-

miniaturizare
lucrul la frecvente ridicate
functionarea in conditii variate
etc.

Ge: E = 0.7 eV 60 80 oC; mare

Si: E = 1.12 eV 200 210 oC; mic
puritate: max 10-14 %
Doping
cm-3

Electron
Mobility
(cm2 /Vsec)

1014

1500

15

1500

1016

1400

17

1200

10
10

1018

800

10

19

200

10

20

90

numarul materialelor semiconductoare este de ordinul sutelor!!!!

Calsificare cantitativa si calitativa

Conductoare: 104 106 -1cm-1
Semiconductori: 10-10 104 -1cm-1
Izolatoare: 10-20 10-10 -1cm-1
(T) = 0(1+T); >0
(T) = 0exp(b/T);
fotoconductia!!!

RETEAUA CRISTALINA:
z

Vectori
de translatie :
r
r
r
r
Rn n1a1 n2a2 n3a3

A002

n1, n2 i n3 fiind numere ntregi arbitrare.

A001

r
c

O
A0

A0r

rb
a

A0

A12
A21

A11
A1

A2

Caracteristicile reelelor tridimensionale (spaiale).

Paralelipipedul figurat cu linii continue reprezin
celula elementar
(paralelipipedul vectorilor de baz).

r
a

r
c

r
b
y

x
Celula elementar pentru o reea tridimensional.

SISTEMUL
CUBIC

Tabelul 1.
Nr
crt

1.

4.

6.

Sistemul

Cubic

Tetragonal

Rombic
(ortorombic,
ortogonal)

Nr.
reelelor
din
sistem

Relaii
ntre
mrimile
vectorilor
de baz

a=b=c

a=bc

abc

Unghiuri
le dintre
vectorii
de baz

= =
= 90o

= =
= 90o

= =
= 90o

10.

Romboedric
(trigonal)

a=b=c

==
90o

11.

Monoclinic

abc

==
90o

13.

Triclinic

abc

14.

Hexagonal

a1 = a2 = a3
c

90o
1 = 2 =
3 = 90o
1 = 2 =
3 = 120o

Tipul reelei
spaiale
Cubic simpl
(P)
Cubic cu fee
centrate (F)
Cubic cu
volum centrat
(I)
Tetragonal
simpl (P)
Tetragonal cu
volum centrat
(I)
Rombic
simpl (P)
Rombic cu
baze centrate
Rombic cu
fee centrate
(F)
Rombic cu
volum centrat
(I)
Romboedric
simpl (P)
Monoclinic
simpl (P)
Monoclinic cu
baze centrate
Triclinic
simpl (P)
Hexagonal
simpl (P)

Notaii

SISTEMUL
TETRAGONAL

CS
CFC
(c.f.c.)
CVC
(c.v.c.)

SISTEMUL
ROMBIC

TS
TVC
SISTEMUL
ROMBOEDRIC

SISTEMUL
MONOCLINIC

SISTEMUL
TRICLINIC

SISTEMUL
HEXAGOLNAL

RETEAUA RECIPROCA
r
r
r
r
K g g1b1 g 2b2 g 3b3
r 2 r r
r r r
b1
a

a
2 3 ; 0 a1g a2 a3
0

(a)

(b)

3
r r r
2

b gb b

1
2
3
0

Prima zon Brillouin pentru reelele reciproce cubice

cu volum centrat (a) i cubic cu fee centrate (b).

n cazul reelei cubice cu fee centrate un anumit nod

este nconjurat de 12 noduri vecine de ordinul nti

Celula primitiv Wigner-Zeitz n reeaua reciproc

de tip CVC. Sunt indicate punctele i liniile de
simetrie:
(0,0,0) centrul zonei
1 1 1

L , , - limita zonei dup direcia (axele

2 2 2
<111>)
X (0,0,1) limita zonei dup direcia (axele <100>
3 3

K , , 0 - limita zonei dup direcia (axele

4 4

Structura cristalin a diamantului.

Se poate observa caracterul
tetraedric al legturilor.
Aranjamentul atomic n structura
de tip wrtzit (a)
i n structura de tip blend de
zinc (b).

Structura cristalin de tip blend

(de zinc)

Structura cristalin a seleniului i

telurului.
Structura cristalin de tip wrtzit.

Clasificare dupa compoziia chimic a materialelor semiconductoare:

-

elemente semiconductoare (semiconductori elementari);

compui semiconductori, care, dup numrul componentelor, pot fi binari (cu dou
componente), ternari (cu trei componente), cuaternari etc;

aliaje semiconductoare;

semiconductori oxidici;

semiconductori feromagnetici;

semiconductori feroelectrici (seignettoelectrici);

semiconductori refractari;

semiconductori sticloi (cu structur sticloas sau sticle semiconductoare);

semiconductori organici.

mai putem meniona semiconductorii necristalini (amorfi) i semiconductorii n stare lichid.

1. Elemente semiconductoare (semiconductori

elementali, semiconductori atomici)
Grupa
Perioada

II
III

III

IV

Al

14

N
15

Si

IV

Ga

32

In

50

VI

Tl

Ne

Cl

Ar

Se

Br

Kr

53

Xe

At

Rn

34

51

52

Sb

Te

83

Pb

VIII

33

As

Sn

VII

16

Ge

VI

Bi

Po

a. Din grupa a III-a a sistemului periodic, borul are unele proprieti semiconductoare.
b Grupa a IV-a include elementele semiconductoare tipice: carbon (cu cele dou
modificaii: diamant i grafit), siliciu, germaniu i staniu.
- structur de tip diamant,
- legtur chimic covalent format dup hibridizarea de tip sp 3 a atomilor. Unghiul dintre
legturi este de 109o28 (Fig. 2.4).
3

= 109o28

4
2

1
a/2
Configuraia tetraedric a atomilor de carbon n structura de tip diamant.

Tabelul 2.2. Elementele semiconductoare din grupa a IV-a care posed structur cristalin de
tip diamant.
Elementul
Diamant
Siliciu
Germaniu
Staniu (gri)

Simbolul
C
Si
Ge
-Sn

Raza
covalent ()
0,77
1,17
1,22
1,40

Parametrul
reelei ()
3,5598
5,434
5,657
6,46

Distana
interatomic ()
1,542
2,35
2,446
2,8

Carbonul dou modificaii alotropice, diamantul i grafitul, ambele fiind incluse n

categoria materialelor semiconductoare.
Grafitul Structura cristalin este hexagonal, parametrii reelei fiind:
a = 2,462 i c = 6,701 .
-

plane (straturi) paralele formate din hexagoane regulate, n vrfurile crora se gsesc
atomi de carbon.

proprieti fizice puternic anizotrope. (conductivitatea electric msurat ntr-o direcie

paralel cu staturile de atomi de carbon este aproape de o mie de ori mai mare dect
cea msurat ntr-o direcie perpendicular pe aceste straturi).

(c)
(c)

(a)

(a)

(a)

(b)

Fig. 2.5. Structura cristalin a grafitului: (a) grafit normal;

(b) - modificarea romboedric a grafitului (cu trei straturi).

Siliciul 27,6% din masa scoarei Pmntului.

se gsete sub forma unor compui (bioxid de siliciu, silicai etc.).
structur de tip diamant
latura cubului fiind a = 5,434

punctul de topire a siliciului cristalin este de 1423oC.

Germaniul (1885 de ctre C.A. Winkler)
structur de tip diamant
latura cubului fiind a = 5,657
punctul de topire a siliciului cristalin este de 959oC.
Staniu
- trei modificaii alotropice. Staniu- (-Sn) sau staniul gri (cenuiu) cristalizeaz ntr-o reea
de tip diamant, fiind stabil pn la o temperatur de 13,2oC. La aceast temperatur, staniu-
se transform n staniu metalic, numit i staniu alb sau -Sn, care are o structur cristalin
tetragonal (parametrii reelei sunt a = 5,831 i c = 3,176 ).
- Modificaia -Sn (staniul gri) are caracteristici semiconductoare

c Unele elementele din grupa a V-a a Sistemului periodic al elementelor (fosfor,

arsen, stibiu, bismut) au caracteristici semiconductoare.
Fosforul
Fosforul are trei modificaii alotropice mai importante: fosforul alb, fosforul rou i
fosforul negru.
- Structur cristalin rombic (ortogonal), parametrii celulei elementare avnd valorile: a =
3,31 ; b = 4,38 ; c = 10,50 .
- structur este stratificat, distana dintre straturi fiind de 3,68 , iar ntre atomii de fosfor
dintr-un strat distana este de 2,18 .

Fig. 2.7. Structura cristalin a fosforului negru.

Arseniul - mai multe modificaii alotropice.

Fig. 2.8. Structura cristalin a arseniului gri (-As).

O structur similar au Sb i Bi.

Stibiul (antimoniul)
- o singur form de structur cristalin i mai multe faze amorfe (stibiu galben i stibiu
negru).
- faza cristalin romboedric (cu parametrii a = 4,5064 i = 57,1o) asemntoare cu
structura cristalelor de arsen).
Bismutul
reea romboedric (a = 4,7458 , = 57o1413) (Fig. 2.8).
- elementele semiconductoare din grupa a V-a nu au aplicaii semnificative
- componente a unui numr foarte mare de compui semiconductori.
d Din grupa a VI-a a sistemului periodic: sulful, seleniul i telurul.
Aceste trei elemente, precum i compuilor binari ai acestora, de tipul sulfuri,
seleniuri, telururi se numesc de regul, calcogenuri (calcogeni sau semiconductori calcogeni).
Sulful,
- numr mare de modificaii cristaline i amorfe.
- structura rombic (-sulf, -S) (Fig. 2.9).
- structura monoclinic (-sulf, -S).

Fig. 2.9. Structura cristalin a sulfului romboedric (-sulf).

Se observ prezena unor inele formate din cte ase atomi de sulf.

Seleniul
- caracteristici semiconductoare tipice.
- mai multe modificaii alotropice ale seleniului.
- se topete la 217oC.
- Structura hexagonal este cea mai important din punct de vedere a proprietilor
semiconductoare.

Telurul.
Punctul de topire este 449,8OC.

Structura cristalin a seleniului i telurului.

(a) celula elementar a structurii;
(b) proieciile atomilor din catene pe un plan
paralel cu baza prismei hexagonale.

e Iodul,
- sistemul rombic (parametrii reelei: a = 7,250 , b = 9,772 , c = 4,774 ).
- cristalele de iod se topesc la 113,5oC
conductivitate electric mic ( = 1,7.107 1cm1 la 25oC)

2. Compuii semiconductori
-

compui cu dou componente (compui binari),

cu trei componente (compui ternari),

cu patru componente (cuaternari) .a.m.d.

Compui semiconductori binari

Grupa, din sistemul periodic, din care

face parte componentul respectiv

AIIBVIAIIIBVA2IIIB3VIAlte notaiiII-VI
2-6III-V
35CdSAlSbIn2Se3ZnSInSbIn2Te3ExempleCdSe
GaSbGa2Se3ZnSeGaAsGa2Te3

Numrul de atomi din

element n compus

Legtura cristalin n aceti compui este mixt: ionic i covalent.

a.

Compui de tipul AIIIBV

Tabelul 2.2
Formula
chimic
BN
BP
BAs
BSb
AlN
AlP
AlAs
AlSb
GaN
GaP
GaAs
GaSb
InN
InP
InAs
InSb

Denumirea
compusului
nitrid (nitrur)
de bor
fosfid de bor
arsenid de
antimonid
(antimoniur)
de bor
nitrid (nitrur)
de aluminiu
fosfid de
aluminiu
arsenid de
aluminiu
antimonid
(antimoniur)
de aluminiu
nitrid (nitrur)
de galiu
fosfid de
galiu
arsenid de
antimonid
(antimoniur)
de galiu
nitrid (nitrur)
de indiu
fosfid de indiu
arsenid de
indiu
antimonid
(antimoniur)

Distana dintre
doi atomi vecini

Parametrii
reelei
()

Temperatura
de topire
(oC)
3000

1,58

blend
blend

a = 2,504
c = 3,65
a = 4,533
a = 4,7586

2500
2000

1,97
2,06

blend

a = 5,1744

2,24

wrtzit

a = 4,5276

2200

1,96

blend

a = 5,4516

> 1800

2,36

blend

a = 5,62

> 1700

2,43

blend

a = 6,13

1065

2,66

wrtzit

a =

1300

1,96

blend

a = 5,45

1550

2,36

blend

a = 5,64

1237

2,44

blend

a = 6,09

703

2,64

wrtzit

a = 4,9434

1200

2,14

blend

a = 5,86

1058

2,54

blend

a = 6,05

943

2,62

blend

a = 6,64

525

2,80

Tipul
reelei
blend

A i B ()

de indiu

b Compui semiconductori de tipul AIIBVI

Simbol

-ZnS
- ZnS
-ZnSe
-ZnSe
-CdS
-CdS
-CdSe
-CdSe
-ZnTe
-ZnTe
-CdTe
-CdTe
HgS
HgSe
HgTe

Denumirea
compusului
sulfur de zinc
sulfur de zinc
seleniur de zinc
seleniur de zinc
sulfur de cadmiu
sulfur de cadmiu
seleniur de
cadmiu
seleniur de
cadmiu
telurur de zinc
telurur de zinc
telurur de cadmiu
telurur de cadmiu
sulfur de mercur
seleniur de
mercur
telurur de mercur

Valorile parametrilor
celulei elementare
blend
wrtzit
de zinc

Distana
interatomic
n
configuraie
tetraedric
()

Temperatura
de topire
(OC)

2,34

1830

2,45

1515

2,52

1750

2,62

1258

2,64

1295

2,80

1098

2,53

1450

a ()

a ()

c ()

5,4145

5,653

5,832

3,8230

3,9966
4,1348

4,1348

3,8230

6,652
6,7490

6,7490

6,05

6,101

6,4822
5,8410

4,27

4,57

6,99

7,47

6,084

2,63

800

6,423

2,80

670

Compuii de tipul AIVBVI

Formula
chimic

Denumirea
compusului

GeS

Sulfur de germaniu

GeSe

Seleniur de germaniu

GeTe

Telurur de germaniu

SnS

Sulfur de staniu

SnSe

Seleniur de staniu

SnTe
PbS
PbSe

Telurur de staniu
Sulfur de plumb
Seleniur de plumb

Tipul
reelei

Parametrii
reelei ()

a = 4,301
ortorombic b = 3,649
c = 10,45
a = 4,403
ortorombic b = 3,852
c = 10,82
NaCl
a = 5,98
a = 4,349
ortorombic b = 3,988
c = 11,202
a = 4,46
ortorombic b = 4,19
c = 11,57
NaCl
a = 6,352
NaCl
a = 5,936
NaCl
a = 6,15

Temperatura
de topire
(oC)
665
670
725
881
860
806
1119
1076

PbTe

Telurur de plumb

NaCl

a = 6,46

917

III VI
V VI
Compuii de tipul A2 B3 i A 2 B3

Tabelul 1.30
Formula
chimic

Denumirea
compusului

Al2S3

sulfur de aluminiu

Al2Se3

seleniur de aluminiu

Al2Te3

telurur de aluminiu

Ga2S3

sulfur de galiu

Ga2Se3

seleniur de galiu

Ga2Te3

telurur de galiu

In2S3

sulfur de indiu

In2Se3

seleniur de indiu

In2Te3

telurur de indiu

Tipul reelei
hexagonal
(wrtzit)
hexagonal
(wrtzit)
hexagonal
(wrtzit)
hexagonal
(wrtzit)
cubic
(blend de zinc)
cubic
(blend de zinc)
cubic
(blend de zinc)
hexagonal
(wrtzit)
cubic
(blend de zinc)

Parametrii
reelei ()
a = 3,579
c = 5,829
a = 3,89
c = 6,3
a=
c=
a=
c=

Temperatura
de topire
(oC)
1100
980
895
1125

a = 5,429

747

a = 5,899

792

a=

1090

a = 7,14
c = 19,38

660

a = 6,15

667

V VI
Compui de tipul A 2 B3

Formula
chimic

Denumirea
compusului

Tipul reelei

Se2S3

sulfur de arsen

monoclinic
(auripigment)

Se2Se3

seleniur de arsen

monoclinic
(auripigment)

Se2Te3

telurur de arsen

monoclinic
(auripigment)

Sb2S3

sulfur de stibiu

ortorombic
(stibnit)

Sb2Se3

seleniur de stibiu

ortorombic
(stibnit)

Parametrii
reelei ()
a = 11,46
b = 9,57
c = 4,22
= 99o
a=
b=
c=
a = 14,339
b = 9,873
c = 4,006
= 95o
a = 11,20
b = 11,28
c = 3,83
a = 11,62
b = 11,77

Temperatura
de topire
(oC)
325

360

362

546
612

Sb2Te3

telurur de galiu

romboedric
(tetradimit)

Bi2S3

sulfur de bismut

ortorombic
(stibnit)

Bi2Se3

seleniur de bismut

romboedric
(tetradimit)

Bi2Te3

telurur de bismut

romboedric
(tetradimit)

c = 3,962
a=
b=
c=
a=
b=
c=
a=
b=
c=
a=
b=
c=

621
750
706
585

Compui de tipul AIIBV

II V
patru clase importante de compui: AIIBV, A 3 B2 , A IIB2V i A IIB4V .

Formula
chimic

Denumirea
compusului

Zn3P2
ZnP2
ZnP2
Cd3P2

fosfid de zinc
difosfid de zinc (negru)
difosfid de zinc (rou)
difosfid de cadmiu
difosfid de cadmiu
(modificaia )

CdP2

Tipul reelei

Parametrii
reelei ()

tetragonal
monoclinic
tetragonal
tetragonal
ortorombic

Temperatura
de topire
(oC)
1180

739
a = 5,28
c = 17,70
a=
b=
c=
a=
b=
c=
a = 9,13
b = 7,72
c = 7,79
= 102o12
a=
b=
c=

CdP4

tetrafosfid de cadmiu

Zn3As2

diarsenid de zinc

tetragonal

ZnAs2

diarsenid de zinc

monoclinic

Cd3As2

diarsenid de cadmiu

tetragonal

CdAs2
ZnSb
Zn4Sb3
Zn3Sb2
CdSb
Cd4Sb2

diarsenid de cadmiu
antimonid de zinc
triantimonid de zinc
diantimonid de zinc
antimonid de cadmiu
diantimonid de cadmiu
diantimonid de
magneziu
diantimonid de calciu
diantimonid de mercur

tetragonal
rombic
monoclinic
monoclinic
rombic
rombic

621
546
563
566
456

tetragonal

1228

Mg3Sb2
Ca3Sb2
Hg3Sb2

1015

771

721

Compui de tipul A II2BIV

ETC.......
Compui semiconductori ternari i cuaternari
- substituii transversale (se efectueaz deplasri n direcii perpendiculare pe irul
elementelor care formeaz grupa a IV-a),
- pstrnd regula valenei, se pot obine compui binari care sunt considerai ca fcnd
parte din serii analoage orizontale. Astfel de serii sunt:
Ge GaAs ZnSe CuBr
-Sn InSb CdTe AgI
semisuma valenelor componentelor compuilor este egal cu patru, adic 4 pentru Ge; (3 +
5)/2 = 4, pentru GaAs; (2 + 6)/2 = 4 pentru ZnSe; (1 + 7)/2 = 4 pentru CuBr.
- substituii longitudinale, nlocuind un anumit element cu altul din aceeai grup. Vom avea
de exemplu, seriile de compui: GaN GaP GaAs GaSb sau AlP GaP InP.
Exemplu: GaAs ZnSiAs2, ZnGeAs2, CdSnAs2 etc.
- atomul de Ga, cu valena 3, este nlocuit de doi atomi: unul cu valena 2 (Zn, Cd) i unul cu
valena 4 (Si, Ge, Sn). Valena medie a celor doi atomi este deci egal cu 3, identic cu cea
a atomului de Ga care a fost nlocuit. n fond se poate scrie aceast substituie sub forma:
Ga2As2 ZnSiAs2 CdSnAs2 etc.
- compuii ternari mai intens studiai: AIBVIIICVI, A IBIII C2VI , A IB V C2VI , AIIBIV C2V , A IIBIII2 C4VI ,
A IIBIVC3VI , A I2BIIC3VI , A I2BIIC4VII , AII2BIV C4VI , A IIIB V CIV
4 .a.
Tabelul 1.31. Structura cristalin a compuilor de tipul A IIBIV C2V
Formula
chimic

Tipul reelei

MgSiP2

calcopirit
blend de zinc

MgGeP2

calcopirit

ZnSiP2

wrtzit

ZnSiAs2

calcopirit

Parametrii
reelei ()
a = 5,718
c = 10,114
a = 5,652
a = 5,399
c = 10,435
a = 5,400
c = 10,441
a = 5,606
c = 10,800

Temperatura
de topire
(oC)

1300

blend de zinc
ZnGeP2
ZnGeAs2

wrtzit
calcopirit
blend de zinc

ZnSnP2

calcopirit
blend de zinc

ZnSnAs2

calcopirit

ZnSnSb2

blend de zinc
blend de zinc

CdSiP2

calcopirit

CdSiAs2

calcopirit

CdGeP2

wrtzit

CdGeP2

blend de zinc

CdGeAs2

calcopirit

CdSnP2

calcopirit

CdSnAs2

calcopirit

CdSnAs2

blend de zinc

a = 5,601
a = 5,491
c = 10,800
a = 5,672
c = 11,153
a = 5,640
a = 5,651
c = 11,302
a = 5,652
a = 5,852
c = 11,703
a = 5,851
a = 6,281
a = 5,671
c = 10,423
a = 5,884
c = 10,775
a = 5,743
c = 10,744
a = 5,76
a = 5,943
c = 11,217
a = 5,900
c = 11,518
a = 6,094
c = 11,918
a = 6,051

1038
1300

775

1120
1038

800
850

Parametrii reelei cristaline a unor compui de tipul A IBIII C2VI

Formula
chimic

a ()

c ()

c/a

CuAlS2
CuAlSe2
CuAlTe2
CuGaS2
CuGaSe2
CuGaTe2
CuInS2
CuInSe2
CuInTe2
CuTlS2
CuTlSe2
AgAlS2
AgAlSe2
AgAlTe2
AgGaS2
AgGaSe2
AgGaTe2
AgInS2
AgInSe2

5,31
5,60
5,96
5,34
5,60
5,99
5,51
5,77
6,16
5,58
5,83
5,69
5,95
6,29
5,74
5,97
6,28
5,81
6,09

10,4
10,9
11,7
10,4
10,9
11,9
11,0
11,5
12,3
11,1
11,6
10,2
10,7
11,8
10,2
10,8
11,9
11,1
11,6

1,96
1,94
1,97
1,95
1,96
1,98
2,00
2,00
2,00
2,00
1,99
1,80
1,80
1,87
1,78
1,82
1,89
1,92
1,91

Temperatura
de topire
(oC)
1000
890
861
872
980
791
405
950
729
883
714
780

AgInTe2

6,40

12,5

1,96

692

3. Semiconductori oxidici
- semiconductorii oxidici binari (Cu2O, ZnO, TiO2, SnO2, In2O3 etc)
- semiconductorii feromagnetici (oxizii dubli formai din trioxidul de
fier i oxizii unor metale)
- semiconductorii segnettoelectrici (titanai, zirconai .a.).
Oxidul de cupru
Cu2O (oxid cupros, denumit mineralogic cuprit) i CuO (oxid
cupric).
Oxidul de zinc (ZnO)
Bioxidul de titan (TiO2)
Bioxidul de siliciu (SiO2)
SiO2 se topete la 1728 oC.

Oxizi conductori transpareni

semiconductori oxidici binari (SnO2, In2O3, ZnO, CdO, Ga2O3),
semiconductori

binari

dopai

(SnO 2:Sb/F,

In2O3:Sn/F/Sb/Pb,

ZnO:In/Al/F/B/Ga, CdO:Sn/Sb), precum i oxizi dubli (Zn 2SnO4, MgInO4,

ZnGa2O4 etc.) sau combinaii de oxizi (de exemplu, este foarte mult
utilizat combinaia In2O3 + SnO2, denumit ITO I (indium), T(tin
staniu), O (oxide)).

4. Aliaje semiconductoare
Def. materiale semiconductoare caracterizate prin compoziii
variabile, ntr-un interval larg de concentraii.
- aliaje dintre semiconductori elementari;
- aliaje dintre semiconductori elementari i compui semiconductori;

- aliaje dintre compui semiconductori.

5. Semiconductorilor organici
6. Semiconductori necristalini (amorfi)
7. Semiconductori lichizi
Ex. (Se, Te)
Astfel, seleniul se topete la 297oC, ns i pstreaz proprietile
semiconductoare, n stare lichid, pn la temperatura de 800 oC. Mai
mult, n stare topit, caracteristicile semiconductoare ale Se se
mbuntesc: lrgimea benzii interzise scade de la 2,7 eV a 1,7 eV,

8, 9, 10.... ETC. (ceramici, zeoliti.....)