figurii a fost reprezentat rdcina ptrat
din valoarea curentului de dren.
Putem proiecta, astfel, circuite foarte puin sensibile la variaiile de temperatur, numai prin
alegerea adecvat a punctului de funcionare. Mai mult, se observ c tocmai la valori mari ale curentului,
unde i disipaia de putere este mare, curentul de dren scade la creterea temperaturii. Din acest motiv,


tranzistoarele cu efect de cmp nu prezint fenomenul de ambalare termic. Corespunztor, ele nu intr
nici n strpungere secundar, ca tranzistoarele bipolare, i regiunea de operare sigur, la acelai tip de
capsul, este mai mare (vezi Fig. 8.16).

Enunuri frecvent utilizate
(att de frecvent nct merit s le memorai)

-Termistorii sunt elemente de circuit cu dou borne (dipoli) a cror rezisten depinde puternic de
temperatur; cei la care rezistena scade cu temperatura au coeficientul de temperatur
A
A
R
R T
negativ i
sunt numii n limba englez "NTC thermistors".
- Pentru aceti termistori, rezistena scade aproximativ cu 4 % pe grad, njumtindu-se la o
nclzire de 15-20 grade; sunt utilizai n principal ca senzori de temperatur i pentru compensarea
efectelor influenei temperaturii asupra altor componente electronice.
- n conducie direct la tensiune constant, curentul diodelor crete practic exponenial cu
temperatura, cu aproximativ 7 % pe grad, dublndu-se la fiecare variaie de 10 grade indiferent de
materialul din care sunt realizate (germaniu sau siliciu); dac se menine curentul constant, tensiunea pe
diod scade liniar cu temperatura cu aproximativ 2 mV pe grad.
- Creterea puternic cu temperatura a curenilor reziduali I
CB0
i I
CE0
poate conduce, la
tranzistoarele de putere, la fenomenul de ambalare termic i produce, n final, distrugerea
tranzistoarelor.
-Datorit valorii mari a curenilor reziduali I
CB0
i I
CE0
, tranzistoarele cu germaniu nu mai sunt
utilizate astzi.
-Influena temperaturii se manifest asupra tranzistoarelor cu siliciu preponderent prin
modificarea caracteristicii de transfer I f V
C BE
= ( ) (creterea curentului cu 10 % pe grad la
V
BE
= const . sau, echivalent, scderea tensiunii baz-emitor cu 2 mV pe grad la I
C
= const .) i prin
variaia factorului cu temperatura.
-Cea mai bun stabiltate a punctului de funcionare s-ar obine dac am pstra constant curentul
de emitor; din pcate aceasta ar necesita utilizarea a dou surse de alimentare de polariti diferite i
construirea unei surse de curent, soluie cu totul neeconomic.
- Meninerea constant a tensiunii baz-emitor este cea mai proast opiune: curentul de colector
se dubleaz la o nclzire de numai 8 grade.
-Datorit variaiei tensiunii baz-emitor cu 2 mV pe grad, configuraia cu emitor comun nu poate
fi utilizat pentru amplificare tensiunilor continue.
- O bun predictibiltate a punctului de funcionare n condiiile n care factorul are o mare
mprtiere tehnologc, n acelai timp cu o stabilitate termic acceptabil, se poate obine prin
introducerea n circuitul de emitor a unei rezistene R
E
pe care s cad o tensiune de 1-2 V simultan cu
polarizarea bazei cu un divizor rezistiv avnd rezistena echivalent s ( ) R
E
10; n aceste condiii
curentul de colector crete cu 5 % la dularea lui i cu 1 la mie la o nclzire de 1
o
C.
-Tranzistoarele bipolare sunt afectate de fenomenul strpungerii secundare care le limiteaz
regiunea de functionare sigur mai mult dect o face condia de putere disipat maxim.
-Tranzistoarele cu efect de cmp sunt mult mai puin sensibile la modificarea temperaturii
deoarece conducia este asigurat numai de purttorii majoritari.
- Peste o anumit valoare a curentului de dren, acesta scade cu creterea temperaturii; n
consecin, tranzistoarele cu efect de cmp nu se pot ambala termic.
- Din acelai motiv, tranzistoarele cu efect de cmp nu prezint fenomenul de strpungere
secundar; astfel, tranzistoarele MOSFET de putere sunt de preferat celor bipolare.


Termeni noi

-termistor dispozitiv cu dou borne (dipol) utilizat n circuite datorit
dependenei puternice a rezistenei sale n funcie de temperatur;
-coeficient de temperatur A A x x T ( ), viteza de variaie cu temperatura a mrimii, vitez
(al unei mrimi x) normalizat la valoarea mrimii respective;
-1 ppm o parte la un milion;
-termistor NTC termistor cu coeficient de temperatur negativ;
-termistor PTC termistor cu coeficient de temperatur pozitiv;
- ambalare termic proces care determin creterea rapid a temperaturii
dispozitivelor semiconductoare datorit reaciei pozitive termice
(creterea temperaturii determin creterea curentului care, la
rndul su, conduce la creterea puterii disipate i a temperaturii);
ambalarea termic poate produce distrugerea dispozitivului;
- stabilitate termic (a punctului proprietatea punctului de funcionare de a nu se modifica la
de funcionare) variaia temperaturii;
-polarizare fix legarea bazei tranzistorului, printr-o rezisten, la tensiunea de
alimentare, emitorul fiind conectat la mas; curentul de baz este
meninut practic constant;
-polarizare colector-baz legarea bazei tranzistorului, printr-o rezisten, la colector,
emitorul fiind conectat la mas; sensibiltatea curentului de
colector n raport cu factorul este micorat;
- autopolarizare polarizarea bazei prin intermediul unui divizor rezistiv; dac n
emitor este montat o rezistena pe care cade o tensiune de 1-2 V
iar divizorul este practic nencrcat, se obine o stabiltate termic
satisfctoare a punctului de funcionare;
- strpungere secundar fenomen care apare la tranzistoarele bipolare de putere i care
limiteaz funcionarea lor mai drastic dect puterea maxim ce
poate fi disipat de capsul; curentul printr-o regiune a seciunii
tranzistorului devine mai mare, temperatura local crete,
conducnd la un proces de ambalare termic local dei puterea
total pe dipozitiv nu a depit valoarea maxima admis;

Probleme rezolvate

Problema 1.
Pentru meninerea constant a temperaturii ntr-o incint, la coborrea temperaturii sub 60
o
C
tranzistorul din Fig. 8.18 a) trebuie s intre n conducie i s anclaneze releul electromagnetic montat n
colectorul su. Releul se anclaneaz sigur la un curent de 20 mA dar acest prag nu este perfect repetabil,
putndu-ne atepta i la anclanri la 10 mA. Ca senzor de temperatur avem de ales ntre trei termistori NTC
care au la 20
o
C rezistenele de 1kO, 10kO i, respectiv, 100 kO.
a) S se proiecteze un circuit de polarizare al tranzistorului care s asigure funcia solicitat.
b) S se estimeze imprecizia de temperatur provocat de variaia pragului de anclanare al releului.

V
alim
b)
10 V
releu
termistor
V
alim
a)
10 V
releu
V
alim
R
c)
10 V
250 O
releu
termistor
M
{
@ 60 C
o
2k
5k
M

Fig. 8.18.

Rezolvare
a) Avem la dispoziie un senzor de temperatur a crui informaie de ieire este rezistena. Pe de alt
parte, tranzistorul poate fi deschis prin controlul tensiunii baz-emitor. Va trebui s convertim informaia de
rezisten ntr-o informaie de tensiune; n plus, aceast tensiune trebuie s creasc la scderea temperaturii.
Cea mai simpl soluie de principiu este trimiterea prin termistor a unui curent constant de la o surs de curent,
ca n Fig. 8.18 b): la scderea temperaturii rezistena termistorului crete cu aproximativ 4 % pe grad i
acelai lucru l face i potenialul n punctul M. Realizarea unei surse de curent implic, ns, utilizarea unui
alt tranzistor i a ctorva rezistene, aa c ncercm o soluie mai simpl, cu un divizor rezistiv (desenul c al
figurii). Notnd cu R
T
rezistena termistorului, potenialul bazei tranzistorului (punctul M) este
V V
R
R R
B alim
T
T
=
+
(8.24)
acesta modificndu-se la variaia cu AR
T
a rezistenei termistorului cu
A A V V
R
R R
R
B alim
T
T
~
+ ( )
2
. (8.25)


Avem de ales termistorul i valoarea rezistentei R. Cum la 60
o
C tranzistorul trebuie s fie deschis,
potenialul punctului M trebuie s fie de aproximativ 0.6 V. Cu aceast condiie, din relaia (8.24) gsim
raportul necesar ntre rezistena R i rezistena R
T
o
( ) 60
a termistorului

16 1
V 0.6
) 60 (
~ =
alim
T
V
R
R
o
(8.26)

Curentul prin divizor va trebui s fie de cel puin 10 ori mai mare dectr curentul de baz. Acesta din
urm e de 20 0 2 mA mA ~ . (am mizat pe un factor de cel puin 100, realist pentru un tranzistor de
mic putere). Cu aceast condiie gsim

17 290
60 60
s s R R
T T
o o
( ) ( )
10 V
2 mA
O. (8.27)

Cunoatem rezistenele termistorilor la 20
o
C. Cum rezistena se njumtete la o nclzire de 15-20 grade, la
60
o
C rezistena ajunge cam la un sfert din cea de la 20
o
C. Termistorii vor avea, deci, la 60
o
C rezstenele de
250 O, 2.5 kO i, respectiv, 25 kO. Numai primul ndeplinete condiia (8.27), este cel care are 1 kO la 20
o
C.
Din O = 250
) 60 (
o
T
R rezult valoarea necesar pentru rezistena R

O ~ = k 4 16
) 60 (
o
T
R R .

Aceast estimare este una grosolan pentru c nu avem parametrul B al termistorului; din acest motiv vom
monta un rezistor ajustabil de 5 kO n serie cu unul fix de 2 kO care s permit variaia lui R ntre 2 i 7 kO
i l vom regla fin astfel nct releul s se anclaneze la coborrea sub 60
o
C.
Observaie: am ales termistorul cu rezistena cea mai mic, fiind obligai de valoarea necesar a
curentului de colector; aceasta este o soluie proast din punctul de vedere al autonclzirii termistorului dar nu
poate fi evitat dect prin introducerea unui alt tranzistor care s creasc amplificarea n curent.

b) Pragul de anclanare este mprtiat n intervalul 10-20 mA. O dublare a curentului de colector se
efectueaz, dup cum tim din dependena exponenial I f V
C BE
= ( ), la o variaie a tensiunii baz-emitor de
18 mV. Imprecizia de anclanare a releului este echivalent, deci, cu o imprecizie a potenialului bazei egal cu
18 mV. Pe de alt parte, dac utilizm relaia (8.25) putem calcula, pentru circuitul proiecat de noi, variaia
potenialului bazei determinat de o variaie de 1
o
C

A A
A
A
V V
R
R R
R V
RR
R R
R
R
V
R R
R R
R
R
B alim
T
T alim
T
T
T
T
alim
T
T
T
T
=
+
=
+
=
=
+
= ~
( ) ( )
( )
2 2
2
1
22 10 V
16
17
4
100
mV
2
.

Imprecizia datorat releului este echivalent, deci, cu aproape un grad.

Problema 2.
a) S se modifice circuitul proiectat la
problema precedent (fr introducerea altui
tranzistor) astfel nct aceast imprecizie s fie
redus de cteva ori; se poate mri, pentru
aceasta, tensiunea de alimentare la 15 V.
b) n Fig. 8.19 avei un circuit care
realizeaz aceeai funcie ca cel de la punctul
precedent. ncercai s explicai funcionarea
sa i s artai avantajele aduse.

Rezolvare

a) Asupra impreciziei de 18 mV n
tensiunea necesar pentru anclansarea releului
nu putem face nimic. Putem mbunti ns
sensibilitatea conversiei temperatur-tensiune; conform relaiei (8.25), aceasta este
R
R R
T
( ) +
2
i ajunge la
un maxim dac R R
T
o
=
( ) 60
. Aceasta nseamn ns c potenialul punctului M nu va mai fi de 0.6 V ci se va
duce pe la jumtatea tensiunii de alimentare. Aceasta
este i ideea de baz, s nu mai comparm dou tensiuni
de 0.6 V ci dou tensiuni de aproape zece ori mai mari.
Pentru aceasta nu vom mai ine potenialul emitorului la
mas ci l vom aduce la 5 V cu o rezisten i o diod
Zener (ne pstrm 10 V pentru anclanarea releului), ca
n Fig. 8.20. Rezistena de 1kO asigur un curent prin
dioda Zener de cel puin 10 mA, necesar pentru a
funciona ca stabilizatoare de tensiune.
Pentru deschiderea tranzistorului, este necesar
acum ca potenialul bazei s urce la 5.7 V; astfel,
raportul ntre rezistena R i rezistena R
T
o
( ) 60
a
termistorului este

R
R
V
T
alim
o
( )
.
60
1 1 7 = ~
5.7 V
.

n aceste condiii, variaia potenialului punctului M la o nclzire de un grad se obine ca

A A V V
R
R R
R
M
T
T
=
+
=
= ~
alim
2
15 V
1.7
2.7
4
100
1 mV
( )
2
40

V
alim
R
15 V
2.5 k
releu
termistor
{
@ 60 C
o
2 k
5 k
- 5 V
2.5 k
5 k
+5 V
T
1
T
2
R
T
R
1
R
2
M
25 mA

Fig. 8.19.
V
alim
R
15 V
2.5 k
releu
termistor
{
@ 60 C
o
2 k
5 k
dioda Zener
5.1 V
510 O
M

Fig. 8.20.


de ase ori mai mare dect n cazul circuitului proiectat la problema precedent. Astfel, imprecizia de 18 mV
datorat releului este echivalent acum cu numai 0.13 grade.
Modificarea punctului unde se produce comparaia determin i modificarea rezistenei termistorului.
Va trebui s alegem acum termistorul care avea 10 kO la 20
o
C. Disipaia de putere pe termistor va fi ns mai
mare decit n cazul precedent, tensiunea pe termistor crescnd iar curentul rmnnd constant.

b) n circuitul din Fig. 8.19 comparaia se efectueaz tot ntre dou tensiuni de aproximativ 5 V,
divizorul ce conine termistorul fiind de fapt identic cu cel proiectat la punctul a). Cnd potenialele bazelor
sunt riguros egale, curenii de colector ai celor dou tranzistoare vor fi egali. Creterea potenialului bazei 1 va
determina deschiderea tranzistorului T
1
i blocarea tranzistorului T
2
deoarece suma curenilor de colector
rmne constant datorit sursei de curent. Astfel, releul va fi anclanat la creterea potenialului punctului M,
la fel ca la circuitul de la punctul precedent.
Acel circuit avea o dificultate pe care nu am discutat-o, deoarece nu era foarte mare: scderea cu
2mV pe grad a tensiunii de deschidere a tranzistorului i, de, asemenea, variaia cu temperatura a tensiunii
furnizate de dioda Zener (un coeficient de temperatura de 300 ppm/grad produce o variaie de 1.5 mV pe
grad). Circuitul pe care trebuie s-l analizm elimin primul inconvenient, deoarece este sensibil la diferena
ntre tensiunile baz-emitor ale tranzistoarelor iar aceste tensiuni scad mpreun cu 2 mV pe grad.
Polarizarea bazei tranzistorului T
2
cu un divizor rezistiv diminueaz considerabil i efectele datorate
variaiei tensiunii de alimentare, deoarece aceste variaii, afecteaz aproape identic potenialele ambelor baze;
cum circuitul este sensibil numai la diferena ntre aceste poteniale, efectele lor se anuleaz reciproc.
Dac privim cu atenie schema circuitului, recunoatem un circuit n punte (rezistenele R R R
T
, ,
1
i
R
2
), dezechilibrul punii fiind sesizat de un etaj diferenial cu tranzistoare (numit aa deoarece amplific
practic numai diferena ntre potenialele intrrilor). Etajul diferenial este att de important n aplicaii nct i
vom dedica, mai trziu, un capitol special.

Probleme propuse

P 8.1. La nclzirea de la 20
o
C la 40
o
C rezistena unui termistor scade de 2.2 ori. Calculai parametrul
B al acestui termistor.
P 8.2. La 25
o
C, termistorul din problema precedent are rezistena egal cu 15.3 kO.
Scriei expresia rezistenei sale n funcie de temperatur. Care este valoarea rezistenei la
80
o
C ?
P 8.3. Circuitul din Fig. 8.21 este utilizat pentru msurarea temperaturii. La 20
o
C
tensiunea pe diod este de 0.653 V.
a) Ct va fi aceast tensiune la 80
o
C ? Indicaie: presupunei curentul constant.
b) Luai n consideraie variaia calculat a tensiunii pe diod i determinai cu cte
procente s-a modificat curentul. Era justificat presupunerea de la punctul precedent ?
P 8.4. Avem un termistor care are rezistena de 15 kO la 20
o
C i vrem s convertim n
informaie de tensiune variaii mici ale temperaturii n jurul valorii de 40
o
C. Trebuie s
realizm, pentru aceasta, un divizor alimentat de la tensiunea continu de 10 V, ca n Fig. 8.22.
a) Ce valoare aproximativ a rezistenei va avea termistorul la 40
o
C ?
b) Ct trebuie s fie valoarea rezistenei R astfel nct sensibilitatea conversiei
temperatur-tensiune (n jurul valorii de 40
o
C) la s fie maxim ?
c) Ct va fi n aceste condiii A A U T n jurul temperaturii de 40
o
C ?
d) Cte cifre trebuie s aib voltmetrul digital cu care se msoar tensiunea pentru a se
putea pune n eviden o variaie de 0.001
o
C ?

P 8.5.
a) Proiectai sursa de curent din Fig. 8.23 astfel nct s
debiteze un curent de 1 mA i s aib o stabilitate termic
satisfctoare (utilizai rezultatele analizei fcute asupra
circuitelor de polarizare).
b) Estimai efectul variaiei cu 10
o
C asupra curentului
furnizat de surs (luai n consideraie numai contribuia modificrii tensiunii
baz-emitor).
P 8.6. Utilizai proiectarea de la problema precedent pentru a obine un
amplificator cu emitor comun. Pentru aceasta, nlocuii sarcina cu o rezsten
R
C
, astfel nct potenialul colectorului s fie 6 V. Cu ct se modific acest
potenial la o nclzire de 8
o
C ?
15 V
15 k
Vout

Fig. 8.21.
10 V
termistor
V
out
R

Fig. 8.22.
R
E
R
B1
R
B2
10 V
1 mA
sarcina

Fig. 8.23.


Lucrare experimental

Desfurarea experimentului
Vom studia deplasarea punctului de funcionare sub influena temperaturii la cteva circuite cu
tranzistoare bipolare i cu efect de cmp. Variaiile de temperatur le vom msura cu cel mai simplu
"termometru electronic", o diod polarizat direct la curent constant. Pentru c modificarea repetat a
temperaturii cere mult timp, vom urmri, n acelai experiment, i variaia rezistenei unui termistor, care altfel
ar fi necesitat reluarea operatiei de schimbare a temperaturii.
I
C
5 k
1 mA
I
B
5 k
I
C
1 mA
5 k
I
C
1 mA
15 k
D
T
1
T
2
T
3
5 k
I
C
1 mA
2k
5 k
I
C
1 mA
2k
germaniu !
1 k
I
D
5 mA
D
S
G
T
4
T
5
T
6
MOSFET
+
-
V
A2
R
h
[nc`lzire
V
A1
+15 V
+
-
O
ohmetru
termistor
rezisten\a de [nc`lzireR
h
, dioda D, termistorul ]i toate tranzistoarele sunt [n foarte bun contact termic

Fig. 8. 24.
Avei pe planet circuitele din Fig. 8.24. Curentul diodei D este practic constant deoarece diferena
V V
A1 D
(care cade pe rezistena R
1
) se va modifica doar cu 120 0 8 mV 15 V = . % la variaia de 60
o
C
pe care intenionm s o producem. Astfel, tensiunea pe diod va scdea cu aproximativ 2 mV pe grad, i ne
va permite s estimm variaia de temperatur cu o precizie mai bun de 10 %, suficient pentru scopul
nostru.
Tranzistoarele T
1
-T
4
sunt din siliciu i au fost alese s aib factorii aproximativ egali. Ele vor fi
polarizate iniial, la temperatua camerei la aceeai valoare a curentului de colector I
C
( ) 0
=1 mA. Modurile lor
de polarizare sunt ns diferite: polarizare fix, polarizare colector baz, polarizare la V
BE
~ const. i

autopolarizare (cu rezisten n emitor). Valoarea rezistenei din emitor va asigura o cdere de tensiune pe
aceasta de 2 V.
Cea mai bun stabilitate termic o va prezenta circuitul de autopolarizare, construit n jurul
tranzistorului T
4
. Exact n aceeai configuraie este conectat i tranzistorul T
5
, cu germaniu. El ne va permite
s facem o comparaie ntre stabilitatea tranzistoarelor cu germaniu i a celor cu siliciu. Tot pentru comparaie
am introdus tranzistorul T
6
de tip MOSFET cu canal indus; pentru el comportarea termic avantajoas apare
la ureni mai mari, aa c l vom polariza iniial la un curent de 5 mA.
Dup ce v-ai desenat pe caiet schemele circuitelor pe care le vei studia, alimentai planeta de la sursa
de alimentare V
A1
de 15 V i ajustai fin punctul de funcionare la fiecare tranzistor. Nu vei msura direct
curenii de colector i, respectiv, dren (explicai de ce) ci potenialele fa de mas ale nodurilor respective.
Valorile rezistenelor au fost astfel alese nct de fiecare dat va trebui s obinei aceeai valoare: 10 V. Dup
ce ai terminat de ajustat polarizrile, msurai i notai-v tensiunea pe dioda D, care va fi termometrul
nostru.
S nu uitm termistorul Th. Trecem ohmetrul pe scara de 100 kO, l etalonm dac este nevoie i l
conectm a bornele termistorului. Citim valoarea rezistenei i o notm. Avei multe valori de msurat, aa c
este bine s v construii un tabel ca cel de mai jos.

Potenialul de colector (sau dren) al tranzistoarelor (V)

Tensiunea pe
diod (mV)
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
Rezistena
termistorului
(O)

Legai acum la planet i sursa de alimentare V
A2
, dup ce ai reglat-o la tensiune nul. Ea va
nclzi rezistena de putere R
h
care este montat n foarte bun contact termic cu dioda D, termistorul i toate
tranzistoarele. Cretei la 1 V valoarea tensiunii i urmrii nclzirea diodei D prin scderea tensiunii la
bornele sale. Cnd scderea nceteaz, rezistena de nclzire, dioda i tranzistoarele au ajuns la un echilibru
termic. Msurai, n aceste condiii, tensiunea pe diod i potenialele de colector (dren) ale tuturor
tranzistoarelor. Citii i noua valoare a rezistenei termistorului.
Cretei cu nc un volt tensiunea de nclzire, ateptai s se realizeze echilibrul termic i reluai
msurtorile. Repetai procedeul pn cnd temperatura a crescut cu aproape 60 de grade fa de cea iniial
(120 mV scdere a tensiunii pe diod).
Prelucrarea rezultatelor pentru tranzistoare
Dup ce ai terminat msurtorile trebuie s interpretai rezultatele. Construim un alt tabel, pentru
aceste rezultate.

Curenii de colector (sau dren) ai tranzistoarelor (mA)

A
(
o
C)
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
Rezistena
termistorului
(O)
0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 5.0

Mai nti, din valorle tensiunii pe diod calculai A =
ini
, tiind c tensiunea scade cu aproximativ
2 mV pe grad. Apoi, din potenialele de colector i dren ale tranzistoarelor determinai valorile curenilor


respectivi. Dac vreunul din circuite a ajuns cumva n saturaie, notai asta explicit pentru c n acest caz
curentul nu mai este determinat de variaia parametrilor tranzistorului.
Desenai apoi, pentru toate tranzistoarele cu siliciu, pe acelai grafic, dependenele I f
C
= ( ) A .
Comparai-le i formulai o concluzie n privina stabilitii termice ale diferitelor variante de polarizare.
Comparai acum tranzistorul cu germaniu i tranzistorul cu siliciu cu acelai tip de circuit de polarizare
(tranzistoarele T
4
i T
5
), desennd pe acelai grafic dependenele I f
C
= ( ) A . Formulai o concluzie.
Adugai, pe acelai grafic i dependena I f
D
5 mA = ( ) A obinut pentru tranzistorul MOSFET.
Comparai-o cu dependena de la tranzistorul cu siliciu i formulai o concluzie.
Prelucrarea rezultatelor pentru termistor
Vom prelucra acum datele de la termistor. Mai nti, ca s ne facem o idee asupra modului cum variaz
rezistena sa, reprezentm grafic R f T = ( ) A n coordonate liniare. Cum este dependena rezistenei sale ?
Formulai o concluzie.
n continuare, ncercm s verificm dac el respect relaia teoretic. Dac la temperatura T
0
(n
Kelvin) el are rezistena R
0
, atunci dependena R f T = ( ) se scrie sub forma

|
|
|
.
|
\
|
A +
A
|
|
.
|
\
|
= =
0
1 (
2
0
0
0
1 1
0
T T T
T
B
T T
B
e R e R R

unde B este o constant ce caracterizeaz termistorul. mprind la R
0
i logaritmnd, obinem
T
T T T
B
R R y A
A +
= =
0
2
0
0
1
1
ln .
Reprezentm i noi grafic dependena
y R R f T = = ln ( )
0
A , R
0
fiind rezistena
msurat la temperatura iniial (ambiant).
Ce form aproximativ are graficul ? Putei
estima cu cte procente pe grad scade
rezistena termistorului ?
Temperatua iniial era n jur de 300
K aa c pentru variaii AT nu foarte mari
a doua fracie din relaia precedent este
practic unitar. Graficul ar trebui s fie,
deci, n prima sa poriune o linie dreapt cu
panta B T
0
2
. "Fitm" o dreapt printre
punctele experimentale la AT s 20 K, i
msurm panta i cu T
0
300 ~ K estimm
parametrul B al termistorului.
Putem s obinem direct din grafic informaii asupra temperaturii iniiale. Extrapolm spre dreapta
graficului linia dreapta cu care am fitat anterior i msurm la ce valoare y
1
ajunge ea la A A T T =
max
. Pe de
alt parte, graficul experimental, care este descris de relaia neliniar, va ajunge la o valoare y
max
de
1
0
+ AT T
max
ori mai mic. De aici putem s estimm temperatura iniial T
0

T T
y y
0
1
1
1
=
A
max
max
.
0 10 20 30 40 50 60 70 80
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
=ln
R
0
R
AT (K) A T
max
y
max
y
y
1
dreapta y
=
B
T
0
2
AT

Efectul Temperaturii Asupra Semiconductoarelor

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Efectul Temperaturii Asupra Semiconductoarelor

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CAPITOLUL

Efectul temperaturii asupra

S-ar putea să vă placă și