1.5.

Studiul experimental al structurilor de benzi energetice

Vom prezenta pe scurt metodele experimentale de determinare a
maselor efective i a lrgimii benzii interzise n semiconductori: rezonana
ciclotronic, metode optice i electrice pentru msurarea lui .
g
E

a. Rezonana ciclotronic; determinarea masei efective
Principiul metodei este urmtorul: fie un purttor de sarcin q plasat
ntr-un cmp magnetic static B
r
i un cmp electric alternativ de pulsaie .
Presupunem c masa sa efectiv este izotrop. Ecuaia de micare a
sarcinii electrice q va fi
* m
) B (
*
r
r
r
r
+ = v q
dt
v d
m E (4.102)
n absena cmpului electric, micarea este circular ntr-un plan
perpendicular pe direcia cmpului magnetic sau elicoidal n jurul lui B
r
, cu
o pulsaie
*
m
qB
c
= (4.103)
numit pulsaie ciclotronic. Orbitele n aceast micare de precesie
ciclotronic sunt spirale n jurul cmpului magnetic. n prezena unui cmp
electric i innd seama i de ciocnirile cu imperfeciunile reelei, pe care
ntr-un model simplu le introducem printr-o for de frecare (frnare) de
forma / *v m
r
, unde este timpul de relaxare, ecuaia de micare devine
=

+
v
dt
v d
m
r r
) B (
r
r
r
+ v q (4.104)
*

Dac presupunem un cmp magnetic static de componente B
x
=
B
y
=0; B
z
=B i un cmp electric perpendicular pe acesta i variabil n timp
; , vom cuta soluii de forma 0 = = Ez E
y 0
E E =
x
( t i exp )
0
v v
r r
= ( ) t i exp ,
aa nct din ecuaia (4.104) rezult
c ox oy
c oy ox
v i v
v
m
q
i v

= +
+ = +
)
1
(
)
1
(
*
0
E
(4.105)

Atunci, conductivitatea
xx
pe direcia cmpului electric aplicat este
( )

i
i
m
nq
*
2
=
v nq v nq j
c
o
ox
x
x
x
x
xx
2 1
1
~
2 2 2
+

= = =
E E E
. (4.106)

Puterea medie absorbit n semiconductor, P
~
Re , este maxim
pentru = . Aceasta corespunde unei absorbii rezonante de energie de
ctre purttori, dac frecvena de rotaie pe orbit coincide cu cea a cmpului
electric exterior. Prin urmare, determinnd frecvena pentru care se produce
acest fenomen i utiliznd relaia (4.103), se poate gsi masa efectiv a
purttorilor de sarcin (n practic se lucreaz cu o frecven fix i se
variaz inducia cmpului magnetic).

Condiia pentru o rezonan bine definit

*
este ca perioada
ciclotronic (ntre dou ciocniri consecutive s se produc cel puin o
rotaie complet n cmp magnetic). Echivalent putem scrie
c
>1, deci
trebuie lucrat cu materiale pure i la temperaturi sczute (temperatura He
lichid, 4,2 K), pentru ca numrul de ciocniri (

c
T

1
) s fie mic. Un cmp
magnetic intens, care ar duce la creterea lui
c,
modific dependena ( ) k E
r

i prin urmare, masa efectiv a purttorilor; n experiene se utilizeaz
cmpuri magnetice cu T 1 B . Pentru
c
< 1, nu se observ fenomenul de
absorbie rezonant (figura 1).


Fig.1
Ordin de mrime. La temperatura de 4,2 K : s 10
11
aa nct
condiia de rezonan este satisfcut pentru rad/s 10
11
> ; alegnd
, pentru rad/s 10 5 , 1
11
=
e
m m 1 , 0 * = , se obine B = 0,086 T. La temperatura
camerei, timpii de relaxare a purttorilor n cristale sunt intervalul
( ) s.
15
10
13
10

Schema unei instalaii experimentale utilizat pentru determinarea

maselor efective ale
purttorilor de sarcin ntr-un
semiconductor este prezentat
n figura 4.16. Cristalul,
plasat ntre polii unui
electromagnet, este iradiat cu
unde electromagnetice de
frecve = n

2
, produse
de un ghid de unde. n cazul
n care cmpul magnetic
(static) are o valoare B care
verific condiia de rezonan
=
c
=
*
m
eB
, unde este o
mas efectiv, cristalul prezint o cretere a conductivitii electrice, care se
traduce printr-o absorbie puternic a undei. Aceast absorbie este observat
cu ajutorul unui receptor R care msoar puterea transmis.
* m
ghid de unde
B
cristal
R
fotoni
Se lucreaz la temperaturi foarte sczute (pentru ca s fie ndeplinit
condiia
c
>1), dar, pentru a observa fenomenul de variaie a
conductivitii, cristalul este iradiat cu lumin avnd energia mai mare dect
banda interzis. (Acest lucru este necesar deoarece la temperaturi sczute
banda de conducie a semiconductorului este practic neocupat. Pentru a
observa rezonana, sunt necesari electroni liberi i (sau) goluri libere, care
sunt creai n acest caz prin excitare cu lumin).

b. Metode optice: determinarea benzii interzise la semiconductori

Aa cum spectroscopia atomic permite determinarea nivelelor n
atomi, spectroscopia semiconductorilor permite determinarea mrimii benzii
interzise n semiconductori i d informaii despre tipul de structur de benzi
(direct sau indirect). S analizm nti efectul unui fascicul de lumin de
frecven asupra unui semiconductor. Dac energia fotonilor h <E ,
fasciculul va traversa cristalul fr s fie atenuat. Dac h >E , fotonii pot
fi absorbii, excitnd electronii din banda de valen n banda de conducie.
Intensitatea undei luminoase variaz atunci cu distana z parcurs n
semiconductor dup legea
g
g
I=I
0
exp(-z) (4.123)
unde este coeficientul de absorbie. Expresia lui depinde de natura
tranziiilor electronice induse de radiaie, dar indiferent de tipul procesului
de absorbie se verific legile de conservare a energiei
foton i f
E E E =
(4.124)
i a impulsului

foton i f
k k k
r r r
= .
(4.125)
(Indicele i (f ) se refer la starea iniial (final) a electronului).
Evalum vectorul de und al fotonului comparativ cu cel al unui electron n
reeaua cristalin. Pentru fotoni cu energii de aproximativ 1 eV (lrgimea
benzii interzise pentru semiconductorii uzuali), lungimea de und este de
ordinul 1 m, prin urmare
1 - 6
m 10 6
2

=
foton
k . Pentru electronii n
echilibru termic cu reeaua, la T = 300 K i cu , impulsul
e
m m
*
m/s kg 10 * 2
25
=

T k m P
B
, iar vectorul de und
1 - 9
m 10 =
h
P
k . Se
observ c impulsul fotonului este neglijabil, aa nct condiia de
conservare a impulsului se scrie simplu
0
k k k
f i
r r r
= = . (4.126)
Se spune c tranziiile radiative (nsoite de absorbia sau de emisia unui
foton), sunt verticale n spaiul k
r
. Din acest motiv, procesele de absorbie
de fotoni n semiconductori sunt mult mai probabile n materiale cu band
interzis direct dect n materiale cu band interzis indirect. Figura 4.20
prezint dou tipuri de tranziii band-band induse de fotoni.


a) Fig. 4.20 b)

ntr-un semiconductor cu band interzis direct (fig. 4.20 a),
tranziiile ntre extremele benzilor sunt verticale, verificnd legea de
conservare a lui k
r
. n semiconductorul cu band interzis indirect (fig.
4.20 b) se pot excita vertical, deci optic, electroni din maximul benzii de
valen n minimul central al benzii de conducie. Electronii astfel excitai
termalizeaz rapid n minimul absolut al benzii de conducie i pot participa
la conducie.
n cazul solidelor cu band interzis direct, coeficientul de absorbie
( 5.3) este dat de
( ) ( )

=

h
r r h
h
cv if
r
N p a
cn m
e
2
1
0
2
2

unde c este viteza luminii in vid, n, indicele de refractie al mediului,
permitivitatea dielectrica a vidului,
0
[ ]
2
) ( p a
r r
este elementul de matrice al
dipolului, care poate fi aproximat cu
2
3
2
cv
p

iar

( )
( ) ( )
3 2
2 / 1
2 / 3
*
2
h
h
h

=
g r
cv
E m
N
este densitatea reunita de stari, cu

*
2 2
* *
2 2
1
2
1 1
2
r
g
v c
g
m
k
E
m m
k
E
h h
h + =

+ + =
unde
*
r
m este masa optica efectiva sau masa redusa a sistemului electron-gol.
Se observa ca
(
2 / 1
g
E
A

= h
h
) (4.127)


Formula (4.127) este bine verificat experimental pentru substanele cu
benzi parabolice n vecintatea minimelor din
0
k
r
. O astfel de curb
experimental (fig. 1pt GaAs.) permite determinarea lrgimii benzii
interzise (pragul curbei de absorbie) i a dependenei acestei mrimi de
temperatur.
n cazul solidelor cu band interzis indirect, la care extremele
benzilor sunt situate la valori diferite ale lui k
r
, pot avea loc tranziii optice
care nu respect regula (4.126). n astfel de procese, simultan cu absorbia
fotonului, are loc o absorbie (emisie) de fonon, cu vector de und
, aa nct s fie satisfcut legea conservrii impulsului.
Astfel de tranziii cu participarea fononilor au loc cu condiia de conservare
a energiei
) (
i f
k k q
r r
r
=

q
i
E
f
E
r
h h = (4.128)
q
r
h fiind energia fononului absorbit (emis). Pragul absorbiei este situat
la energia

q g prag
E
r
h m h = (4.129)

iar calculul pentru coeficientul de absorbie (5.3) n cazul tranziiilor
indirecte (cu ), conduce la expresia
f i
k k
r r

. .
/
2
/
2
1
) (
1
) (
em abs
kT
q q
kT
q g
q q
e
E
e
E
B
+ =

=

r r
h h
r
h h h h
h
(4.130)

De observat c
q
kT
n
e
q
r
h
r
=

1
1
/


este numrul mediu de fononi n starea q
v
la temperatura T, iar
1
1
1
/
+ =

q
kT
n
e
q
r
h
r
.

La temperaturi mai mari dect temperatura Debye

q
kT
r
h >
q
q q
kT
n n
r
r r
h
+ 1 ,
iar pentru T 0K, 0, +11. Se observ c la temperaturi foarte
sczute, cnd numrul de fononi este foarte mic, tranziiile cu absorbie de
fononi nu mai sunt posibile, absorbia radiaiei producndu-se numai cu
emisie de fononi.
q
n
r
q
n
r
n figura 4.22 se reprezint
.
2 / 1
.
abs
abs
K
B
=

h
i respectiv
.
2 / 1
.
em
em
K
B
=

h
n funcie de h , pentru dou temperaturi .
2 1
T T >
Curbele pline se obin prin racordarea celor dou drepte.

Fig. 4.22

Aa cum se vede din figur, studiul acestui tip de absorbie permite
determinarea lrgimii benzii interzise indirecte, precum i energia fononilor
care particip la proces.


Experimental Si pentru diferite temperaturi

O prezentare comparativa a curbelor de absorbie pentru semiconductorii
uzuali e prezentata in figura


c) Metoda electric de determinare a lrgimii benzii interzise