1 poate fi folosit siliciul in fabricarea unor diode

luminoscente led?
A da dc este puternic dopat(n+ sau p+)
B nu,deoarece structura sa de benzi directe nu
permite generarea fotonilor in mod efficient
C da,dar la curenti mari de injectie
D nu,pentru ca este absorbant pentru marea parte a
radiatiei utile(I R ,vizibil,violet)
E nu,deoarece are o structura de benzi indirecta iar
probabilitatea unor recombinari radiative este redusa.
2.purificarea fizica :
a.este ineficace daca coeficientul de segregatie este
unitar
b permite extragerea fizica a anumitor impuritati
dintr-un ligou uniform impurificat pastrand lungimea
acesteia constanta
c depinde foarte putin de raportul care exista intre
concentratia impuritatilor in faza solida si lichida
pentru perechea semiconductor dopant
d reaaranjeaza impuritatile in ligou,astfel incat
concentratia la unul din capetele lingoului sa fie mai
mare decat in celalalt ;zona cu impuritati,avand
concentratii superioare valorilor impuse se elimina
prin scurtarea corespunzatoare a lingoului.
Triclorsilanul este un compus folosit :
A in metoda topirii zonare simple si multiple
B inainte de purificarea fizica,fiind un compus
intermediar cepoate fi distilat fractionat in procesul de
obtinere a siliciului de puritate tehnica
C nu este folosit prea des,fiind inflamabil si toxic
D este folosit in cazul cresterii Czochralsky,pentru
reducerea tensiunii superficiale a topiturii
E in procesul de crestere epitaxiala a Si folosind faza
de vapori, fiind o alternative posibila pentru SiCl4,
SiH2Cl2,SiH4
Formula fundamentala a materialelor giromagnetice
este :
A 0M*H=dM/dt
B permita calculul raportului intre tensorul de
permitivitate si frecventa Larmoor
C permite aprecierea frecvantei proprii de rezonanta
magnetica in material
D aceea care da expresia momentului magnetic de
spin al electronului in material
E B=0[(i+H)+-/2(H2-H2)]
Izolarea intre diversele componente integrate ale unui
CI monolithic se poate face prin:
A jonctiuni invers polarizate cu conditia ca substratul
structurii sa fie legat la cel mai scazut potential
electric de care se dispune (la masa)
B aer,deoarece in aceasta tehnologie,fiecare
componenta
se
realizeaza
pe
suporturi
semiconductoare diferite
C folosirea unor chesoane izolante realizate din
materiale dielectrice
D prin dioxid de siliciu in variantele uzuale ale
tehnologiei standard:corodare anizotropica,process
izoplanar

E diode integrate in acest scop,legate in serie si in

opozitie, punctual comun al acestora find legat la
masa
In desen,este desenata structura
A unui tranzistor npn cu strat ingropat
B unei combinatii intre doua tranzistoare pnp,lateral si
de substrat
C unei perechi Darlinghton formata din 2 tranzistoare
npn
(schema a)
D unei combinatii intre 2 tranzistoare unul, npn iar
celalalt pnp(scema b)
E un inversor C-MOS
Pierderile prin rezonanta magnetica in fier-siliciu:
A permit definirea torului de substitutie al carui scop
este de a reduce orice forma particulara ...
B sunt pierderi reziduale
C pot aparea in pricipiu(numai teoretic) deoarece la
frecventa la care pierderile prin rezonanta...
D cresc substantial partea imaginara a permeabilitatii
E pot fi apreciate cu formula lui steinmetz
Valoarea momentului magnetic total al unei molecule
ce apartine feritei mixte de NiZn cu formula
A este 3,6B
B este 4,8B
C nu poate fi apreciata deoarece nu se cunoaste
momentul magnetic elementar al Zn
D este 0B deoarece ferita are o structura despinel
normal fiind magnetica
E nu poate fi apreciata deoarece ferita are o structura
de spinel invers
Intrefierul reprezinta o discontinuitate a circuitului
magnetic. Prezenta acestuia:
A implica considerarea unui material efectiv cu
permeabilitatea complexa relativa.....
B este indispensabila atunci cand se urmareste
realizarea
unor
inductante
stabile
de
calitate.Materialul efectiv are factorul de calitate
1+ mai mare decat materialul magnetic folosit
pentru confectionarea miezului
C implica considerarea unui material efectiv cu
coeficientul de temp al permeabilitatii mai redus de
1+ ori decat acela al materialului magnetic
D este utila in orice situatie
E conduce la scaderea inductiei de saturatie a
materialului
Factorul giromagnetic este raportul dintre
A momentul magnetic de spin si momentul magnetic
orbital
B sarcina electronului si dublul mesei acestuia
C momentul magnetic de spin si momentul cinetic de
spin al electronului
D frecventa proprie de rezonanta magnetica si campul
magnetic multiplicat cu aria acestuia
E momentul magnetic de spin si momentul cinetic
orbital al el.
In desen,este desenata structura:
A unui npn cu strat ingropat

B unei portiuni CMOS

C unei combinatii npn si pnp
D unei perechi darlinton (2 tranzistoare npn)
E nu este posibila o astfel de structura
F un singur npn si 2 rez leg intre baza si
colector,respectiv B-E
Concentratia realizata in urma procesului de difuzie
propriu zisa este
A calculabila prin integrarea legilor lui Fick, tinand
seama de conditiile initiale si cele la limita ce
caracterizeaza procesul
B determinata de cantitatea deimpuritati introduse pri
predifuzie,coeficientul de difuzie al impuritatilor
repective in materialul respectiv si durata efectiva a
procesului de difuzie propriu zisa, td
C guvernata de legea lui Henry
D influentata de temperatura la care are loc procesul
E constanta deoarece procesul se desfasoara in atm
oxidanta si lipsita de impuritati....
Autoaglomerare curentului la periferia emitorului
A apare in tranzistoare bipolare de curent mare daca
nu sunt luate masuri constructive
B apare in structuri de inalta frecventa unde
dimensiunile emitorului sunt foarte reduse
C poate fi evitata prin marirea perimetrului emitorului
in raport cu aria acestuia
D se datoreste rezistentei pe care o prezinta difuzia de
baza
E este un fenomen caracteristi tranz MOS realizate in
tehnologie bipolara
Feritele cu structura spinel:
A au inductie de saturatie mai mare decat aliajele
feromagnetice FeCo
B
se
caracterizeaza
prin
2
tipuri
de
intensitati:tetraedrice si octoedrice
C au pierderi mici prin curenti turbionari in rap cu
mat giromag
D permeab mai reduse in rap cu materialele
magnetice metalice
E cele mai uzuale,sunt cele mixte cu spinel inversat
de tip MnZn si NiZn
Intr-un circ integrat CMOS
A se fol numai tr MOS si nu se realiz uzual si alte
componente
B se real cu usurinta comp pasive de mare precizie
C consumul de put de la sursa, este incomparabil < un
circ bipolar cu ac funt electrica
D npn cu strat ingropat este favorizat fata de pnp
E fct logice sunt implementate mai simplu dec in circ
bipolare
Metoda MOCVD:
A fol surse metaloorganice pentru cresterea epitaxiei
din
faza
gazoasaa
mai
multor
straturi
semiconductoare subtiri cu grosime controlata....
B implica o schimbare foarte lenta a compozitiei
amestecului de gaze din reactor atunci cand trece de la
un strat la altul pentru structuri multistrat

C este o metoda performanta de crestere din topitura a

semiconductoarelor elementare
D este utiliz pt realiz str semicon avand la
bazaevaporarea in vid ultrainalt sicondensarea pe un
suport mentinut la temp....
E Are la baza o reactie chimicade tipul...unde M este
un metal din grupa a 3 a,R un radical organic E un
element din grupa a 5a...
Care din urm af este adevarata
A procesul Czochral permite tragerea din topitura a
materialelorsemiconductoare elementaredc acestea au
punct de topire convenabil,conductibilitte termica
ridicata,vascozitate si presiune de vapori redusa dc
intre temp de topire si cea ambianta nu au loc tranzitii
de faza
B metoda zonei flotante este mai ieftina decat
Czconducand insa la rez mai slabe:diametrul redus al
lingoului,variatii cu rezistivitatea,defecte de structura
C cresterea epitaxiala din faza de lichid LPEimplica
precipitarea pe un substrat semicond al unui
materialmonocristalin prin racirea unei sol
suprasaturate
D varianta LEC este cea mai folosita pentru mat
semicelementare at cand se urmareste si doparea
uniforma neselectiva a lingourilor de mat
E autodoparea si interdifuzia ce pot aparea in urma
procesului Czconsta in includerea impuritatilordin
gazul purtator in stratul epitaxial
Un circuit integrat Cmos
A se realizeaza in urma unui proces standard cu strat
ingropat si put colector
B se caracterizeaza prin usurinta cu care sunt reliz
comp pasive de mare precizie
C are in componenta traz npn cu strat ingropat cu
performante superioare tranz pnp
D are performante limitate datorita fenomenului de
aglomerare a curentului la periferia emitorului
Implantarea ionica .
A permite realizarea unor profile de dopare cuforma
aproximativ gaussiana in conditiile in care sunt
neglijate efectele de canalizare si cele de intoarcere a
ionilor reflectati dee straturile superficiale.
B profilul de dopare este de tip RFC(x) deoarece ionii
impuritatilor patrund numai superficial datorita
mecanismelor de frinare nucleara si electronica
specifice acstui proces.in mod curent,realizarea unei
jonctiuni se face intro singura etapa,ionilor li se
imprima o anumitra energie care va implica un anumit
profil de dopare.
C este folosita in cazul tehnologiilor VLSI datorita
patrunderii cu difuzia.
D este o metoda ce conduce la defecte de
structura.astfel intodeauna va fi necesar un tratament
de refacere a
Care dintre afirmatiile de mai jos sunt adevarate?
A in materialele semiconductoare cuu banda
indirectatranzitiile radiative sunt mai probabile

B lungimea de udna a radiatiei pe care o poate emite

un mat semicond este independenta de latimea benzii
interzise a mat.
C pentru InGaArP modificarea fractiilor molare X,Y
permite reglajul tehnologic al laturii celullei
elementare
D heterojonctiunile se realizeza folosind mat
semicond diferite pt cele 2 zone dopate
complementar.
E temp Debye a unui semicond este ct de mat fol pt
aprecia benzii interise la T variabil
In procesul de difuzie intro sursa finita de impuritati
A conc imp introduse in mod selectiv in mat poate fi
calculata legea lui Henry deoarece concentratia
superficiala a imopuritatilor introduse in placheta este
determinatat de limita solubilitatii maxime a
impuritatii in mat semiconductor
B Cantitatea de dopant se mentine constanta deoarece
procesul din sursa finita are loc in atmosfea oxidanta
si lipsita de impuritati
C se realizeaza jonctiuni planare gradate
compozitional a caror adincime poate fi calculata
cunoscind profilul de dopare(ce rez din rezolvarea
legilor Fick)si conc substratului
D Se folosesc masti de SiO2 realizate prin procedee
fotolitografice
E adincimea joctiuniii depinde de durata si temp la
care are loc procesul de difuzie si de dopare initiala a
substratului prin predifuzie sauimplantare ionica.
Purifiacrea fizica:
A Este eficace numai daca coef.de segregatie al
impuritatii este unitar.
B Permite extragerea fizica a anumitor impuritati
dintrun lingou uniform impurificat pastrand L ct
C rearanjeaza impuritatile in lingou,astfel incat
concentratia la unul din capetele lingoului sa fie mai
mare decit in celalalt;.....
D poate fi inlocuita cu purificarea chimica realizata
prin distilari fractionate ale unui compus in stre
lichida ce conduce la performante net superioare.
E poate conduce l inumatatirea concentratiei de
impuritati existente initial in lingoul solid ,la
jumatatea acestuia daca coef de segregatie(K=2)
Izolarea intre diversele componente integrate ale unui
CI monolitic se poate face prin
A folosirea unor chesoane izolate ,realizate din
diverse mat izolatoare
B aer deoarece in aceasta tehnologie fiecare
componenta
se
realizeaza
pe
suporturi
semiconductoare diferite
C diode de siliciu
Concentratia Cd(x,t) realizata in urma procesului de
difuzie propriuzisa este
A calc prin integrarea legilor lui Fick,tinand seama de
cond initiale si cele la limita
B depinde de cant de impuritati introduse in
predifuzie

C determinata de atmosfera efectiva a procesului TD

D guvernata de legile lui Henry
E constanta deoarece procesul se desfasoarain
atmosfera oxidanta si lipsita de impuritati,astel
impuritatile sunt impiedicate de SiO2 sa iasa sau sa
patrunda
Implantarea ionic:
A prmite realizarea unor profile de dopare cu forma
gaussiana in cond in care sunt neglijate efectele de
caalizare si cele de intoarcere a ionilor reflectati de
straturile superrficiale.
B conduce la o concentartie max a impuritatilor de 2.8
*10^19 ioni/cm3 daca doza de 5*10^14 ioni/cm2 iar
delta*Rp =0.07 microni.
C este afectata de fenomenul de canalizarece trebuie
evitat folosind directiii ce intersecteaza plane cu mare
densitate atomica.
D este folosita in cazul tehnologiilor VLSI datorita
patrunderii laterale reduse in comparatie cu difuzia
E este o metoda ce conduce la defecte de structura
mai ales in conditiile implantarii unor ioni grei cu
viteze mari fiind intotdeauna necesar un tratamant de
rafacere al structurii cristaline a metalelor
In procesul de difuzie dintro suursa infinita de
impuritati:P
A conc imp introduse poate fi calculata legea ui Henry
B adancimea jonc depinde de durata de procesului si
de doparea substratului..
C cantitaea de dopant introduse prin implantare ionica
se mentine constanta deoarece procesul are o
atmosfera oxidanta si lipsita de impuritati
D se realizeaza dopari selective folosind mastile de
SiO2 ,conc superioara a imp introduse in placheta este
determinata de ...
E se realizeaa jonctiuni planare adinci si gradate
compozitional deoarece coef. De difuzie depinde de
temp si cimp
Tetraclorura de siliciu este un compus
A foloit in metoda topirii zonale simple si multiple
B folosit in procesul de purificare chimica comp
intermediar ce poate fi distilat fractionat in procesul
de obtinere a siliciului de puritate tehnica
C care nu este folosi prea des fiind inflamabil so toxic
D utilizat in cazul cresterii CZ
E in procesul de crestere epitaxiala a Si (fol faza de
vapori) fiind o alternativa posibila pentru SiHCl3,...
Un material feromagnetic are permeabiliateta de
amplitudine relativa masurata la f joase =100-50j
A permeabilitatea efectiva devine 500-12,5j daca
factorul de intrefier are val 10^-3.
B factorul de calitate al mat cu inrefier este 100
C fact de calitate aal mat magnetic este 20
D tg unghiului de pierderi inmat considerat este
5*10^-2
E coef de temp scade de 4 ori prin practicarea
intrefierului
O ferita cu formula Fe^3+ [Ni^2+ Fe^3+] O4
A are permeabilitatea 8,4 la frecventa de 20 Khz

B are Ur 1000 la f joase

C este spinel inversata avind momentul magnetic
elementar 2uB
D este
nemagnetica avind momnetul magnetic
elementar 4uB
E pierde prin cur turbionaro 10W/m3
Care din urmatoarele afirmatii sunt false:
A legile lu fick se refera la miscare purtatorior liberi
de sarcina printrun matsemicond
B in procesul de dopare sel;ectiva si controlata
impuritatile
sunt
introduse
in
placheta
semiconductoare prin (PFl) selectiva
C in urma proocesului de difuzie din sursa ct de
impuritati concentratia superficiala aatomilor de
impuritate are valsolubilitatii maxime a impuritatii in
mat s respectiv la temp de lucru
D in cazul predifuziei presiunea partiala a
impuritatilor in gazul purttaor tre sa fie inferioara unei
valori care ar determina solubiilitati maxima a
impuritatii in semiconductor,respectind legea lui
Henry
E joct superficiale realizate prin difuzie propriuzisa
sunt abrupte in camparatie cu joct adinci realizate prin
predifuzie.
Iplantarea ionica:
A pt Bor si P in si implica energii ionice de ordinul
citorva Electroni-volti
B implica utilizarea unui separator magnetic de masa
pt realizarea unei anumite traiectorii a atomilor de
siliciucatre tinta de GaAs
C se desfasoara la presiuni apropiate de presiunea
atmosferica ,acesta este unul dintre avanmtajele
esentiale ale metodei.
D presupune pe un curent implantattor de ordinul
zecilor de amperi cind suprafata ce urmeaza a fi
expusa estef mare
E este procesul prin care se realizeaza NPN-urile
planar epitaxiale dublu difuzate.
In desenul alturat este prezentata:
A structura unui codensator integrat
B o struct gresita deoarece aluminiul scurtcircuiteaza
zonele p si n+
C structura unui NPN cu strat ingropat si put colector
D struct unui t PNP
E o dioda colector-baza derivata dintrun tr NPN
Un miex ferimagnetic cupierderi in histerezis
magnetic :
A introduce distorsiuni care consau in deformarea
tensiunii la bornele unei bobine cumiez daca prin
infasurarea acesteia circula un curent pur sinusoidal
B tre utilizat in domeniul frecventelor joase,f max de
lucru fiind estimata cu ajutorul relatiei empirice a lui
Stellmetz
C introuce distorsiuni de armonica III daca are un
ciclu de histerezis cu o anumita suprafata ,marimea
acestor distorsiuni depinzind de marimea acestei
suprafete.

D introduce di9st care constau in deformarea

curentului printr-o bobina cu miez la bornele careia a
fost aplicata o tensiune pur-sinusoidala.
E caruia i sa aplica un cimp perfect sinusoidal de
frecveta omega (care nu satureaza materialul)determin
aparitia unor componente de flux(inductie) pe
frecvente armonice 2*w
Care din afirmatii este falsa?
A tensorul de permeabilitate a unei ferite de
microunde are forma simetrica in raport cu diagonala
principala a matricei asociata
B in domneniul Rayleigh ,pentru o ferita este valabila
dependenta dintre inductie si cimp B=0[(i+H)+/2(H2-H2)]
C formula fundamentala a mat giromagnetice este :
0M*H=dM/dt
D tensorul de permeabilitate al unei ferite de
microunde are o forma antisimetrica in rap cu
diagonala principala a matricei asociate
E ferita de microunde careia i se aplica un cimp
magnetic de 800ka /m are frec de rezonanta de
aproximativ 28Ghz
Coeficientul de temperatura al permeabilitatii
magnetice ale unei ferite mixte de 100ppm/C.factorul
de calitate este 250.practicinduse unintrefier fact
efectiv devine 500.cit va fi noul coeficient de
temperatura al permeabilitatii?
A 50ppm/C
D 150 ppm/C
B ~0 ppm/C E 200 ppm/C
C 500 ppm/C
In figura este prezentat un disc din ferita MnZn
.raportul dintre raze,grosimea discului ,ne de spire al
bobinei
si
permeabilitatile
au
valorile
specificate(R/r=e
a=5mm,N=10,u0=4pi*10^7,ur=1000).inductia va fi:
A 0.40 sp^2/uH
B 40 ohmi
C 2MH
D 10 NH/Sp^3
E 4*10^-4 nH
Feritele sunt:
A materiale casante cu duritate ridicata avind inductie
de saturatie si permeabilitate pe amplitudini inferioare
aliajelor feromagnetice
B mat antiferomagnetice necompensate,caract prin t
curie peste care ordine feromagnetica dispare
devenind paramagnetice
C mat magnetice moi sau dure care au fost realizate pt
a inlocui feromagneticele metalice in aplicatii de joasa
frecventa
D mat cu rezistivitate ridicata( pierderi reduse)
realizate pt a acoperi domeniul frecventelor
ridicate(Khz-Mhz)
E matreialele caracterizate prin T debye la care
permeabilitatea are o val maxima
Ecuatia Galiu(CH3)3 + Nh3 Ga + 3CH4 reprezinta
A procesul chimic ce are loc in metoda LPE

B rectia care are loc intrun procces de tragere prin

topitura
C reactia de transport intrun proces de difuzie a
galiului
D reactia de transport intrun proces LEC
E nu este o reactie folosita in tehnologia materiallor
semiconductoare
In figurade mai sus
A ambele structuri sunt gresite
B sunt prezenate 2 struct una in tehnologie bipolara
iar cealalta in P-mos
C syunt prezentate 2 structuri una in N-mos si una in
C-mos
D fiecare structura contine 2 tranzistori MOS
E in dreapta sunt 2 tr bipolari (unu pnp si unu npn) iar
cealalta 2 tr npn
Pt procesul de implantare ionica
A durata duparii este mult mai scurta in comparatiecu
durata difuziei daca se considera realizarea unui profil
identic de dopare
B vectorul parcurs reprezinta locul geometric al
punctelor in care s opresc ioniii implantati
C doza reprezinta raportul dintre curentul implantator
si produ inre aria expusa si sarcina elementara.
D mastile pt implantare selectiva sunt realizate
intodeanudin aluminiu cu grosime suficienta pt a evita
doparea zonelor acoperite
E teorie frinarii se refera la deplasarea ionilor catre
tinta in contextul interactinuii acestora cu electronii si
nuclee le pe care le intalnesc.
Rezistenta pe patrat pentru o zona cu lung 80 si
latimea 15 este r=1Kohm;ce val are aceasta
dc sunt neglijate contributiile arilor de contact
a 533ohm b 1,875kohm
c 5,33 kohm d 8 kohm
Doparea uniforma a unui material semiconductor
A nu se poate realiza prin metoda Czsau a zonei
flotante FZ deoarece acestea sunt metode de crestere
din topitura a monocristalelor si nu de dopare
neselectiva
B se poate realiza prin metoda tragerii din topitura in
varianta cu incapsulare in lichid (LEC)
C se poate realiza prin metoda CZ doar in varianta
creuzetului plutitor
D se poate realiza prin metoda CZ:varianta cu tib
inchis si tragere magnetica sau varianta cu tub
semiinchis
E se poate realiza prin metoda zonei flotante FZ dc
procesul se desfasoara in atmosfera unui gaz purtator
de impuritati introduse controlat pe masura deplasarii
zonei topite
Intr-un circuit integrat monolitic
A suprafata zidurilor de izolare nu poate fi folosita in
scopul cresterii densitatii de integrare
B se realizeaza si alte componente decat tranz npn dar
nu simulari cu acesta
C nu se fol niciodata inversoare CMOS

D tranz npn este defavorizat tehnologic in fata celui

pnp
E condensatoarele nepolarizate reprezinta comp cu cel
mai redus consum de arie