LUCRAREA R.

2 MOSFET

DRUMAR DE LABORATOR
COVERTOARE STATICE

Lucrarea nr.2

MOSFET-ul, ca i BPT (tranzistor bipolar de putere), are trei

terminale: D (dren), S (surs) terminale de for i G (gril sau poart)

terminal de comand. Uzual, sursa este un terminal comun pentru for i

comand.
Un MOSFET de putere are o structur compus din patru straturi
orientate vertical, straturi ce alterneaz, fiind dopate cu purttori p i
respectiv n. Structura n+pn-n+ este numit n sens larg, MOSFET cu canal
n (fig.1), dar poate fi fabricat i o structur cu dopare invers numit
MOSFET cu canal p(fig.2). Tehnologia de fabricare a celor cu canal n
este mai simpl i, din acest motiv, acestea se folosesc n exclusivitate n
electronica de putere.
Tranzistoarele MOSFET sunt aa-numite cu autoblocare. Ele intr n
conducie la aplicarea unui potenial corespunztor pe gril n raport cu sursa
( > 0 pentru tranzistoarele MOS cu canal n, respectiv < 0 pentru cele cu
canal p).
Exist i tranzistoare cu autoconducie. Acestea, datorit structurii
interne, asigur o rezistena drensurs RDS redus, iar prin aplicarea unui
potenial corespunztor pe gril se blocheaz (RDS crete).
n starea de conducie, tranzistoarele MOSFET au o comportare
similar unei rezistene. Valoarea rezistenei n stare de conducie RDS (ON)
este specificat n foaia de catalog a tranzistorului i are valori tipice de
ordinul sutelor de miliohmi.
Datorit caracterului pur rezistiv al tranzistorului MOSFET i
coeficientului pozitiv cu temperatura al rezistenei RDS (ON) nu se pun
probleme deosebite la cuplarea n paralel a mai multor tranzistoare
MOSFET. Dac unul din tranzistoarele cuplate n paralel are o rezisten
RDS (ON) mai mic, aceasta face ca prin acest tranzistor s circule un curent
mai mare, respectiv nclzirea lui s fie mai intens, n consecin RDS (ON)
crete iar curentul scade. Se produce deci un autoreglaj al ncrcrii
tranzistoarelor conectate n paralel.
Un dezavantaj al tranzistoarelor MOSFET l reprezint tensiunea la
care pot fi utilizate (peste 1000 V la cureni mici de1020 A i la tensiuni
reduse de cteva sute de voli la cureni de peste 100 A). S-a ncercat
depirea acestui dezavantaj, obinndu-se o component nou: tranzistorul
cu poart izolat (IGBT Isolated Gate Bipolar Tranzistor) care poate lucra
la 1800 V.
Din punct de vedere al puterii circuitului de comand a tranzistorului
MOSFET, la funcionarea n c.c. puterea necesar este nul datorit porii
izolate, lucru ce nu mai este valabil cnd tranzistorul lucreaz la frecvene de
comutaie ridicate.

14

15

STUDIUL COMUTAIEI TRAZISTOARELOR CU

EFECT DE CMP (MOSFET)
1. Scopul lucrrii
Lucrarea are ca scop studierea comutaiei tranzistoarelor cu efect de
cmp utilizate n convertoarele statice de putere, precum i influena
diferitelor elemente din componena reelei de protecie asupra
caracteristicilor de comutaie ale tranzistoarelor.

2. oiuni teoretice
Tranzistoarelor cu efect de cmp (MOSFET Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor) sunt elemente semiconductoare
utilizate n convertoarele statice de putere a cror comand (intrare n
conducie) se face prin aplicarea unui potenial corespunztor pe terminalul
de comand (gril), fig.1, fig.2, spre deosebire de celelalte elemente frecvent
utilizate(tiristor,tiristor GTO, tranzistor bipolar de putere) a cror comand
se face n curent.
De aici rezult unul din importantele sale avantaje i anume
necesitatea unei puteri de comand foarte mici.
D
D
iD

iD
G

UDS

UDS

UGS

UGS
S
Fig.1 Simbol MOSFET cu
canal n

S
Fig.2 Simbol MOSFET cu
canal p

LUCRAREA R. 2 MOSFET

DRUMAR DE LABORATOR
COVERTOARE STATICE

Comutaia tranzistoarelor MOSFET este mult mai rapid dect a

tranzistoarelor bipolare. Din acest motiv, la fiecare comutaie, pierderile,
deci nclzirea, sunt mai mici i deci tranzistoarele MOSFET pot funciona
la frecvene de comutaie de cel puin dou ori mai mari dect tranzistoarele
bipolare.
Dac tranzistoarele MOSFET lucreaz la tensiuni dren-surs mari,
atunci ele se comport ca o surs de curent i deci curentul de dren poate fi
controlat prin intermediul tensiunii gril-surs. Datorit acestei comportri,
printr-o dimensionare i comand corecte, tranzistoarele MOSFET pot fi
comutate chiar i n caz de scurtcircuit.
Pierderile ce au loc n tranzistor cnd acesta funcioneaz la frecvene
mari de comutaie depind n cea mai mare msur nu de pierderile n
conducie i n stare blocat, ci de pierderile de comutaie. Din acest motiv
aceste pierderi trebuiesc limitate.
Pierderile la intrare n conducie pot fi limitate dac se nseriaz cu
tranzistorul o bobin L1 (fig.3). Aceast bobin are rolul:
de a limita panta de cretere a curentului prin tranzistor la intrarea
n conducie, obinndu-se astfel o limitare a pierderilor p (p
UDSID);
de protecie la scurtcircuit (la apariia unui scurtcircuit, bobina
limiteaz de asemenea panta de cretere a curentului, astfel nct
de la apariia scurtcircuitului pn la stingerea tranzistorului,
curentul s nu depeasc valorile critice).
La blocarea tranzistorului apar probleme datorit inductivitilor din
circuit, ct i datorit supratensiunilor de comutaie.
Pentru reducerea pierderilor la blocarea tranzistorului, este
important i panta de scdere a tensiunii grilei UGS la blocare. Dac panta
acesteia este prea mare, tranzistorul ncepe s se blocheze repede, tensiunea
pe el, UDS crete rapid, iar curentul se reduce considerabil. Datorit vitezei
mari a acestui proces, muli purttori de sarcin rmn n micare, producnd
supratensiuni.
Pentru reducerea acestora se utilizeaz n principiu un condensator C1
(fig.3) conectat n paralel cu tranzistorul. Valoarea capacitii acestui
condensator trebuie s fie suficient de mare astfel nct tensiunea pe el s
ating valori mari abia dup ce curentul prin tranzistor s-a anulat.
Datorit acestui condensator pot apare ns dou probleme:
tendina de apariie a oscilaiilor datorit prezenei inductivitilor
n circuit;

creterea pierderilor la intrarea n conducie datorit descrcrii

condensatorului.
Deoarece sensul curentului prin condensator este diferit la intrarea n
conducie, respectiv la blocarea tranzistorului, aceste probleme se pot
rezolva prin nserierea unei diode V4 (fig.3). Aceasta permite doar
ncrcarea condensatorului la blocarea tranzistorului. La intrarea n
conducie a tranzistorului, condensatorul se va descrca prin rezistena R4
montat n paralel cu dioda V4. n acest fel se reduc pierderile n tranzistor la
intrarea n conducie i factorul de calitate Q=L/R al circuitului oscilant
parazit.
Pentru reducerea supratensiunilor datorate inductivitilor se
conecteaz o diod V3 n paralel cu bobina de limitare a curentului nseriat
cu tranzistorul.
Schema complet a circuitului de limitare a pierderilor de comutaie
este indicat n fig.3.

16

17

R4
R3

V3

V4

L1

C1

V2

Fig.3 Schema circuitului de protecie la comutaie a tranzistorului

3. Chestiuni de studiat
3.1. Se vor identifica elementele schemei de montaj i echipamentele
necesare.
3.2. Se vor studia influenele elementelor reelei de protecie asupra
comportrii tranzistorului n timpul comutaiilor .

4. Schema de montaj
Schema de montaj este prezentat n fig. 4.

LUCRAREA R. 2 MOSFET

DRUMAR DE LABORATOR
COVERTOARE STATICE

Sursa de 15V c.c.

L+

+15V
R1
0,5
V1

R3

L1

R4
V4

min

C1

max

R2
V2
1

C1

0V
-15V

C2

V3

+
-

Sarcina

+15
0
-15

Sursa de 4060V c.c.

C2

L-

Fig.4 Schema de montaj

5. Modul de lucru
5.1. Se identific elementele schemei de montaj i echipamentele
necesare. Echipamentele necesare sunt:
modulul tranzistor MOSFET;
surs dubl stabilizat 15 V c.c.;
surs de curent continuu 4060 V c.c. / 2 A;
rezisten de sarcin 50 / 100 W;
inductivitate 3 mH;
osciloscop cu dou spoturi.
18

5.2. Studiul circuitului de protecie la comutaie:

se alimenteaz circuitul de comand al modulului (15V) i se
verific poziia poteniometrului P care trebuie s fie minim;
se alimenteaz circuitul de for al tranzistorului;
se conecteaz osciloscopul astfel:
- masa sondelor - punctul 1;
- sonda A
- punctul 2;
- sonda B
- punctul 3.
Cu aceast conectare pe canalul B al osciloscopului se va vizualiza
cderea de tensiune pe rezistena R2, ce este proporional cu curentul prin
tranzistor, iar pe canalul A, tensiunea pe tranzistor. Pentru o interpretare
corect, canalul B va trebui inversat utiliznd aceast facilitate a
osciloscopului.
se vizualizeaz tensiunea i curentul, msurndu-se parametrii
specifici formelor de und din timpul comutaiilor (intrare n conducie,
respectiv blocare) pentru urmtoarele cazuri:
1. cu bobina de limitare a pantei de cretere a curentului:
- condensatorul C1 neconectat (punctele C1, C2 neuntate).
2. cu circuit complet de protecie:
- condensatorul C1 conectat (punctele C1, C2 untate).
Observaie:
Datorit timpilor de comutaie mici, n cazul n care sarcina are o
inductivitate redus, bobina L1 nu trebuie scurtcircuitat. Lipsa lui L1 din
montaj va duce la distrugerea MOSFET-ului datorit nelimitrii pantei de
cretere a curentului prin tranzistor.
Rezultatele se trec n tabelul 1:
Tabelul 1
CAZ
Icp [A] Icn [A] Ibp [A] Ibn [A] Ucp [V] Ubp [V]
1
2

6. Coninutul referatului

titlul lucrrii;

scopul lucrrii;

schema circuitului de protecie la comutaie a tranzistorului
MOSFET;

tabelul de date;
19

LUCRAREA R. 2 MOSFET

oscilogramele vizualizate;

interpretarea oscilogramelor.

Icp
Ibp
Ibn

Icn

Fig.5 Forma de und a curentului prin MOSFET

ubp

Fig.6 Forma de und a cderii de tensiune pe MOSFET

20