Sunteți pe pagina 1din 5

Ministerul Agriculturii si Industriei Alimentare

Colegiul Tehnic Agricol din Soroca


Disciplina: Bazele electronice si microprocesoare

Lucrare de laborator nr.1

Tema: Ridicarea
caracteristicii V-A a diodei
semiconductoare redresoare

A efectuat
Elevul grupei EA 2/14:
Levco Ion
A verificat professor :
Iurie Petric

SOROCA 2015
Fi instructiv tehnologic 1
Obiectivul dominant: Studierea proprietilor dispozitivelor de redresare pe
semiconductori.
Obiective operaionale:
Cunotine:
- Confirmarea definiiei dispozitivelor de redresare;
- Msurarea parametrilor (Idir, Udir, Idir, Udir).
nelegere:
- Identificarea diodei semiconductoare pe schemele electrice principiale;
- Clasificarea diodelor dup dimensiune (curent admisibil).
Capaciti:
- Abilitatea de aplicare a cunotinelor i ideilor n scopul ndeplinirii
cerinelor unei situaii de deservire a circuitelor cu diode.
- Cunoaterea algoritmului operaiilor necesare pentru realizarea
interschimbabilitii diodelor.
Utilarea locului de lucru:
Fi instructiv tehnologic, stand de laborator (1), voltmetru (1v, 50v),
miliampermetru (10mA), microampermetru (A), fire de conexiune, ndrumar.
Bibliografie: V. Blaga ,,Electronica, Chiinu, U.T.M., 2005.
G. Vasilescu ,,Electronica, Cahul, 2000.
Cerinele securitii muncii i proteciei utilajului:
- Lucrarea de laborator se ndeplinete numai la un stand funcionabil;
- nainte de a ncepe ndeplinirea lucrrii trebuie de convins c toate
comutatoarele standului sunt deconectate;
- La asamblarea circuitelor electrice este necesar de atras o atenie sporit
strii izolatorului conductoarelor;
- Se interzice categoric de a conecta standul fr permisiunea
profesorului;
- n timpul ndeplinirii lucrrii la standul conectat la tensiune toate comutrile,
reglrile realizate cu ajutorul comutatoarelor, rezistenelor variabile i alte
operaii de acest gen trebuie executate numai de o persoan cu o singur
mn.

- Pe standul conectat la tensiune se interzice de nfptuit comutri cu ajutorul


firelor de conexiune. nainte de orice schimbare circuitul trebuie deconectat
prin poziionarea comutatorului respectiv (deconectat).
- Dac sunt depistate defecte ale izolrii, ale standului, arcuri, miros specific
deconectai imediat standul i informai profesorul sau laborantul.
- n caz de electrocutare deconectai imediat standul;
- Dac victima a pierdut cunotina i sa oprit respiraia este necesar de
nfptuit respiraie artificial.
Aspect teoretic:
Dioda semiconductoare este un element al circuitului electric cu dou
terminale, care manifest conducie unilateral. Pentru asigurarea conduciei
unilaterale n cristalul semiconductor este format jonciunea p-n. Jonciunea p-n
reprezint un cristal de semiconductor n care un domeniu are conductivitate de tip
p, iar altul de tip n reprezentat n fig. 1

Fig. 1 Structura simplificat a jonciunii p-n (a),


simbolul grafic al diodei semiconductoare (b)
i caracteristica static a diodei ideale (c).
Sarcinile de lucru:
1. Ridicarea caracteristicii V-A, Idir=(Udir).
2. Ridicarea caracteristicii V-A, Iinv=(Uinv).
3. Construirea caracteristicii V-A.
4. Determinare coeficientului de redresare al diodei.
5. ntocmirea raportului pe lucrare.
Succesiunea i coninutul ndeplinirii sarcinilor:
n figura 2 este prezentat schema electric principial de cercetare a diodei
semiconductoare.

Fig2. Schema electric principial de cercetare a diodei semiconductoare.


Valoarea tensiunii Us a sursei de curent continuu depinde de tipul diodei. n
majoritatea cazurilor este suficient tensiunea pn la 1V la polarizarea direct i
pn la 40-50V la polarizarea invers. ntreruptorul basculant S se utilizeaz
pentru schimbarea polaritii tensiunii aplicate la diod. Dac basculantul se afl n
poziia 1(+) dioda este polarizat direct, iar n poziia 2(-) corespunztor
polarizat invers. Poteniometrul R este destinat pentru modificarea lent a
tensiunii aplicate la diod.
Sarcina 1
Pentru ridicarea caracteristicii V-A n polarizare direct poziionai basculantul S n
1. Modificnd tensiunea sursei de la 0 pn la 1V (prin intervalele indicate in
tabela 1), urmrii indicaiile miliampermetrului mA. Rezultatele se nregistreaz
n tabela 1. La ridicarea sectorului iniial al caracteristicii de conectat limita
microampermetrului la 250 A.
Idir=(Udir)

Tabela1

Udir, V
Idir, mA

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

0,8

0,9

Sarcina 2
Pentru ridicarea caracteristicii V-A n polarizare invers poziionai poziionai
basculantul S n 2. Modificnd tensiunea sursei U s de la 0 pn la 30V (prin
intervale indicate n tabela 2), urmrii indicaiile miliampermetrului A.
Rezultatele se nregistreaz n tabela 2.

Tabela 2

Uinv, V
Iinv, A

10

15

20

25

Iinv=(Uinv)
30

Sarcina 3
Dup datele din tabelul 1 n cadranul 1 al sistemului de coordonate corespunzator
datelor obinute experimental de trasat caracteristica V-A pentru polarizarea direct
a diodei.
Dup datele din tabelul 2 n cadranul 3 al sistemului de coordonate corespunzator
datelor obinute experimental de trasat caracteristica V-A pentru polarizarea invers
a diodei.
Pentru a obine o caracteristic mai demonstrativ trebuie corect de ales scrile
tensiunilor Udir, Uinv i corespunztor scrile curenilor Idir, Iinv.

Fig3. Construirea C-V-A, exemplu

Sarcina 4
Determinarea coeficientului de redresare a diodei Kr. Kr = Idir/Iinv.

Sarcina 5
ntocmirea raportului pe lucrare
Coninut:
- Foaie de titlu;
- Tema, scopul lucrrii;
- Utilaj;
- Schema electric principial;
- Tabele cu date obinute experimental;
- C-V-A a diodei semiconductoare;
- Concluzii