Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
1.Viteza de comutatie
Viteza de comutatie caracterizeaza frecventa maxima de lucru a comutatorului. Ea se defineste ca
fiind timpul necesar iesirii sa treaca de la zero la nivelul maxim de intrare din momentul aplicarii
comenzii de deschidere a comutatorului. Deoarece
are nevoie de un timp infinit pentru a deveni
vOUT
egal cu
vIN
, se consider ieirea stabil daca se afl n jurul valorii finale intr-o zon numit band
de eroare, notata cu
dup
tS
t tS
Viteza de eantionare fiind data de viteza de incarcare a condensatorului va depinde de doi factori:
rezistena ON a comutatorului i de valoarea capacitatii condensatorului de eantionare. Aadar pentru
a ajunge la viteze mari trebuie folosit o capacitate mic si un tranzistor cu
de valoare mica ceea
rON
ce impune un raport
2.Precizia esantionarii.
Analiza anterioara a comutatoarelor MOS a artat c un raport mare W/L sau un condensator mic de
eantionare determina o vitez de lucru mai mare. Se va demonstra in continuare c aceste metode de
cretere a vitezei de lucru duc la scderea preciziei cu care semnalul este eantionat.
Trei mecanisme introduc erori n modul de operare al comutatorului MOS n momentul n care acesta
trece n starea off.Vom studia fiecare efect individual.
2.1 Injecia de sarcina din canalul tranzistorului.
Se considera initial tranzistorul in conductie. In acest caz, sub grila, este format un canal conductoe de
suprafata WL cu capacitatea Cox pe unitatea de suprafata. Considerand
, sarcina din canal
vIN vOUT
( ).
Cnd comutatorul trece n blocare, sarcina din canal iese prin terminalele drenei i sursei, fenomen
numit injecia sarcinii din canal.
Qch
()
Asa cum se observa din fig C10, aceast eroare pentru un comutator realizat cu NMOS apare ca un
salt negativ de tensiune la ieire. Acest salte este cu atat mai mare cu cat sarcina din canal este mai
mare (este direct proporional cu
) si cu atat mai mic cu cat capacitatea condensatorului este
WLCox
drena. Nu se stie cata sarcina se elimina prin sursa si cata prin drena. Aceste cantitati depind de
impedantele vazute de sursa si respectiv drena in afara tranzistorului, de timpul de tranzitie el
clockului si de alti parametri care nu pot fi integrati in relatii simple de calcul. In cel mai defavorabil
caz se considera ca intreaga sarcina din canal se elimina prin terminalul de interes. De obicei calculul
pentru marimile tipice se face considerand ca jumatate din sarcina canalului se elimina prin sursa si
jumatate prin drena.
Presupunnd c ntreaga sarcin este eliminata prin drena in condensatorul C si ca nu exista intarziere
de faza intre iesire si intrare, tensiunea eantionat in ieire in momentul
va fi:
t0
vOUT t t0 vIN t0
Se obtine:
()
vOUT t t0
()
WLCox
WLCox
vIN t0 1
VDD VTH
C
C
care arata c ieirea difer de intrare prin dou efecte: un ctig neunitar egal cu
vOUT _ D
WLCox
VDD VTH
C
WLCox
A 1
C
i o
VTH VTH 0
in care
vSB
2 B vSB 2 B
vOUT t vIN t
vIN t
vOUT
2 B vIN 2 B
WLCox
WLCox
WLCox
vIN 1
2 B vIN
VDD VTH 0 2 B
C
C
CH
Relatia anterioara arata ca intre iesire si intrare exista o dependena neliniar deoarece
vOUT
vIN
VTH
()
depinde de
n concluzie ,injecia sarcinii introduce trei tipuri de erori n circuitele de eantionare MOS: erori de
ctig, de offset i de neliniaritate. n multe aplicaii primele dou tipuri de erori pot fi tolerate sau
corectate, dar cea de-a treia nu.
si
CGD
CGS
Valoarea acestor capacitati desi este mica ele transfera din frontul clockului semnale
perturbatoare mari ce nu pot fi neglijate. Valoarea acestor capacitati depind in principal de
suprapunerile dintre grila-drena si respectiv grila-sursa. Astfel valorile lor se pot aprecia
cunoscand capacitatea de suprapunere pe unitatea de latime
. Tensiunea adusa prin
Cov
CGS
in condensatorul de esantionare este data de relatia divizorului capacitiv
Cov
, C:
()
CGS
WCov
V Vck
Vck
CGS C
WCov C
unde
CGS
este independent
x (t )
se apreciaza cu relatia
T /2
Pmed
Pmed v / R
V
Pmed
1
Lim
x 2 (t )dt
T T
T / 2
in loc de W. Cunoscand
.
2
x (t ) Pmed
x (t )
, notata cu
Sx ( f )
semnalului de zgomot
x(t )
Sx ( f )
a eliminat din definitia densitatii spectrale sarcina R iar unitatea de masura in acest caz pentru
este
in loc de
V / Hz
W / Hz
valoarea
V / Hz
x (t ) S x ( f )
H (s)
Sx ( f )
SOUT ( f )
, cu functia de
S IN ( f )
SOUT ( f ) S IN ( f ) H ( f )
unde
H ( f ) H ( s j 2 f )
Un rezistor real se modeleaza din punct de vedere al zgomotului cu un rezistor fara zgomot in serie cu
o tensiune medie patratica de zgomot
.
vz2
Densitatea spectrala de putere a zgomotului termic generat de un rezistor este
unde
k 1,381023 J / K
Sv ( f )
Sv ( f ) 4kTR, f 0
se masoara in
V 2 / Hz
. Uneori se
vz2
indica valoarea medie sau se spune ca tensiunea de zgomot este
4kTR
4kTR
valoare medie patratica. De fiecare data unitatea de masura precizeaza semnificatia. De exemplu un
rezistor de 50 are la T=300 grade K un zgomot termic de
desi asa cum s-a
8, 28 1019V 2 / Hz
precizat , tensiunea medie patratica este data de radicalul acestei cantitati care determina o tensiune de
zgomot de
. Prezenta unitatii de masura
arata ca este vorba despre o banda de
0,91nV / Hz
Hz
frecventa de 1Hz si este utila in calculul puterii si densitatii spectrale determinand ca puterea intr-o
banda de 1Hz sa fie
. Polaritatea tensiunii de zgomot nu este importanta deoarece
0,9110
9 2
V2
5
zgomotul este un semnal aleator dar dupa ce polaritatea este fixata ea prebuie pastrata pentru rezultate
consistente.
Comutatorul MOS si condensatorul C care formeaza circuitul de esantionare se pot modela cu
circuitul din fig C13 in care tranzistorul s-a inlocuit cu rezistenta
. Zgomotului care afecteaza
rON
vr _ z
rON
notata cu
in fig C13c.
Fig. C13
Functia de transfer a circuitului din fig C13c este data de
vOUT
1
vr _ z 1 sCrON
In cazul circuitului de esantionare din fig C13a, densitatea spectrala de putere a zgomotului din iesire
se determina cu :
SOUT Sr _ z
vOUT
vr _ z
4kTrON
1
1 2 f C rON
Deoarece
1
1 u 2 arctgu
1
1 2 f C rON
dt
Pout _ z
Unitatea de masura pentru cantitatea
2kT
kT
u
arctgu u 0
C
C
kT / C
este
ca o
kT / C
. De exemplu pentru un condensator
2
vOUT
_Z
64,3Vrms
kT / C
de rezistenta din circuit si poate fi redusa numai crescand capacitatea C ceea ce duce la ncarcarea
altor circuite i la scderea vitezei de operare.
In concluzie, rezistena ON a comutatorului introduce un zgomot termic la ieire, iar cnd comutatorul
trece in off acest zgomot este stocat n condensator mpreun cu valoarea instantanee a tensiunii de
intrare, asa cum se vede in fig C14.