Dispozitive electronice

2.4. Ecua{ii de continuitate

Cauzele variatiei concentrafiei de purtitori mobili de sarcini pot
generare determinatd de agenli externi;
generare-recombinareintemS.;
fenomene de transport (curen{i electrici).
Tindnd cont de aceste cauze se pot scrie ecualiile de continuitate:

0n-l+
?At = G, - Rn t:v

fi:

j,

(2.32)

*otq= c, - n, -!v .i,

e.33)

Pentru cazul particular in care Gr=0, modelul este unidimensional gi recombindrile nete sunt date de
relaliile (2.31) qi (2.32) se oblin urmdtoarele ecuafii de continuitate:

n-no , I Aj,

An

(2.34)

rn q0x
0p_ p* po I Ai,
At

0t

(2.3s)

q)x

r,

2.5. Ecualii de bazi ale semiconductoarelor

Un dispozitiv semiconductor poate fi descris cu ajutorul unui sistem de ecualii liniare qi diferen{iale,
in condifiile precizirii condifiilor: la limit5, iniliale qi de dopaj (No $i Ne).
Ecuafiile de curent

?+
j,= q.ft.lt,E+q. D,.yn
?+ p' E-q'Do'Yp
i

o=

e'

Ito

j =j,*j,*r.4
'ot

Ecuafiile de continuitate

0n_ ft-no,l

a,-- ,

op

0t

Aj^

-a' a,

__p-po _!.ajo
to ql Ax

Ecua{ia lui Poisson

in care

^"

er

-:(p-n+ Ni:N;)

este poten"tialul electric ce genereazd c6mpul electric de intensitate

i=-Yu
Densitatea

totali de sarcini electricd intr-un semiconductor

p, = q(p_n+N; _N;)

10

este:

intre a qi E existi rela{ia:

Nofiuni de fizica semiconductoarelor

Aplica{ii
Ap. f. intr-un semiconductor dopat cu impuritd{i donoare se cunoaqte concentralia atomilor de impuritdli
care s-au ionizat, Ns*. Presupun6nd ci la orice temperaturl semiconductorul este nedegenera! se cere:
a) concentrafia purtdtorilor mobili de sarcini, ro : ?, po: ?l

b)

s[

se aproximeze rela]iile oblinute pentru:

bl)

temperaturi normale, (la care No- =t n);

b2) temperaturi inalte, (la cme No*
r,.

..

Rezolvare
Condi{ia de neutralitate:

n":

Semiconductor nedegenerat, la echilibru termic:

Pn'nn =

a)

po + No
n?

Rezolvdnd sistemul cu cele doud ecua{ii de mai sus, oblinem:

n,=s.ml.,'
Po=

_N;

* /[ ri )'

z'\lz )
.n.

bt)

no

=N;

$1

Po= ]Y,
*

b2)

no

=fli

gi

P,7fl,

Ap. 2. Un monocristal de siliciu a fost dopat cu

Na:

calculeze:

a)
b)

c)

concentraJia

purtitorilor mobili de sarcind, rb

pozilianivelului Fermi,

rezistivitatea, p.
Se vor considera: ni: 1,45.1010

1,1'1016 cm-3 gi

?,

po:

No:

1016 cm-3.

Pentru T

300 K sd se

?;

Ep;

"--t,

p,:

1000 cmtlv.s $i

p":400

cm2lV.s, k

1,38'10-" JlK.

Rezolvare
a) Presupunem ionizarea totald a impuritdlilor deoarece temperatura este de 300 K. Ca urmare:

Nr,,=N., qi

NnzN)

Utilizam condilia de neutralitate qi ecualia pentru concentraliile de electroni qi goluri la echilibru termic:

n,+ N)= po+ Ni

Po'no = n?
Deoarece concentra{ia de impuritili acceptoare, Na este mai mare decdt cea a impuritdlilor donoare, Np iar
diferenla celor doud concentralii este mult mai mare decdt ni, semiconductorul va avea mult mai multe goluri
decAt electroni. Ca urmare, se poate neglija no in conditia de neutralitate:

Po=Na-ND

=1,1 '1016-10tu

=lyrucma

Pentru concentra{ia de electroni se ob{ine:

(t'ol
,o=!l-:
po ro,tlg''l

=2,t.taa

b) Pentru un semiconductor nedegenerat la echilibru termic se poate exprima concentrajia de goluri astfel:

l1

Dispozitive electronice

pu =
Prin logaritmarea relaliei anterioare

E,

- Eo : k. r

se

(r
n,...p[ -n,\
kr

obline:

.m!!lJl= k' T . tnoo lnvl:l3q l0- :3-'J00 hr-lq' - luvl= 0,34lev

q
h, "
fi,' '
1.6-10-''' 1.45.10'u' '

NotI
La T:300 K, tensiunea termic5, V6

este:

v,o=k'T =0,025875v =o,o26v =26mv

q
De remarcat cd nivelul Fermi se afld in banda interzisd (ceea ce confirmS. c5 semiconductorul

este

nedegenerat), in apropierea nivelului maxim al benzii de valen!5, Ey. Aceasti pozilie a nivelului Fermi este
specifi cd semiconductoarelor tip p.
c) Rezistivitatea se calculeazi. cu relalia:

111
Q=q(n'p,+ p'rn)=
'in

acest semiconductor,

6*

'1t't'o*

:1,56{l'cm

purtitorii majoritari sunt golurile, concentra{ia acestora determindnd rezistivitatea

materialului.
Ap. 3. Si se calculeze ponlia nivelului Fermi pentru monocristale de siliciu dopate astfel:
-=:-;=;;:i67::_-

a) Na:
b) No:

1018 cm-3 qi

No:

1,01'101e cm-3 gi

0 cm-3;
lOre cm-3.

No:

Sd se indice, pentru fiecare caz, dacd

Se vor considera:

T:300 K, ni:

semiconductod este degenerat.

1,45.10t0 cm-', Eo

- 1,11 eV, k:

1,38 l0-23 J/I(.

Rezolvare
Calculele sunt similare cu cele din aplicalia precedenti. Se oblin urmdtoarele rezul:tate:

a)
b)

:
po :
po

cm-',
lorT cm-',
1018

E,
E,

:
Ee :
EE

0,467 eY
0,408 ev.

Ap. 4. La o probi omogeni realizatl, dintr-un material semiconductor prr s-a mdsurat rezistenla in doud
condilii de temperaturS:

Si

a) 01 : 25oC, Rr: 250 Q;

b) 01: 100oC, &:3,1 Cl.

se indice din ce material estre rcalizatdproba.

Ap. 5. La o probd omogend realizatd dintr-un material semiconductor pw s-a mdsurat rezistenla in doud
condilii

c)
d)

de temperaturd:
01

:25oC, R1: 736 Q;

er

100"c, R2:2,7

{>.

Sd se indice din ce material estre

rcalizatl proba.

Ap. 6. La o probd omogen[ reaiizatd dintr-un material semiconductor pur s-a mdsurat rezisten]a in doui
condilii de temperaturi:

: 25oC, R1: 565 O;

f) 0r : 100oC, Rr:36 O.
e)

01

Sb se indice din ce material estre realizatdproba.

12