Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
BC
BI
BV
Fig. 1
Probabilitatea de ocupare a unei stri energetice W de ctre un electron, este dat de funcia
de distribuie Fermi-Dirac:
f (W ) =
1
.
W WF
exp
+1
kT
(1)
WF se numete nivel Fermi (nivelul de energie maxim pe care l pot ocupa electronii la
temperatura de zero absolut T=0K ), iar k este constanta lui Boltzman ( k = 1,38054 10 23 J/K).
ni =
2
.
Wi W F
exp
+1
kT
(2)
La T=0K, nivelul Fermi poate fi situat fie ntr-o zon interzis, fie ntr-o zon permis. n
ambele cazuri, pentru Wi < WF rezult ni = 2 i pentru Wi > WF rezult ni = 0 .
Ultima band complet sau parial ocupat cu electroni se numete band de valen, iar
banda complet liber, de deasupra benzii de valen se numete band de conducie.
Astfel, n funcie de modul de ocupare la temperatura de 0 K a benzilor de energie de ctre
electroni, solidele pot fi mprite n dou mari grupe (Fig. 2):
a) solide care au banda de valen complet ocupat cu electroni (semiconductori i izolatori);
b) solide care au banda de valen parial ocupat cu electroni (metale sau conductori).
Figura 2
SEMICONDUCTORI
Semiconductorii sunt substane a cror conductivitate electric este cuprins ntre
(10
10
-1
Ge
Ge
electron liber
Ge
gol
Ge
Ge
E ext
(-)
(+)
e
electron liber
B.C.
e
e
Wc
Wg = W
B.I.
Wv
e
e
gol
B.V.
e
(1)
Deoarece concentraia electronilor este egal cu a golurilor i variaz cu temperatura dup legea
W
ni = n0 = p 0 = const T 3 2 exp
,
2kT
(2)
unde W este limea benzii interzise, iar k = 1,38 10 23 J K este constanta lui Stefan-Boltzmann,
conductivitatea electric a semiconductorului intrinsec va fi:
W
,
2kT
= n0 e( n + p ) = 0 exp
(3)
unde 0 = pentru T .
- impuriti donoare, care au valena mai mare dect valena atomilor semiconductorului
- impuriti acceptoare, care au valena mai mic dect valena atomilor semiconductorului
Ge
Ge
electron liber
(B.C.)
Ge
Ge
Fig.1. Cristal semiconductor de Ge impurificat cu atomi din grupa a V-a a tabelului periodic
W
e
e
B.C.
e electron liber
e
e
Wc
N.D.(V)
B.I.
Wg = W
Wv
B.V.
gol
Ge
Ge
III
ele
c
de t ron c
de atom a pt
i mp ul at
uri
tate
gol (B.V)
Fig. 3. Cristal semiconductor de Ge impurificat cu atomi din grupa a III-a a tabelului periodic
W
e
B.C.
e electron liber
e
e
Wc
Wg = W
B.I.
e electron legat
N.A.(III)
Wv
B.V.
(1)
ionizare Wd mai mic dect limea benzii interzise ( Wd < W ) (fig. 2).
W
e
e
B.C.
e electron liber
e
e
Wc
N.D.(V)
B.I.
Wg = W
Wv
B.V.
gol
(2)
La o anumit temperatur Te toi donorii sunt ionizai (are loc fenomenul de epuizare). Dac
temperatura crete n continuare, la o anumit temperatur Ti ncep procesele de excitare termic a
electronilor din BV n BC. n intervalul de temperaturi Te < T < Ti , concentraia electronilor din BC
este egal cu concentraia donorilor, adic
n = Nd .
(3)
La temperaturi mai nalte T > Ti , cnd au loc i procese de generare intrinsec, concentraia
total a electronilor liberi din BC va fi dat de relaia:
n = ni + N d ,
(4)
unde ni se calculeaz cu ajutorul relaiei (1). La aceste temperaturi ncep s apar i goluri libere a
cror concentraie va fi egal cu ni .
Dac temperatura crete n continuare i este satisfcut egalitatea
ni >> N d ,
(5)
ln n
2 kT
n exp
n exp
Wd
2kT
n=N d
III
II
1/Ti
I
1/Te
1/T
Fig. 5
W
e
e
B.C.
e electron liber
e
e
Wc
Wg = W
B.I.
e electron legat
gol rezultat n urma
tranziiei
N.A.(III)
Wv
B.V.
(6)
Dac toi acceptorii sunt ionizai, atunci concentraia golurilor este practic egal cu
concentraia acceptorilor (regimul de epuizare a acceptorilor), adic
p = Na .
(7)
La temperaturi mai nalte are loc i generarea intrinsec, iar concentraia total a golurilor
din BV va fi dat de expresia:
p = ni + N a .
(8)
(9)
(n)
catod
(p)
anod
- Polarizarea direct:
p
n
E ext
Ei
mA
V
Fig. 3
- Polarizarea invers:
p
n
E ext
Ei
mA
V
Fig. 4
(II)
U
Curent
direct
I
Us
O
(III)
Ud
(IV)
Curent
invers
Fig. 5
La polarizare direct:
- Tensiunea la care dioda ncepe s conduc se numete tensiune de deschidere U d .
La polarizare invers:
- Dac tensiunea invers aplicat diodei depete o anumit valoare U S numit tensiune de
strpungere, curentul invers crete brusc cu tensiunea; diode stabilizatoare de tensiune.
eU
I = I S exp
1 , unde
kT
I S - curentul de saturaie, U - tensiunea exterioar aplicat, k = 1,38 10 23 J/K - constanta lui
eU
- La polarizare invers, deoarece tensiunea U < 0 , rezult c exp
<< 1 , i astfel valoarea
kT
Deoarece I S este de cele mai multe ori neglijabil n raport cu ceilali cureni din circuit, n
polarizare invers dioda poate fi considerat blocat (ramur de circuit ntrerupt, I = 0 ).
eU
- La polarizare direct, deoarece tensiunea U > 0 , rezult c exp
>> 1 , i astfel valoarea
kT
(1)
Dac dioda semiconductoare este polarizat direct i se afl n stare de conducie, atunci ea
va fi parcurs de un curent a crui valoare poate fi calculat cu relaia (1). Considerm un circuit
de polarizare n curent continuu, reprezentat n figura 1:
U
R
I
Fig. 1
Expresia curentului ce trece prin diod este
I =
1
E
U+ ,
R
R
(2)
iar graficul acestei relaii este o dreapt, numit dreapt de sarcin, cu panta
axele n E i
1
, ce intersecteaz
R
E
(fig. 2).
R
dreapta de
sarcin
caracteristica diodei
I
E
R
M - punctul static de
funcionare
I0
U0
Figura 2
Punctul de intersecie al dreptei de sarcin cu caracteristica volt-amperic a diodei este
punctul static de funcionare al diodei (M). Se numete static pentru c atta timp ct tensiunea de
alimentare a circuitului E i valoarea rezistenei R rmn constante, coordonatele punctului static
de funcionare U0 i I0 nu se modific.
I
<< 1 , putem considera c poriunea
I
caracteristic pe care se deplaseaz punctul static de funcionare este practic o linie dreapt (fig. 2)
i putem introduce rezistena dinamic a diodei definit prin relaia
r=
dU
.
dI
eU
, se obine expresia rezistenei dinamice:
kT
(3)
dI = I S
e
dU 1 kT VT
eU
,
exp
=
=
dU r =
kT
dI
I e
I
kT
(4)
kT
,
e
(5)
unde mrimea
VT =
(6)
(7)
obinem
E = R I + U = R I + r I .
(8)
Relaia (8) caracterizeaz un circuit serie (fig. 3) alctuit dintr-o surs cu tensiunea E , n serie cu
rezistorul R i cu rezistena dinamic a diodei r .
U
R
Figura 3
Mrimile electrice implicate sunt variaiile tensiunilor i curenilor; din legea lui Ohm
rezult variaia curentului
I =
E
,
R+r
(9)
i variaia tensiunii
U = E
r
.
R+r
(10)
I = I 0 exp( d ) ,
(1)
1
.
lf
(2)
BC
>
BI
W
BV
Figura 1
Apariia purttorilor n surplus n regiunea iluminat datorit apariiei perechilor electrongol, determin n acea regiune un dezechilibru de concentraie a purttorilor, astfel c concentraia
electronilor i a golurilor va fi:
n = n 0 + n ,
p = p 0 + p .
(3)
semiconductorilor intrinseci, n = p ).
n, p - concentraia electronilor, respectiv a golurilor dup iluminare.
Apariia sarcinii suplimentare n , p datorit proceselor de fotogenerare, determin o
cretere a conductivitii materialului, fenomen numit fotoconducie.
La ntuneric, conductivitatea materialului are expresia:
0 = e(n0 n + p0 p ) ,
(4)
(5)
(6)
Chiar cnd energia fotonilor incideni este mai mare dect energia de activare ( h W ), nu
toi fotonii incideni pot genera sarcini excedentare, astfel c se definete viteza de generare a
purttorilor de sarcin de neechilibru:
g = 0 ,
unde
(7)
este un coeficient de
(8)
unde - timpul de via a perechilor electron-gol (timpul scurs din momentul generrii pn n
momentul recombinrii).
La echilibru termic i n regim staionar, cnd viteza de generare este egal cu viteza de
recombinare ( g = r ), din relaiile (7) i (8) rezult n , p :
n = 0 = p .
(9)
Dac n expresia fotoconductivitii dat de relaia (5) se utilizeaz relaia (9) pentru concentraia
electronilor i a golurilor de neechibru, se obine fotoconductivitatea:
f = e 0 ( n + p ) .
(10)