MATERIALE UTILIZATE N MECATRONIC

DISPOZITIVE CU UND ELASTIC DE SUPRAFA

Dispozitivele cu und elastic de suprafa reprezint o categorie speciala de

dispozitive la interfata mecanic-electronic. Din zona mecanicii, dispozitivele folosesc
proprietatea unor materiale solide de a transmite vibratii mecanice prin volumul lor.
Oscilaiile elastice snt supuse unor fenomene specifice: transmisie cu atenuare, transmisie
selectiv datorat caracteristicilor sistemului mecanic (frecvene proprii de rezonan ale
sistemului de atomi modelat ca un ansamblu de mase i resorturi), reflexie la suprafaa de
separaie dintre dou medii.
Semnalul mecanic este generat de un dispozitiv de tip piezolelectric (a se revedea
lucrarea cu acest tip de dispozitive), ce transforma o tensiune electric sinusoidal ntr-o
micare oscilatorie longitudinal (direcia de oscilaie este paralel cu direcia de
propagare). Dispozitivul este plasat pe una din feele laterale ale monocristalului. Dup ce
oscilaia se propag n condiiile descrise mai sus, este recepionat de un dispozitiv similar
plasat pe o alta fa a monocristalului i transformat napoi n semnal electric, cu
caracteristici modificate (atenuare, filtrare, ntrziere, etc.).

Figura 1. Structura unui dispozitiv cu unda elastica de suprafaa.

Figura 2. Structura unei linii de ntrziere cu und acustic.

Pot fi astfel realizate dispozitive larg folosite n industria electronic i anume: filtre
trece-band, linii de ntrziere, codoare i decodoare pentru semnale modulate n faz,
dispozitive pentru realizarea integralei de corelaie ntre dou semnale.
Fenomene fizice n dispozitiverle cu und elastic de suprafa
Dintre tipurile de und de suprafa se folosesc aproape n exclusivitate undele
Rayleigh (unde polarizate eliptic, atenuate n adncime). Amplitudinea acestor unde tinde
ctre zero dup aproximativ (1 ... 2), unde:

v
f

v
- este lungimea de und a undelor de suprafa;
f

viteza de propagare a undelor de suprafa;

frecvena undelor de suprafa.

Materiale utilizate
In tabelul 1.15 sint indicate principalele cristale piezoelectrice utilizate pentru
dispozitivele cu und de suprafa, indicndu-se ca performane ale acestora viteza de
propagare v, coeficientul de temperatur al vitezei de propagare v, coeficientul de cuplaj
piezoelectric k2 i atenuarea undelor de suprafa la frecvena de 1 GHz (atenuarea
datorit pierderilor n reeaua cristalin a c, atenuarea datorit excitrii unor unde de
volum n mediul n contact cu suprafaa liber a cristalului aa, atenuarea datorit direciei
razei adr i atenuarea datorit difraciei ad ).
Dintre aceste cristale, cuarul este utilizat pentru dispozitivele cu und de
suprafa, n special pentru valoarea foarte redus a coeficientului de temperatur a
vitezei de propagare (valoare nul pentru seciunea ST). Viteza de propagare are valori
medii, iar coeficienii de cuplaj piezoelectric sunt n general mici (cea mai mare valoare
pentru cuar se obine n cazul seciunii HC).

Figura 1. Celula elementar a cuarului vedere de ansamblu si proiectii pe diverse direcii.

Figura 2. Structura cristalin a niobatului de litiu.

Niobatul de litiu monocristalin are cel mai mare coeficient de cuplaj piezoelectric
pentru undele de suprafa i cea mai mic atenuare, pentru propagarea acestora
reprezentind din aceste motive un substrat foarte utilizat. Principalul su dezavantaj
l reprezint valoarea prea mare a coeficientului de temperatur, ceea ce impune,
pentru obinerea unor performane ridicate, termostatarea dispozitivelor.
Germaniatul de bismut (monocristal aparinnd clasei de simetrie 23) are valori
medii ale coeficientului de cuplaj piezoelectric i ale atenurii, coeficieni de temperatur
mari, ns vitez de propagare foarte mic a undelor de suprafa, rezultnd linii cu
ntrziere mare i dimensiuni geometrice acceptabile i traductoare interdigitale
realizabile la frecvene de ordinul zecilor de megaheri.
Dintre substraturile piezoelectrice, cele mai mari viteze de propagare ale undelor
de suprafa prezint oxidul de beriliu (monocristal hexagonal) i nitratul de aluminiu
crescut epitaxial pe safir. Dei tehnicile de obinere a acestor cristale sunt mai
delicate, ele se utilizeaz pentru frecvene mari (de ordinul gigaherilor) pentru a
obine traductoarele prin tehnologii mai simple.
Ceramicile piezoelectrice (dintre care se remarc titanat-zirconatul de plumb)
au coeficieni de cuplaj piezoelectrici de valori relativ mari, ns nu pot fi utilizate
dect pn la frecvene de ordinul zecilor de megaheri deoarece structura policristalin
nu permite o prelucrare superioar a suprafeelor, iar atenurile datorit propagrii au
valori foarte mari care cresc practic cu ptratul frecvenei de lucru.
In cazurile n care dispozitivele cu und de suprafa, se folosesc mpreun cu
dispozitivele semiconductoare realizate n varianta integrat, se recomand utilizarea
substraturilor de oxid de zinc sau nitrat de aluminiu crescute epitaxial pe acelai substrat
de safir pe care se crete i siliciul necesar realizrii inte gratului monolitic. In acest
mod se obine o mare flexibilitate n realizarea unor circuite complexe ca linii de
ntrziere programabile, codoare i decodoare cu modulaie n faz. memorii
recirculante.

Determinri experimentale
Avnd la dispoziie un dispozitiv cu und elastic de suprafa desfcut precum i
eantioane ale diverselor materiale utilizate n confecionarea acestui tip de dispozitiv,
se vor realiza urmtoarele operaii:
-

folosind metode de analiz a microscopului electronic (vezi lucrarea 5,

ndrumar STUDIUL MATERIALELOR, C. Munteanu .a. ) se determin
compoziia chimic i tipul cristalului folosit n dispozitiv.
folosind metoda difraciilor radiaiei X din (vezi lucrarea 6, ndrumar
STUDIUL MATERIALELOR, C. Munteanu .a) se determin structura
cristalin i indicii Miller ai suprafeei monocristalului. Cunoscnd structura
cristalin a acestuia, se determin indicii Miller ai direciilor de propagare a
oscilaiilor elastice n cristal.
se ridic schia mecanic a dispozitivului (dimensiunea cristalului, poziia
elementelor generatoare i receptoare de semnal).
cunoscnd frecvena semnalului electric introdus i cunoscnd relaia pentru
lungimea de und propagat n monocristal, se calculeaz valoarea lungimii de
und i se compar analitic cu dimensiunile monocristalului (se calculeaz
atenuarea pn la fiecare suprafa de reflexie, numrul de reflexii, lungimea
total a drumului parcurs de oscilaia mecanic i defazajul ntre semnalul de
intrare i cel de ieire).
se cupleaz dispozitivul n circuitul de testare electronic. Se aplic semnal de
intrare pe frecvena indicat pe placa de test i se analizeaz semnalul de
ieire.
se determin rolul maselor de acordare aplicate pe suprafaa cristalului.