Proprietati electrice

investigate
prin tehnica AFM

MICROSCOPIA DE FORTA ATOMICA (AFM)

Moderna
Precisa
Simpla
Eficienta
Spectaculoasa
Rezolutie spatiala pana la nivel de atom
Gerd BINNIG and Heinrich ROHRER
invented the Scanning Tunneling
Microscope in 1981 working at IBM
Zurich. Binnig also invented the Atomic
Force Microscope with Calvin Quate in
1986 while spending a year at Stanford
University. Binnig and Rohrer received
the
NOBEL PRIZE
for physics in 1986

Investigarea morfologiei
suprafetelor
Proprietati locale:
magnetice
electrice
termice
mecanice

Microscop
optic

calculatorul

Platforma
pentru
proba

Masa
antivibratii

Electronica
de control

Sistem
de iluminare
SISTEM AFM-COMPONENTE PRINCIPALE

Schema general a microscopului de for atomic

Imaginea schematic a unei sonde AFM

MICROSCOPIA DE FORTA ELECTRICA

(EFM)

DISTRIBUTIA
CAPACITATII
ELECTRICE
C(x,y)

MICROSCOPIA
DE
CAPACITATE

DISTRIBUTIA
POTENTIAL DE
SUPRAFATA
(x,y)

METODA
KELVIN

imaginea SEM
a unui vrf AFM standard

imaginea SEM a
unui vrf AFM acoperit
cu un film conductor

Circuitul pentru msurarea

interaciunii electrice dintre vrf i prob

dielectric,
semiconductor

U0
U ~ U 1 sin t

U U 0 U1 sin t x, y
CU 2
E
2

tensiune varf-proba

F grad E
E
1 2 C
Fz
U
z
2
z

forta electrica
de interactiune
varf-proba

Componenta z a forei electrice care acioneaz asupra vrfului din partea probei:
2
1

1 2
1 2
C

x
,
y

x
,
y
U
sin

U
cos
2

0
1
0
1
1

2
4
z
2

Fz

1
1 2 C
2
Fz 0 U 0 x, y U 1
2
2
z

Fz U 0 x, y U 1 sin t

C
1

Fz 2 U12 cos 2t
z
4

C
z

componenta constanta
componenta cu frecventa
componenta cu frecventa 2

VARF-SUPRAFATA

1 2 C
1 2 R2
FPS U
U 2
2
z
2
h
R - raza caracteristic rotunjirii vrfului
h - distana dintre vrf i suprafa

SUPRAFATA-VARF

1 2 C
1 2 LW
FCS U
U 2
2
z
2
H
L - lungimea cantileverului
W - limea cantileverului
H - nlimea vrfului msurat de la
mijlocul bazei cantileverului

(100 m)

(30 m)

(30 m)

forta VARF-SUPRAFATA >

forta SUPRAFATA-VARF

FPS FCS
R 2 LW
R2 H 2

h
2
h
H
LW

(h < 10nm)

Tehnica dublei treceri n microscopia de for electric

VARFUL
CONDUCTIV

SUPRAFATA
PROBEI

COULOMB

FAZA
FRECVENTA
AMPLITUDINEA

IMAG. EFM
C(x,y)
frecventa 2

IMAG. SP
(x,y)
Amplitudinea
de oscilatie cu
frecventa

Uo=(x,y)

APLICATII
ale microscopiei de for electric
i ale
nregistrrii potenialului de
suprafa
proba aluminiu, 8m x 8m

> 160 mV
TOPOGRAFIA

IMAG. SP

Detectare a contaminarii materialului

si a defectelor de fabricatie
insule de tungsten (200nm) pe substrat de siliciu, 76m x 76m

reziduu
ramas
in urma
decaparii
TOPOGRAFIA

IMAG. SP

EFM detecteaza regimul de saturatie al tranzistorului

circuit integrat acoperit cu un strat decapant, 80m x 80m

TOPOGRAFIA

IMAG. EFM
semanlul electric arata ca
tranzistorul din stanga
este in saturatie

Bariera de potential a limitei granulare

celule solare
senzori de gaz
rezistori

aluminiu-cupru, 20m x 20m

TOPOGRAFIA

IMAG. SP

Rezistenta electrica prin structura granulara de suprafata

poate fi de pana la 1000 ori mai mare decat a unei granule

Pozitionarea structurii granulare

Masurarea caderii de potential (~350mV)
varistor pe baza de ZnO, 10m x 10m
+4V

0V

-4V
IMAG. SP

Gradient al campului electric mai ridicat

nanofire in matrice dielectrica Al2O3, 1,7m x 1,7m

TOPOGRAFIA

IMAG. EFM