LUCRAREA NR.

3
PROPRIETILE CONDUCTOARE ALE MATERIALELOR

1. Scopul lucrrii
Determinarea dependenei proprietilor conductoare ale materialelor de
cmpurile termice i electromagnetice.
2. Noiuni teoretice
Conducia electric ntr-un material const n apariia unui flux dirijat de
purttori mobili de sarcin la aplicarea unui cmp electric, E . Aceast curgere
ordonat a purttorilor de sarcin electric este un curent electric, iar materialul
n care are loc acest fenomen fizic se afl ntr-o stare electrocinetic.
Caracterizarea local a acestei stri poate fi fcut cu ajutorul vectorului J ,
numit densitatea curentului electric.
Proprietile conductoare ale unui material izotrop sunt descrise cantitativ n
domeniul liniar de coeficientul de rezistivitate electric de volum sau de
mrimea invers, conductivitatea electric de volum . Aceste mrimi sunt
definite de forma local a legii de conducie electric:

J = E
respectiv
E = J
(1)
Conform teoriei cuantice, conductivitatea electric a unui material are expresia:
1

mn 1

nq2
n

(2)

unde n este concentraia purttorilor mobili de sarcina din material la echilibru

termodinamic, iar qn i mn sunt sarcina, respectiv masa unui purttor mobil de
sarcin.
Coeficientul se numete constanta de timp de relaxare, fiind determinat de
interacia dinamic a purttorilor de sarcin cu diferite cvasiparticule
(impuritile neutre ionizate, fononii reelei cristaline) ntlnite de-a lungul
traiectoriei lor dirijate sub aciunea cmpului electric.
n cazul metalelor purttorii mobili de sarcin sunt electronii de conducie a
cror concentraie este practic constant, dependena rezistivitii electrice de
temperatur fiind determinat numai de constanta de relaxare.
La temperaturi foarte sczute este predominant mecanismul de interacie cu
impuritile i defectele existente n material, astfel nct metalul prezint o
rezistivitate independent de temperatur numit rezistivitate rezidual, 0 .
La temperaturi sczute (T<<TD - temperatura Debye), este predominant
interacia cu fononii acustici rezultnd o proporionalitate a rezistivitii cu T 5,
LABORATORUL DE MATERIALE

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
iar la temperaturi ridicate (T>>T D), acelai mecanism conduce la o
proporionalitate a rezistivitii cu T.
n cazul materialelor semiconductoare, purttorii mobili de sarcin sunt
electronii de conducie i golurile, astfel nct:

m
n

ne 2

mp 1
1

n
pe 2 p

1
e( n n p p )

unde este coeficientul de mobilitate:

n

e
n
mn

e
p
mp

q p q n e

(3)
(4)

iar
(sarcina electronului).
Concentraia purttorilor mobili de sarcin provenii, la temperaturi coborte, n
special din mecanismul extrinsec de ionizare a impuritilor, iar la temperaturi
ridicate din mecanismul intrinsec de rupere a legturilor covalente, crete
exponenial cu creterea temperaturii.
Mobilitatea acestor purttori scade n general la creterea temperaturii dup o
lege practic liniar.
n cazul aciunii unui flux electromagnetic apare o concentraie suplimentar de
purttori mobili de sarcin rezultat n urma interaciei electronilor de valen cu
fotonii. Totodat, se modific i mobilitatea efectiv care caracterizeaz
deplasarea dirijat a purttorilor sub aciunea cmpului electric. Acest fenomen
constituie efectul fotoelectric intern.
Modelul benzilor energetice al corpului solid permite descrierea purttorilor
de sarcin. Descrierea purttorilor de sarcin electric se realizeaz pe baza
modelului simplificat al benzilor energetice ale corpului solid. Conform acestui
model, electronii unui atom ocup diverse nivele energetice care pot fi grupe in
benzi energetice:
banda de valen: electronii de valent sunte fixai n legaturi covalente.
Acest tip de electroni sunt imobili, deci nu pot participa la fenomene de
conducie.
banda de conducie: electronii de conducie sunt electroni liberi, se pot
deplasa prin structura intern a materialului, deci particip la fenomenele
de conducie.
banda interzis: electronii nu pot ocupa nivele energetice n interiorul
acestor benzi.
Diagrama benzilor energetice a materialelor permite clasificarea acestora din
punct de vedere a conductibilitii electrice (proprietatea unui material de a
permite trecerea curentului electric). Conductibilitatea electric a materialelor
este determinat de apariia purttorilor de sarcin electric, n anumite condiii
energetice i de deplasarea acestora n structura intern a materialului respectiv.
LABORATORUL DE MATERIALE

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
Pornind de la aceast mrime, materialele electronice se pot clasifica n trei
tipuri: conductoare, semiconductoare i izolatoare.

Figura 1: Structura benzilor energetice pentru:

a) metale, b) materiale semiconductoare i materiale izolatoare
n cazul materialelor conductoare, conducia curentului electric este asigurat de
electronii de conducie, iar pentru cele semiconductoare i izolatoare electronii
de conducie i goluri.
Pentru materialele semiconductoare, valoarea benzii interzise este cuprins n
intervalul EG 0.025-3eV, iar pentru izolatoare, EG 2.5-3eV.
Valoarea conductivitii electrice pentru diferite tipuri de materiale la
temperatura camerei este:
Metale pure
Ag
Cu
Al
W
Aliaje
Cu84Mn12Ni4 (manganin)

, (m)-1
6.80 107
5.81 107
3.80 107
1.81 107
, (m)-1
2.3 106

LABORATORUL DE MATERIALE

CATEDRA TEF

Cu60Ni40 (constantan)
Ni-Cr
Semiconductoare
C
Ge
Si

LUCRAREA NR.3
2.0 106
1.0 106
, (m)-1
2.8 104
1.7 100
4.3 10-4

Izolatoare
, (m)-1
Teflon
<10-13
Mica
10-11-10-15
SiO2
1.3 10-18
Materialul devine mai conductiv datorit absorbiei radiaiei electromagnetice
(lumina, radiaia ultraviolet, infraroie sau radiaia gama).
3. Aparatura utilizat
3.1 Pentru determinarea proprietilor conductoare ale materialelor se utilizeaz
multimetrul digital de precizie 6 1/2 digii HM 8113-3.
3.2 Alimentarea cu tensiune a montajului se execut cu sursa de alimentare
programabil (PROGRAMMABLE POWER SUPPLY HM7044 HAMEG).
4. Desfurarea lucrrii
4.1. Dependena de temperatur a proprietilor conductoare ale
materialelor
Cu ajutorul unui multimetru digital se va msura rezistena unei probe
semiconductoare intrinseci de Germaniu (se msoar rezistena ntre firul
verde-galben introdus la borna roie a multimetrului i firul negru introdus la
borna albastra a multimetrului) i rezistena unei probe metalice de Nichel (se
msoar rezistena intre firul rou introdus la borna roie a multimetrului i firul
negru introdus la borna albastra a multimetrului).
Determinarea valorilor rezistenelor se execut conform pct.A.1, Msurarea
rezistenei din ANEXA 1. Probele sunt introduse ntr-o etuv a crei
temperatur variaz suficient de lent pentru ca un set de dou msurtori
consecutive s se fac n aproximativ aceleai condiii termice. Rezultatele
msurtorii se trec n Tabelul 1.

LABORATORUL DE MATERIALE

CATEDRA TEF

T [0C]
Valori RGe []
msurate RNi []
Seciune Ge [m]
ptr.
Ge(m)-1
calcule Ni [m]
Ni(m)-1

LUCRAREA NR.3
Tabelul 1
20 35 40 45 50 55 58 60 62 64

Avnd dimensiunile probelor (proba de Ge are lungimea l = 10 mm i seciunea

S = 10 10 mm 2, iar proba de Ni l = 90 mm i seciunea S = 0,7 0,14 mm 2),
din formula
R

se determin , iar
=

l
S

Se traseaz graficele rezistivitii i conductivitii ca funcie de temperatur

pentru cele dou probe.
Se calculeaz coeficientul de temperatur al rezistivitii pentru cele dou probe
(abaterile se iau n jurul valorii de 600C).
1
T

(5)

tiind c dependena conductivitii de temperatur este dat de relaia

3

CT e

se traseaz graficul

ln

3
1
ln T f
2
T

ln T
Eg
1

T

Eg
2 KT

din care, folosind relaia

3

1.725 10

eV

se determin banda interzis pentru Ge.

4.2 Efectul radiaiei electromagnetice asupra proprietilor de conducie.

LABORATORUL DE MATERIALE

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
Se utilizeaz montajul experimental prezentat n Figura 1. Acest montaj este
alctuit din fotorezistena, FR, care este nseriat cu o rezisten, R, de valoare 1
K. Rezistena este folosit pentru a putea msura curentul care trece prin
fotorezisten la o anumita valoare a tensiunii de alimentare (se msoar cderea
de tensiune pe rezisten i se mparte la valoarea rezistenei).

Figura 1 Schema de msur pentru determinarea caracteristicilor fotorezistenei.

a. Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru fotorezisten la ntuneric
Se conecteaz grupul FR-R la o surs de tensiune continu reglabil. Conectarea
la sursa de alimentare se execut conform pct.A.3 Cuplarea la sursa de
alimentare programabile din ANEXA 1.
Se variaz tensiunea de alimentare n intervalul 1V-15V conform Tabelului 2 i
se msoar tensiunea cu multimetrul digital pe fotorezisten. Masurarea se
execut conform pct.A.2 Msurarea tensiunilor continue din ANEXA 1.
Rezultatele se trec n Tabelul 2.
ATENIE! La aceste msurtori LED-ul nu se alimenteaz, iar incinta n
care se gsete fotorezistena trebuie s fie acoperit, astfel nct s nu
ptrund lumin!
Tabelul 2.
R = 1 K
U [V]
1
3
5
7
9
11 13 15
UFR [V]
I FR

U U FR
R

[mA]

Se traseaz pe acelai caracteristica UFR(IFR). Se determin rezistena la ntuneric

a fotorezistenei ca fiind panta acestui grafic.

LABORATORUL DE MATERIALE

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
b. Determinarea dependenei dintre rezistena fotorezistorului i fluxul
luminos incident
Pentru a determina aceast dependen se alimenteaz LED-ul la o tensiune de
10 V. Se poziioneaz fotorezistorul la distana aproximativ r1=1cm de LED
(dispozitivul se fixeaz cu uruburi pe tija de glisare) i se msoar tensiunea, cu
multimetrul digital pe fotorezisten pentru patru valori ale tensiunii de
alimentare a grupului FR-R. Se repet msurtorile pentru alte dou poziii ale
fotorezistorului aflate la distanele r2 10 cm i r3=10 cm. Prin modificarea
distanei fotorezisten-surs de lumin, fluxul incident pe FR va varia dup o
lege 1/r2, astfel (r1 ) 100( r3 ) i (r2 ) 10(r3 ) , ( r3 ) fiind luat ca referin.
Se completeaz Tabelul 3.
Tabelul 3
Flux U [V]
(r1) UFR [V]
I FR

U U FR
R

R = 1 K
10
5

[mA]

(r2) UFR [V]

I FR

U U FR
R

[mA]

(r3) UFR [V]

I FR

U U FR
R

[mA]

Se traseaz caracteristicile UFR(IFR) pentru cele trei valori ale fluxului. Din panta
acestor grafice se determin rezistena fotorezistenei RFR la cele trei valori ale
fluxului.
Folosind valorile determinate anterior se traseaz graficele lg(R FR) n funcie de
lg(), lundu-se ca referin pe axa absciselor valoarea lg( (r3)).
5. Coninutul referatului
1. scopul lucrrii;
2. Tabelul 1 mpreun cu relaiile folosite la calcul;
3. dependenele de temperatur ale rezistivitii i conductivitii pentru
probele de germaniu i nichel de la punctul II.1.;
4. calculul coeficientului de temperatur al rezistivitii pentru cele dou
probe;
5. graficul pe baza cruia se va calcula banda interzis a germaniului;
6. Tabelul 2 i caracteristica curent-tensiune la ntuneric pentru
LABORATORUL DE MATERIALE

CATEDRA TEF

7.
8.
9.

LUCRAREA NR.3
fotorezisten, precum si calculul rezistenei la ntuneric obinut pe baza
acestei caracteristici;
Tabelul 3 i graficul cu caracteristicile curent-tensiune pentru
fotorezisten la cele 3 valori ale fluxului optic;
dependena de flux optic pentru rezistena fotorezistenei de la punctul
II.2.;
concluzii i comentarii.

6. ntrebri i probleme
1. Cum se explic faptul c, dei deplasarea purttorilor mobili de sarcin se
face sub aciunea cmpului electric, micarea acestora nu este uniform
accelerat, ci uniform?
2. Cum se explic faptul c n general mobilitatea purttorilor mobili de sarcin
scade la creterea temperaturii?
3. Definii temperatura Debye.
4. Este justificat utilizarea unui coeficient de temperatur al conductivitii
pentru metale sau este mai potrivit introducerea unui coeficient de temperatur
al rezistivitii? De ce?
5. Este justificat utilizarea unui coeficient de temperatur pentru materiale
semiconductoare intrinseci? S se deduc expresia lor analitic.
6. Precizia cu care se determin valoarea rezistenei fotorezistenei este mai bun
dac se msoar tensiunea ntre bornele rosu-negru sau ntre bornele rosu-verde?
7. S se precizeze rolul rezistorului montat n serie cu dioda electroluminiscent.
8. Dup ce lege variaz fluxul electromagnetic emis de dioda
electroluminiscent care cade pe fotorezisten cu distana dintre dou
componente?
9. Rezistivitatea aluminiului la temperatura de 25C este 2.7210-8m.
Coeficientul de temperatur al rezistivitii aluminiului la 0C este 4.2910-3 K-1.
Aluminiul are valena 3, densitatea 2.7gcm-3 i masa atomic de 27.
a) S se calculeze rezitivitatea aluminiului la temperatura de -40C.
b) Ce valoarea are coeficientul de temperatur al rezistivitii la -40C?
LABORATORUL DE MATERIALE

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
c) S se estimeze timpul mediu ntre dou ciocniri pentru electronii de conducie
n aluminiu la 25C i apoi s se estimeze mobilitatea.
d) Dac viteza medie a electronilor de conducie este aproximativ 1.6106ms-1,
s se calculeze drumul mediu liber i s se compare cu distana de separare
interatomic a aluminiului (structura aluminiului este de tip FCC). Ce grosime ar
trebui s aib un film de aluminiu depus pe un circuit integrat astfel inct s aib
aceeai rezistivitate ca aluminiul de volum?
e) Care este modificare procentual a puterii pierdute datorit nclzirii prin
efect Joule a firelor de aluminiu cnd temperatura variaz de la 25C la -40C?
Soluie:
a) (T) 0 [1 0 (T T0 )]
0 - coeficientul de temperatur al rezistivitii la temperatura T0 , unde T0 este
temperatura de referin. Cele dou temperaturi de referin date sunt 0C,
respectiv 25C. Considernd T0 = 0C + 273 = 273K,
(-40C 273 233K) 0 [1 0 (233K 273K)]
(25C 273 298K) 0 [1 0 (298K 273K)]

Dac se face raportul celor dou ecuatii pentru a elimina 0 ,

(-40C)/(25C) [1 0 (-40K)]/[1 0 (25K)]

Se cunoate c (25C) = 2.7210-8m i 0 = 4.2910-3 K-1, se obine
(-40C)

= 2.0310-8m

b) (T) 0 [1 0 (T T0 )] , 0 la T0 unde T0 este temperatura de referina, de

exemplu 0C sau 25C, n funcie de alegere. Iniial se alege T0 = 0C = 273K,
atunci la T = -40C = 233K,
(-40C) (0C) [1 0 (233K 273K)]
(0C) (-40C) [1 -40 (273K 233K)] .

Prin nmulirea ecuaiilor de mai sus i simplificarea termenilor comuni, se

obine:
[1 0 (233K 273K)] [1 -40 (273K 233K)] 1
[1 40 0 ] [1 40 -40 ] 1
-40 0 /[1 40 0 ]
- 40 = 5.18 10-3 K-1

c)

1
en ,

este conductivitatea electric, e sarcina electronului i este

mobilitatea electronului. Dar se cunoate c = (e )/me, unde timpul mediu

ntre dou ciocniri ale electronilor i me este masa electronului.

LABORATORUL DE MATERIALE

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
1 e2 n

me
m
2 e
e n

unde n reprezint numrul de elctroni de conducie pe unitatea de volum.

Cunoscnd valoarea densitii aluminiului si masa atomic, concentraia atomic
a Aluminiului este:
n Al

N A d (6.022 10 23 mol 1 ) (2700kg / m 3 )

6.022 10 28 m 3
M at
(0.027 kg / mol)

Considernd ca fiecare atom de aluminiu particip cu 3 electroni de conducie,

n = 3nAl = 1.8071029m-3.

me
(6.022 10 23 mol 1 ) (2700kg / m 3 )

e 2 n (1.6 10 19 C) 2 (1.807 10 29 m 3 ) (2.72 10 8 m)

7.22 10 15 s

Relaia dintre mobilitate, i timpul mediu de mprtiere este

e (1.6 10 19 C) (7.22 10 15 s)

me
(9.1 10 31 kg)
1.27 10 3 m 2 V 1s 1

d) Drumul liber mediu este

l = u, unde u este viteza medie, u 1.5106 ms-1,
l = (1.5106 ms-1) ( 7.22 10 15 s )
l = 10.8nm
Un film subire de aluminiu trebuie sa aib o grosime mai mare dect l astfel
inct s se comporte ca aluminiul de volum. Altfel, mpratierile la suprafa vor
crete rezistivitatea dupa regula lui Matthiessen.
e) P = I 2 R, deci este proporional cu rezistivitatea presupunnd ca valoarea rms
a curentului este constant.
[P(- 40C) - P(25C)]/[ P(25C)] = [P(-40C)/ P(25C)] 1 =
= [(-40C)/(25C)] 1 = -0.254 = -25.4% (semnul negativ semnific o pierdere
de putere).
10. Mobilitatea electronilor n indiu este 6 cm2V-1s-1. Rezistivitatea indiului la
temperatura camerei (27C) este 8.3710-8m, masa atomic este 114.82gmol-1 i
densitatea sa este 7.31gcm-1.
LABORATORUL DE MATERIALE

10

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
a) folosind valoarea rezistivitii, s se determine numrul electronilor liberi care
sunt donai de fiecare atom de indiu n cristal.
b) dac viteza medie de conducie a electronilor n indiu este 1.7410 8cms-1, care
este lungimea drumului liber mediu?
c) s se calculeze conductivitatea termic a indiului.
Soluie:
a)

1
e n d

1
1.243 10 29 m 3
e d

Concentraia atomic, nat, este

n at

d N A (7.31 10 3 kg m 3 )(6.022 10 23 mol 1 )

M at
(114 .82 10 3 kg mol 1 )

nat= 3.8341029m-3
Numrul efectiv de electroni de conducie corespunztor unui atom de indiu este:
n

neff = n

3.24 .

Deci particip la conducie 3 electroni per atom de indiu in metal

at

rezultatele se verific poziia indiului in tabelul periodic (grupa III), avnd

valena 3.
b) Dac este timpul mediu de mprtiere al electronilor de conducie,

me d
3.412 10 15 s
e

Lungimea drumului mediu liber este:

l u

l = 5.9410-9m
l = 5.94 nm
c) Din legea Wiedemann Frantz Lorentz, conductivitatea termic este dat de
relaia:
= TCWFL = (8.3110-8m)-1(20C+273K) (2.4410-8WK-2)
= 85.4 Wm-1K-1
11) a) S se calculeze conductivitatea electric a unei probe cilindrice de siliciu
cu diametrul de 7 mm, avnd lungimea de 57 mm parcurs de un curent de 0.25A.
O tensiune de 24V este msurata cu ajutorul probelor aflate la o distan de
45mm. b) S se calculeze rezistena probei.
LABORATORUL DE MATERIALE

11

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
Soluie:
a)

1
R

A
l

V A

I l

Il

VA

unde d este diametrul probei.

Il
d
V
2

(0.25A) (45 10 3 m)

7 10 3 m

1
12.2( m )

(24V)

b)

l
d

R = 121.4

, l lungimea total a probei de siliciu

12) a) S se calculeze numrul de electroni liberi pe unitatea de volum pentru

argint presupunnd ca sunt 1.3 electroni liberi pentru un atom de argint.
Conductibitatea electric pentru argint este 6.8107 (m)-1 i densitatea este 10.5
g/cm3. b) S se calculeze mobilitatea argintului. Masa molar a argintului este
107.87 g/mol.
Soluie:
a) Se noteaz cu d densitatea argintului pentru a se evita confuzia cu rezistivitatea
notat n acest caz cu . Se noteaz cu n numrul de electroni liberi pe unitatea de
volum.
n = 1.3NAg, unde NAg reprezint numrul de atomi de argint din unitatea de
volum.
d NA
A Ag

n 1.3 N Ag 1.3

10.5g / cm 6.02 1023 atomi / mol

107.87g / mol

n 1.3

n = 7.621028 m-3
b)

n e

LABORATORUL DE MATERIALE

12

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
6.8 10 7 ( m) 1

5.57 10 3 m 2 / V s
28
3
-19
7.62 10 m 1.602 10 C

13) Conductivitatea electric la temperatura camerei a PbS este de 25(m) -1 ,

mobilitatea electronilor i golurilor fiind 0.06, respectiv 0.02m2/(Vs). S se
calculeze concentraia intrinsec a PbS la temperatura camerei.
Soluie:
ni

25( m) 1

1.95 10 21 m 3
19
2
e e h 1.602 10 C 0.06 0.02 m /(V s)

14) Se consider un material semiconductor intrinsec (siliciu), aflat la echilibru

termic. S se determine rezistivitatea materialului respectiv. Se cunosc
concentraia intrinsec ni = 1,41010 particule/cm3 i mobilitile purttorilor
mobili de sarcin electric: n = 3900cm2/(Vs) i p = 1900 cm2/(Vs).
Soluie:

1
e(n n p p )

Deoarece materialul este semiconductor intrinsec

n = p = ni
deci,

1
e n i ( n p )

60 cm

15) n jurul temperaturii camerei, dependena de temperatur a conductivitii

germaniului intrinsec este :
Eg

,
CT e
unde C este o constant independent de temperatur, iar temperatura este
considerat in Kelvini. S se calculeze conductivitatea electric a unei probe de
germaniu intrinsec la temperatura de 175C, dac se tie c la temperatura
camerei este 2.2 (m)-1 i EG = 0.67eV.
3

2 KT

Soluie:
Se consider temperatura camerei fiind 25C, deci T = (25 + 273)K = 298 K.
LABORATORUL DE MATERIALE

13

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
E
3
ln ln C ln T G
2
2kT
EG
3
lnC ln lnT
2
2kT

lnC = 22.38

La temperatura de 175C = (175 + 273)K = 448K,

E
3
ln lnC lnT G
2
2kT
ln 22.38 -

3
0.67eV
448K
2
2 8.62 10 5 eV / K 448K

ln = 4.548

= 94.4(m)-1
7. Bibliografie
1.Ctuneanu, V. Materiale pentru electronic, Bucureti, Ed. Didactic i
Pedagogic, 1992
3.Nicolau E. Manulalul inginerului electronist Vol.1, Bucureti,Ed Tehnic,1987
ANEXA 1
Utilizarea aparatelor de msur
A.1 Msurarea rezistenei . Se procedeaz n felul urmtor:
se cupleaz tensiunea de alimentare 220V/ 50Hz cu ajutorul
comutatorului de cuplare a tensiuni de pe panoul din spate al
instrumentului, pe poziia ON. n aceast poziie va rmne pe durata
msurtorilor un timp mai ndelungat iar cuplarea aparatului se face cu
butonul Standby de pe panoul frontal;
se cupleaz butonul LOCAL pentru lucrul multimetrului local;
pentru calibrare se cupleaz butonul ZERO , pentru a verifica nulul
aparatului i cnd se apas acest buton, cablurile de msur se
scurtcircuiteaz ntre ele;
rezistena se msoar apsnd pe butonul . Pe display va apare
nscris "4w" (patru fire) sau "2w" (dou fire) cnd apsm nc odat pe
butonul . De asemenea, se vor ilumina bornele de msur pentru dou
fire cele din dreapta, iar pentru patru fire toate bornele. Bornele roii sunt
LABORATORUL DE MATERIALE

14

CATEDRA TEF

LUCRAREA NR.3
pentru (+) i cele albastre pentru (-). La msurarea probelor se folosesc
dou fire;
butonul HOLD este pentru blocarea rezultatului pe display;
msurarea se face n regim automat cu butonul AUTO aprins.
A.2 Msurarea tensiunilor continue. Se procedeaz n felul urmtor:
se cupleaz tensiunea de alimentare
220V/ 50Hz cu ajutorul
comutatorului de cuplare a tensiuni de pe panoul din spate al
instrumentului, pe poziia ON. In acest poziie va rmne pe durata
msurtorilor un timp mai ndelungat iar cuplarea aparatului se face cu
butonul Standby de pe panoul frontal;
se cupleaz butonul LOCAL pentru lucrul multimetrului local;
pentru calibrare se cupleaz butonul ZERO , pentru a verifica nulul
aparatului i cnd se apas acest buton, cablurile de msur se
scurtcircuiteaz ntre ele;
se apas butonul VDC pentru a msura tensiunea n curent continuu pn
la 600V. Bornele de msur din stnga se ilumineaz. Borna roie este
pentru (+) i cea albastr este pentru (-). Msurarea se face n regim
automat cu butonul AUTO aprins;
butonul HOLD este pentru blocarea rezultatului pe display.

A.3 Cuplarea la sursa de alimentare programabil ( PROGRAMMABLE

POWER SUPPLY HM7044 HAMEG).
Pornirea sursei de alimentare se face n felul urmtor:
Se cupleaz la sursele I i II, la bornele albastre, cablurile negre al
montajului, care sunt pentru (-);
La sursa II la borna roie se leag cablul verde, care este (+) tensiunii
pentru fotorezisten;
Se apas, butonul rou POWER i butoanele surselor de alimentare I i
II pentru a fi activate;
Se apas butonul OUTPUT pentru a fi tensiune la bornele de
alimentare ( albastr i roie) de pe sursele I i II activate;
Se regleaz tensiunea, care se aplic la fotorezisten, cu ajutorul
poteniometrului de la 1V la 15V. Aceasta este tensiunea Citirea tensiunii
de intrare care se trece n se face pe primul rnd al display-ului i pe al
doilea rnd se citete curentul;
LABORATORUL DE MATERIALE
CATEDRA TEF
15

LUCRAREA NR.3
cnd se folosete LED-ul rou, la sursa I, la borna roie se leag cablul
albastru, care este (+) tensiunii pentru LED;.
se regleaz tensiunea sursei I, cu poteniometrul la 10V. Citirea tensiunii
se face pe primul rnd al display-ului i pe al doilea rnd se citete
curentul 7mA;
decuplarea se face aducnd tensiunile surselor I i II la 0V, apsnd n
ordine pe butoanele I , II, OUTPUT i POWER

LABORATORUL DE MATERIALE

16

CATEDRA TEF