Lucrarea 1

Pagina | 15

DIODA SEMICONDUCTOARE

1. Scopul lucrrii:
Determinarea principalilor parametri ai diodelor semiconductoare i studiul comportrii lor n
circuitele elementare.

2. Noiuni teoretice
Circuitele electrice sunt, ntr-o anumit msur, similare celor pneumatice sau hidraulice.
Astfel, o funcie esenial n aceste circuite este permiterea curgerii fluidului (curentului electric)
numai ntr-un anumit sens. Ea este realizat cu dispozitive numite supape (diode). De unde tiu
supapele sensul n care fluidul are tendina s circule pentru a decide dac s-l lase, sau nu, s
treac? Simplu: fluidul curge de la presiune (potenial) mare la presiune mic, iar supapele sesizeaz
tocmai aceast diferen de presiune (diferen de potenial), deoarece ea este proporional cu
fora net exercitat de fluid asupra supapei. Dac fora are sensul corect i dac mrimea ei
depsete o anumit valoare de prag, supapa se deschide i fluidul poate s treac.
Simbolurile diodei sunt prezentate n Figura 1.

Figura 1. Simbolurile diodelor

n circuitele electronice, aceeai funcie este ndeplinit de ctre diode (Figura 2). Dioda
conduce numai ntr-un sens: de la anod la catod.

Polarizare direct

Polarizare invers

Figura 2. Dioda semiconductoare: polarizare direct i polarizare invers

Lucrarea 1

Pagina | 16

(1)

Caracteristica static reprezint dependena teoretic curent-tensiune a unei diode

semiconductoare, dedus prin analiza fenomenelor fizice n jonciunea PN ideal ce au loc la
aplicarea unei tensiuni din exterior.
Semnificaia mrimilor din formul este:
I0 - curentul invers de saturaie al diodei;
uD- cderea de tensiune;
k - constanta lui Boltzman;
q sarcina electronului;
T - temperatura Kelvin;
constant de material;
uT - tensiunea termic,

Figura 3. Caracteristica static a diodei semiconductoare

Tensiunea termic uT la temperatura camerei este de 25 mV. Curentul de saturaie Io este
dependent de parametrii fizici, tehnologici i geometrici ai jonciunii PN. Valorile uzuale ale
curentului de saturaie sunt: 10100 nA pentru dioda de siliciu de mic putere i de ordinul
microamperilor pentru dioda de germaniu.
Observaie: Io este direct proporional cu aria junciunii, drept urmare, pentru o diod de
putere mai mare (ce va avea aria jonciunii mai mare), Io va avea o valoare mai mare.
La cureni direci de ordinul 1100 mA (valori des ntlnite n practic) cderea de tensiune pe
diod la polarizare direct (uD) este de 0,2 0,3 V pentru diodele de germaniu respectiv 0,6 0,8V
pentru diodele de siliciu. n conducie direct, curentul crete exponenial, valoarea sa
multiplicndu-se cu 10 la fiecare cretere a tensiunii de 120mV (la diodele din siliciu).

Lucrarea 1

Pagina | 17

Coeficientul de emisie este cuprins ntre 1 i 2 (pentru siliciu este mai aproape de 2, pentru
germaniu este mai aproape de 1). Acesat valoare difer n funcie de mrimea curentului prin diod.
La tensiuni directe mai mari, caracteristica static tinde s se liniarizeze datorit cderilor de
tensiune pe zonele neutre ale jonciunii PN, care nu mai pot fi neglijate.
Determinarea mrimilor I0 i
Se reprezint ecuaia diodei semiconductoare la scar semilogaritmic (ca n Figura 4).
Pe abscis se reprezint tensiunea aplicat pentru conducie direct la scar liniar i pe
ordonat curentul prin diod la scar logaritmic.
Panta dreptei astfel obinute permite deducerea coeficientului . n relaia (1)(2) se neglijeaz
i se logaritmeaz, dup care se face separarea de variabile pentru obinerea relaiei lui (2).
Prin prelungirea aceleiai drepte, la intersecia cu axa ordonatei, se obine curentul de
saturaie I0.
(2)

Figura 4. Caracteristica static a diodei la polarizare direct, la scar semilogaritmic

Punctul static de funcionare

n circuitele electronice, diodele semiconductoare pot ndeplini mai multe funcii (redresare,
detecie, limitare, etc.), n anumite situaii fiind necesar stabilirea unui regim static de funcionare.

Figura 5. Circuit pentru determinarea punctului static de funcionare al diodei

Lucrarea 1

Pagina | 18

Pentru circuitul elementar din Figura 5 punctul static de funcionare se determin prin
rezolvarea grafoanalitic a sistemului de ecuaii format din ecuaia caracteristicii statice a diodei
(ecuaia (1)) i ecuaia dreptei statice de funcionare :
(3)

Figura 6. Determinarea teoretic a punctului static de funcionare

Punctul static de funcionare M are coordonatele UD i ID, iar n acest punct de funcionare
dioda este caracterizat, din punct de vedere al semnalelor variabile, printr-o rezisten dinamic.
Rezistena dinamic
Atunci cnd curentul sufer variaii relativ mici (

), putem considera c poriunea de

caracteristic pe care se deplaseaz punctul static de funcionare este o linie dreapt (Figura 7.
Definirea rezistenei dinamice)

Figura 7. Definirea rezistenei dinamice

Lucrarea 1

Pagina | 19

Introducem rezistena dinamic folosind legea lui Ohm:

(4)

Observm c aceasta este invers proporional cu valoarea curentului de repaus (este

curentul prin diod la un moment n timp). La diodele din siliciu:
(5)

Pentru valori mici ale curenilor (

), rezistena dinamic are valori mici: pentru
,
. La cureni mari (
) rezistena dinamic scade i mai mult, devenind
.
ATENIE: Rezistena dinamic a diodei se calculeaz cu ajutorul legii lui Ohm dac i numai
dac iD i uD variaz n funcie de punctul static de funcionare (UD i ID)!
Condensatoarele C1 realizeaz cuplarea semnalului alternativ i nu permit trecerea curentului
continuu.
Sursa de tensiune DC i rezistena R1 sunt folosite pentru stabilirea PSF-ului. La acestea se
adaug sursa de tensiune AC (pentru a varia UD i ID n jurul PSF). Rezistena R2 este introdus pentru
a forma un divizor de tensiune rezistiv ce va facilita calculul rezistenei dinamice.
Formula de calcul a rezistenei dinamice se extrage din relaia:
(6)

unde considerm

Observaie: Pentru deducerea formulei (6) se folosete principiul superpoziiei.

Figura 8. Circuit pentru determinarea rezistenei dinamice

Lucrarea 1

Pagina | 20

Regim static

Regim dinamic

Figura 9. Circuite echivalente obinute prin aplicarea principiului superpoziiei

Polarizare invers
La polarizare invers, curentul prin dioda ideal este nul. n realitate, la polarizare invers,
regiunea de sarcin spaial se mrete i apare un curent de generare, dependent de tensiunea
aplicat, astfel c, n conducie invers, curentul unei diode variaz cu tensiunea aplicat (putnd
crete de cteva ori). Curenii inveri sunt de ordinul zecilor de nA pentru diodele de siliciu i de
ordinul microamperilor pentru didele de germaniu.
Dac modulul tensiunii inverse depete o valoare numit tensiune de strpungere, curentul
invers I0 crete brusc (Figura 3), valoare lui fiind limitat doar de circuitul exterior. Exist dou
mecanisme care contribuie la fenomenul de strpungere: efectul Zener (dominant pentru tensiuni de
strpungere mai mici de 5 V) i efectul de multiplicare n avalan (dominant dac tensiunea de
strpungere este mai mare de 8 V). Cnd tensiunea de strpungere este ntre 5 i 8 V, fenomenul are
loc prin ambele mecanisme.
Observaie: Fenomenul Zener reprezint smulgerea de purttori din reea prin cmpul
electric impus. Fenomenul de multiplicare n avalan se suprapune peste fenomenul Zener i
presupune creterea semnificativ a numrului de purttori de sarcin. Acest lucru se ntmpl prin
generarea de purttori n semiconductor (diod), accelerarea lor n cmpul electric impus i ciocnirea
cu ali electroni.
Dioda Zener (stabilizatoare de tensiune)
Diodele stabilizatoare de tensiune (impropriu, dar frecvent denumite diode Zener) sunt
caracterizate printr-o tensiune de strpungere bine definit, ca urmare a efectului de multiplicare n
avalan ce determin o cretere foarte puternic a curentului invers n zona de strpungere.
Tensiunea de strpungere este controlat prin concentraia de impuriti. Funcionarea normal a
diodei se face n zona reprezentat n Figura 10 (caracteristica static, att cea direct ct i cea
invers). Determinarea rezistenei dinamice a diodei, rZ, se face conform relaiei:

Lucrarea 1

Pagina | 21

(7)

Figura 10. Caracteristica static a diodei Zener

Dioda Schottky
Diodele Schottky se realizeaz prin jonciune metal-semiconductor. La contactul metal-semiconductor se formeaz o barier de potenial i o regiune de sarcin spaial extins numai n
semiconductor. Astfel, dioda Schottky funcioneaz numai cu purttori majoritari, electroni n cazul
semiconductorului de tip N i goluri pentru P.
La echilibru termodinamic curentul prin diod este nul.
La polarizare direct (uD > 0) bariera de potenial se micoreaz i apare un curent prin
jonciune, prin deplasarea electronilor din semiconductor n metal.
(

(8)

La polarizare invers (uD < 0) bariera de potenial crete, iar fluxul de electroni de la
semiconductor spre metal scade foarte mult.
Proprieti:
cdere de tensiune direct mai mic, 0.3-0.4V Schottky (n comparaie cu o diod
semiconductoare de siliciu cu cdere de tensiune de 0,6 V);
funcionare foarte bun la frecvene mari (MHz, GHz) i timpi de comutaie foarte mici
(mai mici de 100 ps) .
Explicaia: spre deosebire de diodele din siliciu care nu prezint purttori de sarcin n
regiunea golit, diodele Schottky nu au o astfel de regiune, rezult c nu exist recombinri intre
purttorii de tip N i P, deci nu exist zone golite de purttori de sarcin.

Lucrarea 1

Pagina | 22

Dioda electroluminiscent (LED Light Emitting Diode)

LED-urile sunt realizate din jonciuni GaAs, semiconductor ce are banda interzis de circa 1,6
1,7 eV. Ca urmare a recombinrilor directe, se emit cuante de lumin n spectrul vizibil, cu diferite
culori, n funcie de lungimea de und a luminii emise. Diferite lungimi de und se obin prin
adugarea de impuriti n procesul de dopare. Diodele electroluminiscente funcioneaz doar la
polarizare direct, la cureni de ordinul iD = 20 mA.
Culoare

Lungime de und
(nm)

Tensiune (V)

Rou (R)

610 < < 760

1,63 < V < 2,03

Verde (G)

500 < <570

1,9 < V < 4

Albastru (B)

450 < < 500

2,48 < V < 3,7

Material
AlGaAs
GaAsP
AlGaInP
GaP
InGaN / GaN
GaP
AlGaInP
AlGaP
ZnSe
InGaN
SiC ca substrat

Puntea redresoare
Puntea redresoare (redresor bi-alternan) este format din 4 diode, poziionate ca n Figura
11, i unul sau mai multe condensatoare. Rolurile acestui circuit sunt de a menine polaritatea
semnalului de ieire indiferent de polaritatea semnalului de intrare i de a converti curentul
alternativ n curent continuu.

Figura 11. Redresorul bi-alternan

Lucrarea 1

Pagina | 23

n funcie de polaritatea tensiunii de intrare, diodele din circuit conduc i se blocheaz

conform figurilor de mai jos:

Uin>0

Uin<0

Figura 12. Funcionarea redresorului bi-alternan

Acest circuit poate avea ca echivalent matematic funcia modul. Totui, trebuie s inem cont
de cderile de tensiune de pe diodele din puntea redresoare. Acestea au ca efect reducerea
amplitudinii semnalului de la ieirea redresorului.

Semnal de intrare (Vin)

Semnal de ieire Vout (fr condensator)

Figura 13. Efectul tensiunii directe de pe diode (VD) asupra amplitudinii

Observaie: Prezena unui condensator la ieirea circuitului este necesar pentru a evita
fluctuaiile tensiunii de ieire. Ca regul general, cu ct valoarea condensatorului este mai mare cu
att fluctuaia lui Vout este mai mic. Aceasta este influenat i de curentul de la ieirea circuitului.

Figura 14. Semnal de ieire Vout (cu condensator)

Lucrarea 1

Pagina | 24

Reguli de alegere a valorii condensatorului:

(9)
unde:
RLOAD este rezistena echivalent a circuitului conectat ntre bornele ( + ) i ( - ) ale
circuitului de redresare (msurat in );
C este valoarea capacitii de la ieirea circuitului (msurat n Farazi);
f este frecvena semnalului sinusoidal de intrare (masurat n Hz);
(10)
unde:
C este valoarea capacitii de la ieirea circuitului (msurat in Farazi);
f este frecvena semnalului sinusoidal de intrare (msurat in Hz);
Isarcin este curentul de la ieirea circuitului de redresare i depinde de RLOAD (rezistena
de sarcin conectat la ieirea circuitului);
V msoar variaia semnalului de ieire i este egal cu diferena dintre valoarea sa
maxim si cea minim.

Figura 15. Fluctuaia ieirii n funci de timp

Lucrarea 1

3.

Pagina | 25

DESFURAREA LUCRRII

Figura 16. Montajul de laborator

n cadrul lucrrii curente, se va utiliza un montaj suplimentar, ce constituie o surs de curent.
Acesta se va alimenta cu 16 V (tensiune continu) ntre bornele IN i GND.
1.

Ridicarea caracteristicilor directe

Trebuie s reprezentai grafic caracteristica direct la scar liniar(ca n Figura 3) pentru o

diod din fiecare tip (PN, Schottky, Zener, LED). n aces sens realizai montajul din Figura 17. Curentul
prin diod se msoar cu miliampermetrul analogic, pe o scar corespunztoare de cureni, iar
tensiunea la bornele diodei cu voltmetrul digital.
Pentru realizarea montajului, conectai sursa de curent la (+)-ul miliampermetrului i borna (-)
a miliampermetrului la anodul diodei. Sursa de curent se alimentez din sursa de tensiune cu
.
Reglai curentul la urmtoarele valori: 0.1mA, 0.2mA, 0.5mA, 1mA, 2mA, 5mA, 10mA.
2.

Trasarea caracteristicii statice la scar semilogaritmic (acas)

Trasai caracteristicile statice ale diodelor la scar semilogaritmic (ca n Figura 4) i

determinai parametrii I0 i .

Lucrarea 1

Pagina | 26

Figura 17. Trasarea caracteristicii directe

3.

Determinarea PSF

3.1. Metoda grafoanalitic (acas)

Trebuie s trasai dreapta static de funcionare (ecuaia (3) cu
i
) pe
graficele obinute la punctul 1i s determinai punctul static de funcionare M (prin precizarea
coordonatelor sale: UD i ID) ca n Figura 6.
3.2. Msurarea ID, UD
Realizai circuitul din Figura 18a) pentru fiecare tip de diod cu
i
.
Msurai mrimile caracteristice punctului static de funcionare: UD i ID. Comparai
rezultatele cu cele obinute prin metoda grafoanalitic la punctul precedent.

Lucrarea 1

Pagina | 27

a)

b)

Figura 18. Montaje pentru determinarea PSFi msurarea rezistenei dinamice

4.

Msurarea rezisteei dinamice

Trebuie s msurai rezistena dinamic a diodelor de Si pentru un curent de aproximativ

4mA, pentru un semnal de valoare eficace (RMS) de 1V i o frecven de 3kHz. n acest sens realizai
montajul din Figura 18b).
ATENIE: Sursa de tensiune continu trebuie s o setai la
i s o conectai ntre
A1 i GND pentru prima diod de Si, respectiv A2 i GND pentru a doua diod de Si. Sursa de semnal
trebuie s o conectai ntre Ui i GND.
NU conectai sursa de semnal n paralel (mpreun) cu sursa de tensiune!
Montajul echivalent n regim dinamic este prezentat n Figura 9. Astfel, se poate calcula
valoarea rezistenei dinamice cu formula:
(11)

Pentru c R1 = R2 =R rezult:
(12)

Lucrarea 1

Pagina | 28

a)

b)

Figura 19. Montaj pentru determinarea caracteristicii inverse i redresorul bi-alternan

5.

Caracteristica invers a diodei Zener

Msurai caracteristica invers a diodei Zener cu montajul din Figura 19a), pentru tensiuni
(VCC) ntre 5 V i 20 V. Trasai caracteristicile invers i direct a diodei Zener (vezi Figura 9) la scar
liniar. Pentru trasarea caracteristicii directe folosii-v de msurtorile de la exerciiul 1.
n punctul static de funcionare caracterizat prin
determinai rezistena dinamic
cu relaia (4), msurnd tensiunea pe diod la curenii:
i
.
6.

Redresorul bi-alternan

Trebuie s observai funcionalitatea redresorului bi-alternan. n aces sens reglai frecvena

generatorul de semnal la 50Hz i valoarea eficace a tensiunii semnalului (RMS) ntre 5 si 11 V.
Deconectai condensatoarele de la ieirea redresorului.
Conectai ieirea generatorului de semnal la bornele AC1 i AC2, iar osciloscopul la bornele
VR+ i VR-.
Msurai amplitudinea semnalului de ieire i justificati de ce este mai mic dect jumatate
din amplitudinea semnalului de intrare.
Observatie! Nu msurai semnalul de intrare i semnalul de ieire n acelai timp! Sondele
osciloscopului au GND comun si vei pune puntea de diode in scurt circuit.
Conectai, pe rnd, condensatoarele de 10uF, respectiv 100uF la ieirea circuitului i
menionai care dintre acestea asigur o fluctuaie mai mic a semnalului de ieire.