Sunteți pe pagina 1din 16

Structura circuitelor digitale N.

Cupcea (notite) 1
Circuite logice cu TMOS


1. Comutator electronic cu TECMOS

* exemplu: structura fizic a unui TECMOS cu canal indus:

- funcionare, caracteristici, parametri:
- ecuaiile lui Sah:
0 =
D
i dac:
p GS
V v < (tranzistor blocat)
( )

=
2
2
DS
DS p GS D
v
v V v k i dac:
Dsat DS p GS
V v V v < > ; ;
(tranzistor n regiunea liniar);
( )
2
2
p GS D
V v
k
i = dac:
Dsat DS p GS
V v V v > > ; ;
(tranzistor n saturaie);
cu:
p GS Dsat
V v V =
- parametri:
- tensiunea de prag:
- dependent de tensiunea surs substrat;
- dependent de temperatur (mai puin ca la TBIP);
- se poate controla foarte bine n limite largi prin concentraia de
impuriti din izolator;
- valori tipice: V 3 5 , 1 ;
- importan: micorarea tensiunii de prag micorarea tensiunii de
alimentare i a puterii disipate;
- factorul de conducie:

L
Z
C k
ox
=
-
n
mobilitatea purttorilor de sarcin din canal (electroni);
-
ox
C capacitatea specific a izolatorului,
2
/ mm pF ;
- Z L, - discuie: limitri sus i jos;
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 2
Circuite logice cu TMOS
-
L
Z
geometria tranzistorului: poate fi >1 sau <1, n raport de funcia
pe care o ndeplinete tranzistorul;
- TEC MOS blocat:
-
rez
I foarte mic ( nA), neglijabil;
- conductan foarte mic, neglijabil;
- TEC MOS n conducie:
- generator de curent comandat de tensiunea de la intrare;
- tensiunea rezidual este nul;
- rezistena serie pentru tensiuni dren surs de valori mici (n jurul
originii) este mic, sute de ;
- caracteristica de intrare:
- curent foarte mic, A I
12
int
10

< ;
- rezistena de intrare: >
12
int
10 R ;
-
max
N - nelimitat.
- regim tranzitoriu:
a) comutarea tranzistorului intrinsec apariia/dispariia canalului
la aplicarea unui cmp electric foarte rapid timp de comutare neglijabil fa
de ali timpi de comutare, viteza de deplasare a purttorilor n semiconductor;
b) comutarea elementelor extrinseci:
- capacitatea poart surs;
- capacitatea poart dren;
- capacitatea de barier surs-substrat i dren-substrat;
- capacitile parazite;
- toate neliniare, distribuite i dependente i de sarcin.


Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 3
Circuite logice cu TMOS

2. Inversor nMOS cu sarcin rezistiv:
* schema:

* caracteristica de transfer:
-
pa i
V v < ,
DD oH o
V V v = = ;
-
pa i
V v > ; T n saturaie:
Da R
i i
d
= :

( )
2
2
pa i
a
d
o DD
V v
k
R
v V

=



( )
2
2
pa i
d a DD o
V v
R k V v

= ;
- pentru:
1 i i
V v = , TMOS trece n zona liniar:
1 1 o pa i o
V V V v = = ;
( )
2
1 1
2
pa i
d a
DD pa i
V V
R k
V V V = se deduce
1 i
V i apoi i
1 o
V .
-
pa i
V v > , T n regiunea liniar:
Da R
i i
d
= :

( )

2
2
o
o pa i a
d
o DD
v
v V v k
R
v V


d a
DD
d a
pa i
d a
pa i o
R k
V
R k
V v
R k
V v v
2 2 2
2

+ + = .

* nivelele logice:
-
DD oH
V V = ;
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 4
Circuite logice cu TMOS
d a
DD
d a
pa DD
d a
pa DD oH o oL
R k
V
R k
V V
R k
V V V v V
2 2 2
) (
2

+ + = =

- prin dezvoltare n serie:
( )
pa DD d a
DD
oL
V V R k
V
V


- este necesar ca:
d
R ct mai mare i
a
k ct mai mare;
* marginile de zgomot:

oL i
V V MZL = ) 1 (
'
; ) 1 (
' '
=
i oH
V V MZH
d a
pa i
R k
V V
1
) 1 (
'
+ = ;
d a
DD
d a
pa i
R k
V
R k
V V
3
8 2
) 1 ( ' ' + = ;
- tensiunea de transfer logic rezult din relaia:
prL prL o
V V v = ) ( ;
- caracteristici de alimentare:

d
DD
d
oL DD
DDL
R
V
R
V V
I

= ; ; 0 =
DDH
I

d
DD
d
R
V
P
2
2
= ; comentarii.
* regimul tranzitoriu:

- P1-P2: timp de comutare neglijabil;
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 5
Circuite logice cu TMOS
- P2-P3: T saturat:

t i
C
V t v
D
s
DD o
1
) ( = ;
( )
2
2
pa DD
a D
V V
k i

= ;
- se termin faza cnd TMOS intr n zona liniar:

pa DD Dsat
V V V V = =
1
; rezult:
( )
( )
pa DD
pa
a
pa DD
pa
pa DD a
s
pa DD
a
pa s
V V
V
V V
V
V V k
C
V V
k
V C
t

=

=

=
2
2
2
1

- constanta de timp:
( )
pa DD a
s
a
V V k
C

=
2

- P3-P4: TMOS n zona liniar:
( )

=
2
2
o
o pa DD a D
v
v V V k i se neglijeaz
d
R
i :

( )

=
2
2
o
o pa DD a
o
s
v
v V V k
dt
dv
C

( )
2
2 2
o o pa DD
o
s
a
v v V V
dv
dt
C
k

= se integreaz:
( ) ( )
o
v
V V
o pa DD o pa DD s
a
dv
v V V v V V
t
C
k
o
pa DD

2
1 1
) 2
1
2



( ) ( )
o pa DD
o
pa DD s
a
v V V
v
V V
t
C
k

=
2
ln
) 2
1
2

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 6
Circuite logice cu TMOS

( )
o
o pa DD
a
v
v V V
t

=
2
ln
2

;
- se deduce simplu:
( ) ( )

=
+
=

t
th V V
e
V V t v
pa DD
t
pa DD o
1
1
1
2 ) (
2

- timpul de comutare
2
t se deduce:
( )
pa DD o
V V t v = 1 , 0 ) (
2

a
a
t

45 , 1 19 ln
2
2
= .

- comparaie pentru diferite posibiliti de descrcare a unei capaciti;
* comutarea invers:
- ncrcare prin rezisten fix (de valoare mare) la sursa de tensiune:
- fenomenele fizice: compararea curenilor de descrcare a capacitii cu
curentul de ncrcare a capacitii:
desc inc
t t >> .
( )
s d
C R
t
DD oL DD o
e V V V t v

+ = ) (

d s f
R C t 3 , 2 =
+
- foarte mare

2. Inversorul NMOS cu sarcin TMOS n zona liniar

- apar astfel de scheme n structuri nMOS dinamice;
- se folosesc dou surse de tensiune de alimentare;
- tranzistoarele sunt ambele cu canal indus;
- se obine o rezisten dinamic mai mic pentru ncrcarea capacitii de
sarcin;
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 7
Circuite logice cu TMOS
- tranzistorul de sarcin ocup o suprafa mult mai mic dect rezistena de
dren;
- nivelul logic UNU este fixat de tensiunea de alimentare
DD
V ;
- nivelul logic ZERO depinde de geometriile celor dou tranzistoare;
- parametrii statici sunt mai buni ca la circuitul precedent;
- s-a folosit ca circuit logic n cazul tranzistoarelor MOS cu canal P la care
tensiunea de prag nu putea fi bine controlat, tensiunile de alimentare fiind
relativ mari pentru a putea acoperi dispersiile acesteia;
- timpii de comutare sunt comparabili cu cei ai schemei precedente, cu avantajul
c, la integrare, suprafaa ocupat de acest circuit este mult mai mic dect a
celui precedent i, deci, i capacitile parazite sunt mult mai mici.


3. Inversorul NMOS cu sarcin TMOS saturat

* o schem mai mult folosit, n special pentru circuite de memorare static;

- elimin sursa suplimentar;
- tranzistor amplificator; tranzistor de sarcin;
* caracteristica de transfer:
-
p pa i
V V v = < - Ta blocat, Ts n zona liniar:
- ( ) 0
2
1
2
=
oH p DD Ds
V V V i
-
p DD ps DD oH
V V V V V = =
-
p pa i
V V v = > , Ta deschis la saturaie; Ts n saturaie:
- egalitatea curenilor:

( ) ( )
2 2
2 2
p o DD
s
p i
a
V v V
k
V v
k

=


cu notaia:
s
a
k
k
a =
2
; rezult:
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 8
Circuite logice cu TMOS
( )
p i p DD o
V v a V V v =
- caracteristic liniar, cu panta ce reprezint i amplificarea de tensiune pe care
o realizeaz acest montaj;
-
p pa i
V V v = > , Ta n zona liniar, Ts n saturaie:
( ) ( )

=
2 2
2
2
o
o p i a o p DD
s
v
v V v k v V V
k

- se amplific cu
s
k
2
i se ordoneaz dup puterile lui
o
v ;
( ) ( ) [ ] ( ) 0 2 ) 1 (
2 2 2 2
= + + +
p DD p DD p i o o
V V V V a V v v a v
- de aici se deduce simplu ) (
i o
v v ;
- trecerea ntre cele dou zone:

1 1 1 o p i pa i
V V V V V = = ; se obine:

a
aV V
a
V V
V V
p DD p DD
p i
+
+
=
+

+ =
1 1
1
;
* tensiunea corespunztoare nivelului logic ZERO:
- pentru
p DD oH i
V V V v = = , rezult aproximativ:

( )
( )
p DD
p DD
oL
V V a
V V
V
2 2
2
2


- comentarii: a,
p DD
V V ;
- semnificaia lui
a s
s a
s
a
L Z
L Z
k
k
a = = ;
- margini de zgomot statice:

p i
V V = ) 1 (
'
;

+ = 1
3
2
) 1 (
2
' '
a
a
V V
V V
p DD
p i
;
- tensiunea de prag logic:

a
aV V V
V
p p DD
prL
+
+
=
1
;
* caracteristici de alimentare:
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 9
Circuite logice cu TMOS

( ) ( )
2
2
2
2 2
; 0
p DD
a
p DD
s
DDL
DDH
V V
a
k
V V
k
I
I
= =
=

( )
2
2
4
p DD DD
a
d
V V V
a
k
P =
* regim tranzitoriu

- comutarea direct: dac se neglijeaz curentul tranzistorului de sarcin,
descrcarea capacitii de sarcin se face prin tranzistorul amplificator, ca la
inversorul cu sarcin rezistiv:
- P2-P3, zona de saturaie:
( ) t V V
C
k
V V t i
C
v t v
p DD
s
a
p DD Da
s
o o
2
2
2
1
) 0 ( ) ( = = ;
= = = =
p oH p GSa a Dsat P P o
V V V V V t v ) (
3 2 p DD
V V 2 ;

( )
p DD
p
a
p DD
p
p DD a
s
P P
V V
V
V V
V
V V k
C
t
2 2 2
2
3 2

=

= ;
- P3-P4, zona liniar:
( )

=
a
p DD o
t
th V V t v

1 2 ) ( ;

a P P
t 45 , 1
4 3
=
- comutarea invers: tranzistorul amplificator se blocheaz i capacitatea de
sarcin se ncarc prin tranzistorul de sarcin ce funcioneaz n zona de
saturaie:
( )
2
2
o p DD
s o
s
v V V
k
dt
dv
C =


( )


=
o
oL
v
V
o p DD
o
s
s
v V V
dv
k
C
t
2
2
=
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 10
Circuite logice cu TMOS

( )

o
v
o p DD
o
s
s
v V V
dv
k
C
t
0
2
2
sau:

( )
p DD s
s
V V k
C
t

=
2

o p DD
o
s
o p DD
o
v V V
v
v V V
v

=

;

( )
p DD s
s
s
V V k
C

=
2

( )
s
p DD o
t
t
V V t v
+
= ) ( ; ( )
p DD P P o
V V t v = 9 , 0 ) (
1 4


s P P
t 9
1 4
= ;
2
a
a s
= ;
4 2 1 4 P P P P
t t >> .
- comentarii:
- nMOS nlocuit cu nMOS cu canal iniial;
- tranzistoare complementare CMOS;
- scheme dinamice.
* structuri logice elementare cu inversoare nMOS:

SAU-NU I-NU I-SAU-NU
- circuite de tip buffer:

inversor neinversor
- poarta de transmisie:
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 11
Circuite logice cu TMOS

- circuit basculant bistabil:

4. Inversorul NMOS cu sarcin TMOS cu canal iniial

* generaliti:
- tranzistorul de sarcin cu canal iniial;
- canalul iniial se realizeaz prin implantare ionic;
- performane superioare celorlalte inversoare cu MOS;
- folosit la microprocesorul integrat 4004;


* schema de principiu i caracteristicile statice ale TMOS cu canal iniial:

- TMOS cu canal iniial este ial este mereu n conducie, la saturaie sau n zona
liniar;
- caracteristica TMOS cu canal iniial i caracteristicile TMOS amplificator:
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 12
Circuite logice cu TMOS

caracteristici de ieire caracteristica de transfer

- TMOS cu canal iniial este n conducie n saturaie sau n zona liniar;
- tranzistoarele sunt caracterizate prin 0 >
a
p
V ; 0 <
s
p
V ;
a
k i
s
k ;
- tensiunea poart surs a TS este nul;
- tranzistoarele trec prin toate zonele de funcionare;
- caracteristica de transfer are 4 zone n funcie de starea tranzistoarelor:
* zona I: Ta blocat, Ts deschis la limit, n zona liniar:

a
p i
V v < ; ( )
( )
0
2
2


=
oH DD
oH DD
s
p s
s
D
V V
V V V k i ;
- rezult:
DD oH
V V = (rezult utilizare bun a tensiunii de alimentare);
* zona II: Ta n saturaie, Ts n zona liniar:

a
p i
V v > ;
s
D
a
D
i i = ;
2
a
k
k
s
a
= ;
( ) ( )
( )
0
2 2
2
2


=
o DD
o DD
s
p s
a
p i
a
v V
v V V k V v
k
;
( ) ( )
2
2
2
a
p i
s
p
s
p DD o
V v a V V V v + + =
(pn la intrarea n saturaie a lui Ts);
-
s
p DD o
V V V + =
1
(tensiunea dren-surs devine egal cu valoarea
absolut a tensiunii de prag avnd n vedere c tensiunea poart-surs este nul);
- rezult:
a
p
s
p
i
V
a
V
V + =
1

* zona III: Ta n saturaie, Ts n saturaie:
- conform SAH, pant infinit, se poate determina doar tensiunea de
intrare, dar nu se poate preciza tensiunea de ieire:
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 13
Circuite logice cu TMOS
- tensiunea de prag logic se detemina fie ca valorea limit calculat
anterior, fie din egalitatea curenilor celor dou tranzistoare n saturaie;
( ) ( )
2 2
2 2
s
p
s
a
p prL
a
a
D
V
k
V V
k
i = =
a
p
s
p
prL
V
a
V
V + = ;
observaie: tensiunea de prag logic depinde numai de tensiunile de prag ale celor
dou tranzistoare i de factorul a i trebuie s aib o valoarea care s asigure
margini de zgomot statice ct mai mari, deci:
2
DD
prL
V
V ;
* zona IV: Ta n zona liniar, Ts n saturaie:

prL i
V v > ;
( ) ( )

= = =
2 2
2
2
o
o
a
p i a
a
D
s
p
s
s
D
v
v V v k i V
k
i
( ) ( )
2
2
2
1
2
s
p
a
p i o o
V
a
V v v v +
( ) ( )
2
2
2
1
s
p
a
p i
a
p i o
V
a
V v V v v =
- tensiunea corespunztoare nivelului logic ZERO:

( ) ( )
2
2
2
1
) (
s
p
a
p DD p DD oH o oL
V
a
V V V V V v V = = ;
valoarea aproximativ:
( )
a
p DD
s
p
oL
V V a
V
V

2
2
2
) (
; influena lui a;
* marginile de zgomot statice se deduc conform definiiilor;
* alegerea parametrilor tranzistoarelor:
- micorarea ariilor ocupate;
- asigurarea curenilor de ncrcare a acapacitilor de valoare mare;
- timpi de comutare mici i ct mai apropiai ca valoare;
-
a
p
V - mic pentru a avea curent mare de deswcrcare a capacitii de sarcin;
- mare pentru a avea margine de zgomot mare;
- se alege
DD
a
p
V V 2 , 0 = (la
DD
V impus);
-
s
p
V - mare pentru a avea curent mare de ncrcare a capacitii de sarcin;
- mic, pentru
oL
V mic;
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 14
Circuite logice cu TMOS
- se alege n aa fel nct curentul maxim al TMOS sarcin s fie egal cu
curentul maxim pe care este capabil s-l asigure cellat tranzistor n saturaie
(dac ar avea acelai factor de conducie):

a
p DD
s
p
V V V = , de unde:
DD
s
p
V V 8 , 0 = ; rezult i: 2 a (mult mai
bine ca la inversorul precedent unde a trebuie s fie mai mare dect 5;
* curenii de alimentare:
- 0 =
DDH
I ; ( )
2
2
1
s
p s DDL
V k I = ;
- ( )
3
2
16 , 0
4
1
DD s DD
s
p s d
V k V V k P = =
- observaie: dependena de puterea a treia a lui
DD
V .
* regim tranzitoriu:
- comutarea direct:
- descrcare prin curent constant:
( ) t V V
C
k
V t v
a
p DD
s
a
DD o
2
2
) ( = ;

( ) ( )
a
a
p DD
a
p DD
a
a
p DD a
a
p s
V V
V V
V V k
V C
t 31 , 0
2
2 2
1
=

= cu:

DD a
s
a
V k
C 2
=
- descrcare prin curent variabil:

( )
( )
o
o
a
p DD
a
p DD a
s
v
v V V
V V k
C
t

=
2
ln
2
1 2
cu:

a
a
p DD
DD
DD a
s
V V
V
V k
C
t 81 , 1 19 ln
2
1 2
2
=

= ;
- durata frontului:
a fHL
t 12 , 2 ;
- timpul de propagare:
a pHL
t 1 , 1 ;
- comutarea invers:
- ncrcare prin Ts saturat:
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 15
Circuite logice cu TMOS
( )
2
2
s
p
s o
s
V
k
dt
dv
C = cu 0 ) 0 ( =
o
v ;
( ) t V
C
k
t v
s
p
s
s
o
2
2
) ( = ;

s
p DD o
V V t v + = ) (
3

( )
( )
( )
( )
a
s
p
s
p DD DD
s
a
DD s
s
s
p DD
s
p s
s
a
V
V V V
k
k
V k
C
V V
V k
C
t
2
2 2
3
31 , 0
2 2
=
+
= + =
- ncrcare prin Ts n zona liniar:
( )
( )


=
2
2
2
2
o DD
o DD
s
p
s o
s
v V
v V V
k
dt
dv
C cu condiia
iniial:
s
p DD o
V V v + = ) 0 ( ; rezult:

DD o
o DD
s
p
s
p
s
s
V v
v V V
V
k
C
t

+
=
2
ln
1 2
;
- timpul de ncrcare:

a
s
p
s
s
a
V
k
C
t
2
4
81 , 1 19 ln
2
1 1 2
= =
- durata frontului cresctor:
a fLH
a t
2
12 , 2 = .
* exemple de circuite:
- circuite SAU-NU, i-NU, I-SAU-NU ca la NMOS

- circuite de tip buffer:
Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite) 16
Circuite logice cu TMOS

- tranzistoare de trecere.