LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 1.

Scopul lucrrii Scopul acestei lucrri de laborator este cunoaterea unor materiale folosite n optoelectronic, msurarea caracteristicilor unor dispozitive optoelectronice: diode luminiscente (LED) i fototranzistoare, precum i prezentarea unor aplicaii ale dispozitivelor optoelectronice cu placa de test Eas !"# $% 2. Noiuni teoretice &aterialele semiconductoare utilizate, pentru realizarea dispozitivelor optoelectronice, sunt prezentate n ANEXA 1 a lucrrii de laborator% . Scurt pre!ent"re " "p"r"turii #e $%ur &i control 'paratura de msur i control utilizat la aceast lucrare, conform 'i(urii 1, este urmtoarea : .1 )I este un (enerator de impulsuri ))L care asi(ur impulsurile de comand necesare (eneratorului de trepte )T &i care va fi utilizat n urmtoarele domenii: *+ , *++ s pentru vizualizri +,* , * s pentru msurtori de tensiune .2 )T este un (enerator de trepte de tensiune care furnizeaz -. trepte la ieirea ", / trepte la ieirea * i o tensiune constant de cca -01 la ieirea +1,-. !entru a realiza protecia componentelor supuse msurtorilor n serie cu ieirile ". * sunt nseriate rezistene de limitare a curentului de -23 4de care trebuie inut cont n anumite cazuri% . -E este un multimetru de precizie . 5 di(ii de tipul 6& /--*78 utilizat ca voltmetru electronic cu autoscalare% .4 O este un osciloscop cu dou canale de tipul 9:S .809 80&6z i cu posibilitatea de a lucra i n re(im ;7<% ., ME este monta=ul cu a=utorul cruia se vor face msurtorile i conine un LED rou (LR), un LED verde (L-), dou LED7uri de infrarou (L1. L2) care au caracteristici identice i dou fototranzistoare (/1. /2) deasemeni identice% >otaiile folosite sunt cele care se (sesc inscripionate pe aparate iar semnele au urmtoarele semnificaii: fir cu conector de tip banan de $mm sau cu pin de -mm ? borna de $mm ? LA0ORATORUL 1E MATERIALE CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 borna de -mm% .3 PC cu soft@are pentru acionarea plcii de test cu microconttroler Eas !"#$ .4 !laca de test cu microconttroler E"%5PIC4 4. 1e%'&ur"re" lucrrii &onta=ul folosit pentru msurarea caracteristicilor unor dispozitive optoelectronice 7 diode luminiscente (LED) i fototranzistoare este reprezentat n 'i(ur" 1.

/i(ur" 1. ScAema (eneral de msur 4.1 &odul (eneral de lucru este urmtorul: se realizeaz conectrile prevzute la fiecare punct n parte ntre ME. )T i O? se realizeaz vizualizrile caracteristicilor specificate la fiecare punct? se realizeaz msurtorile de tensiune conectBnd -E n punctele specificate%

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6* 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 4.2 1eter$in"re" 'or$ei %e$n"lelor )T &i corel"i" #intre ele Se pornesc aparatele i se conecteaz canalul #6* al osciloscopului (7), prin sonda -:-, la ieirea " a (eneratorului de trepte% Se trece osciloscopul n re(im de baz de timp declanat intern de ctre canalul #6* i (eneratorul de impulsuri n re(im de vizualizare% Se acioneaz butoanele de re(la= ale osciloscopului pBn se obine o ima(ine stabil% Se vizualizeaz la osciloscop, forma de und pe care o d )T la ieirea ". Se conecteaz apoi ieirea * a )T la osciloscop, prin sonda -:- la canalul #6* i se vizualizeaz i forma acestei unde% #orelaia dintre cele dou ieiri (".*) ale )T se vizualizeaz prin conectarea lor simultan la cBte un canal al osciloscopului (" la C81, * la C82) cu sincronizarea osciloscopului pe ieirea * i se traseaz (raficele "Cf(t) i *Cf(t) cu respectarea corelaiei temporale dintre ele% &surarea semnalelor )T poate fi eDecutat i cu multimetru punBnd conectori (eneratorului la bornele multimetrului ( firul de mas la borna albastr i cel de semnal la borna roie)% &surarea se eDecut n re(im de tensiune 1D# i cu tastele )T #'E i Sursa apsate% 4.2.1 !entru acionarea osciloscopului modulele, comutatoarele i butoanele de control sunt urmtoarele : a) &odulul -ERTICAL este pentru desfurarea pe vertical a semnalului% 're dou canale #6-, pentru desfurarea pe ; i #6*, pentru desfurarea pe <% !e acest modul sunt urmtoarele comutatoare i butoane : -OLTS9#i: care care selecteaz sensibilitatea celor dou canale #6- i #6* ale osciloscopului? MO1E este comutatorul care selecteaz care dintre canale este afiat pe ecran ( #6-, #6*, DF'L i 'DD) i n cazul de fa trebuie poziionat pe #6*? AC. 1C este butonul care stabilete modul n care se face declanarea i trebuie poziionat pe 1C. iar butonul )N1 este decuplat; POSITION este un poteniometru care asi(ur deplasarea desfurrii pe vertical, pe cele dou canale #6- i #6*, pentru a vedea semnalul n ntre(ime? -AR sunt poteniometri de calibrare pe vertical, pe cele dou canale #6- i #6*, i sunt deplasai n poziia limit dreapta? Gutoanele C8OP i C82 IN- se pun pe poziia decuplat% b) &odulul 8ORI<ONTAL este pentru desfurarea pe orizontal a semnalului% !e acest modul sunt urmtoarele comutatoare i butoane : LA0ORATORUL 1E MATERIALE 68 6 CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 TIME9#i:. este comutatorul din care se re(leaz viteza de variaie a bazei de timp? POSITION este un poteniometru care asi(ur deplasarea desfurrii pe orizontal, pentru a vedea semnalul n ntre(ime? X67 butonul care asi(ur vizualizarea semnalului n re(im D7 se pune pe poziia cuplat, cBnd este precizat n lucrarea de laborator? X1= MA) este un buton care mrete baza de timp declanat de -+ ori, se pune pe poziia decuplat ? S>P9-AR poteniometru de calibrare care se pune pe poziia limit dreapta ? S>P9UNCAL buton care se pune pe poziia decuplat% c) Mo#ulul TRI))ER selecteaz sursa de semnal de sincronizare intern sau eDtern a osciloscopului% !e acest modul sunt urmtoarele comutatoare i butoane : LE-EL este poteniometru cu a=utorul cruia se stabilete nivelul de sincronizare i stabilitatea acesteia pe orizontal? 8OL1O// este poteniometru cu a=utorul cruia se asi(ur intervalul baleia=ului pe orizontal? COUPLIN) este comutatorul care selecteaz, modul n care se face declanarea ('#,6E, HEI, )1, D#) i trebuie poziionat pe 'C; SOURCE este comutatorul care selecteaz sursa de semnal de sincronizare ( #6-, ;7<, #6*, L">E, E;)) i trebuie sa fie poziionat pe #6-, ;7<? Gutoanul SLOPE ? se poziioneaz pe + i butonul TRI) ALT. pe decuplat. 4.2.2 &surarea tensiunilor continue cu un $ulti$etru #e preci!ie. 3 @ #i(ii #e tipul 8M A1126 se eDecut n felul urmtorB Se cupleaz tensiunea de alimentare **+1J 0+6z cu a=utorul comutatorului de cuplare a tensiuni de pe panoul din spate al instrumentului, pe poziia K ONL% "n acest poziie va rmBne pe durata msurtorilor un timp mai ndelun(at iar cuplarea aparatului se face cu butonul CSt"n#*5D de pe panoul frontal? se cupleaz butonul CLOCALD pentru lucrul multimetrului local? pentru calibrare se cupleaz butonul C<EROD . pentru a verifica nulul aparatului i cBnd se apas acest buton, cablurile de msur se scurtcircuiteaz ntre ele;

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6$ 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 se apas butonul C-1CD pentru a msura tensiunea n curent continuu pBn la .++1% Gornele de msur din stBn(a se ilumineaz% Gorna roie este pentru E+F i cea albastr este pentru (7)% &surarea se face n re(im automat cu butonul C AUTOD aprins? butonul C8OL1D este pentru blocarea rezultatului pe displa 4. 1io#e lu$ini%cente "F C"r"cteri%tic" curent6ten%iune Se conecteaz succesiv ieirea " a )T la LR. L-. L1 cu )I pus n re(im de vizualizare i se vizualizeaz caracteristicile i"G'Eu"F pentru cele trei diode% !entru aceasta este necesar ca osciloscopul s fie trecut n re(im X67. Semnalul pentru aDa ; (#6-) cule(Bndu7se de anodul diodelor (bornele LH,L1,L-), iar cel pentru aDa < (#6*) de pe borna G% Se trece )I Hn re(im de msur i cu a=utorul -E se msoar pe rBnd tensiunile n punctele LR. L-. L1(cel care este conectat n momentul respectiv) i n punctul 0. &surtorile se fac pentru toate cele -. trepte ale ieirii "% Hezultatele msurtorilor se vor trece n tabelul -% &surarea carateristici curent7tensiune poate fi eDecutat i cu multimetru punBnd conectorii ntre punctul 0 i bornele multimetrului ( firul de mas la borna albastr i cel de semnal la borna roie)% &surarea se eDecut n re(im de tensiune 1D# i cu tastele C CA/ D i CSur%"D apsate% 'ceast msurtoare cu multimetrul se face n paralel cu msurtorea caracteristicii curent7tensiune, care se eDecut cu osciloscopul% ATENIIE notaiile F; ,F< se refer la tensiunea msurat la intarea ;(#6-) sau <(#6*) a osciloscopului (i corespunztor i punctelor din &E conectate la acestea) T"*elul 1
)reapta Dioda L" FD F "D C F JHFD C F D Q F FD F "D C F JHFD C F D Q F FD F "D C F JHFD C F D Q F Om1P Om1P Om'P Om1P Om1P Om1P Om'P Om1P Om1P Om1P Om'P Om1P * 8 $ 0

H- C -++
. M / N -+ %%% -.

Dioda L1

Dioda LH

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

60 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 Se calculeaz valorile curentului prin dioda luminiscent "D i tensiunea pe aceasta FD folosind formulele din T"*elul 1% Se traseaz pe acelai (rafic caracteristicile " C f(FD) pentru cele 8 diode luminiscente msurate i se noteaz diferenele dintre acestea% *F /luJul e$i% Se ridic caracteristica emis C f(i) n un(Aiul solid -,* pentru dioda luminiscent cu emisie n infrarou L-% Fn(Aiul solid se modific prin modificarea distanei diod luminiscent7 fotodetector i anume cu cBt aceast distan este mai mare, cu atBt un(Aiul solid este mai mic% 'ceasta nsemn c - > *% !entru a putea msura fluDul emis se vor face urmtoarele coneDiuni: ieirea * a )T se conecteaz la una din intrrile L1. L2? ieirea +1,- a )T se conecteaz la una din intrrile /1. /2 (cea corespunztoare diodei folosite) ? intrarea 7 EC82F a osciloscopului se conecteaz n punctul A; intrarea X (#6-) a osciloscopului se conecteaz n punctul 0. !e osciloscop se va vedea n acest moment rspunsul fototranzistorului conectat la fluDul emis de dioda respectiv si pe baza msurtorilor de curent de colector i a dia(ramei din 'i(ur" 2 se poate calcula fluDul emis de diod % !entru a putea efectua msurtorile se trece )I n re(im de masur i se msoar tensiunile FG si F' care se trec n t"*elul 2. &surarea fluDului emis poate fi eDecutat i cu multimetru punBnd conectorii ntre punctul A i bornele multimetrului ( firul de mas la borna albastr i cel de semnal la borna roie)% &surarea se eDecut n re(im de tensiune 1D# i cu tastele C CA/ D i CSur%"D apsate% 'ceast msurtoare cu multimetrul se face n paralel cu msurtorea fluDului emis, care se eDecut cu osciloscopul% T"*elul 2.
)reapta FG F' "L- C FG J H"E- C F' J H* F' "E* C F' J H* * Om1P O1P Om'P Om'P OlDP O1P Om'P OlDP

H- C -++
* 8

H* C -,. 2
$ 0 . M /

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6. 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 Se traseaz pe acelai (rafic caracteristicile C f ("L) n un(Aiul solid - i * pentru cele dou diode msurate i se noteaz diferenele ntre acestea%

/i(ur" 2. #aracteristica Cf("#) 4.4 /ototr"n!i%torul Se ridic caracteristica "#C f(F#E)=ct pentru fototranzistorul E-% !entru a realiza aceasta se fac urmtoarele coneDiuni: ieirea " a )T se conecteaz la intrarea /1 a ME; ieirea * a )T se conecteaz la intrarea L1 a ME intrarea 7 EC82F a osciloscopului se conecteaz la ieirea A a ME intrarea X EC81F a osciloscopului se conecteaz la intrarea /1 a ME #u )I n re(im de vizualizare so observ pe ecranul osciloscopului setul de caracteristici "#C f(F#E)% Se trece )I n re(im de msur i se msoar punct cu punct tensiunea de la ieirea A a ME, avBnd (ri= ca sa se parcur( toate cele -*/ de puncte% Hezultatele se trec n t"*elul . &surarea carateristici "#C f(F#E)=ct, pentru fototranzistor, poate fi eDecutat i cu multimetru punBnd conectorii ntre punctului A i /1 i bornele multimetrului ( firul de mas la borna albastr i cel de semnal la borna roie)% &surarea se eDecut n re(im de tensiune 1D# i cu tastele C CA/ D i CSur%"D apsate% 'ceast msurtoare cu multimetrul se face n paralel cu msurtoarea caracteristicii "#C f(F#E)=ct care se eDecut cu osciloscopul%

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6M 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222

T"*elul
)reapta "L- C L- C "L- C L- C "L- C L- C "L- C L- C "L- C L- C "L- C L- C "L- C L- C "L- C L- C Fa F< " # C F< J H * F#E F< " # C F< J H * F#E F " # C F< J H * F#E F< " # C F< J H * F#E F< " # C F< J H * F#E F< " # C F< J H * F#E F< " # C F< J H * F#E F< " # C F< J H * F#E O1P O1P Om'P O1P O1P Om'P O1P O1P Om'P O1P O1P Om'P O1P O1P Om'P O1P O1P Om'P O1P O1P Om'P O1P O1P Om'P O1P * 8 $ 0

H* C-,. 2
. M / N -+ %%% -. %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%% %%%

1alorile pentru tensiunea Fa se msoar n felul urmtor: se conecteaz 1E la borna " a )T? se trece )I n re(im de msur ? se msoar cele -. trepte de tensiune i se trec n tabel% )ensiunea F#E se calculeaz cu relaia: F#EC Fa7F<7HLD"c ( -) unde : HLC-2 este rezistena de limitare a curentului din )T. 1alorile pentru "L- i pentru L- se iau din tabelul * i se reprezint (rafic setul de caracteristici "#Cf(F#E)Cct%

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6/ 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222

4., Pre!ent"re" unor "plic"ii "le #i%po!iti:elor optoelectronice cu pl"c" #e te%t E"%5PIC 4. 4.,.1 -eri'ic"re" plcii #e te%t &i cupl"re" l" PC Se procedeaz n felul urmtor: -% Se verific vizual dac placa corespunde Aard@are foii de catalo( din '>E;' * a lucrrii de laborator% S@itcA7urile SR- i SR* se pun pe poziia :>% !oziia =umper7elor trebuie s corespund foii de catalo( din '>E;'% !entru caractere alfanumerice pe afiorul L#D, =umper7ul I!-* se pune pe #6'H%, iar pentru (rafic pe 9H'!6% *% Se cupleaz !#7ul cu parola K%tu#entL% 8% !laca de test Eas !"#$ se cuplez la !# cu cablul FSG, la conectorul - de pe plac% Sn acest fel asi(urm, atBt alimentarea plcii de la sursa calculatorului, cBt i aplicaiile soft@are% 4.,.2 Acion"re" plcii #e te%t E"%5PIC 4 4.,.2.1 !entru acionarea plcii de test folosim un pro(ram dedicat: K$iLroEleLtroniL"6Pic/LAS8 MitN $icroIC1D n felul urmtor: -% La descAiderea ferestrei acestui pro(ram, n csua T1e:iceL se introduce tipul microcontroller7ului, respectiv: PIC 13/A44A% *% !entru nscrierea pro(ramului n microcontroller n sistem AeDazecimal se apas tasta : TLo"# 8EXL% 8% Se descAide ferestra TOpenL a pro(ramului de test i parcur(em: Loc"l 1i%L; ECBF; Pro(r"$ 'ile%; MiLroeleLtroniL"; MicroC; EJ"$ple%; E"%5Pic 413/A44A; EJ"$ple% sau EJtr" eJ"$ple%. $% Se selecteaz unul din urmtoarele pro(rame luate ca eDemplu K4%e(#i%pl"51. 2 %"u D. KCounterD. KLC1Di KLe#20linLin(D. Sn felul acesta vor fi acionate afioarele cu apte se(mente, afiorul L#D i LED7urile% 0% Dup selectare se descAide fereastra, cu pro(ramul luat ca eDemplu, n format 6E; files% LA0ORATORUL 1E MATERIALE 6N 6 CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 a) se inscripioneaz n microcontroller apsBnd tasta K>riteD. Dup ce s7a inscripionat corect pro(ramul, placa eDecut secvena de test% b) Dac dorim s modificm pro(ramul se apas pe csua RESET a pro(ramului i se reia secvena de inscripionare de la capt% De asemenea, putem introduce alt pro(ram parcur(Bnd acelai al(oritm descris mai sus% 4.,.2.2 !ro(ramul K$icroC co$piler 'or PICD !entru a inscripiona n limba= K MicroC D. n microcontroller, diverse pro(rame de acionare a afioarelor cu M se(mente, L#D i LED7urilor, de pe placa de test TE"%5Pic 4L, se utilizeaz pro(ramul K$icroC co$piler 'or PICD i se procedeaz n felul urmtor: -% La descAiderea ferestrei acestui pro(ram, n csua T1e:iceL se introduce tipul microcontroller7ului, respectiv: PIC 13/A44A i n csua TClocLL T++/%++++++L &6z% *% Sn csua TProOectL din bara superioar de comezi se acioneaz tasta T>e@ ProOectL care descAide fereastra TNeM ProOectL% Sn acest ferestr sunt prezentate comenzile necesare pentru un nou pro(ram de acionare a plcii% 8% Dac dorim s folosim pro(ramele eDemplu de=a eDistente, atunci n csua TProOectL vom aciona tasta TOpen ProOectL sau T Recent ProOectL% $% La tasta TOpen ProOect se descAide ferestra de cutare a pro(ramului de test TOpenL% 'psm tasta TOpenL pBn cBnd vom (sii pro(ramul de test parcur(Bnd una din urmtoarele ci: Loc"l 1i%L; ECBF; Pro(r"$ 'ile%; MiLroeleLtroniL"; MicroC; EJ"$ple%; E"%5Pic 413/A44A; EJ"$ple% sau. 0% Se selecteaz unul din urmtoarele pro(rame luate ca eDemplu K4%e(#i%pl"51. 2 %"u D. KCounterD. KLC1Di KLe#20linLin(D. Sn felul acesta vor fi acionate afioarele cu apte se(mente, i LED7urile% !entru afioarele L#D se apas pe EJtr" eJ"$ple%. )LC1. P13. P13/A44A. )LC1 Te%t Dup selectare se descAide fereastra cu pro(ramul luat ca eDemplu n format K$icroC proOect EppcFD. Sn cazul n care selectm T4%e(#i%pl"5 L atunci va apare pro(ramul T1i%pl"54%e(2= L pe care l selectm cu tasta TOpenL% :dat selectat pro(ramul eDemplu el apare, comand cu comand, nscris n pro(ramul T microC co$piler 'or PICL% LA0ORATORUL 1E MATERIALE 6 -+ 6 CATE1RA TE/

.% M%

/%

N%

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 Se inscripioneaz n microcontroller prin pro(ramul T$iLroEleLtroniL"6 Pic/LAS8 P-4.=4Q MitN $icroIC1D apsBnd n por(ramul KMicroCD tasta KTool%D i K $E Pro(r"$$erD. )asta K $E Pro(r"$$erD activeaz automat pro(ramul K$iLroEleLtroniL"6Pic/LAS8 P-4.=4Q MitN $icroIC1D i placa eDecut testul. Dac dorim s modificm pro(ramul se apas pe csua RESET a pro(ramului i se reia secvena de inscripionare de la capt% De asemenea, putem introduce alt pro(ram parcur(Bnd acelai al(oritm descris mai sus%

,. Coninutul re'er"tului scopul lucrrii ? (raficul reprezentBnd corelaia dintre cele dou semnale date de )T ; tabelul - i (raficul "Cf(FD) pentru cele trei diode msurate ? tabelul * i (raficul Cf("L) ? tabelul 8 i (raficul "#Cf(F#E)Cct% ? comentarii i concluzii privind aplicaiile dispozitivelor optoelectronice puse n eviden cu placa de test Eas !"#$%

-) De ce se introduce =onciunea pn (partea activ a LED7ului) ntr7o calot sferic realizat dintr7un material plastic i cum se ale(e acesta din punct de vedere al indicelui de refracie U *) Dac un LED emite lumin cu lun(imea de und 00+ nm, care este ener(ia benzii interzise a materialului din care este realizat LED Q ulU 8) Dac un LED emite lumin cu lun(imea de und 00+ nm i un altul .++nm, comparai valorile benzilor interzise corespunztoare materialelor din care sunt realizate cele * LED7uri%
$) Se consider un LED pe 9a's% Ganda interzis a 9a's este -%$*e1% 1ariaia
dE ( d) e1 2

acesteia cu temperatura are loc dup le(ea

= $%0 -+ $

% S se

determine variaia lun(imii de und emise dac temperature variaz cu -+#% Soluie:
E( = A c

La temperatura iniial,
= A c -%*$ -+ . e1 m = = /M0nm % E( -%$*e1

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6 -- 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222

dE ( d d A c = A c = * d) d) E ( E( d)

*%MM -+ -+ m = *%MM nm 2 2

d nm ) = *%MM -+2 = *M%M nm d) 2

Deoarece E( scade cu temperatura, atunci lun(imea de und crete cu temperatura% 0) EDemplificai materiale semiconductoare cu structur de benzi direct, respectiv indirect% .) #e este electroluminescenaU M) ScAema ecAivalent de semnal mic a unui LED% /) #e sunt diodele superluminescente U N) #are sunt cele dou confi(uraii de baz pentru structurile pentru LED7uriU -+) EDemplificai cel puin cinci aplicaii ale LED7urilor%

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6 -* 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222

ANEXA 1 M"teri"le %e$icon#ucto"re utili!"te pentru re"li!"re" 'oto#io#elor. &aterialele semiconductoare utilizate pentru realizarea fotodiodelor sunt: "n! (E( C -%80 e1)? "n-7D9aD's !-7 (E( C +%M0 7 -%-/ e1)? 9a's (E( C -%$- e1)? 'lD9a-7D's (E( C -%$- 7 *%* e1)? 9a> (E( C 8%$$ e1)? 9a! (E( C *%*$ e1)? Si (E( C -%- e1)? Sn:* (E( V 8%. 7 8%/ e1)% Structuri monocristal utilizate n optoelectronic sunt prezentate n t"*elul A1 T"*el A1
Cri%t"l Structur Con%t"nt" 1i$en%iune" reelei $"Ji$ " pl"cNetei

Al2O M(O M(Al2O4 <nO SiCE38F LiAlO2 Li)"O2

8eJ"(. Cu*ic Cu*ic 8eJ"(. 8eJ"(. T"ntr" OrtNor.

4.4,A 4.213 A.=A .2,2 .=A ,.14 ,.4=3

3R #i" R #i" 1.,R #i" 1=J1=$$ 1=J1=$$ =$$ #i" =$$ #i"

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6 -8 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222

/i(ur" A1 &onocristale pentru optoelectronic debitate sub diferite forme : structur de fotodioda cu domeniul spectral +%/. 7 -%.0 Wm este prezentat n fi(ura '*% )eAnolo(ia de fabricare este epitaDia n faza licAid%

/i(ur" A2 Structur de fotodioda cu domeniul spectral +%/. 7 -%.0 Wm Se urmrete eDplorarea metodelor de reducere a dislocaiilor i astfel obinerea de materiale AeteroepitaDiale din "n9a's!J"n! destinate realizrii produselor optoelectronice de nalt calitate pe substarturi de siliciu% 'lia=ele "n! i "n9a's! cu dimensiunea reelei acordat sunt materialele primare pentru sistemele de telecomunicaii optoelectronice de mare vitez i teAnolo(ia LA0ORATORUL 1E MATERIALE 6 -$ 6 CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 materialelor "n!7pe7Si vor permite fotonicii 1LS" (1er Lar(e Scale of "nte(ration) s devin o realitate%

/i(ur" A &odul fotodiod cuplat la fibra optic

S'E"HFL 7 'l*:8 este disponibil cu diametrul maDim de -+V% Safirul este folosit ntr7o (am lar( de aplicaii i este crescut prin cBteva metode inclusiv #zocAralsXi%

/i(ur" A4 'luminat de LantAanum 7 La'l+8

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6 -0 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 #elula pseudo cubic, obinut prin metoda #zocAralsXi, realizat la orice dimensiuni pBn la diametru de 8V, /i(ur" A,%

/i(ur" A, #elula pseudo cubic, obinut prin metoda #zocAralsXi Sn conteDtul acestei lucrri, prin ToptoelectronicL nele(em numai dispozitivele optoelectronice bazate pe semiconductoare, unde procesele de recombinare emit lumin% 'ceste proces de radiaie este numit emisie spontan a luminii, pentru c are loc statistic fr alte in(rediente n afara electronilor i (olurilor% Snc nu vom studia aici procesul opus Q absorbia luminii, fenomen important n funcionarea fotodiodelor sau a celulelor solare% De asemenea transmisia luminii prin (Aidurile de und nu este considerat aici%

/i(ur" A3 Structura de benzi pentru semiconductori cu banda a) direct, b) indirect 'm vzut c siliciul este un material indirect i c ener(ia emis nu produce fotoni n cantitate apreciabil i, ca urmare, nu este folosit n aplicaii pentru optoelectronic% LA0ORATORUL 1E MATERIALE 6 -. 6 CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 'ceasta este parial adevrat, pentru c aa cum vom vedea, eDist semiconductoare indirecte care emit suficient lumin pentru a fi folosite n aplicaii practice n optoelectronic% Dar, nc o data, n (eneral se folosesc materiale directe de la care se ateapt ca recombinarea s aib ca rezultat emisia luminii% 'ceasta conduce la unele ntrebri cu caracter (eneral care se refer la proprietile de material% Se eDamineaz numai cBteva dintre cele fundamentale% Care este lungimea de und a radiaiei emise? Dac lumina este produs prin recombinarea band7band, este valabil relaia: i folosind relaia :
h = EC EV

(-)

(*) cmat C viteza luminii n material C co/n, co C viteza luminii n vid i n C indicele de refracie al materialului, se obine:
=
h c+ n

Cmat =

(8)

Dac recombinarea are loc ntre alte stri ener(etice, simplu, se nlocuiete E # 7 E1 cu YE, diferena relevant de ener(ie% !e LED7ul alimentat se (sete o tensiune direct de -,- la -,0 1% Diodele emiatoare de lumin cu lun(imi de und mai mici (eD% /0+ nm) au cderi de tensiune mai mari i pe msur ce lun(imea de und crete cderea de tensiune scade% 'cest fenomen poate fi pus n le(tura cu ener(ia E ( a benzii interzise a materialului LED7ului% Ecuaia de mai =os definete ener(ia benzii interzise E(:
E g = h c

($)

Eg=hc/ = 1240eV, unde A este constanta lui !lanX = 4.1 ! 10"1# eV$s %h =&.&2&$10" 4 'oule$s(, c C viteza luminii C 2.))* ! 10* m/s i C lun(imea de und eDprimat n nm% Eolosind aceast ecuaie, se poate calcula ener(ia benzii interzise a unui LED, tiind lun(imea de und a radiaiei emise% #derea de tensiune pe diferite LED7uri, care funcioneaz la un curent de aproDimativ *+ m': ">EH'H:ZF: aproD -%$7-%N1 H:ZF: aproD -%/ 1 9'LGE>: aproD *%+ 1 1EHDE: aproD *%- 1 'LG'S)HF: 8 to 8%. 1 'LG: 8 to 8%. 1 LA0ORATORUL 1E MATERIALE 6 -M 6 CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 'limentarea unui LED de la o surs D# se realizeaz de re(ul printr7o rezisten n serie care limiteaz curentul la valoarea necesar pentru LED% 1aloarea rezistorului n oAmi, conectat n serie cu LED7ul este dat de relaia : +, = %Va - Vac.E/( / 0ac.E/ (0) T"*elul A2 &ateriale optoelectronice uzuale i caracteristicile de baz Lun(i$e" #e M"teri"lul Ener(i" E( un# 9a! *%*$ e1 00+ nm '"'s *%+N e1 0N+ nm 9a's -%$* e1 /M+ nm "n! -%88 e1 N8+ nm '"9a's -%$*7-%.- e1 MM+7/M+ nm "n9a's! +%M$7-%-8 e1 --++7-.M+ nm Sn tabelul de mai sus sunt date cBteva materiale folosite n dispozitivele (eneratoare fotonice, lun(imea de und a radiaiei emise i ener(ia corespunztoare benzii interzise% !rimele materiale, 9a! si 'l's, sunt folosite la realizarea (eneratoarelor fotonice n domeniul vizibil al spectrului% Frmtoarele trei materiale, 9a's, "n! i 'l9a's, sunt folosite pentru fabricarea (eneratoarelor fotonice n domeniul "H apropiat al spectrului, cunoscut ca Tprim fereastrL n comunicaiile pe fibr optic% Fltimul material, "n9a's!, este folosit pentru emitoarele din domeniul "H, cunoscut ca Tferestrele doi i treiL n comunicaiile pe fibr optic% Ener(ia benzii interzise corespunde ener(iei fotonilor emii i este n acelai timp un indiciu despre cderea de tensiune asociat LED7ului, cBnd este polarizat direct% Fn LED este o diod semiconductoare ce emite lumin la polarizarea direct a =onciunii p7n% 'cest efect este o form de electroluminescen% 'stfel un LED face conversia ener(iei electrice n ener(ie luminoas% Sn cazul LED7urilor, dar i al laserelor semiconductoare, dioda este direct polarizat: ieirea Q radiaia luminoas crete eDponenial cu tensiunea aplicat diodei (n cazul unei diode ideale i(norBnd rezistena parazit) i este influenat de temperatura Q factorul care apare la partea eDponenial Q aceast dependen poate fi controlat folosind un mecanism de reacie ne(ativ pentru a obine curentul diodei independent de temperatur% Hecombinarea electron7(ol elibereaz o cuant de ener(ie 7 un foton% !rin urmare, pentru a face un semiconductor s radieze este necesar s susinem recombinarea electron7(ol% Diferena este c n diodele obinuite, aceast recombinare elibereaz ener(ie sub form de cldur 7 nu sub form de lumin (adic ntr7un alt domeniu al spectrului)% Sntr7un LED, aceste recombinri elibereaz ener(ie sub form de lumin% Hecombinarea (eneratoare de caldur se numete neradiativ, n timp ce LA0ORATORUL 1E MATERIALE 6 -/ 6 CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 recombinarea (eneratoare de lumina se numete radiativ% Sn realitate, n orice diod au loc ambele tipuri de recombinri? cnd ma=oritatea recombinrilor sunt radiative, avem un LED% #urentul direct in=ecteaza electroni n re(iunea srcit de purttori, unde ei se recombin cu (olurile n mod radiativ sau neradiativ% !rin urmare, recombinrile neradiative VconsumV din electronii eDcitai necesari recombinrii radiative, ceea ce scade eficiena procesului% 'cest fapt este caracterizat prin eficiena cuantic intern, [int , parametru care arat ce fracie din numrut total de electroni eDcitai produce fotoni% EDplicaiile de mai sus =ustific caracteristica intrare7ieire a unui LED prezentat n fi(ura Haionamentul de mai sus poate fi formalizat astfel: puterea luminoas, !, este ener(ia per secund, adic numrul de fotoni nmulit cu ener(ia unui foton, Ep % >umrul de fotoni este e(al cu numrul de electroni in=ectai, >, nmulit cu eficiena cuantic intern% )impul de via, \, al purttorilor este timpul dintre momentul n care ei sunt in=ectai n re(iunea (olit i momentul n care ei se recombin% Din acest motiv se mai folosete i denumirea de timp de via de recombinare% 1alorile sale variaz de la nanosecunde la milisecunde% )rebuie fcut distincie ntre timpul de via radiativ, 1r, i neradiativ, 1nr , astfel nct timpul de via se calculeaz cu relaia: 1/1 = 1/1r 21/1nr (.)

Eficiena cuantic intern, 3int , care arat cBi fotoni sunt radiai n raport cu numrul total de electroni in=ectai, poate fi calculat cu relaia: 3int = 1/1r (M)

)impul de cretereJdescretere, tr , este definit ntre -+] i N+] din valoarea maDim a pulsului, ca n Ei(ura 'M%

"F

*F

/i(ur" A4 a) Definirea timpului de cretereJdescretere? b) puterea de ieire% )impul de cretereJdescretere este determinat de capacitatea LED7ului %C(, de amplitudinea treptei de curent de la intrare %04 ) i de timpul de via %1( i se poate LA0ORATORUL 1E MATERIALE 6 -N 6 CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 calcula cu relaia : tr = 2.2$51 2 %1.6$10"4 $7$C(/048 (/) unde : 7 este temperatura absolut n 2elvini (+^# C *M8^2)% !entru o valoare mare a lui 04 , al doilea termen devine ne(li=abil i timpul de cretere este determinat, n ultim instan de timpul de via% Eabricanii prefer s msoare acest timp, valorile tipice ncadrBndu7se ntre * i $ ns% Ganda de modulaie, GR, este intervalul de frecvene de modulaie n cadrul cruia puterea electric detectat scade la 78dG% Sn cazul unui LED, aceasta este limitat de timpul de via al purttorilor% EDplicaia fizic a acestui principiu este urmtoarea: presupunem c un electron este eDcitat n banda de conducie? lui i ia \ ns pBn cBnd sa cad n banda de valen prin recombinare% Sn acest interval de timp nu se poate modifica starea lui, astfel ncBt cAiar dac se ntrerupe curentul direct, trebuie ateptat \ ns pBn cBnd radiaia va nceta practic%

/i(ur" AA Diod semiconductoare

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6 *+ 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222

/i(ur" AS 9enerarea luminii de o diod semiconductoare (este reprezentat doar curentul de (oluri n re(iunea de tip >) #a i diodele, toate tranzistoarele sunt sensibile la lumin% Eototranzistoarele sunt concepute special pentru Ta profitaL de acest fapt% 1arianta cea mai comun este un tranzistor >!> bipolar cu baza eDpuse% Sn acest caz, semnalul electric de intrare aplicat pe baz este nlocuit de semnal electroma(netic luminos, deci, un fototranzistor amplific variaiile de semnalului luminos de intrare% Eototranzistoarele au funcie similar cu fotodiodele Q acestea au cBti( mult mai mic, dar au timpi de rspuns mai mici%

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6 *- 6

CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 ANEXA 2 1e%criere" plcii #e te%t E"%5PIC4 !laca de test Eas !"#$, conform foii de catalo( prezentat n aneD, are urmtoarele componente principale: -% #onector pentru alimentarea plcii de la o surs de alimentare eDtern cu tensiunea de la /1 la -.1 '#JD#% *% Iumper pentru scAimbarea alimentrii cu tensiune de la sursa eDtern, la sursa calculatorului !#% 'ceast tensiune este transmis prin conectorul FSG la placa de test% 8% !ro(ramator rapid i fleDibil cu circuit miXro"#D ( "n #irciut Debu((er)% #aracteristicile acestui circuit pot fi eDtinse% !rin do@nlodarea unui nou soft@are noi vom putea pro(rama i circuite de (eneraii mai noi% $% Loca pentru senzorul de temperatur DS -/*+, care msoar temperature cu precizie de +,0#% 0% #onector de comunicaii HS*8* cu ); i H; selectabil pentru utilizarea unor microcontrollere de capacitatea mai mic% .% !entru prezentarea aplicaiilor plcii, fiecare din pinii H'+7H'0 sunt conectai i pot fi utilizai pentru msurarea tensiuilor stabilite cu poteniometri !- i !*% M% !ortul ' este conectat la o reea de rezistoare folosite de s@itcA7ul SR-% Dac acest s@itcA este pe poziia :EE, pinul apropiat n7are nici un resistor cuplat% 'ceasta este foarte important pentru utilizarea !:H)FLF" ' n mod analo( ca un convertor 'JD la fel ca un port di(ital "J:% /% Setarea =umper7ului n poziia superioar pune tensiunea de pe pinii portului apropiat pe - lo(ic% Dac =umper7ul este setat pe poziia inferioar tensiunea de pe pinii portului apropiat este pe + lo(ic% Este foarte important s selectm poziia, pentru un port dac ateptm la intrri + lo(ic sau - lo(ic% N% Soclu pentru conectarea unui afior L#D cu -. D * caractere, n mod de operare de $ bii% -+% Soclu pentru conectarea unui afior L#D cu -*/ D .$ caractere, n mod de operare de / bii% --% Socluri pentru microcontrollere cu capsule D"!/, D"!-$, D"!-/, D"!*+, D"!*/ i D"!$+, pentru folosirea pe placa de test aproape a ntre(ii (ame de &icrocAip &icroconttrolere% -*% 8. butoane de control pentru fiecare pin al microcontroller7ului% -8% !utem ale(e cum apsm butonul, care va modifica tensiunea pe pinii micro controllerului, fie n starea superioar, fie n cea inferioar% -$% 1edem semnalul pe fiecare pin cu a=utorul LED7urilor% -0% 'fioare din M se(mente n modul multipleD, pentru afiarea valorilor% -.% #omutator :>, :EE pentru LED7urile porturilor ',G,#,D i E% !utem scAimba LA0ORATORUL 1E MATERIALE 6 ** 6 CATE1RA TE/

LUCRAREA NR.4 MATERIALE OPTOELECTRONICE 2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 portul a crui LED dorim s7l conectm% De asemenea, putem scAimba di(iii pe care dorim s fie pe poziia descAis% Sn aplicaiile bine definite este important s decuplm toate coneDiunile care nu sunt necsare de la pinii microcontrollerului% -M% 'cordul contrastului L#D% -/% #ontrolul sursei de alimentare% -N% #omunicaie FSG pentru &#F% *+% #onector pentru tastatur% *-% Guton KRe%etK al plcii de test%

LA0ORATORUL 1E MATERIALE

6 *8 6

CATE1RA TE/