Sunteți pe pagina 1din 17

ELEMENTE DE FIZICA SOLIDULUI

TEORIA BENZILOR DE ENERGIE. CLASIFICAREA SOLIDELOR N METALE,


SEMICONDUCTORI I DIELECTRICI
W

BC

BI
BV

Fig. 1
Probabilitatea de ocupare a unei stri energetice W de ctre un electron, este dat de funcia
de distribuie Fermi-Dirac:
f (W ) =

1
.
W WF
exp
+1
kT

(1)

WF se numete nivel Fermi (nivelul de energie maxim pe care l pot ocupa electronii la

temperatura de zero absolut T=0K ), iar k este constanta lui Boltzman ( k = 1,38054 10 23 J/K).

Conform acestei funcii de distribuie, numrul ni de electroni de pe nivelul energetic Wi la


o anumit temperatur T , este dat de relaia:

ni =

2
.
Wi W F
exp
+1
kT

(2)

La T=0K, nivelul Fermi poate fi situat fie ntr-o zon interzis, fie ntr-o zon permis. n
ambele cazuri, pentru Wi < WF rezult ni = 2 i pentru Wi > WF rezult ni = 0 .

Ultima band complet sau parial ocupat cu electroni se numete band de valen, iar
banda complet liber, de deasupra benzii de valen se numete band de conducie.
Astfel, n funcie de modul de ocupare la temperatura de 0 K a benzilor de energie de ctre
electroni, solidele pot fi mprite n dou mari grupe (Fig. 2):
a) solide care au banda de valen complet ocupat cu electroni (semiconductori i izolatori);
b) solide care au banda de valen parial ocupat cu electroni (metale sau conductori).

Figura 2

SEMICONDUCTORI
Semiconductorii sunt substane a cror conductivitate electric este cuprins ntre

(10

10

-1

- 10 3 ( m) i crete odat cu creterea temperaturii.

Se mpart n dou categorii:

1) semiconductori fr impuriti, sau semiconductori intrinseci;


2) semiconductori cu impuriti, sau semiconductori extrinseci.

1) Semiconductori intrinseci (puri)

Ge

Ge

electron liber

Ge
gol

Ge

Ge

Fig. 1 Cristalul de germaniu

E ext

(-)

(+)
e

electron liber

B.C.

e
e
Wc
Wg = W

B.I.

Wv

e
e
gol

B.V.
e

Fig.2. Structura de benzi de energie pentru un semiconductor intrinsec (pur)

Conductivitatea electric a semiconductorului intrinsec:


= n + p = n0 e n + p 0 e p ,

unde n , p reprezint mobilitatea electronilor, respectiv a golurilor.

(1)

Deoarece concentraia electronilor este egal cu a golurilor i variaz cu temperatura dup legea
W
ni = n0 = p 0 = const T 3 2 exp
,
2kT

(2)

unde W este limea benzii interzise, iar k = 1,38 10 23 J K este constanta lui Stefan-Boltzmann,
conductivitatea electric a semiconductorului intrinsec va fi:
W
,
2kT

= n0 e( n + p ) = 0 exp

(3)

unde 0 = pentru T .

2) Semiconductori extrintrinseci (cu impuriti)

- impuriti donoare, care au valena mai mare dect valena atomilor semiconductorului
- impuriti acceptoare, care au valena mai mic dect valena atomilor semiconductorului

Cazul a. Semiconductori de tip n (cu impuriti donoare)

Ge

Ge

electron liber
(B.C.)

Ge

Ge

Fig.1. Cristal semiconductor de Ge impurificat cu atomi din grupa a V-a a tabelului periodic

W
e
e

B.C.

e electron liber
e
e

Wc
N.D.(V)

B.I.
Wg = W
Wv
B.V.

gol

Fig.2. Structura de benzi energetice n cazul unui semiconductor de tip n

Cazul b. Semiconductori de tip p(cu impuriti acceptoare)

Ge

Ge

III

ele
c
de t ron c
de atom a pt
i mp ul at
uri
tate

gol (B.V)

Fig. 3. Cristal semiconductor de Ge impurificat cu atomi din grupa a III-a a tabelului periodic

W
e

B.C.

e electron liber
e
e

Wc

Wg = W

B.I.
e electron legat

N.A.(III)

gol rezultat n urma


tranziiei

Wv
B.V.

Fig.4. Structura de benzi energetice n cazul unui semiconductor de tip p

3) Concentraia purttorilor de sarcin n semiconductori


- Pentru semiconductorul intrinsec
W
ni = n0 = p 0 = const T 3 2 exp
,
2kT

(1)

unde ni poart numele de concentraie intrinsec a purttorilor de sarcin liber, T - temperatura,


W este limea benzii interzise, iar k = 1,38 10 23 J K este constanta lui Stefan-Boltzmann.

Pentru semiconductorul de tip n n care exist donori cu concentraia N d i energia de

ionizare Wd mai mic dect limea benzii interzise ( Wd < W ) (fig. 2).

W
e
e

B.C.

e electron liber
e
e

Wc
N.D.(V)

B.I.
Wg = W
Wv
B.V.

gol

La temperaturi sczute, concentraia electronilor ntr-un semiconductor de tip n este


determinat n principal de electronii excitai de pe nivelele donoare i se poate calcula cu relaia:
W
n = const T 3 2 exp d .
2kT

(2)

La o anumit temperatur Te toi donorii sunt ionizai (are loc fenomenul de epuizare). Dac
temperatura crete n continuare, la o anumit temperatur Ti ncep procesele de excitare termic a
electronilor din BV n BC. n intervalul de temperaturi Te < T < Ti , concentraia electronilor din BC
este egal cu concentraia donorilor, adic
n = Nd .

(3)

La temperaturi mai nalte T > Ti , cnd au loc i procese de generare intrinsec, concentraia
total a electronilor liberi din BC va fi dat de relaia:
n = ni + N d ,

(4)

unde ni se calculeaz cu ajutorul relaiei (1). La aceste temperaturi ncep s apar i goluri libere a
cror concentraie va fi egal cu ni .
Dac temperatura crete n continuare i este satisfcut egalitatea

ni >> N d ,

(5)

atunci semiconductorul cu donori trece n regim de conducie intrinsec.


Aadar, odat cu creterea temperaturii, semiconductorul poate trece de la conducia
electronic la regimul de epuizare i apoi la conducia intrinsec (fig. 5).

ln n

2 kT

n exp

n exp

Wd

2kT

n=N d
III

II
1/Ti

I
1/Te

1/T

Fig. 5

n cazul unui semiconductor de tip p au loc procese similare semiconductorilor de tip

n. La temperaturi mai coborte predomin schimbul de goluri dintre BV i nivelul energetic Wa al


acceptorilor (fig. 4).

W
e
e

B.C.

e electron liber
e
e

Wc

Wg = W

B.I.
e electron legat
gol rezultat n urma
tranziiei

N.A.(III)
Wv
B.V.

Concentraia golurilor n acest caz se poate exprima cu ajutorul relaiei:


W
p = const T 3 2 exp a .
2kT

(6)

Dac toi acceptorii sunt ionizai, atunci concentraia golurilor este practic egal cu
concentraia acceptorilor (regimul de epuizare a acceptorilor), adic
p = Na .

(7)

La temperaturi mai nalte are loc i generarea intrinsec, iar concentraia total a golurilor
din BV va fi dat de expresia:
p = ni + N a .

(8)

Cnd predomin regimul de conducie intrinsec, adic


ni >> N a ,

semiconductorul cu conducie de goluri trece n regim de conducie intrinsec.

JONCIUNEA p-n. DIODA SEMICONDUCTOARE

Fig. 1 jonciunea p-n

(9)

(n)
catod

(p)
anod

Fig. 2 - dioda semiconductoare

- Polarizarea direct:
p

n
E ext
Ei
mA
V

Fig. 3
- Polarizarea invers:
p

n
E ext
Ei
mA
V

Fig. 4

Caracteristica volt-amperic a diodei semiconductoare:


I
(I)

(II)
U

Curent
direct

I
Us
O

(III)

Ud

(IV)

Curent
invers

Fig. 5

La polarizare direct:
- Tensiunea la care dioda ncepe s conduc se numete tensiune de deschidere U d .
La polarizare invers:
- Dac tensiunea invers aplicat diodei depete o anumit valoare U S numit tensiune de
strpungere, curentul invers crete brusc cu tensiunea; diode stabilizatoare de tensiune.

Mecanisme de stpungere a diodei:


- efectul Zener (datorit procesului de tunelare band-band)
- strpungerea n avalan (generarea de noi purttori de sarcin prin ruperea leg. covalente n
urma ciocnirii unui purttor de sarcin cu atomii reelei cristaline).

Expresia intensitii curentului prin dioda semiconductoare:

eU
I = I S exp
1 , unde
kT


I S - curentul de saturaie, U - tensiunea exterioar aplicat, k = 1,38 10 23 J/K - constanta lui

Boltzmann, e = 1,6 10 19 C - sarcina electronului, T - temperatura absolut a jonciunii.

eU
- La polarizare invers, deoarece tensiunea U < 0 , rezult c exp
<< 1 , i astfel valoarea
kT

curentului ce trece prin diod este


I I S .

Deoarece I S este de cele mai multe ori neglijabil n raport cu ceilali cureni din circuit, n
polarizare invers dioda poate fi considerat blocat (ramur de circuit ntrerupt, I = 0 ).
eU
- La polarizare direct, deoarece tensiunea U > 0 , rezult c exp
>> 1 , i astfel valoarea
kT

curentului ce trece prin diod este


eU
I I S exp
.
kT

(1)

1) Dreapta de sarcin pentru dioda semiconductoare

Dac dioda semiconductoare este polarizat direct i se afl n stare de conducie, atunci ea
va fi parcurs de un curent a crui valoare poate fi calculat cu relaia (1). Considerm un circuit
de polarizare n curent continuu, reprezentat n figura 1:
U
R
I

Fig. 1
Expresia curentului ce trece prin diod este
I =

1
E
U+ ,
R
R

(2)

iar graficul acestei relaii este o dreapt, numit dreapt de sarcin, cu panta
axele n E i

1
, ce intersecteaz
R

E
(fig. 2).
R
dreapta de
sarcin

caracteristica diodei

I
E
R

M - punctul static de
funcionare

I0

U0

Figura 2
Punctul de intersecie al dreptei de sarcin cu caracteristica volt-amperic a diodei este
punctul static de funcionare al diodei (M). Se numete static pentru c atta timp ct tensiunea de
alimentare a circuitului E i valoarea rezistenei R rmn constante, coordonatele punctului static
de funcionare U0 i I0 nu se modific.

2) Circuitul echivalent pentru variaii mici

Atunci cnd curentul sufer variaii relative mici

I
<< 1 , putem considera c poriunea
I

caracteristic pe care se deplaseaz punctul static de funcionare este practic o linie dreapt (fig. 2)
i putem introduce rezistena dinamic a diodei definit prin relaia
r=

Prin diferenierea relaiei (1) I I S exp

dU
.
dI

eU
, se obine expresia rezistenei dinamice:
kT

(3)

dI = I S

e
dU 1 kT VT
eU
,
exp
=
=
dU r =
kT
dI
I e
I
kT

(4)

kT
,
e

(5)

unde mrimea
VT =

este tensiunea termic care depinde de valoarea temperaturii.


S presupunem acum c tensiunea E a sursei cu care am polarizat dioda (fig. 1), sufer o
mic variaie E , i dorim s calculm modificarea strii circuitului, adic variaia I a curentului
i variaia U a tensiunii pe diod.
Din legea tensiunilor pentru circuit
E = I R +U ,

(6)

pe care o difereniem i folosim faptul c pentru diod


U = r I ,

(7)

obinem
E = R I + U = R I + r I .

(8)

Relaia (8) caracterizeaz un circuit serie (fig. 3) alctuit dintr-o surs cu tensiunea E , n serie cu
rezistorul R i cu rezistena dinamic a diodei r .
U
R

Figura 3

Mrimile electrice implicate sunt variaiile tensiunilor i curenilor; din legea lui Ohm
rezult variaia curentului
I =

E
,
R+r

(9)

i variaia tensiunii
U = E

r
.
R+r

(10)

ABSORBIA LUMINII N MATERIALE SEMICONDUCTOARE. FOTOCONDUCIA

I = I 0 exp( d ) ,

(1)

I 0 -intensitatea fasciculului luminos care intr n materialul fotosensibil

I - intensitatea fasciculului luminos la ieirea din material


d - grosimea stratului de material n care fotonii sunt absorbii

- coeficientul de absorbie fotonic (a luminii) definit ca inversul lungimii de parcurs a

fotonului n material l f , i este dat de relaia:


=

1
.
lf

(2)

Lungimea de parcurs l f a fotonului n material reprezint drumul strbtut de foton n


adncimea materialului din momentul intrrii acestuia n material pn n momentul generrii
perechii electron-gol.
Dac energia fotonilor incideni h W , atunci n urma absorbiei unui foton va aprea un
electron liber n BC i un gol liber n BV (fig. 1).

BC

>

BI
W

BV

Figura 1

Apariia purttorilor n surplus n regiunea iluminat datorit apariiei perechilor electrongol, determin n acea regiune un dezechilibru de concentraie a purttorilor, astfel c concentraia
electronilor i a golurilor va fi:
n = n 0 + n ,

p = p 0 + p .

(3)

n0 , p0 - concentraia de echilibru a electronilor, respectiv a golurilor naintea iluminrii


n , p - sarcina excedentar electronic ,respectiv sarcina excedentar a golurilor (n cazul

semiconductorilor intrinseci, n = p ).
n, p - concentraia electronilor, respectiv a golurilor dup iluminare.
Apariia sarcinii suplimentare n , p datorit proceselor de fotogenerare, determin o
cretere a conductivitii materialului, fenomen numit fotoconducie.
La ntuneric, conductivitatea materialului are expresia:
0 = e(n0 n + p0 p ) ,

(4)

unde n i p reprezint mobilitile celor dou tipuri de purttori.


Conductivitatea materialului determinat de sarcina de dezechilibru n , respectiv p se
numete fotoconductivitate i are expresia
f = e(n n + p p ).

(5)

Conductivitatea total a materialului va fi


= 0 + f = e[(n0 + n ) n + ( p 0 + p ) p ] .

(6)

Chiar cnd energia fotonilor incideni este mai mare dect energia de activare ( h W ), nu
toi fotonii incideni pot genera sarcini excedentare, astfel c se definete viteza de generare a
purttorilor de sarcin de neechilibru:
g = 0 ,

unde

este coeficientul de absorbie fotonic (a luminii),

(7)
este un coeficient de

proporionalitate, iar 0 reprezint numrul de fotoni ce strbat unitatea de suprafa a


semiconductorului n unitatea de timp.
Odat cu procesul de generare a purttorilor de sarcin, are loc i un proces de recombinare
a electronilor liberi din BC care, deplasndu-se n cristalul semiconductor pot ntlni goluri. Se
definete astfel viteza de recombinare a purttorilor de sarcin electric,.
r=

(8)

unde - timpul de via a perechilor electron-gol (timpul scurs din momentul generrii pn n
momentul recombinrii).
La echilibru termic i n regim staionar, cnd viteza de generare este egal cu viteza de
recombinare ( g = r ), din relaiile (7) i (8) rezult n , p :
n = 0 = p .

(9)

Dac n expresia fotoconductivitii dat de relaia (5) se utilizeaz relaia (9) pentru concentraia
electronilor i a golurilor de neechibru, se obine fotoconductivitatea:
f = e 0 ( n + p ) .

EFECTUL HALL - din carte

(10)