Intensitatea cmpului electric

Sarcinile electrice interacioneaz ntre ele prin intermediul a

ceea ce numim cmp electric. Cmpul electric este caracterizat
de vectorul intensitate a cmpului electric E, definit ca fora ce
acioneaz asupra sarcinii de prob unitare n respectivul punct
din spaiu:

ELECTRICITATE

E=F/q

[E]SI=V/m (Volt pe metru)

(2)

Intensitatea cmpului electric este o mrime fizic vectorial i

se msoar n Volt pe metru (V/m=N/C).

ELECTROSTATICA
Noiunile de baz cu care se lucreaz n electrostatic sunt cele
de sarcin electric, cmp electric i potenial electric. La baza
acestor noiuni st fora de interaciune dintre 2 sarcini electrice
q1 i q2, aflate la distana r, una fa de cealalt, numit fora lui
Coulomb sau fora coulombian:
2

F= q1q2 / (4or )= kq1q2/r .

(1)

unde:

Relaia (2) poate fi privit i invers, adic tiind intensitatea

cmpului electric E, fora care acioneaz asupra sarcinii q va
fi:
F=q E

(3)

Cmpul electric din jurul unei sarcini electrice punctuale, Q, va

fi dat de relaia:
E(r) = Q/(4or2)

(4)

q1 i q2 sarcini electrice [q]SI=C (Coulomb)

r distana dintre sarcini [m]
o permitivitatea electric a vidului [o]SI=
o=8.8541012 C2/(Nm2) sau F/m
k=1/(4o) = 8.987109 Nm2/C2 9109 m/F
Avem dou tipuri de sarcini electrice: pozitive i negative. Cele
pozitive sunt n nucleele atomilor care constitue materia, iar
cele negative sunt legate de electronii care orbiteaz n jurul
nucleelor. Sarcinile de acelai semn se resping, iar sarcinile de
semne contrare se atrag. Sarcina electric e cuantificat,
sarcina elementar fiind de 1,61019C i sarcina electric se
conserv.

Liniile de cmp electric sunt curbele cu proprietatea c vectorul

cmp electric este tangent n fiecare punct al curbei. Liniile de
cmp electric ies din sarcinile pozitive i intr n sarcinile
negative.

depinde doar de distana de la centru la suprafaa sferei. Din

aceast cauz fluxul total al intensitii cmpului electric prin
suprafaa nchis a sferei va fi:
=EdA = 4r2Q/(4or2) = Q/o.

Acest rezultat este mult mai general. Se poate arta matematic

c fluxul cmpului electric printr-o suprafa nchis oarecare
este egal ntotdeauna cu sarcina electric nchis n interiorul
suprafeei (n volum) divizat cu permitivitatea electric a
mediului. Aceasta este teorema lui Gauss i este un alt mod
de-a exprima matematic fora de interaciune coulombian.
Teorema lui Gauss este foarte util pentru a calcula intensitatea
cmpului electric produs de distribuii continue de sarcin.

Teorema lui Gauss

Dac nconjurm o sarcin punctual Q cu o suprafa sferic
cu centrul chiar n Q, fluxul elementar al intensitii cmpului
electric prin acea suprafa, definit ca produsul scalar dintre
vectorul intensitate de cmp i vectorul suprafa (elementar)
va fi:
d=EdA = E dA cos

(4)

(3)

Fiindc vectorul suprafa este perpendicular pe suprafa (prin

definiie), iar vectorul intensitate de cmp electric este de-a
lungul razei sferei i deci perpendicular pe suprafa, atunci
vectorii sunt paraleli, =0 i cos=1. Suplimentar vectorul
intensitate de cmp electric este constant n modul, fiindc

Sarcina Q distribuit uniform pe suprafaa unei sfere de raz R

creaz un cmp electric identic cu cel al unei sarcini punctuale
Q aflate n centrul sferei, pentru distane r>R. Pentru distane
r<R, cmpul electric este zero, fiindc nu avem sarcin nchis
n interiorul unei suprafee Gauss (de exemplu o sfer cu raza
r<R).

Distribuia plan de sarcin electric

Pentru o distribuie plan de sarcin electric, cu densitatea
superficial de sarcin electric:
= Q/S

(5)

o suprafa Gauss de form cilindric va nchide o sarcin

electric:
q= A
unde A este aria bazei cilindrului.

gasim intensitatea cmpului electric produs de un plan ncrcat

electric:
E = /(2)

(6)

Potenialul electric
Potenialul electric ntr-un punct al spaiului, V(r), este definit
ca lucrul mecanic al forelor electrice efectuat pentru a deplasa
sarcina de prob q din acel punct la infinit sau n alt punct unde
potenialul este zero, divizat cu valoarea sarcinii de prob:
V(r) = L/q = qEdr /q = Edr.

(7)

Potenialul electric este o mrime scalar i se msoar n voli:

[V]SI=J/C=V (Volt)
Lucrul mecanic efectuat de forele electrice asupra sarcinii de
prob depinde doar de punctul de plecare i cel de sosire i nu
depinde de drumul dintre cele dou puncte. Se spune c avem
un cmp de fore conservativ, la fel ca cel gravitaional. Adic
pentru un corp care se mic n acest cmp suma dintre energia
cinetic i cea potenial este constant (se conserv enegia
mecanic).
Fluxul electric prin suprafaa lateral a cilindrului va fi zero
fiindc liniile de cmp sunt perpendiculare pe planul ncrcat
electric (din cauza simetriei distribuiei) i deci perpendiculare
pe orice vector suprafa elementar din suprafaa lateral.
Singura contribuie nenul la fluxul electric prin suprafaa
cilindric nchis rmne cea prin bazele cilindrului:
=2AE
Folosind teorema lui Gauss:
=q/ =>

2AE= A/

Energia potenial a unei sarcini electrice q aflate ntr-un cmp

electric va fi:
Ep = qV

(8)

Potenialul electric ntr-un punct aflat la distana r de o sarcin

Q, punctual sau distribuit pe o sfer, este:
V(r) = Q/(4or)

(9)

Locul geometric al punctelor care au acelai potenial este o

suprafa echipotenial. Liniile de cmp electric i implicit
intensitile cmpului electric sunt perpendiculare pe suprafaa
echipotenial. n electrostatic suprafeele metalice sunt
suprafee echipoteniale.

Diferena de potenial dintre cele dou armturi se calculeaz

conform definiiei prin lucrul mecanic efectuat asupra sarcinii
de prob unitate:
U=V+V= Edr = d/o.

(13)

iar capacitatea condensatorului plan va fi:

C=Q/U=A / (d/o) = oA/d.

(14)

Linii de cmp i suprafee echipoteniale.

Pentru o sarcin punctual suprafeele echipoteniale sunt sfere
concentrice cu centrul pe sarcina electric.
Capacitatea electric
Capacitatea electric a unui corp metalic este definit ca raport
ntre sarcina electric acumulat i potenialul corpului:
C = Q/V

[C]SI=C/V=F (Farad)

(10)

Pentru o sfer metalic cu raza R capacitatea electric a ei este:

C = Q/V=Q(4oR)/Q=4oR

(11)

Condensatorul (capacitorul) plan are dou suprafee (armturi)

metalice de arie A, plasate fa-n fa la o distan d una de
alta. O armtur are sarcina +Q, cealalt Q, cu densitatea .
=Q/A
Cmpurile electrice de la cele dou plane ncrcate electric se
adun (n modul) ntre armturi (Einterior=E++E), iar n exterior
se scad (Eexterior=E+E=0). Cmpul electric dintre armturile
unui condensator plan este uniform i are valoarea:
E = /(2o)+ /(2o)= /o.

(12)

Condensatorul plan.
Energia cmpului electric
Deplasarea sarcinii elementare "dq" (pozitiv) de la armtura
negativ a condensatorului plan la cealalt armtur, pozitiv,
implic efectuarea din exterior a unui lucru mecanic asupra
condensatorului dat de relaia:
dW=Udq = qdq/C = d[q2/(2C)]

(15)

Integrnd expresia de la 0 la Q obinem energia nmagazinat

n condensator:
W= Q2/(2C) = CU2/2 = QU/2

(16)

Exprimm relaia (16) innd cont de expresia capacitii plane

(14) i de legtura dintre potenial i cmp U=Ed:
W=(oA/d)(Ed)2/2= oE2 Ad/2
Fiindc volumul dintre armturi este V= Ad, expresia densitii
de energie electric (energie pe unitatea de volum) este:

w = W/V = oE2/2

(17)

Aceast relaie are o valabilitate general, chiar dac aici am

dedus-o doar pentru un condensator plan, din motive didactice.

Dipoli electrici n cmp electric

putem scrie relaia (2), potenialul electric al dipolului, ca:

V(r) = pr /(4or3)

n cmp electric omogen asupra dipolului acioneaz un cuplu

de fore, F+ = F, ca n figura alturat, care produce un
moment de rotaie ce orienteaz momentul dipolar p n sensul
cmpului E:
M=pE

Dipolul electric este compus din dou sarcini electrice egale n

modul "q", dar de semne contrare, separate spaial la disanta
"" una de alta. Potenialul electric al dipolului se obine ca
sum a potenialelor celor dou sarcini punctuale:
V(r)= q/(4or1)q/(4or2)= (r2r1)q /(4or1r2)

r2 r1 cos

r1r2 r2

deci:
V(r) = qcos / (4or2)

(2)

r2
r
-q

F
p

F _

-q

Dipolul electric n cmp electric omogen simte un cuplu de

fore ce-l orienteaz pe direcia cmpului (energie potenial
minim).
Dipolul n cmp electric posed o energie potenial, compus
din energiile poteniale ale sarcinilor sale:
Wp = qV++ (qV) = q(VV+)/

(6)

(VV+)/ = Ecos

(7)

unde

r1

este componenta cmpului electric de-a lungul direciei

dipolului. Putem scrie energia potenial sub forma concis:

Wp = pE

+q

Dipolul electric.
Se observ c potenialul scade cu distana ca "1/r2", mult mai
rapid dect la sarcina punctual pentru care scderea este "1/r".
Introducnd noiunea de moment dipolar:
p = q

(5)
+q

(1)

care pentru distane mari comparativ cu lungimea a dipolului

accept aproximaia:

(4)

(3)

(8)

Energia potenial a dipolului este minim cnd vectorul p are

direcia i sensul cmpului electric i este maxim cnd cei doi
vectori sunt antiparaleli.
n cmp electric neomogen forele ce acioneaz asupra celor
dou sarcini sunt inegale, genernd pe lng cuplu i o for

rezultant diferit de zero, ca n figura alturat, ce se poate

scrie ca:
F = p dE/dx

(9)

sarcin electric, ca n metale, dar apar deplasri microscopice,

locale ale sarcinilor electrice n cmp electric, ce genereaz sau
orienteaz dipoli electrici care polarizeaz materialul.

sau n forma general:

F = grad Wp = p divE

(9)

E
-q
F _

+q
F

n cmp electric neomogen dipolul este orientat pe direcia

cmpului i atras ctre zona cu cmp mare.

DIELECTRICI
Un dielectric este un material izolator, ce nu conduce curentul
electric, de exemplu sticla, majoritatea materialelor plastice,
cauciucul, ceramica sau hrtia. Capacitatea unui condensator
crete dac umplem spaiul dintre armturi cu un material
dielectric. Factorul adimensional cu care crete capacitatea se
numete constant dielectric a materialului sau permitivitate
electric relativ a materialului.
Constanta dielectric variaz de la un material la altul. Vom
analiza n continuare aceast schimbare de capacitate att n
termeni macroscopici: sarcin, cmp electric i diferen de
potenial, ct i originea microscopic a constantei dielectrice.
Un material izolator i schimb starea n cmp electric datorit
forelor ce acioneaz asupra sarcinilor electrice din material.
Fiind izolator, n el nu pot aprea deplasri macroscopice de

Molecula de ap este un dipol electric permanent.

n substane pot aprea dipoli electrici ca urmare a aplicrii
unui cmp electric extern, dipolii indui, sau pot exista dipoli
permaneni datorai configuraiei particulare a moleculelor ce
constituie substana dat. La aplicarea unui cmp electric se
produce polarizarea dielectricului, ca n figura alturat, prin:
- polarizarea de deplasare, la atomi prin deplasarea norului
electronic negativ fa de nucleul pozitiv, la cristalele ionice
prin deplasarea ionilor pozitivi fa de cei negativi,
(polarizare indus);
- polarizarea de orientare, apare la substanele polare prin
orientarea dipolilor moleculari pe direcia cmpului extern.
D ie le c tric

S a r c in a
lib e r a
___________
C am p
e x te rn
++++++++++
E e x te r n

-U
C am p
in d u s

___________
U =0
D ip o li
d e z o rd o n a ti

++++++++++ E
D ip o li
o rd o n a ti

S a r c in a
in d u s a
( le g a ta )
in d u s

+U

Polarizarea electric a substanei n cmp extern

Moment dipolar elementar, corespunztor fiecrui atom sau

molecule din materialul respectiv, fiind p, definim polarizarea
P, ca momentul dipolar al unitii de volum:
P = Pt / V = np

(1)

unde "n" este densitatea de dipoli elementari.

Ca urmare a polarizrii iau natere pe suprafaa dielectricului
sarcini de polarizare:
Qp = pS
unde p este densitatea superficial de sarcin electric. ntreg
materialul va avea momentul dipolar:
Ptot = Qp d = p Sd = pV

(2)
(3)

(4)

orientat n sens contrar vectorului de polarizare P. Intensitatea

cmpului electric macroscopic rezultant din interiorul
dielectricului Et, se obine prin suprapunerea intensitii
cmpului electric n vid Eo, generat de sarcinile de pe
armturile metalice ale condensatorului i intensitatea Ep a
cmpului generat de sarcinile de polarizare induse pe suprafaa
dielectricului:
Et = Eo + Ep = Eo P/o

(5)

Cmpul electric total este mai mic fiindc sarcina Q de pe

armturi este parial compensat de sarcina de polarizare Qp a
dielectricului. Rmne activ numai sarcina Q':
Q' = Q Qp = Q/r

(6)

(7)

unde C este factorul de depolarizare, care depinde de forma

probei:
Forma probei |Plac |Sfer
C
|1
|1/3
Pentru aceeai sarcin Q pe armturile condensatorului plan,
ntre armturi avem cmpul electric:
(8)

n cazul cnd avem vid ntre armturi i:

Et = Eo P/o = U/d

Sarcinile de polarizare, privite ca sarcinile de pe armturile

unui condensator plan, creaz un cmp electric Ep:
Ep = P/o

Ep = CP/o

Eo = Uo/d

de unde pentru polarizarea electric gsim relaia:

P = p

Cmpul Ep se numete cmp de depolarizare, deoarece tinde s

micoreze cmpul aplicat Eo, n interiorul dielectricului.
Cmpul de depolarizare este uniform doar pentru probe care au
o anumit form, sfer, cilindru, elipsoizi, paralelipipezi. Astfel
cmpul de depolarizare se se poate scrie ca:

(9)

cnd avem un dielectric ntre armturi. Definim permitivitatea

relativ ca:
r =C/Co=Uo /U=Eo /E=
=Eo /(Eo P/o)=(Et+P/o)/Et =1+P/(oEt)

(10)

Deoarece n marea majoritate a cazurilor polarizarea este direct

proporional cu intensitatea cmpului electric total (dielectrici
liniari):
P = eoEt

(11)

unde e este susceptibilitatea electric, o proprietate de

material, atunci:
r = 1+ e

(12)

este permitivitatea electric relativ (constanta dielectric) a

materialului. Se poate defini vectorul inducie electric
(deplasare electric) ca:
D = oE + P = oE + oeE = orE

Afiajul cu cristale lichide

Afiajul cu cristale lichide este o aplicaie a alinierii dipolilor n
cmp electric.

(13)

APLICAII ALE ELECTROSTATICII

Generatorul de ioni folosete faptul c lng vrfuri (raza de
curbur mic) cmpul electric este mare (strpungerea aerului
3kV/mm), ceea ce genereaz o emisie de sarcini electrice
(descrcare corona). Procedeul este folosit pentru a mbunti
calitatea aerului din ncperi, dar are i aplicaii industriale, una
dintre ele fiind filtrul electrostatic pentru praf.
Filtru electrostatic

OFF (transmite lumina)

ON (blocheaz lumina)
Lumina polarizat este rsucit atunci cnd traverseaz un strat
de cristale lichide (LC): "twisted nematic field effect" (efect de
rsucire n cmp al cristalelor nematice). Polarizorii P1 i P2
polarizeaz i analizeaz lumina, electrozii E de pe plcile de
sticl G aliniaz cristalele lichide cnd sunt alimentai. Direcia
liniilor de pe plcile polarizoare P sugereaz direcia de
polarizare a luminii care poate s treac prin strat.
Praful din atmosfer se ncarc negativ de la generatorul de
ioni (gril din fire subiri) i apoi e atras de electrozii colectori,
plcile pozitive. Astfel se elimin particulele foarte fine din aer
care nu se pot colecta prin metode clasice din cauza vscozitii
aerului.

ISTORIE
Kyeong-Hyeon Kim, Jang-Kun Son, Technical evolution of
liquid crystal displays, NPG Asia Materials 1, 2936 (2009)
n 1888 Friedrich Reinitzer, botanist austriac, descoper la
cholesterolul extras din morcovi o stare intermediar a materiei

aflat ntre starea de lichid izotropic i cea de cristal ordonat,

numit mai trziu stare de cristal lichid.

TFT LCD cu cristale lichide TN (twisted nematic)

n 1911 Charles Mauguin face experimente cu straturi subiri

de cristale lichide ntre plci plan-paralele i descrie efectul de
rsucire a planului de polarizare a luminii. n 1922 Georges
Friedel descrie structura i proprietile cristalelor lichide i le
clasific n 3 tipuri: nematice, smectice i cholesterice.
n 1927 Vsevolod Frederiks inventeaz "valva electric pentru
lumin", efectul de baz pentru toate tehnologiile LCD. Un
patent pe aceast tem apare n 1936 de la Marconi Wireless
Telegraph Company.
La finalul anilor 1960 s-a realizat c aceste materiale sunt bune
pentru realiza afiaje i cercetrile din domeniu s-au dezvoltat
rapid. Acum apare i primul display cu cristale lichide, bazat pe
efectul de mprtiere dinamic a luminii (dynamic scattering
mode DSM): lichidul iniial transparent trece ntr-o stare
tulbure, lptoas la aplicarea unei tensiuni electrice (George H.
Heilmeier).
Naterea industriei afiajelor cu cristale lichide (LCD liquid
crystal display) se situeaz n anii 1970 cnd "twisted nematic
field effect" (efect de rsucire n cmp al cristalelor nematice)
este aplicat la display-uri, uzual numerice, cu 7 segmente.
La finalul deceniului 1980 industria LCD-urilor are o nou
dezvoltare prin introducerea tehnologiei tranzistorilor din filme
subiri (thin-film transistor TFT) pentru display-uri matriciale.
De aici ncolo intrm n zona afiajelor contemporane.
Dezvoltarea industriei display-urilor se datoreaz tehnologiilor
mai bune de producere a materialelor de baz a cristalelor
lichide, a dezvoltrii polimerilor pentru stratul de aliniere, a
materialelor pentru filtrele colorate i a foliilor pentru
polarizare formate din compleci ai iodului cu alcoolul
polivinilic.

Un pixel RGB cu 2 tipuri de "in-plane switching" (IPS)

Copiatorul (Xerox) i imprimanta laser

cele neluminate rmn ncrcate i atrag tonerul (praf negru)

ncrcat negativ.

Tonerul este transferat pe hrtie i este fixat prin nclzire.

Cilindrul acoperit cu seleniu este ncrcat cu sarcini pozitive

La imprimanta laser faza expunerii la lumin e fcut printr-un

fascicul laser (comandat de calculator).
DIELECTRICI
Materiale feroelectrice
piezo i piroelectrice
Zonele luminate ale cilindrului se descarc (fotoconducie), iar

care conform legii a doua a dinamicii imprim electronului o

acceleraie:

ELECTROCINETICA

a = F/m

Conductivitatea electric
Sarcinile electrice mobile dintr-un material conductor se pot
deplasa sub aciunea unui cmp electric aplicat din exterior. n
acest fel rezult un curent electric "I" care este legat de cderea
de tensiune pe material "U" prin legea lui Ohm:
U/I = R
[U]SI =V (Volt)

(1)

[I]SI =A (Amper)

[R]SI= (Ohm)

c u re n t
e le c tr ic
v ite z a d e d r ift

Circulaia electronilor ntr-un conductor.

= vd /E = q/m

Pentru a explica legea lui Ohm ne nchipuim un conductor

cilindric de seciune "S" i lungime "L" care are "n" electroni
n unitatea de volum cu masa "m" i sarcina elementar "q".
Aplicarea unei diferene de potenial "U" la capetele
conductorului genereaz n interiorul conductorului un cmp
electric "E", ce este legat de tensiune de relaia:
E = U/L

[E]SI = V/m

(2)

ca la condensatorul plan. Rezultatul aciunii cmpului electric

asupra sarcinii electrice elementare "q" este o for "F":
F = qE

(5)

numit vitez de drift sau vitez de antrenare. Ciocnindu-se cu

ionii din nodurile reelei cristaline, electronul pierde energia
suplimentar primit de la cmpul electric i revine la starea
iniial cu viteza orientat aleator. Fenomenul este similar cu
cel al suflrii aerului printr-un tub, unde peste vitezele termice
ale moleculelor, orientate haotic, se suprapune viteza cu care e
suflat aerul, viteza de antrenare. Raportul dintre viteza de drift
i intensitatea cmpului este mobilitatea purttorilor de
sarcin:

e le c t r o n i

Electronii micndu-se n material se ciocnesc cu ionii din

nodurile reelei cristaline, mai precis cu cei deplasai de la
poziiile lor de echilibru de agitaia termic. Notm cu ""
timpul de relaxare, intervalul de timp dintre dou ciocniri
succesive ale electronului. Cmpul electric acioneaz asupra
electronului n acest interval de timp, imprimnd acestuia o
vitez suplimentar:
vd = a = qE/m

unde constanta R este rezistena electric a dispozitivului.

c a m p e le c tr ic

(4)

(3)

[]SI = m2 / (Vs)

(6)

Printr-o seciune S a conductorului vor trece n intervalul de

timp "dt" doar electronii care se afl la distana "vddt" de
suprafaa "S", ceilali sunt prea departe ca s ajung la ea.
tiind concentraia "n" a electronilor putem calcula numrul de
electroni din volumul "dV=Svddt" i sarcina lor "dQ" ce
traverseaz seciunea "S":
dQ = qnSvddt

(7)

Curentul electric prin material va fi:

I = dQ/dt = qnSvd = q2nES/m = (q2n/m)US/L

(8)

direct proporional cu tensiunea aplicat, conform legii lui

Ohm. Numim conductivitate electric mrimea:
= q2n/m = qn

(9)

[]SI = 1m1 (S/m, Siemens/m sau mho/m)

[]SI = m

(10)

Rezistena electric se va putea exprima n funcie geometria

dispozitivului, seciunea "S" i lungimea "L" i rezistivitatea
electric "" a firului din care este fcut:
(11)

Conductivitatea electric a materialelor la temperatura camerei

variaz n limite foarte largi de la 1016 1m1, cea a parafinei,
pn la 6,2107 1m1, cea a argintului:
- metale pure

de ordinul a 1071m1;

- aliaje

peste circa 105 1m1;

- semiconductori
- izolatori

ntre 10 i 10 m ;
11

sub 10

(12)

La semiconductori modificarea rezistenei electrice cu

temperatura se datoreaz variaiei cu temperatura a numrului
de purttori de sarcin mobili, crete densitatea purttorilor de
sarcin mobili odat cu creterea temperaturii.

m .

Materialele semiconductoarea au o conductivitate electric la

temperatura camerei cuprins ntre cea a metalelor i cea a
izolatorilor. Rezistivitatea electric a semiconductorului
depinde de obicei puternic de temperatur, scaznd cu creterea
temperaturii, au coeficient negativ de temperatur, n opoziie
cu metalele a cror rezistivitate crete cu creterea temperaturii,
au coeficient pozitiv de temperatur (vezi figura).
Din formula (9) a conductivitii electrice se vede c singurele
mrimi ce se pot modifica cu schimbarea temperaturii sunt
timpul de relaxare i concentraia electronilor.

35
30
25
Rezistenta

R = L/S

R=Ro (1+t)

unde este coeficientul de temperatur al rezistenei electrice,

msurat n C1 i vnd valori de ordinul a 103 C1, cu att
mai mari cu ct materialul este mai pur i mai perfect din
punctul de vedere al aranjamentului atomic al reelei cristaline.

ce depinde doar de constante universale i proprieti de

material, fiind din aceast cauz o proprietate de material.
Rezistivitatea electric "", este inversul conductivitii:
= 1/

La metale modificarea rezistenei electrice cu temperatura se

datoreaz variaiei cu temperatura a timpului dintre ciocniri i
comportamentul este descris de relaia aproximativ:

20
15
10
5
0
0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

Temperatura (Celsius)

Rezistena electric n funcie de temperatur pentru metale,

R=Ro(1+t) i semiconductori puri, R(T) = AeB/T.
O metod des utilizat de msurare a rezistivitii este "metoda
celor 4 contacte". Avem 4 contacte plasate coliniar la distane
egale "s" pe suprafaa unui volum semiinfinit de material. Prin
contactele de la extremiti se injecteaz curentul "I", iar prin

P=L/t=Uq/t=UI = U2/R= RI2.

contactele din mijloc msoar cderea de tensiune "U".

Rezistivitatea materialului va fi dat de relaia:
=2sU/I

(13a)

(16)

Folosind relaiile (14) i (16) putem gsi puterea maxim ce

poate fi extras de la o surs dat:
P=R E2/(R+r)2 i dP/dR=0 (condiia de extremum) =>

P=Pmax = E2/(4r) cnd R=r

Utile n practic sunt relaiile pentru rezistena echivalent la

legarea n serie sau paralel a mai multe rezistene. Legnd n
serie 2 rezistene, ele vor fi parcurse de acelai curent electric,
iar diferena de potenial dintre capetele montajului va fi dat
de nsumarea diferenelor de potenial de pe fiecare rezisten:

p ro b a

Metoda celor 4 contacte.

La probe ce nu pot fi considerate semiinfinite se aplic relaia:
=2sU/(CI)

(13b)

unde C este un factor de corecie determinabil. (Gh. Zet, Dodu

Ursu, "Fizica Strii Solide. Aplicaii n Inginerie", Editura
Tehnic 1989).
Circuite electrice de curent continuu
Legea lui Ohm sub forma (1), reprezint legea lui Ohm pentru
o poriune de circuit. Luarea n considerare a sursei de energie
electric, caracterizat prin tensiunea electromotoare E i
rezistena intern r, alturi de rezistena extern R, care este
consumatorul sau sarcina, conduce la legea lui Ohm pentru
ntregul circuit:
U=Eu sau RI=ErI

sau

(17)

I=E/(R+r)

(14)

Relaia (14) permite determinarea curentului de scurtcircuit al

sursei, cnd R=0:
Isc=E/r
Puterea electric disipat de rezisten poate fi gsit ca:

(15)

U=U1+U2

=> RI=R1I+R2I =>

R=R1+R2

(18)

Legnd n paralel 2 rezistene, ele vor avea aceeai diferen de

potenial la capete, iar curentul de la sursa de putere va fi suma
curenilor prin fiecare rezisten, din cauza conservrii sarcinii
electrice:
I=I1+I2 => U/R=U/R1+U/R2 => 1/R=1/R1+1/R2

(19)