01 - Circuite Cu Componente Electronice Analogice I

nvmntul profesional i tehnic n domeniul TIC
Proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 2007-2013
Beneficiar Centrul Naional de Dezvoltare a nvmntului Profesional i Tehnic
str. Spiru Haret nr. 10-12, sector 1, Bucureti-010176, tel. 021-3111162, fax. 021-3125498, vet@tvet.ro
Circuite cu componente electronice analogice

Material de nvare partea I
Domeniul: Electronic i automatizri

Calificarea: Tehnician n automatizri
Nivel 3
2009
AUTOR:
DANIELA CONDEI Profesor grad didactic I
COORDONATOR:
GABRIELA DIACONU Profesor grad didactic I
CONSULTAN:
IOANA CRSTEA expert CNDIPT
GABRIELA CIOBANU expert CNDIPT
ANGELA POPESCU expert CNDIPT
DANA STROIE expert CNDIPT
Acest material a fost elaborat n cadrul proiectului nvmntul profesional i tehnic n

domeniul TIC, proiect cofinanat din Fondul Social European n cadrul POS DRU 20072013
Cuprins
I. Introducere...................................................................................................................................4
II. Resurse........................................................................................................................................8
Tema 1. Diode semiconductoare..................................................................................................9
Fia de documentare 1.1. Diode semiconductoare..................................................................9
Activitatea de nvare 1.1. Msurarea rezistenelor diodei semiconductoare......................13
Activitatea de nvare 1.2. Ridicarea caracteristicii curent tensiune a diodelor
semiconductoare....................................................................................................................15
Activitatea de nvare 1.3. Ridicarea caracteristicii curent tensiune a diodei Zener.........17
Activitatea de nvare 1.4. Funcionarea diodei semiconductoare.......................................19
Activitatea de nvare 1.5. Tipuri de diode semiconductoare...............................................20
Activitatea de nvare 1.6. Parametrii diodelor Zener..........................................................21
Tema 2. Tranzistorul bipolar......................................................................................................22
Fia de documentare 2.1. Tranzistorul bipolar......................................................................22
Activitatea de nvare 2.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar......25
Activitatea de nvare 2.2. Ce tim despre tranzistorul bipolar............................................27
Activitatea de nvare 2.3. Caracteristicile tranzistorului bipolar........................................28
Activitatea de nvare 2.4. Moduri de conectare a tranzistorului bipolar.............................29
Tema 3. Tranzistoare cu efect de cmp......................................................................................30
Fia de documentare 3.1. Tranzistoare cu efect de cmp......................................................30
Activitatea de nvare 3.1. Ridicarea caracteristicilor de ieire pentru TEC-J.....................34
Activitatea de nvare 3.2. Identificare TEC - J...................................................................36
Activitatea de nvare 3.3. Tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat........................37
Activitatea de nvare 3.4. Regiunile caracteristicilor de ieire ale unui TEC - MOS.........38
Tema 4. Tiristorul.......................................................................................................................39
Fia de documentare 4.1. Tiristorul.......................................................................................39
Activitatea de nvare 4.1. Ridicarea caracteristicilor anodice ale tiristorului.....................41
Activitatea de nvare 4.2. Tiristorul dispozitiv multijonciune........................................43
Activitatea de nvare 4.3. Identificarea tiristorului.............................................................44
Activitatea de nvare 4.4. Funcionarea tiristorului............................................................45
Tema 5. Dispozitive optoelectronice.........................................................................................46
Fia de documentare 5.1. Dispozitive optoelectronice..........................................................46
Activitatea de nvare 5.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale fotodiodei........................49
Activitatea de nvare 5.2. Ridicarea caracteristicilor statice ale fototranzistorului............51
Activitatea de nvare 5.3. Ridicarea caracteristicii statice a diodei electroluminiscente....52
Activitatea de nvare 5.4. Ridicarea caracteristicii de transfer a optocuplorului................53
Activitatea de nvare 5.5. Tipuri de dispozitive optoelectronice........................................54
Activitatea de nvare 5.6. Simbolurile dispozitivelor optoelectronice................................55
III. Glosar.......................................................................................................................................56
IV. Bibliografie..............................................................................................................................57
I. Introducere
Materialul de invatare are rolul de a conduce elevul la dobandirea competentelor
pentru:
Domeniul: Electronic i automatizri
Calificarea: Tehnician n automatizri
Nivelul de calificare 3
Materialul cuprinde:
- fie de documentare
- activiti de nvare
- glosar
Prezentul material de invatare se adreseaz elevilor din cadrul colilor liceale, domeniul
Electronic i automatizri, calificarea Tehnician n automatizri.
Competena / Rezultatul
nvrii
Teme
Tema 1. Diode
semiconductoare
Identific componentele
electronice analogice
Elemente component
Fia de documentare 1.1 Diode
semiconductoare
Activitatea de nvare 1.1
Msurarea rezistenelor diodei
semiconductoare
Ridicarea caracteristicii curent
tensiune a diodelor cu Ge i Si
tensiune a diodei Zener
Tipuri de diode
semiconductoare
Parametrii diodelor Zener
Tema 2.
Tranzistorul bipolar
Tema 3.
Tranzistoare cu
efect de cmp
Fia de documentare 2.1

Ridicarea caracteristicilor
statice ale tranzistorului bipolar
Ce tim despre tranzistorul
bipolar
Tranzistoare cu efect de cmp
Ridicarea caracteristiclor de
ieire pentru TEC-J
nvrii
Teme
Elemente component
Identificare TEC - J
Tema 4. Tiristorul
Tema 5. Dispozitive
optoelectronice
Verific funcionalitatea
componentelor
Tema 1. Diode
semiconductoare
electronice analogice

cu poart izolat
Tiristorul
anodice ale tiristorului
Tiristorul - dispozitiv
multijonciune
Identificarea tiristorului
Dispozitive optoelectronice
statice ale fotodiodei
statice ale fototranzistorului
statice a diodei
electroluminiscente
Ridicarea caracteristici de
transfer a optocuplorului
Tipuri de dispozitive
optoelectronice
Simbolurile dispozitivelor
optoelectronice
Fia de documentare 1.1 Diode
semiconductoare
Msurarea rezistenelor diodei
semiconductoare
tensiune a diodelor cu Ge i Si
nvrii
Teme
Elemente component
tensiune a diodei Zener
Funcionarea diodei
semiconductoare
Tipuri de diode
semiconductoare
Parametrii diodelor Zener
Tema 2.
Tema 3.
Tranzistoare cu
efect de cmp

statice ale tranzistorului bipolar
Ce tim despre tranzistorul
bipolar
Caracteristicile tranzistorului
bipolar
Moduri de conectare a
tranzistorului bipolar
Ridicarea caracteristiclor de
ieire pentru TEC-J
Identificare TEC - J
cu poart izolat
Regiunile caracteristicilor de
ieire ale unui TEC - MOS
Tema 4. Tiristorul

Tiristorul
anodice ale tiristorului
nvrii
Teme
Elemente component
Tiristorul - dispozitiv
multijonciune
Identificarea tiristorului
Tema 5. Dispozitive
optoelectronice

Funcionarea tiristorului
Dispozitive optoelectronice
statice ale fotodiodei
statice ale fototranzistorului
statice a diodei
electroluminiscente
Ridicarea caracteristici de
transfer a optocuplorului
Absolventul nvmntului liceal cu specialitatea Tehnician n automatizri trebuie s

fie capabil s ndeplineasc sarcini cu caracter tehnic i s se familiarizeze cu principiile
de funcionare, caracteristicile i parametrii specifici ai componentelor analogice de
circuit dar i cu schemele de principiu i funcionarea circuitelor electronice uzuale.
II. Resurse
Prezentul material de invatare cuprinde diferite tipuri de resurse care pot fi folosite
de elevi:
-
fie de documentare;
activiti de nvare.
Elevii pot folosi att materialul prezent (n forma printat) ct i varianta echivalent
online.
Tema 1. Diode semiconductoare

Fia de documentare 1.1. Diode semiconductoare
Dispozitivele semiconductoare au n construcia lor regiuni ale reelei monocristaline
cu diverse impurificri att ca mrime a concentraiei ct i ca tip de impuritate (regiune
de tip donor - n, regiune tip acceptor - p). Cele mai utilizate materiale semiconductoare
folosite n construcia dispozitivelor semiconductoare de circuit sunt siliciul i germaniul.
Jonciunea pn are o importan esenial n funcionarea unei clase mari de dispozitive
electronice semiconductoare, ele coninnd una sau mai multe jonciuni.
Dioda semiconductoare, al crei simbol este reprezentat n Fig. 1.1.1, se
caracterizeaz prin conducie unidirecional:
- n cazul polarizrii n sens direct permite trecerea unui curent mare (curent direct),
- n cazul polarizrii n sens invers permite trecerea unui curent mic (curent invers).
anod
catod
Fig. 1.1.1 Simbolul general al diodei

semiconductoare
Regiunea p a jonciunii constituie anodul diodei, iar regiunea n, catodul.
Funcionarea diodei este descris prin intermediul unui grafic denumit caracteristica
static de funcionare (Fig. 1.1.2). Aceasta furnizeaz informaii despre modul n care
curentul prin diod variaz n funcie de tensiunea care se aplic ntre terminalele
acesteia.
n cazul n care tensiunea pe diod

este pozitiv, se spune c aceasta
funcioneaz n conducie direct.
n cazul n care tensiunea pe diod
este negativ, se spune c aceasta
funcioneaz n conducie invers.
Fig. 1.1.2 Caracteristica de

funcionare a diodei semiconductoare
Prin noiunea de polarizare a unei diode se nelege stabilirea tipului de conducie n
curent continuu. Astfel, dac dioda funcioneaz n curent continuu n conducie direct,
se spune c aceasta este polarizat direct. Analog, dac dioda funcioneaz n curent
continuu n conducie invers, se spune c aceasta este polarizat invers.
Funcionarea n curent continuu a unei diode este complet caracterizat de ctre
valorea curentului continuu care trece prin aceasta i de tensiunea continu ntre
terminalele diodei.
Punctul Static de Funcionare furnizeaz ntotdeauna informaii despre regimul n care

funcioneaz dioda. Aceast observaie este valabil i pentru alte tipuri de dispozitive
semiconductoare.
Polarizarea diodei este realizat prin intermediul unui circuit special, numit circuit de
polarizare.
Principalii parametrii ai diodei semiconductoare sunt:
Tensiunea de deschidere, (UD) - la diodele care sunt construite din germaniu U D este
cuprins ntre 0,2V-0,4V, iar cele din siliciu ntre 0,4V-0,8V;
Curentul maxim direct, (IAm);
Tensiunea maxim invers, (UBR).
Diodele redresoare sunt utilizate pentru redresarea curentului electric alternativ.
Frecvena semnalelor redresate este, de regul, frecvena industrial (50/60Hz).
Se pot construi cu germaniu, cu siliciu, iar la puteri mici, cu seleniu. Cele mai rspndite
sunt cele cu siliciu.
Avantajele diodelor cu siliciu fa de cele cu germaniu sunt:
- curentul invers este mult mai mic;
- tensiunea de strpungere este mult mai mare;
- temperatura maxim de lucru de 190 grade fa de 90 grade la
germaniu.
Dezavantajul diodelor cu siliciu fa de cele cu germaniu este:
- tensiunea de deschidere puin mai mare.
Performanele unei diode redresoare sunt caracteristice prin 2
mrimi limit care nu trebuie depite n timpul funcionrii:
Intensitatea maxim a curentului direct (I M), de ordinul amperi
- zeci de mii de amperi;
Tensiunea invers maxim (UM), de ordinul zeci de voli - zeci
de mii de voli.
Parametrii acestor diode sunt:

Tensiunea invers repetitiv maxim admis, (URM);
Curentul mediu redresat (curentul mediu la care poate fi solicitat dioda), I 0;
Cderea de tensiune n regim de polarizare direct la un curent dat, (UFM);
Rezistena termic jonciune capsul, (Rthj-c), sau jonciune ambiant, (Rthj-a).
Diodele varicap (varactoare), cu simbolul din Fig. 1.1.3, prezint capaciti

diferite n funcie de tensiunea de polarizare. Denumirea diodei provine de la VARIable
CAPacitor.
anod
catod
Fig. 1.1.3 Simbolul diodei varicap

10
Aceste diode utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a se comporta ca o capacitate ce

depinde de tensiunea continu de polarizare invers (aceasta este capacitatea de
barier).
Posibilitatea de a varia o capacitate ntr-un circuit prin varierea unei surse de
polarizare este necesar n circuitele de schimbare a frecvenei, circuitele de reglaj
automat al frecvenei, precum i modulaia frecvenei.
Diodele varicap au capaciti de ordinul pF sau zecilor de pF i se construiesc cu siliciu
pentru a avea o rezisten intern mai mare n polarizarea invers. n acest fel ele pot fi
asimilate cu un condensator cu pierderi neglijabile.
Diodele Zener (diode stabilizatoare), cu simbolul din Fig. 1.1.4, sunt diode de
construcie special, care nu se distrug n cazul n care se strpung, ci funcioneaz
chiar n regiunea de strpungere i se utilizeaz ca stabilizatoare de tensiune.
anod
catod
Fig. 1.1.4 Simbolul diodei Zener

Funcionarea acestora se bazeaz pe proprietatea jonciunii p-n de a avea n regiunea
de strpungere, o tensiune la borne constant ntr-o gam larg de variaie a curentului
invers, cum se poate observa n caracteristica curent tensiune (Fig. 1.1.5).
Fig. 1.1.5 Caracteristica curent - tensiune a diodei Zener

Dioda funcioneaz ntr-un regim de strpungere controlat, n care att curentul ct i
puterea disipat sunt meninute la valori pe care dioda le poate suporta n regim
permanent, fr s se distrug.
Dioda Zener este construit cu siliciu, caracteristica de funcionare a acesteia
modificndu-se la variaia temperaturii de lucru.
Cnd este polarizat direct (+ pe anod i pe catod) funcioneaz ca o diod cu
jonciune i cnd este polarizat invers (- pe anod i + pe catod) funcioneaz n regim
de strpungere.
Parametrii principali ai diodelor Zener sunt:

Tensinea nominal de stabilizare, (UZ);
Rezistena dinamic, (Rzd);
Curentul maxim admis n polarizare invers, (IZmax);
Puterea de disipaie a diodei, (Pd);
Coeficientul de variaie a tensiunii stabilizate cu temperatura, ().
11
Diodele tunel, cu simbolul din Fig. 1.1.6, sunt un tip de diode semiconductoare
capabile de operare la viteze foarte mari.
anod
catod
Fig. 1.1.6 Simbolul diodei tunel

La baza funcionrii diodelor tunel st aa - numitul efect tunel.
Diodele tunel au concentraii mari de impuriti att n zona p ct i n zona n (jonciune
de tip p+n+). De aceea, regiunea de trecere este foarte ngust n raport cu diodele
obinuite.
La polarizare direct caracteristica curent - tensiune (Fig. 1.1.7) are forma literei N i
posed o zon p-v de rezisten negativ de valoarea zecilor de ohmi. La polarizare
invers dioda tunel nu are regim de saturaie, ci are o rezisten intern foarte mic. De
aceea o inversare a tensiunii pe dioda tunel poate duce la distrugerea acesteia. Diodele
tunel au o vitez de comutare foarte mare.
Fig. 1.1.7 Caracteristica curent tensiune a diodei tunel

Pentru o bun funcionare este de dorit ca raportul dintre curentul maxim i curentul
minim s fie ct mai mare. Dac se folosete ca material semiconductor, arseniura de
galiu acest raport depete valoare 15.
Dioda tunel lucreaz la puteri mici de ordinul wailor. Caracteristica diodei nu depinde
de variaiile de temperatur de aceea ea poate lucra la frecvene foarte nalte de ordinul
104 MHz.
Parametrii diodei tunel sunt:
Punctul de vale corespunztor curentului Iv i tensiunii Uv;
Punctul de vrf corespunztor curentului Ip i tensiunii Up.
Aceast diod este folosit la realizarea urmtoarelor circuite:
- amplificatoare de frecvene foarte nalte;
- oscilatoare de frecvene foarte nalte;
- circuite basculante monostabile, bistabile i astabile
Dezavantajul diodei tunel este c are numai dou borne i deci nu se poate face
separarea ntre circuitul de intrare i cel de ieire.
12
Activitatea de nvare
semiconductoare
1.1.
Msurarea
rezistenelor
diodei
Competena: Identific componentele electronice analogice

Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice
Obiectivul/obiective vizate:
Dup parcurgerea acestei activiti vei fi capabil s:
- colectezi datele numerice corespunztoare activitii planificate;
- selectezi datele obinute din msurtori sau alte surse;
- nregistrezi datele;
- identifici terminalele diodelor;
- testezi starea diodelor.
Durata: 20 min.
Tipul activitii: experimentul

Sugestii: elevii se pot organiza n grupe de 3 4 elevi
Sarcina de lucru:
Determinai cu ajutorul -metrului, rezistena n curent continuu la polarizare direct i
invers a diodelor semiconductoare puse la dispozitie. Se vor efectua msurtorile pe
fiecare din cele patru game de lucru ale aparatului de msur: x1, x10, x100, x1K.
Mod de lucru:
Cu ajutorul unui ohmmetru sau a unui multimetrului MAVO-35 se msoar
rezistena unor diode cu Ge i Si n conducie direct i invers, pe toate gamele
ohmmetrului, rezultatele notndu-se n Tab.1.
Tab. 1. Datele experimentale pentru msurarea rezistenei directe i inverse unor diode
cu Ge i Si.
R()
Ge
Si
Gama
Direct
Invers
Direct
Invers
1
10
100
k1
nainte de utilizarea ohmmetrului trebuie realizat reglarea zeroului (aducerea

acului indicator la zero). Acest reglaj se realizeaz prin scurtcircuitarea bornelor
aparatului de msur si modificarea rezistenei poteniometrului R p. Acest reglaj permite
utilizarea aceleiai scale a ohmmetrului pentru mai multe game de rezistene i trebuie
efectuat la fiecare trecere de la o gam la alta.
n cazul utilizrii unui multimetru digital, n funcionarea sa ca ohmmetru, semnele
bornelor sunt inversate.
13
Se observ c valorile obinute pentru Rdir i Rinv difer de la o gam de masur

la alta, fapt datorat modificrii rezistenei interne a aparatului de la o scal la alta.
Comparai Rdirect i Rinvers , n funcie de starea diodei i completai Tab. 2
Tab. 2. Testarea diodelor

Starea diodei
Funcional
Strpuns
ntrerupt
Rdirect
Rinvers
Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai

fia de documentare 1.1 i refacei activitatea.
14
Activitatea de nvare 1.2. Ridicarea caracteristicii curent tensiune

a diodelor semiconductoare
- ridici caracteristica unei diode polarizate direct i invers;
- formulezi concluzii pe baza unei analize critice.
Durata: 50 min.

Sarcina de lucru:
Reprezentai grafic caracteristicile curent tensiune pentru o diod de Ge i una de Si.
Mod de lucru:
Ridicarea caracteristicii n polarizare direct
Realizai montajul din Fig. 1, utiliznd o diod de Ge.

R = 330
IA
mA
+
1
2
+
+
U
E
-
A
UA
Fig. 1 Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei n polarizare direct
naintea nceperii msurtorilor:

Fixai E=0;
Fixai miliampermetrul pe gama de 25 mA;
Fixai voltmetrul pe gama de 1V;
Variai curentul IA (variind tensiunea de alimentare E) i msurai tensiunea U A la
bornele diodei;
Completai Tab. 1;
Repetai pentru montajul cu dioda de Si;
15
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica direct a celor dou diode

IA (mA)
0,1
0,5
1
5
10
15
20
Ge
UA (V)
Si
25
Pentru cureni mai mici de 1mA se fixeaz voltmetrul n poziia 1, iar pentru cureni
mai mari de 1mA se conecteaz voltmetrul n poziia 2
Ridicarea caracteristicii n polarizare invers
Realizai montajul din Fig. 2 utiliznd o diod de Ge.

R = 10k
+
-
IA
mA
+
1
2
+
U
-
C
UA
Fig. 2 Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei n polarizare invers

Fixai E=0;
Fixai miliampermetrul pe gama de 50 A;
Variai E de la 0 la 24 V i msurai curentul I A din circuit cu ajutorul mAmetrului;
Completai Tab. 2;
Repetai pentru montajul cu dioda de Si.
Se va avea grij s nu se ating tensiunea de strpungere a diodei cu Ge, fenomen

pus n eviden de creterea rapid a curentului prin diod.
Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristica invers a celor dou diode
UA (V)
0,2
0,4
0,6
1
2
5
10
15
Ge
IA(A)
Si
20
24
Reprezentai grafic pe aceeai foaie caracteristicile curent tensiune ale celor

dou diode;
Comparai cele dou caracteristici.

16
Activitatea de nvare 1.3. Ridicarea caracteristicii curent tensiune

a diodei Zener
- ridici caracteristica unei diode Zener polarizate direct i invers;
Durata: 50 min.

Sarcina de lucru
Reprezentai grafic caracteristica curent tensiune pentru o diod Zener.
Mod de lucru:
Ridicarea carcteristicii n polarizare invers
Realizai montajul din Fig. 1, utiliznd o diod Zener.

R = 680
IA
mA
+
1
2
+
+
U
E
UA
-
DZ
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei Zener n polarizare invers

Fixai E= 0;
Variai curentul IA (variind tensiunea de alimentare E) i msurai tensiunea U A la
bornele diodei;
Completai Tab. 1.
17
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica invers a diodei Zener

Iz (mA) 0,05
0,1
0,5
0,8
1
2
5
10
Uz (V)
15
25
Pentru cureni mai mici de 1mA se fixeaz voltmetrul n poziia 1, iar pentru cureni
mai mari de 1mA se conecteaz voltmetrul n poziia 2.
Ridicarea caracteristicii n polarizare direct
Realizai montajul din Fig. 2 utiliznd o diod Zener.

R = 680
+
-
IA
mA
+
1
2
+
U
-
DZ
UA
Fig. 2. Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei Zener n polarizare direct

Fixai E= 0;
Variai curentul IA (variind tensiunea de alimentare E) i msurai tensiunea U A
la bornele diodei;
Completai Tab. 2;
Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristica invers a celor dou diode

IA (mA)
0,1
0,5
1
5
10
15
20
UA (V)
Reprezentai grafic pe o foaie caracteristica curent tensiune a diodei Zener.

18
25
Activitatea de nvare 1.4. Funcionarea diodei semiconductoare

Competena: Verific funcionalitatea componentelor electronice analogice
- descrii principiul de funcionare al diodelor semiconductoare;
- identifici punctul static de funcionare al diodei semiconductoare;
- difereniezi regimurile de funcionare ale diodei semiconductoare.
Durata: 15 min.
Tipul activitii: expansiune

Sugestii: elevii se vor mpri n grupe de 2-3 elevi sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
Pornind de la urmtoarele dou enunuri incomplete, realizai un eseu de aproximativ
10 rnduri n care s dezvoltai ideile coninute n enunuri. n realizarea eseului trebuie
s folosii minim 7 cuvinte din lista de mai jos.
Din caracteristica curent tensiune a diodei semiconductoare se observ c aceasta
poate funciona n regim de ...................................
Funcionarea n curent continuu a diodei semiconductoare este caracterizat
de ............................
Lista de cuvinte: conducie, direct, invers, polarizare, circuit de polarizare, surs de
alimentare, rezisten de polarizare, PSF, strpungere, curent continuu, tensiune
continu.
19
Activitatea de nvare 1.5. Tipuri de diode semiconductoare

- identifici tipuri de diode semiconductoare;
- precizezi principalii parametri pentru fiecare tip de diod semiconductoare;
- descrii funcionarea fiecrui tip de diod semiconductoare;
- identifici utilizrile fiecrui tip de diod semiconductoare.
Durata: 20 min.
Tipul activitii: metoda grupurilor de experi peer learning

Sugestii: elevii se vor mpri n 4 grupe
Sarcina de lucru:
Avnd la dispoziie 10 minute, fiecare grup va completa cte o linie a tabelului de mai
jos, folosind surse diferite.
Tip de diode
semiconductoare
Dioda redresoare
Dioda varicap
Dioda Zener
Dioda tunel
Simbol
Principiu de
funcionare
Parametri
Utilizri
Dup ce ai devenit experi n dispozitivul optoelectronic studiat, reorganizai grupele

astfel nct n grupele nou formate s existe cel puin o persoan din fiecare grup
iniial. Timp de 10 minute vei mpri cu ceilali colegi din grupa nou format
cunotinee acumulate n etapa anterioar.

20
Activitatea de nvare 1.6. Parametrii diodelor Zener

- precizezi principalii parametri ai diodelor Zener;
- identifici notaiile principalilor parametrii ai diodelor Zener.
Durata: 10 min.
Tipul activitii: potrivire
Sugestii: elevii se vor mpri n grupe mici (2 3 elevi) sau pot lucra individual
Sarcina de lucru:
n coloana A sunt enumerai principalii parametrii ai diodelor Zener, iar n coloana B
notaiile parametrilor. Scriei pe foaie asocierile corecte dintre fiecare cifr din coloana A
i litera corespunztoare din coloana B.
A. Parametrii diodelor Zener
B. Notaiile parametrilor
1. Tensiunea nominal de stabilizare
a.
IZmax
2. Rezisena dinamic
3. Curentul maxim admis n polarizare
invers
4. Puterea de disipaie
5. Coeficientul de variaie a tensiunii
stabilizate cu temperatura
b.
c.
UZ
d.
e.
Rzd
Pd
Dac ai realizat corect toate asocierile, trecei la activitatea urmtoare, n caz

contrar consultai fia de documentare 1.1 i refacei activitatea.
21
Tema 2. Tranzistorul bipolar

Fia de documentare 2.1. Tranzistorul bipolar
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor cu dou jonciuni n
succesiune npn sau pnp. Cele trei zone se numesc emitor (E), baz (B), colector (C).
Tranzistoarele pot fi pnp (zona din mijloc dopat cu elemente donoare de electroni,
celelalte dou dopate cu elemente acceptoare), sau npn (dopat invers). Totui, din
cauza grosimii foarte mici a zonei centrale (baza), cele dou jonciuni nu funcioneaz
independent i ntre terminalele extreme (colector i emitor) poate aprea un curent,
aceasta fiind i proprietatea cea mai important a tranzistorului, i aceea care permite
folosirea lui pe post de amplificator.
Se numete bipolar deoarece conducia este asigurat de dou tipuri de purttori de

sarcin, electroni i goluri.
Particulariti constructive:
- E este mult mai impurificat dect B sau C;
- B este mult mai subire dect E i C (de ordinul micronilor sau chiar zecimilor de
microni).
n simbolurile grafice corespunztoare celor dou structuri, npn i pnp (Fig. 2.1),
sgeata din simbol corespunde jonciunii pn emitor-baz (vrful sgeii merge
ntotdeauna de la zona p spre zona n) i arat i sensul normal pozitiv al curentului
principal prin tranzistor.
Fig. 2.1 Structura i simbolurile grafice ale tranzistorului bipolar

Se pot defini trei cureni i trei tensiuni (Fig. 2.2), dar pentru descrierea funcionrii nu
sunt necesare toate aceste ase mrimi. Tensiunile i curenii sunt legate prin relaiile:
uCB = uCE + uEB
i
iE = iB + iC
Fig. 2.2 Curenii i tensiunile tranzistorului bipolar
22
Deoarece tranzistorul amplific n putere, adic transfer curentul din circuitul de intrare
de rezisten mic n circuitul de ieire de rezisten mare, de aici denumirea TRANSfer
reZISTOR adic transfer de rezisten.
n funcie de modul n care sunt polarizate cele dou jonciuni, un tranzistor
bipolar se poate afla n urmtoarele regimuri de funcionare:
a) regimul activ normal, n care jonciunea emitor-baz este polarizat direct iar
jonciunea colector-baz este polarizat invers. n acest regim se obine cea mai mare
amplificare;
b) regimul invers n care jonciunile sunt polarizate invers fa de cazul anterior;
c) regimul de blocare n care ambele jonciuni sunt polarizate invers. n acest caz
tranzistorul este blocat (prin el nu circul curent);
d) regimul de saturaie n care cele dou jonciuni sunt polarizate direct.
Curenii tranzistorului. Notnd IE ( unde - coeficient de transfer al emitorului)
acea parte a curentului emitorului care trece prin jonciunea colectorului, vom scrie
expresia pentru curentul colectorului n modul urmtor:
IC = IE + ICB0
Curentul invers al colectorului. ICB0 este egal cu curentul ce trece prin jonciunea
colectorului, cnd la colector se aplic tensiune invers i cnd curentul emitorului este
egal cu zero.
Prin contactul bazei trece curentul IB, care este egal cu diferena dintre curentul
emitorului i colectorului:
IB = IE IC
Din cele dou relaii avem:
IB = IE (1 ) ICB0
Dac vom deconecta circuitul emitorului (IE = 0 i IC = ICB0), atunci vom avea:
IB = ICB0
n aa mod, prin contactul emitorului (circuitul emitor - baz) curge curentul de dirijare IE
(de intrare), prin contactul colectorului (circuitul colector - baza) curentul de dirijare IE
(de ieire) i curentul invers al colectorului I CB0, iar prin contactul bazei diferena
curentului emitorului i colectorului.
n tranzistoarele reale curenii I E i IC i creterile lor IE i IC sunt aproximativ egale
dup valori.
Coeficienii de transfer a curenilor. Modificarea curentului colectorului rezultat
din modificarea curentului emitorului este condiionat numai de electroni. ns, curentul
total al emitorului este determinat att de electroni ct i de goluri. Cu ct mai muli
electroni (n comparaie cu numrul golurilor) trec prin jonciunea emitorului i cu ct
mai puini din aceti electroni se recombin n baz, neajungnd la jonciunea
colectorului, cu att mai bine tranzistorul transmite schimbrile curentului emitorului n
circuitul colectorului.
Coeficientul static de transfer al emitorului poate fi determinat dup formula:
I C I CB0
IE
Coeficientul static de transfer al curentului bazei poate fi determinat dup formula:
I I CB 0
C
1 I B I CB 0
23
Caracteristicile statice ale unui tranzistor bipolar sunt grafice ce reprezint

dependena dintre curenii ce trec prin bornele tranzistorului i tensiunile ce se aplic la
aceste borne.
Tranzistorului fiind un dispozitiv cu trei borne, n orice schem electric el poate fi
conectat n trei moduri diferite: conectare cu baza comun (BC) (Fig. 2.3.a), conectare
cu emitorul comun (EC) (Fig. 2.3.b) i cu colectorul comun (CC) (Fig. 3.3.c).
a baz comun;
b emitor comun;
c colector comun
Fig. 2.3 Moduri fundamentale de conectare ale tranzistorului
Fiecare din schemele de conectare ale tranzistorului se caracterizeaz prin patru
familii de caracteristici:
Iie = f (Uie) la Iin = const caracteristici de ieire;
Uin = f (Iin) la Uie = const caracteristici de intrare;
Iie = f (Iin) la Uie = const caracteristici de transfer a curentului;
Uin = f (Uie) la Iin = const caracteristici de reacie invers dup tensiune.

n cataloage de obicei sunt prezentate primele dou tipuri de caracteristici (de intrare i
de ieire), cci sunt cele mai importante i utilizabile.
Indiferent de tipul tranzistorului, n planul caracteristicilor de ieire se disting trei
regiuni de lucru :
- regiunea de saturaie care se afl n extremitatea stng a caracteristicilor de ieire;
- regiunea de blocare care se afl sub caracteristica IB = 0;
- regiunea activ normal de lucru care se afl ntre cele dou regiuni de blocare i
saturaie.
Asigurarea integritii tranzistoarelor necesit considerarea unor limitri impuse
mrimilor ce le determin regimul de lucru. Valorile maxime absolute sunt valori care nu
trebuie depite n timpul funcionrii montajului, deoarece se pot produce defectarea
tranzistorului.
De regul n aceast grup apar:
tensiunile maxime ntre terminale: VCB0, VCE0, VEB0;
curentul maxim de collector i de baz: I CM, IBM;
puterea maxim disipat: Ptot;
temperature maxim a jonciunii: TjM.
O regul practic util recomand ncrcarea tranzistorului la cel mult, 0,75 din valorile
de catalog ale acestor parametri.
Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele electronice cu componente discrete,
n amplificatoare de semnal (n domeniul audio, video, radio), amplificatoare de
instrumentaie, oscilatoare, modulatoare i demodulatoare, filtre, surse de alimentare
24
liniare sau n comutaie sau n circuite integrate, tehnologia de astzi permind

integrarea ntr-o singur capsul a milioane de tranzistori.
Activitatea de nvare 2.1. Ridicarea caracteristicilor statice ale

tranzistorului bipolar
- ridici caracteristicile staticile ale unui tranzistor bipolar;
Durata: 50 min.

Sarcina de lucru:
Reprezentai grafic caracteristicile de intrare i de ieire pentru un tranzistor bipolar.
Mod de lucru:
Ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului n conexiune EC
Realizai montajul din Fig. 1.
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor de intrare ale tranzistorului n conexiune

EC
Modificai curentul de baz IB din sursa S1 i completai Tab. 1.
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicile de intrare

UCE [v] IB [A]
0
2
5
10
20
30
25
40
50
0
UBE [v]
5
UBE [v]
10
UBE [v]
Ridicarea caracteristicilor de ieire ale tranzistorului n conexiune EC
Fig. 2. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor de ieire ale tranzistorului n conexiune

EC
Modificai curentul de baz IB din sursa S1, modificai tensiunea UCE din sursa S2
i completai Tab. 2.
Tab.2. Datele experimentale pentru caracteristicile de ieire ale tranzistorului n

conexiune EC
IB [A] UCE [v]
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 1
3
5
7
9
10
0
IC [mA]
10
IC [mA]
20
IC [mA]
30
IC [mA]
40
IC [mA]
Reprezentai grafic pe aceeai foaie familia de caracteristici de intrare ale

tranzistorului;
Reprezentai grafic pe aceeai foaie familia de caracteristici de ieire ale
tranzistorului.

26
27
Activitatea de nvare 2.2. Ce tim despre tranzistorul bipolar

- descrii principiul de funcionare a tranzistorului bipolar;
- identifici tipuri de tranzistoare bipolare;
- identifici modurile de conectare a tranzitorului bipolar;
- deduci ecuaiile fundamentale in cc;
- reprezini caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar;
- precizezi principalii parametri care limiteaz funcionarea tranzistorului bipolar;
- identifici utilizrile tranzistorului bipolar.
Durata: 20 min.
Tipul activitii: cubul

Sarcina de lucru:
Pe feele unui cub se nscriu urmtoarele sarcini de lucru referitoare la tranzistorul
bipolar.
33
Tipuride
de
Tipuri
conexiuni
conexiuni
1.
1.
Principiulde
de
Principiul
funcionare
funcionare
22
44
66
Structurii
Ecuaii
Parametriicare
carelimitez
limitez
Structur
Ecuaii
Parametrii
simbolurigrafice
grafice fundamentale
fundamentalede
de funcionarea
funcionareaiiutilizri
utilizri
simboluri
cc
cc
55
Caracteristici
Caracteristici
statice
statice
Fiecare grup de elevi i va alege cte un coordonator, acesta va rostogoli cubul i

fiecrei grupe i va reveni o sarcin de lucru care va fi rezolvat pe o foaie de hrtie A 3.
Dup 10 minute foile scrise vor fi lipite astfel nct s alctuiasc un cub desfurat.
Se va analiza fiecare foaie i se vor face completri acolo unde este cazul.
28

29
Activitatea de nvare 2.3. Caracteristicile tranzistorului bipolar

- precizezi principalele familii de caracteristici ale tranzistorului bipolar;
- identifici expresiile matematice corespunztoare fiecrei familii de caracteristici.
Durata: 10 min.
Sarcina de lucru:
n coloana A sunt enumerate principalele familii de caracteristici ale tranzistorului
bipolar, iar n coloana B expresiile matematice ale acestora. Scriei pe foaie asocierile
corecte dintre fiecare cifr din coloana A i litera corespunztoare din coloana B.
A. Famili de caracteristici
B. Expresiile matematice
1. caracteristici de ieire
a. Iie = f (Iin) la Uie = const
2. caracteristici de intrare
3. caracteristici de transfer a
curentului
4. carcateristici de reacie invers
dup tensiune
b. Uin = f (Uie) la Iin = const

c. Iie = f (Uie) la Iin = const
d. Uin = f (Iin) la Uie = const

30
Activitatea de nvare 2.4. Moduri de conectare a tranzistorului

bipolar
- identifici principalele moduri de conectare a tranzistorului bipolar.
Durata: 15 min.
Tipul activitii: hart tip pnz de pianjen

Sugestii: elevii se vor mpri n grupe de 2 3 elevi
Sarcina de lucru:
Folosind diferite surse, obinei informaii despre modurile de conectare a tranzistorului
bipolar i organizai-le dup modelul urmtor:
Baz comun
Moduri de conectare
Emitor comun
Colector comun

31
Tema 3. Tranzistoare cu efect de cmp

Fia de documentare 3.1. Tranzistoare cu efect de cmp
Tranzistoarele cu efect de cmp prescurtate TEC sau FET (Field Effect Transistor)
fac parte din familia tranzistoarelor unipolare. la care conducia electric este asigurat
de un singur tip de purttor de sarcin, fie electroni, fie goluri. Funcionarea lor se
bazeaz pe variaia conductivitii unui "canal" dintr-un material semiconductor, ale
crui dimensiuni transversale sau concentraii de purttori de sarcin mobili pot fi
controlate cu ajutorul cmpului electric transversal, creat ntre un electrod de comand
numit poart (gate) situat n vecintatea canalului i masa semiconductorului unde este
format sau indus acest canal.
n funcie de tipul de purttori care produc curentul electric, avem:
- TEC cu canal de tip n, n care purttorii sunt electroni;
- TEC cu canal de tip p, n care purttorii sunt goluri.
Dup modul de realizare a controlului conductanei canalului, avem:
- TEC cu jonciuni (TECJ sau J-FET);
- TEC cu gril (poart izolat), avnd la baz structura metaloxidsemiconductor
(TECMOS) sau metalizolatorsemiconductor (TECMIS).
Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TEC-J) funcioneaz cu purttori
majoritari (electroni n canalul n, respectiv goluri n canalul p) fiind un rezistor a crui
seciune este controlat de grosimea regiunii sarcinii spaiale a unei jonciuni pn.
Termenul de efect de cmp este legat de existena cmpului electric n zona de sarcin
spaial, cmp a crui intensitate este determinat de tensiunea aplicat pe terminalul
poart (gate).
Fig.3.1 Structura unui TEC-J

cu canal n
Fig. 3.2 Simboluri grafice

pentru TEC - J
Conducia are loc ntr-un canal n (Fig. 3.1) ntre

contactele surs (care emite electroni) i respectiv
dren (care i colecteaz). Electrodul denumit poart
contacteaz zona difuzat p+ care mpreun cu
substratul p+ delimiteaz canalul n. Jonciunea pn
poart-canal este polarizat invers, iar grosimea
regiunii de sarcin spaial asociat acestei jonciuni
face ca seciunea conductiv a canalului (regiunea n
neutr) s fie mai mic dect distana dintre cele doua
jonciuni. Aceast seciune este controlabil electric prin
diferena de potenial care exist ntre poart i canal.
Sgeata din simbolul grafic (Fig. 3.2) desemneaz o
jonciune pn (sensul sgeii de la plan). Curentul de
poart este foarte mic (de ordinul nA) i va fi considerat
practic nul. Curentul de dren i D este normal pozitiv
intr n drena tranzistorului cu canal n (electrod care
evacueaz electroni) i iese din drena tranzistorului cu
canal p. Curentul de surs este egal cu cel de dren.
32
Caracteristicile statice ale TEC-J

a.
Caracteristicile de ieire (Fig.3.3) iD = iD (uDS ) cu uGS = constant, numite i
caracteristici de dren.
Fig. 3.3 Caracteristici de ieire ale TEC-J

TEC-J este folosit n zona liniar la tensiuni mici dren-surs ca rezisten controlat n
tensiune. Aici conductana dren-surs este identic cu conductana canalului i
rezistena dren-surs este funcie liniar de tensiunea poart-surs aplicat.
Pentru tensiuni mai mari, distingem a zona neliniar, o zona de saturaie a curentului de
dren (aici curentul de dren depinde foarte slab de tensiunea dren-surs), dup care
urmeaz o zon de cretere abrupt (strpungere) a curentului, nemarcat pe grafic.
Zona neliniar este caracterizat de uDS < uDS,sat, unde uDS,sat este tensiunea la care
apare saturaia curentului de dren.
Zona de saturaie este caracterizat de faptul c ID nu mai crete cu uDS.
uDS < uDS,sat,
iD = iD,sat
Saturaia corespunde momentului n care canalul este strangulat lng dren. Aceast
strangulare apare la rndul ei atunci cnd diferena de potenial ntre poart i
extremitatea de lng dren a canalului este egal cu tensiunea de prag.
b.
Caracteristicile de transfer (Fig. 3.4) sunt iD = iD(uGS). Dispozitivul este folosit ca
amplificator n zona de saturaie caracterizat de uDS >uDS,sat , unde iD este practic
independent de uDS.
Fig.3.4 Caracteristicile de transfer ale TEC-J

Zona preferat de lucru este cea de la cureni mari, acolo unde i panta
caracteristicii este mai mare. Aici curentul scade cu creterea temperaturii (la UGS =
const) dar problema ambalrii termice nu se pune n cazul TEC-J.
Tranzistorul TEC-MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducia curentului
electric la suprafaa semiconductorului. Proprietile conductive ale suprafeei
semiconductorului sunt controlate de un cmp electric aplicat printr-un electrod izolat de
semiconductor (poart). Conducia se realizeaz pe suprafaa substratului de siliciu,
ntre doua zone cu tip de conductivitate opus celui al substratului; numite surs (S) i
dren (D).
33
n funcie de modul de formare a canalului i de tipul su, TEC-MOS urile sunt de

patru categorii:
cu canal n, iniial;
cu canal p, iniial;
cu canal n, Indus;
cu canal p, Indus.
n figura 3.5 s-a considerat un substrat de tip n;
n acest caz sursa i drena sunt de tip p. Pentru
a se putea stabili un curent electric ntre surs i
dren, suprafaa semiconductorului trebuie
inversat ca tip de conductivitate, adic s
devin de tip p. n acest caz, la suprafa apare
un canal conductor, de tip p, care leag sursa de
dren. Inversarea tipului de conductivitate a
Fig. 3.5 Structura unui TEC-MOS cu suprafeei, precum i controlul rezistivitii
canalului se face de ctre poart.
canal iniial de tip p
Simbolurile grafice pentru tranzistoare MOS cu canal n i p sunt prezentate n figura
3.6:
Fig. 3.6 Simboluri pentru TEC-MOS

De obicei n aplicaii obinuite substratul se leag la surs, dar exist dispozitive la
care substratul apare ca un terminal separat. Se observ aceeai semnificaie pentru
sgeata din simbolul grafic.
Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS
a.
Caracteristicile de dren sau de ieire (Fig. 3.7), iD = iD (uDS ) cu uGS = constant.
Fig. 3.7 Caracteristicile de ieire ale unui TEC- MOS

Se deosebesc trei regiuni:
- Regiunea liniar, pentru valori mici ale uDS,iD crete proporional cu tensiunea;
- Regiunea de saturaie, iD rmne aproape constant chiar la creteri relative mari ale
uDS;
- Regiunea de strpungere, creterea uDS peste o anumit valoare produce o
multiplicare n avalan a purttorilor de sarcin.
34
b.
Caracteristicile de transfer, iD = iD(uGS).
tip n
tip p
Fig. 3.8 Caracteristicile de transfer
pentru TEC-MOS cu canal indus
tip n
tip p
Fig. 3.9 Caracteristica de transfer pentru
TEC-MOS cu canal iniial
n cazul TEC-MOS cu canal indus (Fig.

3.8), dac acesta este de tip p ambele
tensiuni UGS, UDS sunt negative. Aceste
tranzistoare au canal indus prin aplicarea
unei tensiuni UGS mai mari dect valoarea
de prag.
Unele tranzistoare prezint canal chiar la
tensiuni poart-surs nule (UGS = 0) i se
numesc tranzistoare MOS cu canal iniial
(Fig. 3.9). Aceast situaie se ntlnete n
special la tranzistoare cu canal n. Un
asemenea tranzistor poate lucra cu orice
polaritate a tensiunii de poart. Dac
tensiunea de poart este pozitiv UGS > 0,
regimul se numete regim de mbogire
datorit creterii concentraiei de electroni
n canal; dac tensiunea de poart este
negativ UGS < 0, regimul poart denumirea
de regim de srcire i duce la scderea
concentraiei de electroni din canal pn la
dispariia lui (la UGS = U T).
Tranzistoarele MOS nu prezint fenomenele de strpungere secundar i ambalare

termic.
35
Activitatea de nvare 3.1. Ridicarea caracteristicilor de ieire pentru

TEC-J
- ridici caracteristicile de ieire pentru TEC-J;
Durata: 50 min.

Sarcina de lucru:
Reprezentai grafic caracteristicile de ieire pentru TEC - J.
Mod de lucru:
10K
ID
mA
2M2
V UGS
S1
UDS
S2
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor de ieire pentru TEC - J

Pentru diferite valori ale tensiunii UGS, variai tensiunea UDS;
Msurai valorile curentului ID;
Completai Tab. 1.
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicile de ieire pentru TEC-J

UGS [v]
UDS [V]
1
2
5
10
0
ID [mA]
-1
ID [mA]
-2
ID [mA]
-3
ID [mA]
36
Avei grij ca ID s nu depeasc 15 mA i UDS s nu depeasc 30 V.

Reprezentai grafic pe o foaie caracteristicile de ieire pentru TEC J.
37
Activitatea de nvare 3.2. Identificare TEC - J

- identifici terminalele unui TEC-J;
- identifici mrimile specifice unui TEC - J.
Durata: 10 min.
Tipul activitii: problematizare

Sarcina de lucru:
Pornind de la simbolul TEC J reprezentat n figur, identificai terminalele acestuia i
mrimile specifice reprezentate.

38
Activitatea de nvare 3.3. Tranzistoare cu efect de cmp cu poart

izolat
- descrii principiul de funcionare al tranzistoarelor cu efect de cmp cu poart
izolat;
- clasifici tranzistoarele cu efect de cmp cu poart izolat;
- difereniezi principalele caracteristici statice ale tranzistoarelor cu efect de cmp
cu poart izolat.
Durata: 10 min.
Tipul activitii: expansiune

Sarcina de lucru:
Pornind de la urmtoarele dou enunuri incomplete, realizai un eseu de aproximativ
10 rnduri n care s dezvoltai ideile coninute n enunuri. n realizarea eseului trebuie
s folosii minim 7 cuvinte din lista de mai jos.
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat este un dispozitiv electronic bazat pe
conducia curentului la suprafaa....................
n funcie de modul de formare a canalului i de tipul su, tranzistoarele cu efect de
cmp cu poart izolat sunt ............................
Lista de cuvinte: poart, semicondutor, oxid, surs, dren, canal n, canal p, iniial,
indus, substrat, caracterstici statice, transfer, ieire.
39
Activitatea de nvare 3.4. Regiunile caracteristicilor de ieire ale

unui TEC - MOS
- precizezi principalele regiuni ale caracteristicilor de ieire ale unui TEC - MOS;
- identifici caracteristicile fiecrei regiuni .
Durata: 10 min.
Sarcina de lucru:
n coloana A sunt enumerate principalele regiuni ale caracteristicilor de ieire ale unui
TEC-MOS, iar n coloana B caracteristicile acestora. Scriei pe foaie asocierile corecte
dintre fiecare cifr din coloana A i litera corespunztoare din coloana B.
A. Regiunile
caracteristicilor de ieire
1. regiunea liniar
2. regiunea de saturaie
3. regiunea de strpungere
B. Caracteristicile regiunilor
a. curentul de dren rmne aproape
constant chiar la creteri relativ mari ale
tensiunii dren surs.
b. creterea tensiunii dren surs peste o
anumit valoare produce o multiplicare n
avalan a purttorilor de sarcin.
c. valori mici ale tensiunii dren surs,
curentul de dren crete proporional cu
tensiunea.

40
Tema 4. Tiristorul
Fia de documentare 4.1. Tiristorul
Denumirea de tiristor provine de la numele unui tub electronic cu gaz numit
tiratron (TIRatron transISTOR). Tiristorul este un dispozitiv multijonciune cu o structur
pnpn prevzut cu electrod de comand prin conectarea zonei p adiacente catodului
(Fig. 4.1.1. a)
b simbol
a structur;
Fig. 4.1.1. Tiristorul
Electrodul de comand, poarta, G (gate), anod i catod sunt cele trei terminale ale
tiristorului simbolizat n Fig. 4.1.1.b.
Amorsarea tiristorului se realizeaz prin injectarea unui curent pe poart, la o
tensiune mai mic dect cea de autoamorsare sau la tensiunea de autoamorsare fr
curent de poart, mod utilizat foarte rar sau deloc.
Analiza fenomenelor fizice ce au loc la amorsarea tiristorului prin injectarea unui curent
de poart se poate face echivalnd structura cu dou tranzistoare complementare,
dup cum se vede n schema echivalent (Fig. 4.1.2)
Fig. 4.1.2 Schema echivalent a unui tiristor

Din caracteristicile statice curent tensiune ale
tiristorului (Fig. 4.1.3) se observ posibilitatea
creterii nelimitate a curentului prin structur,
dac este ndeplinit condiia de amorsare,
amorsarea poate avea loc la o tensiune anodic
mai mic dect tensiunea de autoamorsare.
Iniierea amorsrii este provocat prin injectarea
unui curent iG prin jonciunea J3 i nu prin
creterea
tensiunii
anodice.
Dependena
factorilor de curent de curentul prin dispozitiv st
la baza procesului de amorsare a tiristorului. Se
observ c la curenii de poart mai mari
Fig. 4.1.3 Caracteristicile statice
tensiunea de amorsare este mic, peste o
curent tensiune ale tiristorului
anumit valoare a curentului de poart,
amorsarea are loc pe curba punctat, ca la o
jonciune pn (tiristorul este de fapt o diod
comandat).
41
n funcionare normal, tensiunea anodic trebuie s fie mai mic dect tensiunea de
autoaprindere UBO. Pentru comutare direct se aplic un curent de poart cruia i
corespunde o tensiune de aprindere UA<UBO.
n polarizare invers, tiristorul se comport ca o dioda pnpn, prin el trecnd un curent
mic, iar la tensiunea UB are loc strpungerea tiristorului.
Pentru a bloca tiristorul trebuie micorat curentul prin structur sub valoarea de
meninere IH (HOLD) (tensiunea la borne scade i ea sub valoarea de meninere U H),
deoarece dup amorsare, poarta si pierde rolul de electrod de comand, n sensul c
nu poate aciona i pentru blocarea tiristorului, totui acest rol va fi reluat dar numai
dup blocarea tiristorului.
Semnalul de comand pentru amorsarea tiristorului poate fi att semnal continuu
ct i impulsuri de polaritate corespunztoare. Comutarea direct i blocarea tiristorului
au loc n timp finit, fiind legate de procese fizice de injecie i extracie de purttori de
sarcin. Timpul de comutare direct crete cu temperatura i cu curentul anodic, dar
scade cnd amplitudinea semnalului de comand crete. Dac semnalul de comand
este un impuls, trebuie sa aib o durat minim, timp de meninere pe poart, sub care
comutarea nu are loc. Timpul de comutare invers crete de asemenea cu temperatura
i curentul anodic i scade cnd amplitudinea semnalului de comutare crete. Astfel,
pentru blocare este suficient s micorm tensiunea anodic sub valoarea de
meninere, dar timpul de comutare invers scade dac inversm polaritatea tensiunii pe
anod. Dac semnalul de blocare este un impuls, exist o durat minim a acestuia,
numit timp de revenire pe poart sub care blocarea nu are loc. n tiristoarele rapide
timpii de comutare sunt de ordinul a cteva microsecunde, iar timpul de blocare este n
general mai mare dect cel de comutare direct.
Cu ajutorul tiristorului pot fi controlate puteri mari, fiind utilizat frecvent n circuitele
redresoare comandate i invertoare. Posibilitatea de control a momentului amorsrii
determin un domeniu larg de aplicaii pentru acest dispozitiv care poate fi alimentat de
la tensiuni de ordinul zecilor la tensiuni de ordinul sutelor de voli i corespunztor
curenilor de ordinul sutelor de amperi.
42
Activitatea de nvare 4.1. Ridicarea caracteristicilor anodice ale

tiristorului
- ridici caracteristicile anodice ale tiristorului;
Durata: 50 min.

Sarcina de lucru:
Reprezentai grafic caracteristicile anodice ale tiristorului.
Mod de lucru:
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor anodice ale tiristorului
Reglai sursa S1 astfel nct curentul IG = 0;

Reglai sursa S2 astfel nct curentul prin tiristor IA s ia valorile din Tab. 1;
Msurai tensiunea UAK pentru fiecare valoare a curentului I A i completai Tab. 1;
Reglai sursa S1 astfel nct IG s ia toate valorile din Tab.1 i repetai paii
anteriori;
Completai Tab.1.
43
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicile anodice ale tiristorului

IA [mA]
0
5
10
15
20
IG = 0
UAK [V]
IG = 2 mA
UAK [V]
IG = 4 mA
UAK [V]
IG = 6 mA
UAK [V]
IG = 8 mA
UAK [V]
IG = 10 mA UAK [V]
25
Reprezentai grafic pe o foaie caracteristicile anodice ale tiristorului.

44
Activitatea de nvare 4.2. Tiristorul dispozitiv multijonciune

- identifici tiristorul;
- descrii principiul de funcionare;
- reprezini caracteristicile tiristorului;
- precizezi principalele utilizri ale tiristorului.
Durata: 15 min.
Tipul activitii: hart tip pnz de pianjen

Sugestii: elevii se vor mpri n grupe de 2 3 elevi
Sarcina de lucru:
Folosind diferite surse, obinei informaii despre tiristor i organizai-le dup modelul
urmtor:
Simbol
Simbol
Caracteristici
Caracteristici
Tiristorul
Tiristorul
Principiul
Principiulde
defuncionare
funcionare
Utilizri
Utilizri

45
Activitatea de nvare 4.3. Identificarea tiristorului

- identifici terminalele tiristorului;
- identifici mrimile specifice tiristorului.
Durata: 10 min.
Tipul activitii: problematizare

Sarcina de lucru:
Pornind de la simbolul tiristorului reprezentat n figur, identificai terminalele acestuia i
mrimile specifice reprezentate.

46
Activitatea de nvare 4.4. Funcionarea tiristorului

- identifici mrimile caracteristice tiristorului;
- explici funcionarea tiristorului.
Durata: 15 min.
Tipul activitii: studiu de caz

Sarcina de lucru:
n figura de mai jos sunt reprezentate caracteristicile curent tensiune ale tiristorului.
a. precizai cum este iniiat amorsarea;

b. precizai cum se blocheaz tiristorul;
c. precizai ce tipuri de semnale se folosesc pentru comand.
47
Tema 5. Dispozitive optoelectronice

Fia de documentare 5.1. Dispozitive optoelectronice
Dispozitivele optoelectronice reprezint elemente care transform energia
radiaiilor luminoase (sau a altor radiaii din spectrul invizibil) n energie electric sau
invers. Transformarea energiei radiaiei electromagnetice n energie electric i invers
se face n mod direct, fr intermediul altor forme de energie. Fenomenele fizice
fundamentale care stau la baza funcionrii dispozitivelor optoelectronice sunt absorbia
radiaiei electromagnetice n corpul solid i recombinarea radiativ a purttorilor de
sarcin n semiconductor.
Dispozitivele optoelectronice se mpart n dou mari categorii:
- dispozitive bazate pe efectul - fotoelementul, fotorezistena, fotodioda,
fotoelectric intern
fototranzistorul, fototiristorul
dispozitive
optoelectronice - dioda electroluminscent, optocuplorul
electroluminescente
Fotoelementul, simbolizat n Fig. 5.1.1, reprezint un dispozitiv optoelectronic
care nu necesit alimentarea de la o surs de tensiune exterioar, el genernd o
anumit tensiune atunci cnd este iluminat. Valoarea tensiunii care este msurat pe o
asemenea celul care nu este conectat ntr-un circuit poart denumirea de tensiune
de circuit deschis i are o variaie pronunat la iluminri mici, iar curentul care strbate
terminalele celulei n timpul unui scurtcircuit poart denumirea de curent de scurtcircuit
i are o variaie pronunat cu ct iluminarea este mai puternic. Cu ct aria unei celule
este mai mare cu att curentul de scurtcircuit este mai mare.
Dac n aplicaii dorim s utilizm curentul unei
astfel de celule se vor utiliza rezistori de sarcini
mici, iar dac dorim utilizarea tensiunii, rezistorul
de sarcin trebuie s aib o valoare mare.
Valoarea curentului de scurtcircuit depinde i de
lungimea de und a luminii (culoarea) care
lumineaza fotocelula.
Fig. 5.1.1 Simbolul fotoelementului
Fotorezistena, simbolizat n Fig. 5.1.2, este format dintr-o pelicul
semiconductoare depus prin evaporarea n vid pe un grtar metalic fixat n prealabil pe
o plac izolatoare. Aceast pelicul se protejeaz de obicei prin acoperire cu lac sau
pelicul de mas plastic.
Acestea au proprietatea de a-i modifica valoarea rezistenei electrice sub aciunea
fluxului luminos. ntr-un circuit care conine un astfel de dispozitiv alimentat de la o
surs de tensiune constant, curentul va crete odat cu iluminarea fotorezistorului.
Variaia rezistenei lor cu temperature i ineria ridicat n funcionare, constituie
inconvenientele acestor dispozitive.
Fig. 5.1.2 Simbolul fotorezistenei

48
Principalii parametri ai fotorezistenei sunt:

Rezistena de ntuneric, (R0);
Sensibilitatea, (S).
Fotodioda, simbolizat n Fig. 5.1.3 nu difer din punct de vedere a structurii
fizice fa de diodele obinuite. Fotodioda este constituit dintr-o jonctiune pn de
construcie special, astfel nct s fac posibil incidena razelor de lumin n
domeniul zonei de difuzie a acesteia. n funcionarea normal jonctiunea pn este
polarizat invers cu ajutorul unei sursei externe. Incidena razelor de lumin n zona de
difuzie determin o cretere a curentului invers. Pot fi folosite la frecvene de ordinul
miilor de Hz.
Fig. 5.1.3 Simbolul fotodiodei
Principalii parametrii ai unei fotodiode sunt:

Curentul de ntuneric, (ID);
Tensiunea invers maxim, (URM);
Curentul de iluminare, (IL);
Sensibilitatea, (S).
Fototranzistorul, simbolizat n Fig. 5.1.4, este format din trei zone (pnp sau npn)
numite colector, baz i emitor. Zona sensibil la lumin formnd-o jonciune bazcolector. Spre deosebire de fotodiode fototranzistoarele realizeaz i o amplificare a
curentului fotoelectric. Fluxul luminos are rolul curentului de baz de aceea
fototranzistorul nu este prevzut cu terminalul pentru baz. n circuite fototranzistorul se
monteaz n conexiune emitor comun, polarizarea fcnduse ca i la tranzistor, emitorul
la potenialul negativ iar colectorul la potenialul pozitiv pentru un tranzistor npn.
Ineria n funcionare a fototranzistorului este mai mare dect a fotodiodei.
Fig. 5.1.4 Simbolul fototranzistorul
Fototiristorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structur de tiristor, a

crui aprindere se face sub aciunea unui flux luminos. i n acest caz tensiunea de
amorsare scade cu creterea intensitii fluxului luminos.
49
Dioda electroluminiscent (LED- ul), simbolizat n Fig. 5.2.1, numit LED-Light

Emmiting Diode se bazeaz pe fenomenul invers fotodiodei. Culoarea luminii emise
depinde de semiconductorul utilizat.
Fig. 5.2.1 Simbolul diodei electroluminiscente

LED-urile pot fi folosite ca indicatoare numerice sau indicatoare optice pe panourile
aparatelor. LED-ul emite lumina ntr-o anumit band foarte ngust de lungimi de und
care este caracteristic unei anumite culori.
Pentru LED-uri RGB, poate fi un singur LED cu trei structuri (Red/Green/Blue)
ncorporate care sunt comandate pe trei linii separate de comand a culorii, sau un
punct luminos", compus din structuri LED rou/verde/albastru distincte. Prin comanda
separat a fiecrei culori din cele trei se obin peste 16 milioane de nuane (principiu
care este utilizat i n monitoarele cu LED-uri
Parametrii electrici ai LED-urilor sunt identici cu cei ai diodelor:
Curentul direct, (IF);
Tensiunea de deschidere a jonciunii, (UF);
Tensiunea invers, (UR).
Optocuplorul, simbolizat n Fig. 5.2.2, este ansamblul format dintr-un LED i un
receptor luminos (fotodiod, fototranzistor) montat ntr-o capsul comun opac.
Fig. 5.2.2 Simbolul optocuplorului

Aceste dispozitive au o gam larg de aplicaii ele putnd nlocuii relee, putnd
izola partea de for de partea de comand n sistemele automate i n multe alte
aplicaii. ntr-un astfel de dispozitiv se transmit ntr-un singur sens de la intrare la ieire.
De obicei randamente de transfer relativ ridicate se obin n domeniul frecvenelor
infraroii. Optocuploarele pot fi utilizate pentru transfer de semnale att de curent
continuu, ct i de curent alternativ, frecvena limit fiind ordinul zecilor de MHz.
Pe lng parametrii ce se refer separate la emitor i receptor, parametrii
specifici optocuplorului sunt:
Tensiunea de lucru care este diferena de potenial ntre emitor i receptor;
Factorul de transfer n curent care este egal cu raportul dintre variaia curentului la
ieire i variaia curentului la intrare;
Timpul de rspuns care reprezint timpul scurs ntre momentul aplicrii semnalului
luminos i cel la care fotocurentul crete pn la 0,1 din valoarea sa maxim.
50

fotodiodei
- ridici caracteristicile statice ale fotodiodei;
Durata: 50 min.

Sarcina de lucru:
Reprezentai grafic caracteristicile statice ale fotodiodei.
Mod de lucru:
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor statice ale fotodiodei
Acoperii fotodioda pentru a nu fi iluminat;

Variai tensiunea sursei S2;
Completai Tab. 1;
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica static de ntuneric a fotodiodei

UCC [V]
1
3
5
8
10
IFD [A]
UFD [V]
Reglai I1 = 10 mA i modificai UCC din sursa S2 din volt n volt pn se obine o

instabilitate a lui IFD. Valoarea lui UFD n acest caz reprezint URmax (tensiunea
invers maxim);
Pentru diferite valori ale curentului I1, variai tensiunea sursei S2;
Completai Tab.2;
51
Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristicile statice la iluminare a fotodiodei

I1 [mA]
UFD [V]
0 .........................................................................U Rmax
IFD [mA]
IFD [mA]
IFD [mA]
Trasai caracteristicile statice ale fotodiodei n cadranul trei al planului curent tensiune.

52

fototranzistorului
- ridici caracteristicile statice ale fototranzisorului;
Durata: 50 min.

Sarcina de lucru:
Reprezentai grafic caracteristicile statice ale fototranzistorului.
Mod de lucru:
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicilor statice ale fototranzistorului
Pentru diferite valori ale curentului I1, variai tensiunea UCE;
Completai Tab.1;
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristicilor statice ale fototranzistorului
I1 [mA]
UCE [V]
0
1
2
3
5
8
10
IC [mA]
IC [mA]
IC [mA]
IC [mA]
Trasai caracteristicile statice ale fototranzistorului.
53
Activitatea de nvare 5.3. Ridicarea caracteristicii statice a diodei

electroluminiscente
- ridici caracteristica static a diodei electroluminiscente;
Durata: 50 min.

Sarcina de lucru:
Reprezentai grafic caracteristica static a diodei electroluminiscente.
Mod de lucru:
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii statice a diodei electroluminiscente

Pentru diferite valori ale curentului prin LED, I L, msurai tensiunea la bornele
sale, UL;
Completai Tab.1;
Tab. 1. Datele experimentale pentru ridicarea caracteristicii statice a diodei

electroluminiscente
IL [mA]
1
2
3
5
8
10
12
15
20
UL[V]
Trasai caracteristica static a diodei electroluminiscente.

54
Activitatea de nvare 5.4. Ridicarea caracteristicii de transfer a

optocuplorului
- ridici caracteristica de transfer a optocuplorului;
Durata: 50 min.

Sarcina de lucru:
Reprezentai grafic caracteristica de transfer a optocuplorului.
Mod de lucru:
Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii de transfer a optocuplorului
Reglai sursa S2 la 12 V;
Pentru diferite valori ale curentului prin elementul emitor (LED), I L, msurai
curentul prin fototranzistor, IC;
Completai Tab.1;
Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica de transfer a optocuplorului
IL [mA]
1
2
3
5
8
10
12
15
20
IC [mA]
Trasai caracteristica de transfer a optocuplorului.
55

56
Activitatea de nvare 5.5. Tipuri de dispozitive optoelectronice

- identifici tipuri de dispozitive optoelectronice;
- precizezi principalii parametri pentru fiecare tip de dispozitiv optoelectronic;
- descrii funcionarea fiecrui tip de dipozitiv optoelectronic;
- identifici utilizrile fiecrui tip de dispozitiv optoelectronic.
Durata: 20 min.
Tipul activitii: metoda grupurilor de experi peer learning

Sarcina de lucru:
Avnd la dispoziie 10 minute, fiecare grup va completa cte o linie a tabelului de mai
jos, folosind surse diferite.
Tip de dispozitiv
optoelectronic
Fotoelementul
Fotorezistena
Fotodioda
Fototranzistorul
LED
Optocuplor
Simbol
Principiu de
funcionare
Parametri
Utilizri
Dup ce ai devenit experi n dispozitivul optoelectronic studiat, reorganizai grupele

astfel nct n grupele nou formate s existe cel puin o persoan din fiecare grup
iniial. Timp de 10 minute vei mpri cu ceilali colegi din grupa nou format
cunotinee acumulate n etapa anterioar.
57
Activitatea de nvare 5.6. Simbolurile dispozitivelor optoelectronice

- precizezi principalele dispozitive optoelectronice;
- identifici simbolurile dispozitivelor optoelectronice.
Durata: 10 min.
Sarcina de lucru:
n coloana A sunt enumerate pricipalele dispozitive optoelectronice, iar n coloana B
simbolurile acestora. Scriei pe foaie asocierile corecte dintre fiecare cifr din coloana A
i litera corespunztoare din coloana B.
A. Dispozitive optoelectronice
B. Simboluri
1. Fotoelementul
a.
2. Fotorezistena
b.
3. Fotodioda
c.
4. Fototranzistorul
d.
5. Dioda electroluminiscent
e.
6. Optocuplorul
f.

58
III. Glosar
Amorsare comutarea dispozitivului electronic din starea de blocare n starea de
conducie.
Circuit de polarizare circuit alctuit dintr-o surs de alimentare (o surs de tensiune
continu sau o surs de curent continuu), care se mai numete i surs de polarizare i
o rezisten de polarizare care are rolul de a limita curentul prin diod astfel nct
aceasta s nu se distrug.
Comutaie trecerea rapid a unei jonciuni din stare de conducie n stare de blocare
i invers.
Dezamorsare comutarea dispozitivului electronic din starea de conducie n starea de
blocare.
Dioda - component electronic constituit dintr-o jonciune pn prevzut cu contacte
metalice la regiunile p i n i introdus ntr-o capsul din sticl, material plastic,
ceramic sau metal.
Dispozitive multijonciune dispozitive semiconductoare din siliciu, care au n
structura lor mai mult de dou jonciuni pn.
Efectul de tranzistor - efectul de comand a curentului printr-o jonciune polarizat
invers cu ajutorul curentului unei jonciuni polarizate direct i plasat n apropiere.
Efectul tunel - un electron cu energie mai mic dect bariera energetic
corespunztoare barierei de potenial reuete s treac dincolo de aceasta nu peste
barier ci prin ea (ca printr-un tunel).
Jonciunea pn - zon de contact dintre dou cristale semiconductoare, unul de tip p i
unul de tip n, avnd o grosime foarte mic de aproximativ 10 -8 ... 10-6 m.
Polarizare direct aplicarea unei diferene de potenial unei jonciuni pn astfel ca +
s fie conectat la regiunea p, iar la regiunea n.
Polarizare invers - aplicarea unei diferene de potenial unei jonciuni pn astfel ca +
s fie conectat la regiunea n, iar la regiunea p.
Punct Static de Funcionare (PSF) - perechea de mrimi electrice compus din
curentul continuu prin diod i de tensiunea continu pe diod reprezentat n planul
caracteristicii, cu coordonatele iA, uA.
Tranzistorul bipolar - o pastil de siliciu dopat astfel inct s se creeze trei straturi
dopate diferit, i deci dou jonciuni pn; una emitor-baz i alta baz-colector.
59
IV. Bibliografie
1. Bioiu, Adrian. Blu, Gheorghe. Icou, Corneliu. Lingvaz, Iosif. (1984).
Practica electronistului amator, Bucureti: Editura Albatros
2. Ceang, Emil. Saimac, Anton. Banu, Emilian. (1981). Electronic Industrial,
Bucureti: Editura didactic i pedagogic
3. Ceang, Emil. (1978). ndrumar de laborator pentru electronic, Galai:
Universitatea Dunrea de Jos Galai
4. Croitoru, Victor. Sofron, Emil. Componente i circuite electronice Lucrri
practice: Bucureti: Editura didactic i pedagogic
5. Dan, Pentru Alexandru. Luca, Dan Mihai. Albu, Adrian. Dunca, Tudor. Primejdie,
George. (1986). Diode cu siliciu - catalog, Bucureti: Editura Tehnic
6. Dascalu, Dan. Rusu, Adrian. Profirescu, Marcel. Costea, Ioan. (1982).
Dispozitive i circuite electronice, Bucureti: Editura didactic i pedagogic
7. Florea, S. Dumitrache, I. Gburici, V. Munteanu, F. Dumitriu, S. Catan, I. (1983).
Electronic industrial i automatizri, Bucureti: Editura Didactic i Pedagogic
8. Stan, Alexandru Iulian. Cnescu, Traian. Huhulescu, Mihai. Popescu, Constaniu.
Simulescu, Drago. (1998). Aparate, echipamente i instalaii de electronic
industrisl tehnologia meseriei- manual pentru clasele a IX a i a X a licee
industriale i coli profesionale, Bucureti: Editura didactic i pedagogic
9. Steriu, Dan. Brezeanu, Gheorghe. (1990). Dispozitive i circuite electronice
ndrumar de laborator, Bucureti: Facultatea de electronic i telecomunicaii
10. Vasilescu, Gabriel. Lungu, erban. (1981). Electronic, Bucureti: Editura
Didactic i Pedagogic
60

01 - Circuite Cu Componente Electronice Analogice I

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

01 - Circuite Cu Componente Electronice Analogice I

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

nvmntul profesional i tehnic n domeniul TIC

Circuite cu componente electronice analogice

Domeniul: Electronic i automatizri

Acest material a fost elaborat n cadrul proiectului nvmntul profesional i tehnic n

Fia de documentare 2.1

Activitatea de nvare 3.3

Fia de documentare 2.1

Fia de documentare 4.1

Activitatea de nvare 4.4

Absolventul nvmntului liceal cu specialitatea Tehnician n automatizri trebuie s

Tema 1. Diode semiconductoare

Fig. 1.1.1 Simbolul general al diodei

n cazul n care tensiunea pe diod

Fig. 1.1.2 Caracteristica de

Punctul Static de Funcionare furnizeaz ntotdeauna informaii despre regimul n care

Parametrii acestor diode sunt:

Diodele varicap (varactoare), cu simbolul din Fig. 1.1.3, prezint capaciti

Fig. 1.1.3 Simbolul diodei varicap

Aceste diode utilizeaz proprietatea jonciunii p-n de a se comporta ca o capacitate ce

Fig. 1.1.4 Simbolul diodei Zener

Fig. 1.1.5 Caracteristica curent - tensiune a diodei Zener

Parametrii principali ai diodelor Zener sunt:

Fig. 1.1.6 Simbolul diodei tunel

Fig. 1.1.7 Caracteristica curent tensiune a diodei tunel

Competena: Identific componentele electronice analogice

Tipul activitii: experimentul

nainte de utilizarea ohmmetrului trebuie realizat reglarea zeroului (aducerea

Se observ c valorile obinute pentru Rdir i Rinv difer de la o gam de masur

Comparai Rdirect i Rinvers , n funcie de starea diodei i completai Tab. 2

Tab. 2. Testarea diodelor

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai

Activitatea de nvare 1.2. Ridicarea caracteristicii curent tensiune

Tipul activitii: experimentul

Realizai montajul din Fig. 1, utiliznd o diod de Ge.

Fig. 1 Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei n polarizare direct

naintea nceperii msurtorilor:

Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica direct a celor dou diode

Realizai montajul din Fig. 2 utiliznd o diod de Ge.

Fig. 2 Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei n polarizare invers

naintea nceperii msurtorilor:

Se va avea grij s nu se ating tensiunea de strpungere a diodei cu Ge, fenomen

Reprezentai grafic pe aceeai foaie caracteristicile curent tensiune ale celor

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai

Activitatea de nvare 1.3. Ridicarea caracteristicii curent tensiune

Tipul activitii: experimentul

Realizai montajul din Fig. 1, utiliznd o diod Zener.

Fig. 1. Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei Zener n polarizare invers

naintea nceperii msurtorilor:

Tab. 1. Datele experimentale pentru caracteristica invers a diodei Zener

Realizai montajul din Fig. 2 utiliznd o diod Zener.

Fig. 2. Montaj pentru ridicarea caracteristicii diodei Zener n polarizare direct

naintea nceperii msurtorilor:

Tab. 2. Datele experimentale pentru caracteristica invers a celor dou diode

Reprezentai grafic pe o foaie caracteristica curent tensiune a diodei Zener.

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai

Activitatea de nvare 1.4. Funcionarea diodei semiconductoare

Tipul activitii: expansiune

Activitatea de nvare 1.5. Tipuri de diode semiconductoare

Tipul activitii: metoda grupurilor de experi peer learning

Dup ce ai devenit experi n dispozitivul optoelectronic studiat, reorganizai grupele

Dac ai realizat cerina, trecei la activitatea urmtoare, n caz contrar consultai

Activitatea de nvare 1.6. Parametrii diodelor Zener

1. Tensiunea nominal de stabilizare