Academia Tehnica Militar

Catedra E1

LABORATOR
Polarizarea tranzistorului bipolar
Obiective

Msurarea punctului static de funcionare (PSF) a tranzistorului bipolar

Identificarea anumitor parametri ai tranzistorului bipolar n catalogul de
componente
Identificarea situaiei n care tranzistorul bipolar este blocat
Identificarea situaiei n care tranzistorul bipolar este n saturaie

Desfurarea laboratorului
Schema de lucru

Componente i echipamente utilizate:

+VCC
RC

- Tranzistor bipolar npn BC107,

BC108, BC109, etc.
- Rezistoare de polarizare
baz (RB1, RB2) zeci k
- Rezistoare de polarizare RE, RB k
- Sursa de tensiune VCC=12V
- conectori

RB1
T1
VCE
VBE
RB2

VC
VE

VB

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

RE

Laborator DCE

Academia Tehnica Militar

Catedra E1

A. TRANZISTORUL BIPOLAR POLARIZAT N REGIUNEA ACTIV NORMAL

(RAN)
1. Calculul PSF perechea de mrimi (IC, VCE)
- curentul de colector
RB = RB1 || RB 2 =

IC =

VBB VBE
RB
+ RE

RB1 RB2
RB1 + RB2

= _______, VBB = VCC

RB 2
RB1 + RB2

= ______,

= ______, unde F este parametru de catalog i VBE = 0,65 V.

S se consulte catalogul pentru a vedea urmtoarele valori de catalog ale tranzistorului utilizat!
Se noteaz: F = ___________(min) ... ___________(max)
, VCesat =
, poziionarea terminalelor.
- potenialele la nivelul celor trei terminale E, B, C
VE = RE I C = __________ , VB = VE + VBE = ___________, VC = VCC RC I C = ___________
- tensiunea VCE = VCC (RC + RE ) I C
2. Determinare practic a PSF machet
- se realizeaz schema de mai sus utiliznd macheta de lucru; atenie la poziionarea terminalelor
tranzistorului conform datelor de catalog! Tote determinrile se vor face cu ajutorul voltmetrului
prin determinarea de poteniale electrice (tensiuni). Curenii vor fi determinai indirect prin
msurarea tensiunii pe rezistoare i aplicarea legii lui Ohm. Tensiunile se vor determina indirect
prin diferen de poteniale.
- se determin direct cu voltmetrul valorile tensiunilor n punctele:
baz VB = ______, emitor VE = ______, colector VC =________.
- indirect se determin VBE = VB-VE = ___________ i respectiv VCE =VC - VE=__________.
- indirect se determin I E =

V VC
VE
= ____________, I C = CC
= _________
RE
RC

3. Determinarea PSF n simulare (ORCAD)

- se determin direct n analiza Bias Point Detail valorile urmtoarelor mrimi:
IC = ______ , IE = ______, IB = ______, VE = ______, VC = ______, VB = ______
-

se determin indirect urmtoarele mrimi:

VBE = ______, VCE = ______, F =

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

IC
IB

= __________

Laborator DCE

Academia Tehnica Militar

Catedra E1

B. TRANZISTORUL BIPOLAR POLARIZAT N REGIUNEA DE SATURAIE

- schema de lucru rmne aceeai cu excepia faptului c RC se seteaz la o valoare foarte mare,
de ordinul zeci de k
2. Calculul PSF perechea de mrimi (IC, VCE)
- curentul de colector nu va mai respecta formula din RAN i poate fi determinat astfel:
IC =

VCC VCEsat
RB + RE

= ______, unde VCEsat este parametru de catalog. Evident VCE = VCEsat iar

VBE = 0,65 V.

- potenialele la nivelul celor trei terminale E, B, C

VE = RE I C = __________ , VB = VE + VBE = ___________, VC = VCC RC I C = ___________
- tensiunea VCE = VCC (RC + RE ) I C
2. Determinare practic a PSF machet
- se determin direct cu voltmetrul valorile tensiunilor n punctele:
baz VB = ______, emitor VE = ______, colector VC =________.
- indirect se determin VBE = VB-VE = ___________ i respectiv VCE =VC - VE=__________.
- indirect se determin I E =

V VC
VE
= ____________, I C = CC
= _________
RE
RC

3. Determinarea PSF n simulare (ORCAD)

- se determin direct n analiza Bias Point Detail valorile urmtoarelor mrimi:
IC = ______ , IE = ______, IB = ______, VE = ______, VC = ______, VB = ______
- se determin indirect urmtoarele mrimi:
VBE = ______, VCE = ______

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

Laborator DCE

Academia Tehnica Militar

Catedra E1

C. TRANZISTORUL BIPOLAR POLARIZAT N REGIUNEA DE BLOCARE

- schema de lucru rmne aceeai cu cea de la RAN, excepia faptului c RB2 se scurtcircuiteaz
(RB2=0).
3. Calculul PSF perechea de mrimi (IC, VCE)
- curentul de colector nu va mai respecta formula din RAN i poate fi determinat astfel:
I C 0 . Evident VCE = VCC (RC + RE ) I C = VCC = _______ iar VBE = 0 V.
- potenialele la nivelul celor trei terminale E, B, C
VE = RE I C = 0 , VB = VE + VBE = 0 , VC = VCC RC I C = VCC = ___________

- tensiunea VCE = VCC (RC + RE ) I C

2. Determinare practic a PSF machet
- se determin direct cu voltmetrul valorile tensiunilor n punctele:
baz VB = ______, emitor VE = ______, colector VC =________.
- indirect se determin VBE = VB-VE = ___________ i respectiv VCE =VC - VE=__________.
- indirect se determin I E =

V VC
VE
= ____________, I C = CC
= _________
RE
RC

3. Determinarea PSF n simulare (ORCAD)

- se determin direct n analiza Bias Point Detail valorile urmtoarelor mrimi:
IC = ______ , IE = ______, IB = ______, VE = ______, VC = ______, VB = ______
- se determin indirect urmtoarele mrimi:
VBE = ______, VCE = ______

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

Laborator DCE

Academia Tehnica Militar

Catedra E1

D. APLICAIE SENZOR DE NIVEL AP BAZAT PE TRANZISTORUL BIPOLAR N

REGIM DE COMUTAIE BLOCAT/CONDUCIE

+VCC
Observaii:
- se msoar tensiunile VBE ,
VCE, i curentul IC n cele dou
situaii ON/OFF

LED

T1
Vas cu ap

RB2
RE

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

Laborator DCE

Academia Tehnica Militar

Catedra E1

ntrebri de verificare a cunotinelor

Care sunt mrimile care caracterizeaz punctul static de funcionare pentru un
tranzistor bipolar?
Cum se determin PSF n practic?
Cum se determin PSF n simulare?
Care sunt diferenele i asemnrile ntre valorile determinate prin calcul i cele din
simulare?
Care sunt diferenele i asemnrile ntre valorile determinate prin calcul i cele din
practic?
Care este ordinul de mrime al parametrului F i care este diferena dintre valoarea
lui din simulare i gama indicat de catalog?
Prin ce se caracterizeaz tranzistorul saturat?
Prin ce se caracterizeaz tranzistorul blocat?
Explicai principiul de funcionare a senzorului de ap

Cpt. dr. ing. Doru Munteanu

Laborator DCE