Structura circuitelor digitale N.

Cupcea (notite)
Circuite logice cu TMOS

1. Comutator electronic cu TECMOS

* exemplu: structura fizic a unui TECMOS cu canal indus:

- funcionare, caracteristici, parametri:

- ecuaiile lui Sah:
iD = 0 dac: vGS < V p (tranzistor blocat)
2

vDS
iD = k (vGS V p )vDS

iD =

k
(vGS V p )2
2

cu: VDsat

= vGS V p

dac: vGS

> V p ; vDS < VDsat

(tranzistor n regiunea liniar);

dac:

vGS > V p ; vDS > VDsat ;

(tranzistor n saturaie);

- parametri:
- tensiunea de prag:
- dependent de tensiunea surs substrat;
- dependent de temperatur (mai puin ca la TBIP);
- se poate controla foarte bine n limite largi prin concentraia de
impuriti din izolator;
- valori tipice: 1,5 3V ;
- importan: micorarea tensiunii de prag micorarea tensiunii de
alimentare i a puterii disipate;
- factorul de conducie:

k = Cox
-

Z
L

mobilitatea purttorilor de sarcin din canal (electroni);

Cox capacitatea specific a izolatorului, pF / mm 2 ;

- L, Z - discuie: limitri sus i jos;
-

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS
-

Z
L

geometria tranzistorului: poate fi

>1 sau <1, n raport de funcia

pe care o ndeplinete tranzistorul;

- TEC MOS blocat:
- I rez foarte mic ( nA ), neglijabil;
- conductan foarte mic, neglijabil;
- TEC MOS n conducie:
- generator de curent comandat de tensiunea de la intrare;
- tensiunea rezidual este nul;
- rezistena serie pentru tensiuni dren surs de valori mici (n jurul
originii) este mic, sute de ;
- caracteristica de intrare:

< 1012 A ;
Rint > 1012 ;

- curent foarte mic, I int

- rezistena de intrare:

- N max - nelimitat.
- regim tranzitoriu:
a) comutarea tranzistorului intrinsec apariia/dispariia canalului
la aplicarea unui cmp electric foarte rapid timp de comutare neglijabil fa
de ali timpi de comutare, viteza de deplasare a purttorilor n semiconductor;
b) comutarea elementelor extrinseci:
- capacitatea poart surs;
- capacitatea poart dren;
- capacitatea de barier surs-substrat i dren-substrat;
- capacitile parazite;
- toate neliniare, distribuite i dependente i de sarcin.

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS

2. Inversor nMOS cu sarcin rezistiv:

* schema:

* caracteristica de transfer:
- vi < V pa , vo = VoH = VDD ;
- vi

> V pa ; T n saturaie: iRd = iDa :

(vi V pa )
VDD vo
= ka
Rd
2
2

vo = VDD ka Rd
- pentru: vi

= Vi1 ,

(vi V pa )2 ;
2

TMOS trece n zona liniar: vo

ka Rd
(Vi1 V pa )2
2
- vi > V pa , T n regiunea liniar: iR = iDa :
d
Vi1 V pa = VDD

= Vi1 V pa = Vo1 ;

se deduce Vi1 i apoi i Vo1 .

VDD vo
vo2
= ka (vi V pa )vo
Rd
2

vo = vi V pa

2
2
+
vi V pa +
ka Rd
ka Rd

* nivelele logice:
- VoH = VDD ;

2VDD

ka Rd

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS

VoL = vo (VoH ) = VDD V pa

2
2
+
VDD V pa +
ka Rd
ka Rd

2VDD

ka Rd

- prin dezvoltare n serie:

VDD
ka Rd (VDD V pa )
- este necesar ca: Rd ct mai mare i k a ct mai mare;
VoL

* marginile de zgomot:

MZL = Vi ' (1) VoL ; MZH = VoH Vi '' (1)

1
2
8 VDD
Vi ' (1) =V pa +
; Vi ' ' ( 1) = V pa
+
ka Rd
ka Rd
3 ka Rd
- tensiunea de transfer logic rezult din relaia: vo (V prL ) = V prL ;
- caracteristici de alimentare:

I DDL =

VDD VoL VDD

; I DDH = 0;
Rd
Rd

2
VDD
; comentarii.
Pd =
2 Rd

* regimul tranzitoriu:

- P1-P2: timp de comutare neglijabil;

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS
- P2-P3: T saturat:

(
VDD V pa )2
1
vo (t ) = VDD iDt ; iD = ka
;
Cs
2
- se termin faza cnd TMOS intr n zona liniar:
V1 = VDsat = VDD V pa ; rezult:

t1 =

CsV pa
ka
(VDD V pa )2
2

- constanta de timp:

a =

V pa
V pa
2Cs
=a
ka (VDD V pa )VDD V pa
VDD V pa
2Cs
ka (VDD V pa )

- P3-P4: TMOS n zona liniar:

vo2
iD = ka (VDD V pa )vo
2

se neglijeaz iR :
d

dvo
vo2
Cs
= ka (VDD V pa )vo
dt
2

dvo
ka
dt =
se integreaz:
2Cs
2(VDD V pa )vo vo2
vo

1
1
1
ka
+
t=

dvo
(
)
(
)
2Cs
2
)
2

V
V
v
V
V
v
V DD V pa
o
DD
pa
DD
pa
o

ka
1
vo
t=
ln
2Cs
2(VDD V pa ) ) 2(VDD V pa ) vo

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS

t=

a
2

ln

2(VDD V pa ) vo
vo

- se deduce simplu:

vo (t ) = 2(VDD V pa )

= (VDD V pa )1 th

1
2t

1+ e
- timpul de comutare t2 se deduce:

vo (t2 ) = 0,1(VDD V pa )

t2 =

a
2

ln19 1,45 a .

- comparaie pentru diferite posibiliti de descrcare a unei capaciti;

* comutarea invers:
- ncrcare prin rezisten fix (de valoare mare) la sursa de tensiune:
- fenomenele fizice: compararea curenilor de descrcare a capacitii cu
curentul de ncrcare a capacitii: tinc >> tdesc .

vo (t ) = VDD + (VoL VDD )e

t +f = 2,3Cs Rd

t
Rd C s

- foarte mare

2. Inversorul NMOS cu sarcin TMOS n zona liniar

- apar astfel de scheme n structuri nMOS dinamice;

- se folosesc dou surse de tensiune de alimentare;
- tranzistoarele sunt ambele cu canal indus;
- se obine o rezisten dinamic mai mic pentru ncrcarea capacitii de
sarcin;

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

7
Circuite logice cu TMOS
- tranzistorul de sarcin ocup o suprafa mult mai mic dect rezistena de
dren;
- nivelul logic UNU este fixat de tensiunea de alimentare VDD ;
- nivelul logic ZERO depinde de geometriile celor dou tranzistoare;
- parametrii statici sunt mai buni ca la circuitul precedent;
- s-a folosit ca circuit logic n cazul tranzistoarelor MOS cu canal P la care
tensiunea de prag nu putea fi bine controlat, tensiunile de alimentare fiind
relativ mari pentru a putea acoperi dispersiile acesteia;
- timpii de comutare sunt comparabili cu cei ai schemei precedente, cu avantajul
c, la integrare, suprafaa ocupat de acest circuit este mult mai mic dect a
celui precedent i, deci, i capacitile parazite sunt mult mai mici.
3. Inversorul NMOS cu sarcin TMOS saturat
* o schem mai mult folosit, n special pentru circuite de memorare static;

- elimin sursa suplimentar;

- tranzistor amplificator; tranzistor de sarcin;
* caracteristica de transfer:
- vi < V pa = V p - Ta blocat, Ts n zona liniar:

1
(VDD V p VoH )2 0
2
- VoH = VDD V ps = VDD V p
- vi > V pa = V p , Ta deschis la saturaie; Ts n saturaie:
- iDs

- egalitatea curenilor:

ka

(vi V p )2 = k (VDD vo V p )2

cu notaia:

a2 =

ka
; rezult:
ks

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS

vo = VDD V p a (vi V p )

- caracteristic liniar, cu panta ce reprezint i amplificarea de tensiune pe care

o realizeaz acest montaj;
- vi

> V pa = V p , Ta n zona liniar, Ts n saturaie:

ks
vo2
2
(VDD V p vo ) = ka (vi V p )vo
2
2

2
i se ordoneaz dup puterile lui vo ;
- se amplific cu
ks

vo2 (1 + a 2 ) 2vo (vi V p )a 2 + (VDD V p ) + (VDD V p )2 = 0

- de aici se deduce simplu vo (vi ) ;
- trecerea ntre cele dou zone:

Vi1 V pa = Vi1 V p = Vo1 ; se obine:

V V p VDD + aV p
=
;
Vi1 = V p + DD
1+ a
1+ a

* tensiunea corespunztoare nivelului logic ZERO:

- pentru vi = VoH = VDD V p , rezult aproximativ:
2
(
VDD V p )
VoL 2
2a (VDD 2V p )

- comentarii:

a , VDD V p ;

- semnificaia lui

ka
Z a Ls
=
ks
Z s La

a=

- margini de zgomot statice:

Vi ' (1) = V p ;

VDD V p 2a
Vi (1) = V p +
1 ;

a2
3
''

- tensiunea de prag logic:

V prL =

VDD V p + aV p
1+ a

* caracteristici de alimentare:

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS

I DDH = 0;
I DDL =
Pd =

ks
(VDD V p )2 = ka2 (VDD V p )2
2
2a

ka
2
V (V V p )
2 DD DD
4a

* regim tranzitoriu

- comutarea direct: dac se neglijeaz curentul tranzistorului de sarcin,

descrcarea capacitii de sarcin se face prin tranzistorul amplificator, ca la
inversorul cu sarcin rezistiv:
- P2-P3, zona de saturaie:

1
k
2
iDat = VDD V p a (VDD 2V p ) t ;
Cs
2Cs
vo (t P 2 P 3 ) = VDsat a = VGSa V p = VoH V p = VDD 2V p ;
Vp
Vp
2Cs
;
tP 2 P3 =
=a
ka (VDD 2V p )VDD 2V p
VDD 2V p
vo (t ) = vo (0)

- P3-P4, zona liniar:

t
vo (t ) = (VDD 2V p )1 th ;
a

t P 3 P 4 = 1,45 a
- comutarea invers: tranzistorul amplificator se blocheaz i capacitatea de
sarcin se ncarc prin tranzistorul de sarcin ce funcioneaz n zona de
saturaie:

Cs

dvo k s
= (VDD V p vo )2
dt
2

dvo
2Cs vo
=
t=

k s VoL (VDD V p vo )2

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS

10

dvo
2Cs vo
sau:
t

2
k s 0 (VDD V p vo )
2Cs
vo
vo
;
t=
=s
k s (VDD V p ) VDD V p vo
VDD V p vo
2Cs
s =
k s (VDD V p )
t
vo (t ) = (VDD V p )
;
vo (t P 4 P1 ) = 0,9(VDD V p )
t +s
t P 4 P1 = 9 s ;

s = aa2 ;

t P 4 P1 >> t P 2 P 4 .

- comentarii:
- nMOS nlocuit cu nMOS cu canal iniial;
- tranzistoare complementare CMOS;
- scheme dinamice.
* structuri logice elementare cu inversoare nMOS:

SAU-NU
- circuite de tip buffer:

inversor
- poarta de transmisie:

I-NU

I-SAU-NU

neinversor

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS

11

- circuit basculant bistabil:

4. Inversorul NMOS cu sarcin TMOS cu canal iniial

* generaliti:
- tranzistorul de sarcin cu canal iniial;
- canalul iniial se realizeaz prin implantare ionic;
- performane superioare celorlalte inversoare cu MOS;
- folosit la microprocesorul integrat 4004;
* schema de principiu i caracteristicile statice ale TMOS cu canal iniial:

- TMOS cu canal iniial este ial este mereu n conducie, la saturaie sau n zona
liniar;
- caracteristica TMOS cu canal iniial i caracteristicile TMOS amplificator:

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS

caracteristici de ieire

12

caracteristica de transfer

- TMOS cu canal iniial este n conducie n saturaie sau n zona liniar;

a

- tranzistoarele sunt caracterizate prin V p

> 0 ; V ps < 0 ; ka i k s ;

- tensiunea poart surs a TS este nul;

- tranzistoarele trec prin toate zonele de funcionare;
- caracteristica de transfer are 4 zone n funcie de starea tranzistoarelor:
* zona I: Ta blocat, Ts deschis la limit, n zona liniar:

vi < V pa ;

2
s
(
VDD VoH )
= k s V p (VDD VoH )
0;
2

= VDD (rezult utilizare bun a tensiunii de alimentare);

iDs

- rezult: VoH
* zona II: Ta n saturaie, Ts n zona liniar:

vi > V pa ; iDa = iDs ;

ka
vi V pa
2

ka
= a2 ;
ks

2
s
(
VDD vo )
= k s V p (VDD vo )
0;
2

vo = VDD + V ps +

(V )

s 2
p

a 2 vi V pa

(pn la intrarea n saturaie a lui Ts);

-

Vo1 = VDD + V ps

(tensiunea dren-surs devine egal cu valoarea

absolut a tensiunii de prag avnd n vedere c tensiunea poart-surs este nul);

- rezult: Vi1

V ps
a

+ V pa

* zona III: Ta n saturaie, Ts n saturaie:

- conform SAH, pant infinit, se poate determina doar tensiunea de
intrare, dar nu se poate preciza tensiunea de ieire:

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

13
Circuite logice cu TMOS
- tensiunea de prag logic se detemina fie ca valorea limit calculat
anterior, fie din egalitatea curenilor celor dou tranzistoare n saturaie;

k
iDa = a V prL V pa
2

k
= s V ps
2

V prL =

V ps
a

+ V pa ;

observaie: tensiunea de prag logic depinde numai de tensiunile de prag ale celor
dou tranzistoare i de factorul a i trebuie s aib o valoarea care s asigure

margini de zgomot statice ct mai mari, deci: V prL

* zona IV: Ta n zona liniar, Ts n saturaie:

vi > V prL ;

VDD
;
2

vo2
a
= = ka vi V p vo
2

2
1
vo2 2vo vi V pa + 2 V ps
a
2
2
1
vo = vi V pa vi V pa 2 V ps
a

iDs

( )

k
= s V ps
2

iDa

( )

( )

- tensiunea corespunztoare nivelului logic ZERO:

VoL = vo (VoH ) = VDD V p

valoarea aproximativ:

VoL

(V

DD

(V ps ) 2

2a

VDD V pa

V pa

( );

1 s
Vp
2
a

; influena lui

a;

* marginile de zgomot statice se deduc conform definiiilor;

* alegerea parametrilor tranzistoarelor:
- micorarea ariilor ocupate;
- asigurarea curenilor de ncrcare a acapacitilor de valoare mare;
- timpi de comutare mici i ct mai apropiai ca valoare;
a

- V p - mic pentru a avea curent mare de deswcrcare a capacitii de sarcin;

- mare pentru a avea margine de zgomot mare;
a

- se alege V p
-

V ps

= 0,2VDD

(la VDD impus);

- mare pentru a avea curent mare de ncrcare a capacitii de sarcin;

- mic, pentru VoL mic;

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

14
Circuite logice cu TMOS
- se alege n aa fel nct curentul maxim al TMOS sarcin s fie egal cu
curentul maxim pe care este capabil s-l asigure cellat tranzistor n saturaie
(dac ar avea acelai factor de conducie):

V ps = VDD V pa , de unde: V ps = 0,8VDD ; rezult i: a 2 (mult mai

bine ca la inversorul precedent unde a trebuie s fie mai mare dect 5;
* curenii de alimentare:

( )

2
1
= 0 ; I DDL = k s V ps ;
2
2
1
3
Pd = k s V ps VDD = 0,16k sVDD
4

- I DDH
-

( )

- observaie: dependena de puterea a treia a lui VDD .

* regim tranzitoriu:
- comutarea direct:
- descrcare prin curent constant:

2
ka
VDD V pa t ;
2Cs
2CsV pa
VDDV pa
=a
t1 =
a 2
ka VDD V p
VDD V pa
2Cs
a =
kaVDD

vo (t ) = VDD

- descrcare prin curent variabil:

= 0,31 a

2 VDD V pa vo
2Cs
1
t=
ln
ka 2 VDD V pa
vo
VDD 1
2Cs
t2 =
ln19 = 1,81 a ;
kaVDD VDD V pa 2
- durata frontului: t fHL 2,12 a ;
- timpul de propagare: t pHL 1,1 a ;

- comutarea invers:
- ncrcare prin Ts saturat:

cu:

cu:

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS

15

( )
( )

dvo k s s 2
= V p cu vo (0) = 0 ;
dt
2
2
k
vo (t ) = s V ps t ;
2Cs

Cs

vo (t3 ) = VDD + V ps
t3 =

2Cs

VDD + V ps
2
k s V ps

( )

(
( )

s
2Cs ka VDD VDD + V p
=
= 0,31a 2 a
2
k sVDD k s
Vs
p

- ncrcare prin Ts n zona liniar:

2
(
dvo k s
VDD vo )
s
= 2V p (VDD vo )
Cs

2
2
dt

s
iniial: vo (0) = VDD + V p ; rezult:

2V ps + VDD vo
2C s 1
;
t=
ln
s
ks V p
vo VDD
- timpul de ncrcare:

t4 =

2Cs 1 1
2
ln
19
=
1
,
81
a
a
k s V ps 2

- durata frontului cresctor: t fLH = 2,12a a .

* exemple de circuite:
- circuite SAU-NU, i-NU, I-SAU-NU ca la NMOS
2

- circuite de tip buffer:

cu

condiia

Structura circuitelor digitale N.Cupcea (notite)

Circuite logice cu TMOS

- tranzistoare de trecere.

16