Convertoare statice

EVALUARE
- activitatea de laborator: 25%
- activitatea la proiect: 25%
- lucrare de control dup primele 7 sptmni (partial): 25%
- examen final scris: 25%
Condiii de promovare
-predarea proiectului;
-efectuarea integrala a laboratorului;
-obinerea a minim 50 % din punctajul total
Exemplu:

40 - 49,99 puncte = nota 4

50 54,99 puncte = nota 5
55 64,99 puncte = nota 6
2

Coninutul cursului
1. Introducere. Locul si rolul electronicii de putere
2. Dioda de putere. Construcie. Funcionare. Caracteristici. Parametri caracteristici.
Regimul dinamic la intrarea in conducie si la blocare. Regimul termic permanent si
tranzitoriu. Protecie.
3. Tiristorul. Construcie. Scheme echivalente. Funcionare. Ecuaia de funcionare.
Caracteristici. Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in conducie si la
blocare. Regimul termic. Protectie.
4. GTO. Construcie. Scheme echivalente. Funcionare. Ecuaia de funcionare.
Caracteristici. Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in conducie si la
blocare. Protectie.
5. Componente derivate din tiristor: Triac, ASCR, RCT, LAT, IGCT, MCT

Coninutul cursului
6. Tranzistorul bipolar de putere si tranzistorul Darlington. Construcie. Scheme
echivalente. Funcionare. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul
dinamic la intrarea in conducie si la blocare.
7. Tranzistorul MOS de putere. Construcie. Scheme echivalente. Funcionare.
Tipuri de MOS. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul dinamic la
intrarea in conducie si la blocare.
8. Tranzistorul IGBT. Construcie. Scheme echivalente. Funcionare. Tipuri de
IGBT. Caracteristici.Parametri caracteristici. Regimul dinamic la intrarea in
conducie si la blocare.

Coninutul cursului
11. Conversia c.a.-c.c.: Redresoare necomandate i comandate.
Redresorul monofazat monoalternan, necomandat i comandat,
funcionnd cu sarcin R i RL;
Redresorul monofazat bialternan n punte comandat i necomandat,
funcionnd cu sarcin normal;
Redresorul trifazat cu punct median comandat i necomandat, funcionnd
cu sarcin normal;
Redresorul trifazat n punte comandat i necomandat, funcionnd cu
sarcin normal; Funcionarea cu sarcina RLE n regim de invertor. Caracteristica
extern a redresorului.
Interactiunea redresor reea si redresor sarcina.

BIBLIOGRAFIE MINIMALA
1. Ionescu Fl., Nitu S., Floricau D.: Electronic de putere. Dispozitive semiconductoare de
putere .216 pag.,Ed.ICPE, Bucuresti 2000, ISBN 973-8067-15-4
2 .Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C. : Electronica de putere II :"Convertoare
statice" Editura Electra, Bucuresti 2004, 389 pag., ISBN 973-8067-15-4
3. Ionescu Fl, Floricu D., Niu S., Six J.-P., Delarue Ph., Bogu C. : Electronic de
putere. Convertoare statice. Ed Tehnic 1998, 493 pag.,ISBN 973-31-1262-3.
4. Ionescu Fl.: Diode i redresoare de putere, Ed. Tehnic 1995, 290 pag. ISBN 973-310721-2
5. Ionescu Fl., Rou E.,Six Jean-Paul, Dakyo B.,Milent E., Nichita C. :Exercices
dlectronique de puissance". Ed.Tehnic, 2001, 230 pag., ISBN 973-31-2100-2. In limba
francez
6. Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C., Lazar L.: Componente semiconductoare
de putere. Indrumar de laborator, Lit.UPB, Bucureti, 2006
7. Ionescu Fl.,Nitu S.,Floricau D.,Mihalache C.:Convertoare statice de putere. Indrumar
de laborator, Lit UPB, Bucureti, 1997
6

Convertoare statice
CURS 1

http://electro.curs.pub.ro/2013/

Introducere. Locul si rolul electronicii de putere

1. Dioda de putere.

Diodele semiconductoare de putere sunt dispozitive semiconductoare

necomandabile, unidirecionale n curent i n tensiune.

A
a)

p ++

p
b)

n ++

Jpn

n structura sa exist o singur jonciune p-n, dei are trei straturi semiconductoare:
cele dou exterioare (dopate p, respectiv n) sunt puternic dopate (notate din acest motiv
p++, respectiv n++) i permit vehicularea unui numr mare de purttori de sarcin liberi.
Datorit lor, o diod de putere poate suporta densiti de curent medii de 60100
A/cm2, valori necesare frecvent n electronica de putere. Stratul median este slab dopat
(cel mai adesea p), astfel nct jonciunea p-n se realizeaz ntre un strat slab dopat i unul
puternic dopat. Numai n felul acesta jonciunea poate suporta tensiuni inverse mari, de
15 kV, fr s se strpung. Diferena mare de potenial ntre anod i catod se regsete
practic n ntregime pe stratul slab dopat, strat n care se extinde zona de blocare (srac n
purttori de sarcin liberi) de la jonciunea p-n.
10

vF
+

iF
a)

vR
K

- -

iR K

b)

polarizat direct, cu o tensiune exterioar aplicat cu borna pozitiv la anodul diodei i cu

cea negativ la catod, situaie n care mrimile caracteristice se noteaz cu indicele F (VF i
IF), iar dioda asigur continuitatea circuitului, dac este n conducie, adic tensiunea la
bornele ei depete o anumit valoare, numit tensiune de prag;

polarizat invers, cu o tensiune exterioara aplicat cu borna pozitiv la catodul diodei i cu

cea negativ la anod, situaie n care mrimile caracteristice se noteaz cu indicele R (VR i
IR), iar dioda asigur ntreruperea circuitului (prin jonciune circul un curent invers foarte
mic, de ordinul mA);

nepolarizat, fr tensiune exterioara aplicat, situaie n care dioda asigur ntreruperea
circuitului, dar care este fr importan practic n domeniul convertoarelor statice de putere.

11

1.1. CARACTERISTICA
STATIC

IF

i=i F [A sau kA]

F

VRSM

VF
-

+
A

v=vR VBR VRRM

[kV]

CI

V0

IRM V VF
T

I F r on V K
To

v=vF [V]

VR
C III
S

+
IR

roff K

i=i R [mA]
12

Caracteristica direct corespunde polarizrii directe a diodei, se numete i

caracteristica de conducie i este reprezentat prin ramura OF. Curentul
i=iF i tensiunea v=vF corespunztoare sunt considerate pozitive, motiv pentru
care se traseaz n cadranul unu al planului (i,v).

v F = VT 0 + rT i F
rT este rezistena dinamic a diodei (dat de catalog)

rT =

dv F
d iF

rT =

dv F
V
ctg F
d iF
IF

O diod n conducie este echivalent cu un circuit serie format dintr-o

rezisten de valoare mic ron = rT i o surs de tensiune continu de valoare
VT0.

13

Caracteristica invers corespunde polarizrii inverse a diodei, se numete i

caracteristica de blocare i este reprezentat prin ramura OR. Curentul i=iR i tensiunea
v=vR corespunztoare sunt considerate negative, motiv pentru care se traseaz n cadranul
trei al planului (i,v).
Pentru valori negative ale tensiunii la borne, curentul prin diod este foarte mic, de
10
A100mA i se datoreaz agitaiei termice. Acest curent este neglijabil n raport
cu valorile uzuale ale curenilor n electronica de putere
O diod blocat este echivalent cu o rezisten de valoare mare roff

14

Valoarea maxim a tensiunii inverse este limitat de apariia fenomenului de strpungere

prin avalan. La depirea tensiunii de strpungere, notat VBR , curentul invers crete brusc,
datorit ionizrilor prin ciocniri repetate i smulgerii de electroni din legturile covalente.
n cataloagele productorilor de diode semiconductoare de putere este indicat tensiunea VRRM ,
numit tensiune invers repetitiv maxim i care reprezint valoarea de vrf a tensiunii
inverse ce poate fi aplicat diodei, periodic (repetitiv), fr ca ea s se distrug.
Curentul invers corespunztor tensiunii VRRM este curentul invers maxim, notat IRM i
indicat de asemenea n cataloagele de diode.
Unii productori dau i tensiunea VRSM , tensiunea invers maxim accidental, care poate fi
suportat de diod n mod singular, fr s se strpung. Strpungerea diodei este
ireversibil i nseamn distrugerea dispozitivului semiconductor, deoarece acesta i pierde
proprietatea de conducie unidirecional. Pe caracteristica static, acest regim este reprezentat
de poriunea RS din cadranul trei al planului (i,v).

15

Exemplu de caracteristica static direct, pentru dou temperaturi de

funcionare (data de catalog)

IF
[kA]

Tvj=25 C
o

Tvj=150 C

VF [V]

16

1.2. CARACTERISTICA
DINAMIC
Caracteristica dinamic reprezint variaia n timp a curentului prin diod i a
tensiunii la bornele acesteia, n regim dinamic de funcionare, adic n comutaie.
Prin comutaie se desemneaz trecerea diodei din stare de blocare n stare de
conducie (proces denumit comutaia n direct) i invers, din stare de conducie n
stare de blocare (proces denumit comutaia n invers).

17

CARACTERISTICA DINAMIC

i ,v
IF

_ di F
dt

i
VFM
1,1 VF

t rr
ts

v
vF

t0

IR

tfr

t1

0,25I RRM
0,9I RRM

RRM

tf
t3

t2

t4

Qf

VR

Qs

VRM
18

1.2.1. Comutaia n direct

Trecerea diodei din stare de blocare sau de nepolarizare n stare de conducie (comutaia n
direct) se face ntr-un interval de timp foarte scurt, de cteva ns, notat tfr i numit timp
de comutaie n direct. Acest timp este necesar ca, ncepnd cu momentul t0, cnd diodei i
se aplic o tensiune direct, zona srac n purttori de sarcin liberi, din preajma jonciunii
p-n, s fie invadat de purttori de sarcin liberi, provenii din zonele puternic dopate i s
capete astfel conductibilitate electric ridicat.
La bornele diodei apare o supratensiune direct de comutaie, VFM, care depinde de
panta curentului direct prin diod i de valoarea lui stabilizat IF, deci, mai mult de
circuitul exterior dect de proprietile diodei.

19

1.2.2. Comutaia n invers

Trecerea diodei din starea de conducie n starea de blocare (comutaia n invers)
dureaz un timp mai lung, definitoriu pentru proprietile de comutaie ale diodei.
La momentul t1, se aplic diodei o tensiune invers. Este nevoie de timp pentru ca
purttorii de sarcin liberi s prseasc zona jonciunii prin difuzie sau recombinare.
Curentul scade, dar nu se oprete la valoarea practic nul a curentului invers de regim,
IR, ci scade n continuare pn la curentul IRRM (curent invers de revenire maxim),
astfel nct toi purttorii de sarcin liberi, care au existat n zona jonciunii, s fie
evacuai i jonciunea s i recapete proprietile izolante. Scderea curentului se face
cu viteza , d i F
care este impus de caracteristicile circuitului i de tensiunea
dt
invers aplicat.

20

Comutaia n invers
Timpul scurs din momentul trecerii curentului prin zero, de la valori pozitive, ctre valori
negative (notat cu t2), pn n momentul atingerii valorii inverse maxime, IRRM
(notat cu t3) se numete timp de stocare i se noteaz cu ts. n acest interval de timp,
tensiunea scade de la VF la zero, iar n jonciune se acumuleaz o cantitate de sarcin
electric, numit sarcin stocat, notat Qs i definit de relaia:

Qs =

ts

i dt

Timpul scurs din momentul atingerii valorii inverse maxime, IRRM (notat cu t3) pn n
momentul t4 se numete timp de cdere i se noteaz cu tf . Momentul t4 se obine prin
intersecia abscisei cu o dreapt ajuttoare .. Dreapta se construiete unind punctele de
ordonate 0,9IRRM i 0,25IRRM i aproximeaz variaia curentului invers care scade de la IRRM
la IR. Cnd curentul invers ncepe s scad, datorit energiei acumulate n cmpul
magnetic al inductivitilor din circuit, apare o supratensiune de comutaie invers VRM .
Aceast supratensiune este normal n funcionarea diodei, dar trebuie luate msuri ca ea
s nu depeasc tensiunea VRRM.
21

Comutaia n invers
Se definesc:
tf

Qf = i dt

trr

Qrr = Qs + Q f = i d t

t rr = t s + t f
Dup mrimea lui trr diodele se clasific n :
- diode rapide (de comutaie), cu trr < 10
s
- diode normale , cu trr > 10
s.

22

Comutaia n invers
n cataloage, este indicat grafic modul de cretere al sarcinii Qs sau Qrr ca funcii de (-di/dt),
cu IF ca parametru.
Circuitul de for determin (-di/dt) i IF.
Caracteristicile diodei determin Qs sau Qrr ;
Se pot determina IRRM i ts , aproximnd variaia curentului cu o variaie liniar, adic :

di

= const = tg
dt

ts =

2Qs
di

dt

s
di
d i t s2
i
Qs = t d t =
t dt =
t
dt
dt 2
0
0

ts

I RRM

di
= 2Qs
dt
23