CURS 4

2.2 Comutatoare in blocare

tc
Ec I tc
W icucedt 0
off 0
2

tc t

W
Ec I t
0 f
off

t
A c
f 2

off

off

W
off
Ec I t f
0 f
T

Atasam circuitului resp Snubberul trebuie sa inbunatatim parametrii

de comutatie; puterea disipata tb sa scada.

3 Comutarea circuitelor cu Snubber

3.1 Snubber ON (in conductie)
Pe durata comutatiei consideram curentul prin sarcina constant (ptr ca
constanta de timp a sarc >> timp de comut) L/R >> tON
Formele de unda :
ic

Io
Uce

tr

trr

Ec

Introducerea curentului Snubber face ca evolutia curentului de

comutatie sa fie mai lenta (orice inductanta introdusa intr-un circuit
I
micsoreaza panta unui circ t )
Pana la atingerea val max posibile, intervalul e mai mare
Evolutia tensiunii Uce atinge 0 inaintea stabiliz curentului.

Ec I o
8

Pr

ic f t
1
uce f t
2

ic f uce

(a fost eliminat timpul)

Ic
Io
Ir

trr - tr
tr

Energia care se disipa in conductie (e energia pe trr )

tr
tr
Ec I

t
t
0t 2
Won Wr icuce dt I o
Ec 1
dt
6
t

t rr
tr
rr r
0
0

Notam formal trr 2tr

Ec I
0t
Won Wr
12 r
Ec I
0
Pr max
8

-puterea medie care se disipade-a lungul unei perioade de comutatie

Pon

Ec I tr
0 f
12

-in concluzie, comparand energia disipata pe dispozitiv in stare on ptr circ

cu/fara Snubber, energia disipata este de 12 ori mai mica in cazul circ cu
Snubber => dpdv practic putem micsora dimensiunea radiatorului pe care se
afla tranzist.
3.2 Snubber OFF
-elementul principal al Snubberului este condensatorul
-considerand ca elementele din circuit sunt liniare, dioda ideala (timp de
comutatie nul)
L/R >> tOFF (curentul de sarcina e constant)
I sarcina I ct
0

-amplificam un impuls negativ =>

curentul de sarc I 0 se ramifica prin
tranzist si prin latura care ajunge la

C.(pe C apare o polarizare ca cea

din fig)

+Ec

Io
L

R
Element
Snubber ptr
protectia tz

Ic
Rc

Dc

Uce
C

+
_

Dc

permite incarcarea rapida

-evolutia curentilor ic si icc complementara. I 0 ic icc , t toff
-daca icarcarea se face prin Dc (la comut. on a tranzist) => descarcarea se
face prin Rc
Rc se pune ca sa se descarce C, si limiteaza vf de curent capacitiv care trece
prin tranzistor.
ic

Uce

Io
icc

tf

toff

Ec
t
Io
t

P
Pfmax

-prezenta condensatorului in paralel cu tranzist face ca uce sa aiba evolutia

din fig1.
-2 : la t> t f curentul de incarcare al C este ct. si e egal cu I 0
i
cc ct I =>
evolutia de incarcare a curentului e un segm de dreapta
0

f
W
W icucedt
off
f
0

ic I 1
0
t

I t2
t
1 t
1 t i0
0
uce uc
i
dt

t
dt

u
t
cc

C0
C 0t f
2Ct
f

uce t t

U I t
f 0 f
W
W
off
f
12

Energia ce se disipa ptr circ cu Snubber e de 12 ori mai mica

decat energia care se disipa pe disp la comutarea circ fara
Snubber.
U I t
U I t
f 0 f U f Ec
f 0 f
W
W
P W
f
,
off
f
off
f
12
12
P

u
U I
f max 2 f f 0

puterea instantanee max:

-cele 2 circuite Snubber (ON si OFF) au fost tratate separat
fara a lua in consideratie efectele determ de unul asupra
celuilalt
-dc proiectarea e facuta astfel incat interdependenta sa fie
minima, atunci calculele ptr cele 2 situatii raman valabile
DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE SEMIJONCTIUNE
Structura Tiristoare
-au mai mult de 2 jonctiuni
-au aparut prin realizarea de jonctiuni suprapuse cu arii mari ce permit si
densitati mari de curent
1)Tipuri de asemenea structuri:
Tiristorul - dispozitiv cu caracteristica i(u) de tip bistabil si care poate sa fie
comutat din blocare in condunctie si invers in cel putin un cadran U-I.
Sunt clasificate:
a) Dupa nr de cadrane comutate
-unidirectionale (cadran 1),
-bidirectionale (cadran 1,3)

b) In functie de tipul semnalului

de comanda

-unilat (din blocat -> conductie);

-bilat (blocat->cond->blocat)

c) In functie de natura comenzii

-pe cale electrica; - pe cale optica
d) In functie de nr canalelor de comanda
-cele unidirectionale pot avea in cadr 3 caracteristica de dioda polarizata
invers (tiristor cu blocare inversa) sau caracteristica de dioda blocata
direct
-cei doi electrozi principali
E1
E2
s.n. A-K
-la tiristoare in 2 cadrane s.n.
A
K
+
E1,E2 A-K; K-A
(-)
(+)
G(p)

Simboluri:
- ptr cele care functioneaza in cadranele 1,3
- tiristor conventional cu poarta catodica

2)Struc
tura p-n-p-n (Shockley)

P1

J1

N1

J2

P2

J3

N2

A+

K+++(-) (+) (-) (+) (-) (+)

P1

Ustr

P1

100

P1

P1

Nd[cm 3 ]

1014 1019

nc
J = jonctiunea
J1 = polariz direct = J3
J2 = polariz invers (jonctiunea centrala)
-departajeaza 2 jonctiuni cu concentratii foarte diferite
-cu cat concentratia este mai mare, cu atat ustr e mai mica.
-ptr semnele din paranteza J1,3 polariz invers; J2 polariz direct
J1 ->aici apare diferenta mare de concentratie;J1 ->sustine tensiunea aplicata
la polarizarea inversa

1018 P1

P1
A+

J1

N1

+
Ip

J2

P2

J3

N2
K-

Ic

In

Zona 2 de recombinare

Zona 1 de recombinare

Tz1

T1
P1

B1
N1

C1
P2

P1N1
C2

P2
B2

Fluxul de purt - goluri

I

J2

I p In I
1
2
c0

N2
E2

Reactie globala de tip poz la conect Tz

Tz2

La cresterea tensiunii aplicate (Uak > 0) creste tensiunea aplicata jonct J2 si

creste si curentul Ico si implicit I J 2 , cresc coeficientii de amplificare 1, 2 ,
se mareste concentratia de purtatori in cele 2 baze, se produce compensarea
sarcinii spatiale la nivelul jonctiunii 2, dimens jonct se ingusteaza, U J 2 ;
marind tens A-K pana la nivelul tens de strapungere a J2 se produce un
fenomen de multiplicare in avalansa a purtatorilor de sarcina, tensiunea
U
0 iar in final J2 se polarizeaza direct.
J2
-fenomenul este similar cu cel de strap secundara => acest curent creste de M
ori (M = factorul de multiplicare in avalansa)

U 0
I
I I n I
U str ,
M
U
, U
J 2 1 p
2
c0
Ak
J2
J2
1

U str

J2