UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

Tehnologii de prelucrare a materialelor optoelectronice

1.Introducere
Necesitatea descoperirii de noi materiale cu proprieti semiconductoare, datorat ptrunderii
acestora n tehnologiile de vrf ale dispozitivelor semiconductoare, a determinat intensificarea
cercetrilor asupra unor compui organici cu proprieti semiconductoare.
Este bine cunoscut faptul c metaloporfirinele joac un rol esenial pentru funciile vieii,
datorate multitudinii de proprietai optoelectrice. Pn n prezent cercetrile se axeaz pe sinteza de
noi structuri ce manifest proprietai similare porfirinelor naturale i pe obinerea de filme subiri
bazate pe derivate ale porfirinei cu aplicaii n ingineria molecular cu diferite suprafee i interfee.
Realizarea recent a straturilor monomoleculare organice, cu grosime perfect controlat, prin
tehnica Langmuir Blodgett, a determinat implicarea materialelor organice n tehnologia planar,
nlocuind adesea stratul de oxid nativ de siliciu.
Am studiat compui organici ca porfirina i diferite ftalocianine n vederea construciei de
senzori pe baz de straturi subiri Langmuir Blodgett cu o puternic sensibilitate la radiaia UV.
Datorit studiului intens al ultimilor ani la nivel internaional al celulelor fotovoltaice bazate
pe materiale organice prin diferite tehnici n vederea scderii costurilor materialelor i creterii
eficienei de conversie am studiat si obinut celule fotovoltaice pe baz de compui organici
metalici CuPc, ZnPc si MgPc, precum i stearat de bariu, nanotuburi de carbon i diferite mixturi
polimerice.
Procesele fizice care stau la baza funcionrii dispozitivelor optoelectronice sunt generarea i
recombinarea purttorilor mobili de sarcin. Exist dou clase mari de dispozitive optoelectronice:
a) Dispozitive care transform energia radiaiei luminoase n semnale electrice- acestea au ca scop
fie msurarea fluxului luminos sau transmisia de informaie, caz n care este vorba de fotodetectoare
fie conversia energiei luminoase n energie electric, caz n care sunt celule fotovoltaice[23].
b) Dispozitive care transform energia electric n energie luminoas cazul diodelor
electroluminescente i al laserilor cu jonciuni semiconductoare[24].
2.Tehnica Langmuir - Blodgett
O metod de obinere a straturilor subiri din faza de soluie este metoda Langmuir-Blodgett
(LB) care permite obinerea unor filme organice orientate i foarte omogene. Aceast metod a fost
numit dup numele celor care au reuit sa transfere pentru prima dat monostraturi pe un substrat
solid i anume Langmuir i colaboratoarea sa Katherine Blodgett [25-26].
Metoda const n obinerea unor straturi din materiale organice (denumite
surfactani) ale cror molecule n prealabil au fost orientate pe suprafaa apei
(subfaza) i transferate apoi ca strat pe un substrat solid. Un film LB poate fi format din
unul sau mai multe monostraturi n funcie de cate cicluri de imersie sau extragere se fac pentru

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

transfer. Aceasta metod permite obinerea unor straturi subiri cu o grosime controlabil n funcie
de numrul de cicluri de depunere. Grosimea unui monostrat se poate msura cu o precizie de pn
la ~ 4nm.
Pentru a obine filme insolubile Langmuir, substana de determinat se dizolv ntr-un solvent
volatil (benzen, hexan, toluen, cloroform) i se etaleaz la interfa. Se ateapt apoi evaporarea
solventului. Exist un numr mare de modaliti de a transfera filmul de la interfa pe suport solid
la presiune superficial constant, dintre care tehnica Langmuir-Blodgett i diferite moduri de
transfer pe suport hidrofil [27].
3.Proprietati optice si electrice ale filmelor subtiri nanostructurate de ZnO pentru aplicatii
optoelectronice
ZnO de tip wurtzit este un semiconductor cu benzi directe, cu proprietati optice care l
recomanda pentru aplicatii optoelectronice.
Largimea benzii interzisa mare de ~ 3,4 eV, coeficient de absorbtie mare 104-105 cm-1
pentru ntreg spectru solar, precum si o foarte mare energie de legatura a excitonului (60 meV) sunt
caracteristici care il recomanda ca un material potential n fabricarea dispozitivelor optoelectronice
cu sensibilitate ridicata n zona de lungimi de unda mici ale spectrului solar [34]. Transportul
purtatorilor de sarcina are loc fie printr-un mecanism de transport coerent n banda, la temperaturi
nalte, fie prin mecanismul de hopping la temperaturi sub 60K.
n ultimele decenii, s-au concentrat eforturi considerabile de cercetare pe studiul ZnO [35-38]
cu scopul de a ntelege variatele proprietati fizice(originea conductiei de tip n si a spectrelor de
luminescenta, efectul doparii cu impuritati magnetice etc). Au fost propuse cteva tehnici pentru
producerea filmelor de ZnO de buna calitate. Dintre ele, depunerea laser pulsata (PLD) s-a dovedit
a fi cea mai buna pentru pastrarea compozitiei tintei. PLD este recunoscuta ca fiind o tehnica
versatila pentru producerea filmelor subtiri solide cu compozitii chimice complexe si cu diferite
proprietati si caracteristici morfologice.
3.1 Fotodioda
n fotodiod energia radiaiei luminoase se transform prin efect fotovoltaic n prezena barierei
de potenial n energie electric. Purttorii generai n apropierea jonciunii sunt preluai de cmpul
electric din regiunea de sarcin spaial i sunt transferai n regiunea n care sunt majoritari. Prin
creterea numrului de purttori se reduce bariera de potenial, ceea ce conduce la creterea
transferului purttorilor minoritari prin jonciune, astfel nct regiunea se ncarc pozitiv, iar
regiunea negativ. Apare astfel o tensiune electric direct n circuitul extern dac acesta este deschis
sau un curent de scurtcircuit ntr-o rezisten de valoare redus conectat ntre anod i catod [31].
Mrimi caracteristice principale la fotodiode.
a) Curentul de ntuneric S I ,este valoarea curentului invers al jonciunii pn n absena fluxului
luminos i la polarizarea invers specificat (de ordinul 150 nA la tensiuni de cca.30V)
b) Sensibilitatea la iluminare R s
c) Sensibilitatea spectral , este reprezentarea sensibilitii la iluminare n funcie de lungimea de
und a fluxului incident. n figura 2 se prezint o caracteristic spectral tipic pentru fotodiod.

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

d)Sensibilitatea unghiular ,reprezint modul n care foto-curentul se modific cu unghiul de

inciden al fluxului luminos pe fotodiod. Majoritatea fotodiodelor au o lentil din sticl sau
material plastic care ngusteaz cmpul optic. n figura 3.1.1 se prezint o diagram de directivitate
pentru o fotodiod tipic[32].

Fig. 3.1.1.Caracteristic spectral tipic de fotodiod.

Studiul proceselor de comutaie la fotodiod. Fig.3.1.2

Fig.3.1.2 1-diod electroluminescent; 2-fotodiod; 3-montur mecanic; 4-generator de semnale

dreptunghiulare cu frecven reglabil; 5-surs de tensiune stabilizat (0 30V); 6-osciloscop cu dou canale.

Pentru a analiza rspunsul fotodiodei la semnale de tip impulsiv se utilizeaz montajul din
figura 5, n care este realizat un cuplaj optic ntre o diod electroluminescent i fotodioda studiat.
Cu ajutorul unui osciloscop cu dou canale se compar semnalul de curent care trece prin dioda
electroluminescent cu curentul ce strbate fotodioda polarizat invers,n regim de fotodetector.

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

n acest tip de msurtoare se consider c timpul de rspuns al diodei electroluminescente este cu

cel puin dou ordine de mrime mai scurt dect cel al fotodiodei,lucru verificat totdeauna n
practic.
n figura 3.1.3 se prezint modul de definire a timpilor de cretere i descretere pentru
rspunsul n fotocurent a unei fotodiode iluminate cu pulsuri ideale.

Fig.3.1.3 Forma fluxului optic aplicat fotodiodei i rspunsul fotocurentului n funcie de timp.

Dup realizarea montajului se va sincroniza osciloscopul pentru a vizualiza corect cele dou
semnale studiate. Se alege pentru funcionarea osciloscopului modul chopper.
Se crete treptat frecvena semnalului de la generator analizndu-se efectele asupra posibilitilor de
vizualizare ale timpilor de cretere i de descretere.
Se ncearc, folosind calibrarea bazei de timp a osci-loscopului s se determin t c si td [33]

Optoelectronica reprezint un domeniu interdisciplinar al tiinei i tehnologiei de optic i

electronic, care vizeaz studiul i realizarea de Dispozitive OptoElectronice (DOE) - bazate pe
interacia Radiaiei/Undei Electro-Magnetice (REM/UEM) din Spectru Optic Restrns/Extins
(SOR/SOE) cu diferite Medii Fizce (MF), proiectarea de circuite i implementarea de aplicaii
optoelectronice (n care se utilizeaz o gam larg de DOE).[1-2]
La definirea principalelor mrimi radiometrice i fotometrice (cu care poate s fie
caracterizat REM n diferite zone spectrale) se utilizeaz un set de mrimi fizice de baz,
considerate ca mrimi fizice standard:
L [m] lungime;
A [m2] arie;
V [m3] volum;
[sr] unghi solid;
[nm, m] lungime de und;
t [s] timp;

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

[Hz] frecven temporal (f simbol pentru frecven utilizat n electronic);

[rad/s] frecven unghiular;
W [J] energie.
3.2 Concepte
n optoelectronic se opereaz cu o gam variat de concepte, care se prezint n continuare.
3.2.1 Conceptul de REM se refer la fluctuaiile sarcinilor electrice din atomii diferitelor
meteriale considerate cu rol de MF care induc fluxuri de fotoni cu diferite valori de energie.
[3-15]. Pe o ax de energie (de la volori suficient de sczute pn la volori suficient de crescute),
corelat cu valori corespunztoare de frecvene i de lungimi de und, se pot delimita mai multe
zone spectrale precizate n figura 3.2.1. Valorile de frecvene i de lungimi de und pentru
domeniul vizibil (optic ) sunt pezentate n tabelul 3.2.1. Energia pentru REM se calculeaz cu
relaia:
W = h = hc/
unde
h = 6,626196 . 10 -34 [J . s] este constanta lui Planck,
c = = 3 .10 8 [m/s] - viteza luminii n vid (n alte MF, ccMF = c/n),
- frecvena temporal [Hz],

- lungimea de und pentru REM [nm sau m],

n 1 indicile de refracie pentru un MF.

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

Tabelul 3.2.1 Spectrul Vizibil (Optic)

Figura 3.2.1 Spectrul pentru REM, n care se delimiteaz Spectrul Optic Restrns (SOR) i Spectrul Optic Extins (SOE
= SOR+IR Apropiat + UV Apropiat) n care opereaz structurile de DOE.

3.2.2 Conceptul de UEM se refer la propagarea n timp i spaiu a unei perturbaii

electromagnetice (sau de cmp electromagnetic) prin diferite tipuri de MF generat de oscilaia
unei sarcini electrice. n funcie de proprietile fizice ale MF, UEM poate s fie scalar - cu
r 1x x 1y y 1z z
(r , t )
funcia de und (x,y,z,t), vectorial cu funcia de und
(unde
este
( x, y , z , t )
vectorul de poziie n spaiul unui MF) i tensorial cu funcia de und
[39].
3.2.3 Conceptul de absobie a REM n diferite MF se refer la excitarea cu fotoni a
electronilor de pe nivele inferioare pe nivele superioare de energie, prin absorbia energiei acestora
n anumite condiii de lucru[40].

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

3.2.4 Conceptul de emisie a REM din diferite MF se refer la generarea de fotoni prin
tranziii radiative a electronilor de pe nivele superioare pe nivele inferioare de energie, n anumite
condiii de lucru.
3.2.5 Conceptul de interaciune a UEM cu din diferite MF se refer la modificarea
controlat a propritilor i a caracteristicilor de baz, prin urmtoarele procese fizice: reflexie,
refracie, atenuare a intensitii, difuzie, dispersie, difracie, interferen, polarizare i birefringen.
3.2.6 Conceptul de lumin (light), vzut prin dualismul incorporat (lumina vzut ca und
electromagnetic, respectiv lumina vzut ca particule de tip foton), se refer att la UEM cu
diferite game pentru lungimi de und din SOR (precizate n tabelul 3.2.1) ct i la REM din spectrul
vizibil/optic cu anumite nivele de energie ale fotonilor implica i (numit i spectrul vizibil/optic n
sens restrns pentru ochiul uman i n sens extins pentru DOE care opereaz n zona spectral
SOR/SOE fig. 3.2.1). Lungimile de und ale REM n spectrul vizibil (optic), care definesc lumina,
sunt interpretate de ochiul uman prin culori diferite obinute de Isaac Newton n 1672 cu ajutorul
unei prisme optice prin care trece lumin alb (mai nuanat, la fiecare lungime de und se percepe o
anumit semntur de culoare din spectrul REM ilustrat anterior fig. 3.2.1). n practic se
opereaz cu conceptul de lumin monocromatic (dac este prezent o singur lungime de und) i
cu conceptul de lumin alb (dac sunt prezente toate lungimile de und din spectrul vizibil/optic).
3.2.7 Conceptul de ntuneric (dark), prin contrast cu conceptul de lumin, se refer
REM/UEM din afara spectrului vizibil/optic.
3.2.8 Conceptul de CEM (Cmp Electro-Magnetic) se refer la o form combinat de
E
cmp electric (generat de sarcini electrice i caracterizat prin urmtoarele mrimi de stare: D
E
cmp electric i = - inducie electric, unde = 0.r este permitivitatea dielectric a MF, 0
permitivitatea dielectric a MF de tip vid/aer i r - permitivitatea dielectric relativ a MF) i de
cmp magnetic transversal (generat de variaia n timp a sarcinilor electrice i caracterizat prin
H E
B
H
urmtoarele mrimi de stare:
- cmp magnetic i = - inducie magnetic, unde =
0.r este permeabilitatea magnetic a MF, 0 permeabilitatea magnetic a MF de tip vid/aer i r
- permeabilitatea magnetic relativ a MF).
3.2.9 Conceptul de MF se refer la materialele/mediile caracterizate prin urmtoarele
P Pt
J E
mrimi de stare:
- densitate de curent, unde este conductivitatea electric;
= e
E
M Mt H

- polarizare temporal, unde e este susceptibilitatea electric i

- magnetizare
m

temporal, unde m este susceptibilitatea magnetic (de exemplu: mediii fizice solide cu structur
amorf i cristalin; medii fizice lichide; medii fizice gazoase i sub form de plasm, utilizate
pentru generarea de REM i/sau pentru propagarea de UEM). Proprietile optice ale oricrui MF se
definesc prin interaciunile specifice ale acestuia cu lumina (pe baza crora se poate indentifica

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

fiecare tip i clas de MF de exemplu, lumina care se transmite prin cristale este
influenat/dependent de compoziia chimic, de structura fizic i de simetria geometric a
acestora). n optoelectronic se opereaz cu urmtoarele clase de MF:
- MF de tip izotropice (de exemplu: gaze inclusiv aerul, sticle, minerale care cristalizeaz
n sistem izometric, inclusiv cele mai multe lichide i solide amorfe), la care indicele de refracie
(n) nu depinde de direcia de propagare a luminii (adic, n = constant cu o singur valoare pentru
fiecare lungime de und din SOR/SOE i viteza luminii cMF = constant pe oricare direcie de
propagare n MF);
- MF de tip anizotropice (de exemplu: MF uniaxiale, ca minerale care cristalizeaz n
sisteme tetragonale i hexagonale inclusiv unele materiale plastice, caracterizate prin 2 indici de
refracie cu dou valori extreme pentru fiecare lungime de und din SOR/SOE; MF biaxiale, ca
minerale care cristalizeaz n sisteme monoclinice, triclinice i ortorombice inclusiv unele
materiale plastice, caracterizate prin 3 indici de refracie cu dou valori extreme pentru fiecare
lungime de und din SOR/SOE), la care indicele de refracie depinde de direcia de propagare a
luminii (adic, n constant pentru fiecare lungime de und din SOR/SOE), viteza luminii cMF
constant pe fiecare direcie de propagare a luminii n MF i parametrii de material se exprim prin
diferite componente tensoriale;
- MF de tip nedispersive, la care viteza luminii nu depinde de lungimea de und/frecvena
asociat REM din SOR/SOE;
- MF de tip dispersive, la care viteza luminii depinde de lungimea de und/frecvena asociat
REM din SOR/SOE;
- MF de tip conservative (de exemplu: materiale izolatoare nonconductoare de curent
electric), fr distribuie de curent electric (adic, fr conductivitate electric, = 0) i fr
generare de entropie la interaciunea cu REM din SOR/SOE;
- MF de tip disipative (de exemplu: materiale conductoare de curent electric i
semiconductoare), cu distribuie de curent electric (adic, cu conductivitate electric 0) i cu
generare de entropie la interaciunea cu REM din SOR/SOE;
- MF de tip fr histerezis, la care mrimile de stare rspund instantaneu la incidena REM ;
- MF de tip cu histerezis, la care mrimile de stare nu rspund instantaneu la incidena REM
(deoarece mrimile de stare instantanee depind i de valorile anterioare ale acestora);
- MF de tip omogene, la care mrimile de stare au aceeai valoare n oricare punct din MF
(aceste mrimi nu sunt influenate de incidena REM n SOR/SOE);
- MF de tip neomogene, la care mrimile de stare au valori diferite n fiecare punct din MF
(aceste mrimi sunt influenate de incidena REM n SOR/SOE);
- MF de tip liniare, la care opereaz principiul superpoziiei funciilor de und pariale i
i ( x, y, z, t )
i

(x,y,z,t) aferente UEM cu din SOR/SOE - (x,y,z,t) =

;
- MF de tip nonliniare/neliniare, la care nu opereaz principiul superpoziiei funciilor de
i ( x, y, z, t )
i

und pariale i (x,y,z,t) aferente UEM cu din SOR/SOE - (x,y,z,t)

.
3.2.10 Conceptul de FENOMEN se refer la oricare dintre evenimentele observabile
direct sau indirect (prin intermediul unor sisteme specifice de investigare, de monitorizare, de
localizare i de evaluare cantitativ) din tiin i tehnologie (n care se pot nominaliza diferite
tipuri de fenomene simple i/sau complexe: fizice, chimice, biologice, mecanice, electrice,
magnetice, electromagnetice, optice, termice, meteorologice, optice i mecanice, optice i electrice,

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

optice i magnetice, optice i termice, optice i meteorologice...). Navignd n zona tiinei i

tehnologiei de optoelectronic se poate aprecia c este benefic s ilustrm cu titlu de exemplu un
fenomen optic i meteorologic comun, cunoscut sub numele de curcubeu (fig. 3.2.10). Acest
fenomen complex se manifest ca un arc de culori succesive din spectrul vizibil

Figura 3.2.10 Ilustrarea fenomenului complex de curcubeu, care se manifest printr-un arc de culori succesive.

sau optic (cu rou la exterior i cu violet la interior) generat prin refracia luminii (obinut de la
Soare i/sau de alte surse de lumin) n picturi de ap (provenite din atmosfera Pmntului i/sau
din alte medii fizice), avnd centrul situat n partea opus a sursei de lumin fa de un observator.
Condiiile de producere a unui curcubeu sunt influenate de forma i de tensiunea superficial a
picturilor de ap, inclusiv de particularitile reflexiei, refraciei, dispersiei i difraciei luminii n
cazul menionat (adic la interaciunea luminii cu picturile mici de ap a cror form trebuie s
fie aproape sferic).
3.2.11 Conceptul de DOE se refer la dispozitivele ale cror caracteristici fizice sunt
influenate i controlate prin lumin (DOE de recepie sau FotoDetectoare - FD ), la dispozitivele
care genereaz REM/UEM (DOE de emisie) i/sau la dispozitivele care modific intensitatea
REM/UEM incidente(DOE de modulare)[41]
3.3 Tehnologiile de prelucrare
n optoelectronic domeniu aflat la grania mai multor tiine (fizica, mecanica, optica,
electronica, chimia) i care s-a dezvoltat spectaculos n ultimii ani s-au adaptat att tehnologiile de
prelucrare (nanotehnologii) dar i materialele pentru a fi sensibile la aciunea proceselor de
prelucrare. Spre deosebire de o aciune termic oarecare, aciunea fotonic (prelucrarea cu laser) are
un caracter selectiv fiind activate numai anumite molecule din structura materialului, procesul
supunndu-se urmtoarelor legi:
modificrile fotochimice se produc numai sub aciunea radiaiei luminoase absorbite;
o cuant de lumin poate activa numai o singur molecul;
n absorbia unei cuante de lumin de ctre o molecul, exist o probabilitate finit de
ocupare a celui mai cobort nivel al unei stri multiplet;

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

n procesele fotochimice care au loc n compuii organici particip numai strile

multiplete cele mai coborte.
Un exemplu de adaptare a unui material pentru a fi sensibil la radiaia laser (avnd legile
prezentate) l constituie ncorporarea unui colorant squarilium 2 n stractura unui polimer, ceea
ce a condus la un material cu coeficient de absorbie ridicat n domeniul =647 nm (laser cu
kripton). Valoarea de prag pentru prelucrarea acestui material optoelectronic (schimbarea
constrastului) a fost de 0,1...0,2 nJ cu durata impulsului de 50 ns.
Un alt exemplu este reprezentat de obinerea materialelor fotocrome cu sensibilitatea
optic de 5x10-2 J/cm2 - de ctre firma Plessey Research Ltd. Prelucrarea se realizeaz cu un laser
cu argon la puterea de 300 mW, care opereaz n domeniul =361...363 nm; la prelucrare, nu sunt
afectate calitile materialului n mod ireversibil. Nivelul calitativ atins n timpul prelucrrii este
verificat cu un alt laser cu putere mai redus, de 0,1 mW i cu emisie =633 nm.
Tehnologiile de prelucrare utilizate n optoelectronic sunt n principiu, cele prezentate n
fig. 3.3.1:
a) prelucrare de mic adncime (cu prelevare de material);
b)prelucrare pe toat adncimea stratului (cu prelevare de material);
c)prelucrarea prin apariia de bule (cu alterarea configuraiei materialului);
d) prelucrarea prin schimbarea proprietilor optice (modificarea proprietilor fizice i
chimice ale materialului prelucrat).

Fig. 3.3.1 Tehnologii de prelucrare a materialelor optoelectronice

a) Prelucrarea de mic adncime este rezultatul energiilor i timpilor de impuls foarte redui
furnizai de instalaiile laser. Materialele utilizate sunt polimerii organici cu colorani i polimerii
din materiale compozite, care au avantajul difuziei termice, temperaturii de topire i vaporizare
sczute i un coeficient mare de absorbie a radiaiei laser.
De exemplu, pentru prelucrarea unui polimer de tip nitrat de celuloz cu colorant galben
50%, material ce prezint o sensibilitate maxim la = 488 nm, se utilizeaz un laser cu argon care
emite o radiaie cu aceast lungime de und. Grosimea optim a stratului subire depus este de 130
nm, aceasta asigurnd o absorbie puternic a radiaiei n structura materialului.

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

Prelevarea se face pe o adncime de 50 nm, lsnd 80 nm de material rezidual n adncimea

suprafeei prelucrate, pentru a obine un defazaj al luminii reflectate pe acest strat prelucrat, mai
mare de 2.
Suprafaa prelucrat poate avea forma unor traiectorii circulare sau spirale cu pas constant,
care nu interfereaz cu alte zone prelucrate ale materialului. Un parametru foarte important al LBM
n acest caz este puterea impulsului laser. Atunci cnd aceasta are o valoare mai mic dect puterea
de prag nu se produce modificarea dorit a materialului. n schimb, peste valoarea de prag, apare o
cretere extrem de rapid a dimensiunilor prelucrrii, fenomenul producndu-se practic instantaneu,
cu durate de15...50 ns.
b) Prelucrarea cu prelevarea materialului pe toat adncimea stratului subire depus este
ilustrat mai n detaliu n fig.3.3.2 n care se prezint rezultatul aciunii LBM asupra unui film de
polimer cu colorani, la care predominant este fenomenul de sublimare (trecerea direct din stare
solid n stare de vapori) i nu ablaia asociat cu curgerea materialului.

a - Apariia cristalizrii la
b - Seciunea transversal prin filmul
filmele din polimeri cu
de polimer cu colorant dup LBM
colorani dup LBM
Fig.3.3.2. Prelucrarea pe toat adncimea stratului depus
Filmul este constituit dintr-un colorant amorf care este prelucrat de un laser cu kripton cu
=799 nm, durata implsului de 1 s i putere de 6 mW. Dup prelucrare, pe suprafa apare
fenomenul de cristalizare (rugozitate mare care conduce la un semnal sczut dup reflectarea
luminii pe aceast suprafa, fenomen care este valorificat). Caracteristica de contrast rezult din
diferena caracteristicilor spectrale dintre zona prelevat i neprelevat.[50-55]
c) Prelucrarea prin deformare i apariie de bule este utilizat prin excelen n domeniul
tehnologiei informaiei constnd n formarea unor bule n structura materialului, care produc la
rndul lor deformaii ale stratului superficial. Aceste deformaii modific reflectivitatea stratului
atunci cnd este baleiat de un fascicul laser, permind citirea optic a informaiei inscripionate
prin LBM. Astfel, un laser de putere mic (laserul cu semiconductori utilizat la CD-ROM-uri) poate
sesiza modificrile de reflectivitate ale materialului deformat prin apariia de bule n structura sa.
Acest procedeu se bazeaz pe utilizarea unui material multistrat care este supus prelucrrii LBM.
Primul strat este metalic (Ti, Au, Pt) i are caracter absorbant; al doilea strat este un polimer; al
treilea strat este refractar fiind un compus de Si, B, C[30].

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

Energia optic a radiaiei laser este absorbit de primul strat, iar la interfaa cu polimerul se
genereaz vapori ai acestuia. Presiunea datorat vaporilor din bule produce deformaii plastice ale
stratului absorbant.
Cercetri mai recente efectuctate de firma Connell (SUA) au condus la realizarea unui alt
material multistrat la care se aplic aceeai tehnologie: strat de Au de 14 nm, strat de polimer
PMMA (polimetacrilat de metil) de 20 nm, substrat de Al.
Microdeformaiile s-au realizat prin aciunea unei radiaii laser cu He-Cd avnd =422 nm i
puterea fasciculului de 6,5 mW.
d) Prelucrarea prin schimbarea proprietilor optice se bazeaz pe utilizarea unor materiale
calcogenice care sunt compui de sulf, seleniu i telur. Cel mai utilizat este sulfura de arseniu
(As2S3) care este un material semiconductor cu slab tendin de cristalizare.
Energia termic produs de LBM genereaz faze alternante: faz amorf - faz cristalin.
Aceast alternan produce schimbri ale indicelui de refracie i ale valorii coeficientului de
absorbie[48].
3.4 Caracterizare optic (elipsometrie, spectrofotometrie UV-VIS)
- Elipsometria
Aceasta este o tehnic experimental optic pentru studiul proprietilor materialelor i const
n detectarea modificrilor proprietilor unei radiaii monocromatice polarizat incident pe prob,
n urma interactiei cu proba. Pentru studiul proprietailor suprafeei sau a unui film subire depus pe
un suport solid, este adecvat elipsometria de reflexie care presupune analiza radiaiei reflectat de
suprafaa de studiat. Elipsometria utilizeaz radiaie luminoas monocromatic de tip und
electromagnetic, cu componentele cmp electric E i cmp magnetic B respectiv perpendiculare si
perpendiculare pe direcia de propagare [16-21].
-Spectrofotometria UV-VIS
Una dintre primele metode de studii dezvoltate i utilizate frecvent n practica laboratoarelor
de analize chimice utilizate n zilele noastre, este metoda bazat pe absorbia luminii din domeniul
vizibil (domeniu notat n literatura internaional VIS) i domeniul UV apropiat. n acest domeniu
spectral sunt situate majoritatea emisiilor de excitaie ale atomilor i moleculelor din structura
materialelor n stare solid sau n soluii. Se cunosc trei variante importante ale acestei metode:
colorimetria, fotometria i spectrofotometria [22].
3.5 Materiale speciale
Necesitatea descoperii de noi materiale cu proprietati semiconductoare,datorata patrunderii
acestora n tehnologiile de varf ale dispozitivelor semiconductoare, a determinat intensificarea
cercetarilor asupra unor compusi organici si anorganici cu proprietati semiconductoare. Desi exista
un numar mare de lucrari n literatura de specialitate dedicate studiului proprietatilor electrice si
optice ale acestor materiale, pna n prezent nu s-a ajuns la un punct de vedere comun asupra
proprietatilor semiconductoare ale lor. Este nca foarte dificil sa se coreleze stuctura moleculara a
acestor materiale cu proprietatile electrice si optice pe care ele le manifesta n plan
experimental[42].
Energia solara;
n ultimii ani, descoperirea de noi resurse de energie regenerabile, a devenit o prioritate
evidenta. Un sistem fotovoltaic este alcatuit din unul sau mai multe module solare care de fapt

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

convertesc lumina solara n curent continuu, un convertor DC/AC (continuu/alternativ) pentru

conectarea la retea si din asa numitele componente de echilibru ale sistemului, necesare
pentru instalarea sistemului. Spre deosebire de celulele solare bazate pe vafere de siliciu cristalin,
celulele solare pe baza de filme subtiri pot fi depuse pe substrate ieftine de genul sticla, folii de
metal sau chiar folii de plastic. Astfel, previziunea asupra sistemelor fotovoltaice , publicata n
2004 de un consortiu de companii europene, institute de cercetare si grupuri din universitati, arata
ca filmele subtiri de siliciu vor cstiga 10% din puterea fotovoltaica instalata la sfrsitul lui 2010 si
vor creste pna n 2020 la 30%[43].
Celule solare cu filme subtiri de siliciu;
Celulele solare cu filme subtiri de siliciu sunt separate de obicei n trei categorii , n functie de
temperatura atinsa n timpul fabricarii straturilor de siliciu. Metoda temperaturilor nalte, cu
temperaturi peste 650oC permite cresterea de filme de siliciu cristaline de nalta calitate, fie pe
substrat de tip ceramic, fie cresterea epitaxiala pe siliciu imperfect. Metoda temperaturilor
medii foloseste temperaturi ntre 400oC si 650oC pentru a depune siliciu policristalin peste stratul
de baza, n timp ce depunerea la temperaturi joase de 200oC da nastere filmelor amorfe de siliciu
prin cristalizarea n faza solida[43].
Oxizi conductivi transparenti;
Daca pentru contactul din spate al celulei este nevoie de un electrod cu conductivitate
ridicata, la partea p a celulei se impune implementarea unui strat aditional care sa permita conductia
laterala cu pierderi rezistive scazute pe distante de ordinul a 1 cm, obisnuite n practica fabricatiei
modulelor de siliciu cu filme subtiri. n plus, acest strat-electrod trebuie sa posede si o
nalta transmisie optica pentru lumina solara. Oxizii de metal apartinnd clasei oxizilor conductivi
transparenti (TCOs) combina aceste doua proprietati. Oxizii transparenti conductivi cunosc o
varietate larga de aplicatii, cum ar fi sticla low-E, ncalzirea ferestrelor la avioane, senzori de gaz,
ecrane, celule solare[44].
3.6 Materiale TCO;
Cele mai folosite TCOs pentru celulele solare cu filme subtiri sunt urmatoarele: oxidul de
staniu indiu ITO (indium tin oxide), oxidul de staniu fluorinat SnO2:F (fluorinated tin oxide) si
oxidul de zinc ZnO dopat cu aluminiu, galiu sau bor. Recent, oxidul de cadmiu (CdO) _i stanatul de
cadmiu (Cd2SnO4) au fost raportate drept materiale TCOs cu o mobilitate a electronilor extrem de
ridicata. Toate materialele TCOs disponibile momentan cu conductivitati ridicate sunt de fapt
semiconductori degenerati de banda larga dopati tip n. n ultimii ani, multe grupuri au dezvoltat
cercetari pentru TCOs de tip p , ca de exemplu CuAlO2 , care sa permita fabricarea componentelor
electronice complet transparente [45].

Oxidul de zinc dopat cu aluminiu: un electrod transparent;

Doparea oxidului de zinc cu impuriti donoare se face n scopul mbuntirii proprietilor

electrice. Dintre dopani, aluminiul beneficiaz de o atenie sporit, sistemul ZnO:Al fiind investigat
intens n ultimii ani. Aplicaiile acestui material se afl n domeniul electronicii i al
optoelectronicii, cel mai adesea fiind vorba de electrozi transpareni i conductori. ZnO este ieftin,
abundent, uor de obinut i non-toxic. n plus, rezistivitile sczute care pot fi obinute fac din
acesta principalul candidat pentru a substitui oxidul de indiu doapt cu staniu, materialul folosind n
mod curent.

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

AZO este investigat sub form de straturi subiri, dou dintre metodele cele mai folosite
pentru depunere fiind pulverizarea n descrcare de tip magnetron [3] i ablaia laser (pulsed laser
deposition, PLD). Este de dorit s putem obine straturi cu grosimi de ordinul zecilor de nanometri
pe suprafee mari, la temperaturi nu prea ridicate (maxim 200oC).

Semiconductorilor magnetici diluai (SMD);

Semiconductorii magnetici diluai rezult n urma doprii semiconductorilor n mod obinuit

non-FM cu ioni magnetici n concentraii sub limita de solubilitate n urma doprii, noul material
devine FM. SMD prezint interes drept material suport pentru viitoare aplicaii din domeniul
spintronicii.
MacDonald i colab, referindu-se la SMD, propun ndeplinirea de ctre materialele candidate
a urmtoarelor condiii:
- inducerea feromagnetismului n semiconductor de ctre o concentraie de preferat mic a
dopantului;
- valori ale temperaturii Curie peste 500 K;
- proprieti magnetice independente de distribuia ntmpltoare a ionilor dopani n material;
efecte magneto-optice intense n material, pentru a permite citirea/scrierea optic a informaiei
memorate magnetic

ZnO ca SMD: substraturi, metode de depunere, dopani utilizai

Ideea utilizrii de ZnO pentru obinerea de semiconductori magnetici diluai a venit n urma
rezultatelor aprute n lucrri teoretice [9]. Manganul a rmas timp de un deceniu printre cei mai
utilizai dopani. Pe lng el, a mai fost folosit des i cobaltul, ns s-au efectuat probe i cu celelalte
elemente 3d, de la Sc pn la Cu. Numrul de lucrri dedicate elementelor precum Fe sau Cu a
beneficiat de o atenie sporit fa de Sc sau Ti. Codoparea a fost utilizat ca tentativ de a
suplimenta numrul purttorilor liberi i de a stabiliza sau ntri cuplajul feromagnetic. N i unele
metale alcaline (cel mai des Li, uneori K sau Na) au fost folosite cu intenia de a obine un SMD pe
baz de p- ZnO.
Majoritatea cercetrilor s-au concentrat asupra oxidului de zinc sub form de straturi subiri.
S-a lucrat cu materiale cu structur policristalin, n unele situaii studiindu-se i monocristale.
Referitor la depuneri, pentru a promova o cretere epitaxial se poate nota o preferin pentru
suporturi de safir (Al2O3). Alte substraturi folosite au fost Si i chiar ZnO, n timp ce dintre
materialele amorfe n mod uzual au fost utilizate sticla i cuarul. Metodele de preparare folosite au
fost variate, att pentru sinteza oxidului de zinc i introducerea dopanilor, ct i pentru depunerea
pe suport. Printre cele mai utilizate tehnologii se numr ablaia laser, depunerea de straturi n
descrcare tip magnetron i diverse metode chimice (n special sol-gel)[48-50].
Numrul anual de articole tiinifice dedicate investigrii proprietilor magnetice ale
oxidului de zinc a crescut aproape constant n ultimul deceniu. Pentru obinerea unei imagini de
ansamblu a evoluiei domeniului SMD, au fost utilizate articolele indexate n baza de date Thomson
Reuters (www.isiknowledge.com), filtrate dup criteriul includerii n titlu ale cuvintelor cheie
ZnO i magnet*, sau ZnO i ferromagnet*. O evoluie aproximativ a numrului de lucrri
publicate poate fi urmrit n figura3.6.1 [46]:

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

Figura 3.6.1
Figurile 3.6.2 si 3.6. 3 arata morfologia suprafetei straturilor subtiri de ZnO,depuse prin PLD,
imaginile fiind obtinute prin AFM n modul de lucru noncontact. Aria scanata a fost de 5 m2 si
imaginile obtinute arata o diferenta mica ntre valorile rugozitatii probei ZnO1 si cea a probei ZnO2

Fig. 3.6.2. Scanarea topografica AFM a stratului subtire de ZnO1

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

Fig. 3.6.3. Scanarea topografica AFM a stratului subtire de ZnO2

Concluzii
n interpretarea rezultatelor, am urmarit descrierea mecanismelor proprietilor specifice ale
materialelor obinute i adaptarea acestora pentru dezvoltarea de dispozitive cu sensibilitate
senzoristic sau conversia fotovoltaic. Principalele rezultate obinute, se pot sumariza astfel:

Energia ciclului de histerezis este dependent de structura molecular a acizilor grai i de

aditivii utilizai n obinerea stratului Langmuir.

S-a evideniat un efect solid pentru ftalocianina de magneziu al curbelor de histerezis fa de

ftalocianina de zinc respectiv cupru

Odat cu oprirea iluminrii foto-generarea purttorilor de sarcin la non-echilibru dispare,

astfel rezistena electric prezint o cretere la valoarea corespunztoare strii de ntuneric.
Odat cu reluminarea cu radiaie UV a senzorului, rezistena electric a acestuia se ntoarce
la valoarea dinamic urmnd tendina precedent.

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

Investigaiile electrice i foto electrice au dovedit o sensibilitate a senzorului la iradiere

UV.

Caracterizrile efectuate au condus la o scdere a rezistenei electrice a acestuia

evideniindu-se o sensibilitate a senzorului la ionizarea oxigenului.

Celulele fotovoltaice bazate pe amestec polimeric cu stearat de bariu, nanotuburi de carbon

i diferite ftalocianine (ZnPc , CuPc) dispersate uniform n mixtura stratului activ
mbuntesc intensitatea curentului la ntuneric ct i la iluminare, crescnd deasemenea
eficienta cuantic extern.

Prezena nanotuburilor de carbon faciliteaz transportul purttorilor de sarcin n

amestecul polimeric doar n urma distribuirii uniforme a acestora n volumul amestecului.

Rezultatele obinute pentru celulele fotovoltaice cu stearat de bariu, nanotuburi de carbon

i ftalocianin de zinc (ZnPc) respectiv (CuPc) relev faptul c intensitatea curentului este
cu dou sau trei ordine de mrire mai mare dect valorile obinute pentru celula fotovoltaic
convenional (Sticl/ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM/Al).

Valoarea cea mai ridicat a eficienei cuantice externe a fost obinut pentru celula
fotovoltaic Sticl/ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM + BS + CNT + ZnPc/Al n jurul valorii
de 18% la valoarea lungimii de und de 430 nm, n comparaie cu valoarea de 3% obinut
la aceeai lungime de und n cazul celulelor fotovoltaice ce prezint ca strat activ doar
blenda P3HT:PCBM.

Diagrama benzilor de energie confirm c banda interzis pentru ftalocianina de magneziu

are o valoare mai mare (2,60 eV) n comparaie cu valorile pentru ZnPc (1,80 eV) i CuPc
(1,90 eV), ceea ce denot o slab absorbie pentru domeniul comun de absorbie al celorlalte
componente din structur.

Valorile eficienei cuantice externe (EQE) pentru celulele fotovoltaice ce conin MgPc
mixat n stratul activ, sunt mai mici dect valorile aferente afinitii chimice dintre MgPc i
a celorlalte componente sau formaiuni de grupuri mari ce pe de o parte blocheaz absorbia
optic i pe de alt parte cresc mpratierea purttorilor de sarcin i apoi scad mobilitatea
acestora.

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

Referine :
[1] Rusu M., Teza de doctorat, Contribuii la studiul unor materiale organice si anorganice
nanostructuratepentru dispozitive optoelectronice pe suport flexibil, Universitatea din Bucuresti,
Facultatea de Fizica 2011
[2] Tenciu D., Teza de doctorat, Caracterizarea structural i morfologic a straturilor subiri prin
tehnici XRD, AFM i SEM, Universitatea din Bucuresti, Facultatea de Fizica 2012
[3] Kiessig Heinz, X ray interference on this layers, Annales de Physique, Vol. 402, pp. 769 788,
(1931)
[4] Stokes A. R. and Wilson A. J. C, A method of calculating the integral breadths of DebyeScherrer lines, Proceedings of the Cambridge Philosophical Society, Vol. 38, pp. 313 - 22 (1942)
[5] Barret C. S., A new microscopy and its potentialities, Trans. Am. Inst. Min. Metall. Pet. Eng,
Vol. 161, pp. 15-64 (1945)

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

[6] Zachariasen W. H., Theory of X-ray Diffraction of Crystals, Science 255 pages, Courier Dover
Publications, 2004
[7] Macgillavry C. H. and Riek G. D., International Tables for X-ray Crystallography, Vol (III)
Physical and Chemical Tables, Kynoch Press: Birmingham, New York, pp. 201 - 245 1962
[8] W. J. Bartels and W. Nijman, X-ray double-crystal diffractometry of Ga1xAlxAs epitaxial
layers, Journal of Crystal Growth, Vol. 44, pp. 518 525, (1978)
[9] Fewster P. F. and Whiffin P. A. C., Crystallographic polarity and etching of cadmium telluride, J.
Appl. Phys. 54, 4668, 1983
[10] Kolerov O. K., A.N. Longvinov, V.G. Skryabin, V.D. Yushin, Application of X-ray
diffractometry for non destructive investigations of layered samples, Instrum. Exp. Tech. (USSR)
27, pp. 468 - 471 (1984)
[11] Tapfer L. and Ploog K. H., Improved assessment of structural properties of Al_ {x} Ga_ {1-x}
As/GaAs heterostructures and superlattices by double-crystal x-ray diffraction, Phys. Rev. B Vol.
33, pages 5565, American Physical Society (1986)
[12] Goldstein J.I., Newbury D.E., Echlin P.,Joy D.C., Lyman C.E., Lifshin E., Sawyer L., Michael
J.R., Scanning electron microscopy and X-ray microanalysis, Third edition, Kluwer
Academic/Plenum Publishers, New York, U.S.A., 2003
[13] Centrul de Cercetare Dezvoltare Materiale si Dispozitive Electronice si Optoelectronice
(MDEO), Seminar AFM, Facultatea de Fizica, Universitatea din Bucuresti, 2011
[14] Stefan Antohe, Materiale si dispozitive electronice organice, Editura Universitatii Bucuresti,
1996
[15] Jagat Shakya, Atomic Force Microscope: An Introduction, KS 66506, USA General concept
and defining characteristics of AFM 11
[16] HoribaJobin Yvon, Spectroscopic Ellipsometry for Thin Film Characterization Theory &
Fundamentals, 2007
[17] G. Bader et al., Transmission and reflection ellipsometry of thin films and multilayer systems,
Applied Optics, Vol. 37, No. 7, 1 March 1998
[18] HoribaJobin Yvon, Sample Practice, 1-Problems, 2-Solutions
[19] Richard (Lianchao) Sun, Ph.D., Sun International (USA), Acton, MA, Ellipsometry
Ellipsometer and Thin Films, August 28, 2008
[20] HoribaJobin Yvon, Pre-Installation Guide UVISEL Ex-Situ Systems, Part Number 31087119
[21] NANOELLI09 - 2nd NanoCharM European School on Ellipsometry Fundamentals and
Applications in Nanoscience and Nanotechnology August 31st-September 3rd, 2009 Belgrade,
Serbia
[22] Nascu H.I., Jantschi L., Chimie analitica si instrumentala, Cluj Napoca, Academic Pres&
AcademicDirect, 2006
[23] Caiet lucrri de laborator - Cursul: Fizica Solidului (Centrul de multiplicare al Universitii din
Bucureti 1981).
[24] Rusu M., Teza de doctorat, Contribuii la studiul unor materiale organice si anorganice
nanostructurate pentru dispozitive optoelectronice pe suport flexibil, Universitatea din Bucuresti,
Facultatea de Fizica 2011
[25] Andrisan (Socol) M., Teza de doctorat, Proprietaile electrice si optice ale semiconductorilor
organici, Universitatea din Bucuresti, Facultatea de Fizica 2010
[26] K. B. Blodgett, Films Built by Depositing Successive Monomolecular Layers on a Solid
Surface, J. Am. Chem. Soc. 57, pp. 1007-1022, 1935

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

[27] Pasca R. D., Teza de doctorat, Nanostructuri lipidice in prezenta unor biomolecule solubile in
apa sau a unor nanoparticule metalice de aur sau argint, Universitatea Babes-Bolyai din ClujNapoca, Facultatea de Chimie si Inginerie Chimica 2013
[28] Popescu, M; Lorinczi, A; Velea, A, et al., Alternating barium stearate and copper stearate LB
thin films, Opt. and Adv. Mat., 10 (12), 3413-3415, 2008.
[30]Marinescu Adriana; MANAGEMENT N MICRO I NANOTEHNOLOGII
[31] Caiet lucrri de laborator - Cursul: Fizica Solidului (Centrul de multiplicare al Universitii din
Bucureti 1981).
[32] Lucrare de laborator - Cursul: Fizica Solidului (Centrul de multiplicare al Universitii din
Bucureti 1981).
[33] Lucrare laborator nr.8 - Cursul: Fizica Solidului (Centrul de multiplicare al Universitii din
Bucureti 1981).
[34]. W. Y. Liang, A. D. Yoffe, Phys. Rev. Lett. 20, 59 (1968).
[35]. P. Sati, R. Hayn, R. Kuzian, S. Regnier, S. Schafer, A. Stepanov, C.Morhain, C. Deparis, M.
Laugt, M. Goiran, and Z. Golacki, Phys. Rev.Lett. 96, 17203 (2006).
[36]. R. Yakimova, G.R. Yazdi, N.T. Son, I. Ivanov, M. Syvjrvi, S. Sun, G.Tompa, A. Kuznetsov, B.
Svensson, Superlatt. Microstruct. 39, 247 (2006).
[37]. L. E. Halliburton, N.C. Giles, N.Y. Garces, Ming Luo, Chunchuan Xu, Lihai Bai, and L.A.
Boatner, Appl. Phys. Lett. 87, 172108 (2005).
[38]. M. Pavlovi_, U. V. Desnica, J. Appl. Phys. 84, 2018 (1998).
[39]. Z-Q. Fang, D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 59, 48 (1991).
[40]. R. Fasbender, G. Hirt, M. Thoms, A. Winnacker, Semicond.
[41]. R. Bazavan, L. Ion, G. Socol, I. Enculescu, D. Bazavan, C. Tazlaoanu, A. Lorinczi, I. N.
Mihailescu, M. Popescu, S. Antohe, Optical Properties of Pulsed-Laser Deposition ZnO Thin Films,
J. Optoel. Adv. Mater., 11, 425 (2009).
[42]. ]A. Romeo, D. L. Btzner, H. Zogg, A. N. Tiwari, MRS Symp. Proc., 668, H3.3.1 (2001).
[43]. V. Ruxandra, S. Antohe, J. Appl. Phys. 84, 727 (1998).
[44]. M. Cardona, D. L. Greenaway, Phys. Rev. 131, 98 (1963).
[45]. S. Antohe, L. Ion, V. A. Antohe, J. Optoeletron. Adv. Mater. 5(4), 801 (2003).
Contribu_ii la studiul unor materiale organice _i anorganice nanostructurate .....Rusu Madalin49
[46]. V. Ruxandra, J. Mater. Sci. Lett. 16, 1833 (1997).
[47]. D. Bucurescu, G. Cata-Danil, N.-V. Zamfir, Nuclear Physics News17(1), 2007.
[48]. M. Cardona, G. Harbeke, Phys. Rev. 137, A1467 (1964).
[49]. K.Ramanathan, M.A.Contreras: Properties of 19.2% efficiency ZnO/CdS/CuInGaSe2 thinfilm solar cells, Progress in Photovoltaics: Research And Applications, 2003, 11, pp.225
[50]. M.Green, K.Emery: Solar Cell Efficiency Tables, Progress in Photovoltaics, Research and
Applications, 2007, 15, pp 35-40
[51]. M.Green: Thin-film solar cells: review of materials, technologies and commercial status,
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, Vol.18, Suppl. 1, Oct. 2007, pp. 15-19(5)
[52]. S.M. Pietruszko, Photovoltaics in the World, Phoelectronics Review 12(1), 2004, pp. 7-12
[53]. Gupta, S. Shrikata and S. Isomora, Solar Energy Materials and Solar Cells, 32(1994) 137.
[54]. R. Pal, K.K. Chattopadhyay, S. Chaudhari and A.K. Pal, Solar Energy Materials and Solar
Cells, 33(1994) 241.
[55]. N. Kavcar, Solar Energy Materials and Solar Cells 52(1998) 183.
[56]. F. R. White, A. H. Clak, M. C. Gxaf, Molecular Beam Epitaxy Techniques for Preparing
CuInSe2 Thin Films, J.App1. Phys. 50, 544-554 (1979)

UNIVERSITATEA POLITEHNICA BUCURESTI

INGINERIA SI MANAGEMRNTUL SISTEMELOR TEHNOLOGICE

[57]. G. A. Mitchell, Method of Making Thin Film Heterojunction Solar Cell, J. Sol. Energy
Mater.and Sol. Cells, 57,1-41 (1996)
[58]. C. H. Huang, S. L. Sheng, W. N. Shafarman, C.H. Chang, E.S. Lambers, L. Rieth, J.W.
Johnson, S. Kim, B.J. Stamberry, T.J. Anderson and P.H. Holloway, Study of Cd-free Buffer Layers
using Inx(OH,S)y on CIGS Solar Cells, J. Sol Energy Mater. and Sol. Cells, 69, 131-137 (2001)
[59]. J. M. Merino, M. Leon, F. Rueda and R. Diaz, Flash Evaporation of Chalcogenide Thin Films,
J. Thin Solid Films, 22-27:361-362 (2000)
[60]. H. K. Song, S. G. Kim, H. J. Kim, S.K. Kim, K.W. Kang, J.C. Lee and K.H. Yoon, Preparation
of CuIn1-xGaxSe2 Thin Films by Sputtering and Selenization Process, J. Sol. Energy Mater. Sol.
Cells, 75,145-153 (2003)
[61]. C. J. Huang, T. H. Meen, M. Y. Lai and W.R. Chen, Formation of CuInSe2 Thin Films on
Flexible Substrates by Electrodeposition (ED) Technique, J. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 82, 553565 (2004)
[62]. R. E. Racheleau, J. D. Meakin and R.W.Birkmire, Proceedings of the 19th Institute of
Electrical and Electronics Engineers Photovoltaic Specialists Conference (Institute of Electrical and
Electronics Engineers, New York, 1988), p. 972
[63]. Gupta, S. Shrikata and S. Isomora, Solar Energy Materials and Solar Cells, 32,137(1994).
[64]. N. Kavcar, Solar Energy Materials and Solar Cells, 52,183 (1998).
[65]. B. Su and K.L. Choy Thin Solid Films, 359, 144 (2000).
[66]. R. Swanepoel, Rev. Sci. Instrum., 16,1214 (1983)