1

Structuri cuantice semiconductoare

1. Introducere
Utiliznd epitaxia cu fascicul molecular se pot obine heterostructuri semiconductoare,
avnd dimensiuni de ordinul 10 nm; pentru aceste dimensiuni comparabile cu B asociat
microparticulelor din structur apar efecte cuantice specifice.

Primele experiene, efectuate n 1970, au pus n eviden procese de tunelare rezonant

utilizate pentru realizarea de dispozitive cu rezisten negativ i o localizare puternic a
purttorilor de sarcin, care a condus la mbuntirea performanelor laserilor cu
semiconductori.
Structurile utiliznd gropile cuantice semiconductoare domin cercetrile actuale din
domeniul optoelectronicii (modulatoare optice performante, diode laser cu multiple aplicaii
de la telecomunicaii, pn la stocarea optic) i al microelectronicii (tranzistori cu electroni
balistici, calculatoare cuantice).
Cea mai simpl structur este groapa cuantic (quantum well) un sandwich
dintr-un strat subire ( 10nm) de material semiconductor A cu band interzis E g1 , ntre
dou straturi de dimensiuni mari, dintr-un alt material semiconductor B, cu band interzis
larg, E g 2 > E g1 (fig. )

Fig. 1

Fig. 2
Cnd se realizeaz o astfel de heterostructur nu se poate determina teoretic cum se
aliniaz benzile de energie din cele dou materiale. De aceea, o mrime important
EC
determinat experimental este raportul salturilor n cele dou benzi,
. Pentru structura
EV
GaAs / Al x Ga1- x As , de exemplu, aproximativ 60% din diferena E g 2 E g1 = E g este n

saltul benzii de conducie i 40%, n cel al benzii de valen, astfel nct raportul este 69:40.
Structura obinut, reprezentat n figura 2a este un sistem de tipul I, pentru care salturile
EC i EV acioneaz ca nite bariere cuantice, att pentru electroni ct i pentru goluri.
n procesul de epitaxie nu apar defecte de structur dac valorile constantelor de reea
pentru cele dou materiale, A i B, sunt foarte apropiate. AlAs i GaAs au constante de reea
aproape identice (i aceeai structur cristalin), ceea ce permite obinerea de heterostructuri
de foarte bun calitate. (vezi tabelul ). Un alt sistem utilizat este In x Ga1- x As cu InP; n acest
caz, proporia de In i Ga este ajustat pentru a obine o constant de reea a aliajului egal cu
cea a InP.
Material

Constanta de reea
()

a / a substrat

GaAs

5.653

3.7% (pe InP)

AlAs

5.661

3.5% (pe InP)

InP

5.869

3.7% (pe GaAs)

n cele ce urmeaz studiem structuri de tipul I, pentru care stratul subire din
materialul A acioneaz ca o groap de potenial pentru electroni, respectiv pentru goluri.
2. Particula n groapa cuantic semiconductoare. Nivele de energie
ntr-un semiconductor, funciile de und electronice sunt funcii Bloch, astfel nct starea
electronului ntr-o structur bidimensional (groap cuantic) este de forma
r r
r
r
kr (r ) = exp ik r u rA, B (r ) ( z )
(1)

unde k este vectorul de und perpendicular pe direcia de cretere (Oz), ukr (r ) este partea
periodic a funciei Bloch n materialul A (sau B), iar ( z ) se numete funcie
r
nfurtoare. Aceast alegere a funciei de und kr (r ) ine seama de faptul c electronii i
golurile se pot deplasa liber n planul xOy (perpendicular pe direcia de cretere).
Funcia ( z ) verific ecuaia unidimensional:

h2 d2

(
)
+
V
z

(z ) = E (z )
*
2
2m d z

(2)

Proprietile de baz ale particulei ntr-o groap de potenial cu L a *B pot fi descrise,

chiar la temperatura camerei, n aproximaia gropii unidimensionale cu perei infinii. n acest
caz
0 ; 0 < z < L
V (z ) =
.
; in exterior
Funciile nfurtoare, verificnd condiiile la limit (z ) = 0 pentru z = 0 i z = L , sunt:
2
n z
; 0< z< L
sin
(3)
n (z ) = L
L
0 ;
in exterior

crora le corespund valorile proprii

h 2 2 2
En =
n ;
n = 1, 2,
(4)
2mL2
Pentru groapa cuantica rectangular cu perei finii
L

0 ; z
V (z ) =
(5)
2
V0 ; in exterior
unde
EC pentru electroni
.
V0 =
EV pentru goluri
Pentru c V ( z ) = V ( z ) , soluiile vor avea paritatea precizat; n starea
fundamental, soluia este o funcie par:
L

; z<
Acos k1 z
2

(z ) = Bexp[ k 2 z ] ; z >
(6)
2

; z< Bexp[k 2 z ]
2

n prima stare excitat:

L

; z<
Asin k1 z
2

(7)
( z ) = Bexp[ k 2 z ] ; z >
2

Bexp[k 2 z ] ; z < - 2

unde

4
k12 =
*

2m* E
h2

; k 22 =

2m*
h2

(V0 E )

(8)

Dac m A mB , condiiile la limit se aleg de forma:

(z )

2
L

continu la interfee z =
2

continu la interfee z =

1 d
m* d z
(ultima condiie asigurnd conservarea densitii de curent de probabilitate).
Impunnd condiiile (9) rezult:
k1 L k 2
pentru stri pare
* tg k1 2 = *
mB
mA

k1 ctg k L = k 2 pentru stri impare

1
m*
2
m*B
A

(9)

(10a )
(10b )

Ecuaiile se pot rezolva numeric, determinndu-se energia E1 a strii fundamentale i

respectiv E2 pentru starea excitat.
*

Pentru m A mB , se demonstreaz c numrul de stri legate este:

1

*
2
2m V0 L 2

N = 1 + Int
(11)
2
2

unde Int[x ] este partea ntreag a lui x.Prin urmare n groapa finit exist ntotdeauna cel
puin o stare legat iar V0 i L se pot alege astfel nct s existe un numr fixat de nivele de
energie, poziionate convenabil.

Reducnd dimensionalitatea se obin structuri unidimensionale (fire cuantice) n care

electronii se deplaseaz liber numai pe o direcie i respectiv zero-dimensionale (puncte
cuantice, n care electronii sunt localizai ntr-o regiune de dimensiuni microscopice). Aceste

5
structuri apar n cazul n care un semiconductor cu band interzis mic este intercalat ntr-o
structur sandwich sau este nconjurat de un material cu band interzis larg (fig. 1).

Observaie. Se tie c efectele cuantice devin importante dac distana dintre dou
nivele consecutive este mult mai mare dect energia termic, k BT , aa nct
h 2 2

2m * L2z

>> k B T .

Utiliznd aceast condiie se gsete c, pentru GaAs unde mc* / m0 = 0.067 , la

temperatura camerei cuantificarea nivelelor n banda de conducie devine important dac
Lz 150 .
Firul cuantic
Pentru firul cuantic, presupunnd localizarea bidimensional ntr-un dreptunghi de
laturi Lx , Ly , putem scrie
( x, y, z ) = exp [ik z z ] (x, y )

(12)

Strile staionare Enp n firul cuantic se obin rezolvnd ecuaia lui Schrdinger:
h 2 2
2

+
(x, y ) + V ( x, y ) (x, y ) = Epq (x, y )
2m * x 2 y 2
unde
0 , x [0, Lx ]; y 0, Ly
V ( x, y ) =
V0 , x < 0 ; si x > Lx ; y < 0 si y > Ly
n aproximaia barierelor de potenial de nlime infinit:
h 2 2 p 2 q 2
+
Epq =
2m * L2x L2y

iar energia total este:

h 2 2 p 2 q 2 h 2 k z2
+
= Ec + Epq + E1D (k z )
E = E (p, q, k z ) = Ec +
+
2m * L2x L2y 2m *

(13)

(14)

(15)

(16)

Punctul cuantic

Pentru punctul cuantic, n care electronii sunt localizai de-a lungul celor trei axe ntrun volum Lx Ly Lz foarte mic, energia este:

E = Ec + Epqr

(17)

n aproximaia barierelor de potenial cu perei infinii Epqr se scrie:

Epqr =

h 2 2 p 2 q 2 r 2
+
+
2m * L2x L2y L2z

(18)

Gropi cuantice cuplate

Pn acum am studiat o groap semiconductoare izolat. Se pot obine ns (i aceasta
este situaia real n dispozitivele electronice) structuri cu gropi cuantice multiple. Dac
bariera ntre dou gropi vecine este suficient de subire, tunelarea prin barier devine
apreciabil i rezult un sistem de gropi cuantice cuplate.
Pentru majoritatea semiconductorilor de interes, n structuri cu bariere avnd grosimea
de aproximativ 10 nm (sau mai mult), cuplajul este slab i nivelele de energie ale gropilor
individuale sunt foarte puin modificate (figura 7a). n schimb, pentru o barier cu grosimea
de aproximativ 1 nm, apare un cuplaj puternic ntre gropile vecine (fig. 7b); funciile de und
corespunztoare au o suprapunere apreciabil, astfel nct electronul poate tunela de la o
structur la alta.

a)

b)
Fig.7
Pentru a determina energia E n prezena cuplajului, rezolvm ecuaia Schrdinger
unielectronic:
H ( z ) = E ( z )
(19)
unde
h2 d2
H =
+ V (1) (z ) + V (2 ) ( z )
(20)
2
2m * dz
cu
daca z < z j si z > z j + L
0
V ( j) ( z ) =
, j = 1,2
(21)
V0 pentru z j < z < z j + L
(fig. 8)
n absena cuplajului, pentru fiecare groap de potenial putem scrie:
2
h2 d j

+ V ( j) ( z ) j = E1 j , j = 1,2
(22)
2
2m * d z

E1 fiind energia strii fundamentale.

Fig.8
Se demonstreaza ca energia electronului devine

8
unde

E E1 E

(23)

E = 1 , V (1) 2 = 2 , V (2 ) 1

(24)

este integrala de cuplaj intre functiile 1 i 2.

Datorit cuplajului ntre gropile cuantice, nivelele de energie se despic simetric fa
de nivelul fundamental E1 . nlocuind valorile (12) n sistemul de ecuaii (7), determinm
funciile de und normate:
1
( 1 + 2 ) ; + = 1 ( 1 2 )
=
(25)
2
2
Aceste funcii sunt reprezentate n figura 9.

Fig.9
Se observ c strii fundamentale, cu energia E1 E , i se asociaz o funcie de

und simetric, n timp ce starea E1 + E este descris de o combinaie liniar antisimetric.

Aceste funcii de und nu mai descriu un electron localizat n groapa de potenial (1) sau n
groapa de potenial (2); n ambele stri, electronul are aceeai probabilitate de localizare n
ambele regiuni.
Superreele
Presupunem o structur format dintr-un numr mare de gropi de potenial, alternnd cu
bariere (dintr-un material semiconductor cu band interzis larg).
n cazul unor bariere cu grosime Lb mare, strile electronice sunt aproximativ cele din
gropile cuantice izolate; i n regiunea barierei, tunelarea este foarte slab, aa nct nu apare
un cuplaj ntre gropi. Aceasta este o structur cu gropi cuantice multiple (MQW multiple
quantum wells) fig. 10

fig. 10

9
n cazul barierelor subiri care separ N gropi cuantice, apare o extindere a funciior de
und peste bariere; gropile cuantice sunt cuplate i ca i n cazul cristalelor 3D fiecare
nivel energetic se despic n N subnivele, care formeaz o miniband. Aceast structur se
numete superreea i este reprezentat n figura 11.

Fig.11
Modelul electronilor cvasilegai, aplicat n acest caz arat c:
(i) strile cuantice nu mai sunt localizate n fiecare groap cuantic, ci sunt stri extinse n
ntreaga structur;
(ii) apar minibenzi de energie permis, alternnd cu minibenzi interzise;
(iii) lrgimea minibenzilor depinde de cuplajul dintre gropile adiacente.