Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
4
MATERIALE OPTOELECTRONICE
1. Scopul lucrrii
Scopul acestei lucrri de laborator este cunoaterea unor materiale folosite n
optoelectronic, msurarea caracteristicilor unor dispozitive optoelectronice: diode
luminiscente (LED) i fototranzistoare, precum i prezentarea unor aplicaii ale
dispozitivelor optoelectronice cu placa de test EasyPIC 4.
2. Noiuni teoretice
Materialele semiconductoare utilizate, pentru realizarea dispozitivelor
optoelectronice, sunt prezentate n ANEXA 1 a lucrrii de laborator.
3. Scurt prezentare a aparaturii de msur i control
Aparatura de msur i control utilizat la aceast lucrare, conform figurii 1, este
urmtoarea :
3.1 GI este un generator de impulsuri TTL care asigur impulsurile de comand
necesare generatorului de trepte GT i care va fi utilizat n urmtoarele domenii:
20 200 s pentru vizualizri
0,2 2 s pentru msurtori de tensiune
3.2 GT este un generator de trepte de tensiune care furnizeaz 16 trepte la ieirea a,
8 trepte la ieirea b i o tensiune constant de cca 15V la isirea +15V. Pentru a
realiza protecia componentelor supuse msurtorilor n serie cu ieirile a, b sunt
nseriate rezistene de limitare a curentului de 1K de care trebuie inut cont n
anumite cazuri.
3.3 VE este un multimetru de precizie 6 digii de tipul HM 8112-3 utilizat ca
voltmetru electronic cu autoscalare.
3.4 O este un osciloscop cu dou canale de tipul GOS 635G 35MHz i cu
posibilitatea de a lucra i n regim X-Y.
3.5 ME este montajul cu ajutorul cruia se vor face msurtorile i conine un LED
rou (LR), un LED verde (LV), dou LED-uri de infrarou (L1, L2) care au
caracteristici identice i dou fototranzistoare (F1, F2) deasemeni identice.
Notaiile folosite sunt cele care se gsesc inscripionate pe aparate iar semnele au
urmtoarele semnificaii:
fir cu conector de tip banan de 4mm sau cu pin de 1mm ;
borna de 4mm ;
LABORATORUL DE MATERIALE
CATEDRA TEF
-2 -
CATEDRA TEF
-3 -
CATEDRA TEF
-4 -
CATEDRA TEF
Tabelul 1
Treapta
Dioda LI
Dioda LV
Dioda LR
Ux
Uy
ID = Uy/R1
UD = U x U y
Ux
Uy
ID = Uy/R1
UD = U x U y
Ux
Uy
ID = Uy/R1
UD = U x U y
9 10 ...
16
[mV]
[mV]
[mA]
[mV]
[mV]
[mV]
[mA]
[mV]
[mV]
[mV]
[mA]
[mV]
5
LABORATORUL DE MATERIALE
-5 -
CATEDRA TEF
Tabelul 2.
Treapta
UB
UA
IL1 = UB / R1
IF1 = UA / R2
1
UA
IF2 = UA / R2
2
R2 = 1,6 K
3
[mV]
[V]
[mA]
[mA]
[lx]
[V]
[mA]
[lx]
6
LABORATORUL DE MATERIALE
-6 -
CATEDRA TEF
7
LABORATORUL DE MATERIALE
-7 -
CATEDRA TEF
Tabelul 3
R2 =1,6 K
Treapta
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
IL1 =
L1 =
1
Ua
UY
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
Uy
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
UY
I C = UY / R 2
UCE
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
[V]
[mA]
[V]
9 10 ... 16
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
...
8
LABORATORUL DE MATERIALE
-8 -
CATEDRA TEF
-9 -
CATEDRA TEF
- 10 -
CATEDRA TEF
5.
6.
5. Coninutul referatului
scopul lucrrii ;
graficul reprezentnd corelaia dintre cele dou semnale date de GT ;
tabelul 1 i graficul I=f(UD) pentru cele trei diode msurate ;
tabelul 2 i graficul =f(IL) ;
tabelul 3 i graficul IC=f(UCE)=ct. ;
comentarii i concluzii privind aplicaiile dispozitivelor optoelectronice puse n
eviden cu placa de test EasyPIC4.
11
LABORATORUL DE MATERIALE
- 11 -
CATEDRA TEF
ANEXA 1
Materiale semiconductoare utilizate pentru realizarea fotodiodelor.
Materialele semiconductoare utilizate pentru realizarea fotodiodelor sunt:
InP (Eg = 1.35 eV);
In1-xGaxAsyP1-y (Eg = 0.75 - 1.18 eV);
GaAs (Eg = 1.41 eV);
AlxGa1-xAs (Eg = 1.41 - 2.2 eV);
GaN (Eg = 3.44 eV);
GaP (Eg = 2.24 eV);
Si (Eg = 1.1 eV);
SnO2 (Eg " 3.6 - 3.8 eV).
Structuri monocristal utilizate n optoelectronic sunt prezentate n tabelul A1
Tabel A1
Crystal
Structure
Lattice
a
Wafer
Max Size
Al2O3
Hexag.
4.758
6" dia
MgO
Cubic
4.216
3" dia
MgAl2O4
Cubic
8.083
1.5" dia
ZnO
Hexag.
3.252
10x10mm
SiC(6H)
Hexag.
3.08
10x10mm
LiAlO2
Tantra
5.17
30mm dia
LiGaO2
Orthor.
5.406
30mm dia
12
LABORATORUL DE MATERIALE
- 12 -
CATEDRA TEF
13
LABORATORUL DE MATERIALE
- 13 -
CATEDRA TEF
- 14 -
CATEDRA TEF
- 15 -
CATEDRA TEF
h c0
n
Dac recombinarea are loc ntre alte stri energetice, simplu, se nlocuiete E C - EV cu
E, diferena relevant de energie.
Pe LED-ul alimentat se gsete o tensiune direct de 1,1 la 1,5 V. Diodele emiatoare
de lumin cu lungimi de und mai mici (ex. 850 nm) au cderi de tensiune mai mari
i pe msur ce lungimea de und crete cderea de tensiune scade. Acest fenomen
poate fi pus n legtura cu energia Eg a benzii interzise a materialului LED-ului.
Ecuaia de mai jos definete energia benzii interzise Eg:
Eg=hc/ = 1240eV-nm/, unde h este constanta lui Plank = 4.13 x 10-15 eVs,
c = viteza luminii = 2.998 x 10 8 m/s i l = lungimea de unda n nm. Folosind aceasta
ecuaie se poate calcula energia benzii interzise a unui LED, tiind lungimea de und
a radiaiei emise.
Cderea de tensiune pe diferite LED-uri, care funcioneaz la un curent de
aproximativ 20 mA:
INFRAROU: aprox 1.4-1.9V
ROU: aprox 1.8 V
GALBEN: aprox 2.0 V
VERDE: aprox 2.1 V
ALBASTRU: 3 to 3.6 V
ALB: 3 to 3.6 V
Alimentarea unui LED de la o surs DC se realizeaz de regul printr-o rezisten n
serie care limiteaz curentul la valoarea necesar pentru LED. Valoarea rezistorului
n ohmi, conectat n serie cu LED-ul este dat de relaia :
RS = (Va VacLED) / IacLED
Tabelul A2 Materiale optoelectronice uzuale i caracteristicile de baz
Lungimea de
Materialul
Energia Eg
unda
GaP
2.24 eV
550 nm
AIAs
2.09 eV
590 nm
GaAs
1.42 eV
870 nm
InP
1.33 eV
930 nm
AIGaAs
1.42-1.61 eV
770-870 nm
16
LABORATORUL DE MATERIALE
- 16 -
CATEDRA TEF
17
LABORATORUL DE MATERIALE
- 17 -
CATEDRA TEF
- 18 -
CATEDRA TEF
19
LABORATORUL DE MATERIALE
- 19 -
CATEDRA TEF