1.

4 Funcionarea n comutaie a tranzistoarelor bipolare (TB / BJT)

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive active realizate cu cte dou
jonciuni p-n, iar n funcie de tipul dopajului semiconductorului bazei se obine
TB-PNP, respectiv TB-NPN. n literatura tehnic de limb englez se folosete
acronimul BJT (Bipolar Junction Transistor) pentru a desemna aceast mare
clas de dispozitive semiconductoare, care se pot utiliza i n regim de comutaie
electronic.
Din punct de vedere al polarizrii, al sensurilor curenilor principali prin
dispozitiv, al polaritii tensiunilor ntre electrozi i polaritii semnalelor de
intrare i de ieire, tranzistoarele bipolare NPN sunt inverse fa de
tranzistoarele bipolare PNP.
ntruct mobilitatea electronilor ca purttori de sarcin este mai mare
dect mobilitatea golurilor, n aceleai condiii de polarizare e 1,6 g ,
atunci pentru realizarea comutatoarelor electronice vor fi preferate tranzistoarele
bipolare NPN, care sunt fabricate ntr-o mult mai mare varietate de tipuri.
n majoritatea aplicaiilor, pentru studiul comportrii n regim de
comutaie (n impulsuri) a dispozitivelor semiconductoare realizate cu jonciuni
p-n se folosete modelul analitic cu control prin sarcin (CCM Charge
Control Model) propus n 1957 de fizicienii Richard Beaufoy i John Jackson
Sparks. Modelul a fost mbuntit n 1970 i adaptat pentru utilizare n
programul de simulare Spice de ctre fizicienii Herman Gummel i H.C. Poon.
Modelul cu control prin sarcin este aplicabil tuturor dispozitivelor
semiconductoare cu jonciuni, dar se folosete cel mai frecvent pentru diode i
tranzistoare bipolare n regim de comutaie electronic.
n esen, acest model analizeaz circulaia purttorilor minoritari i a
purttorilor majoritari prin jonciunea p-n i propune urmtoarea relaie liniar
aditiv pentru calculul curentului ce strbate o jonciune p-n:
id (t )

du j
dQm Qm dQM dQm Qm

Cj
dt
0
dt
dt
0
dt

(1.20)

n care se identific urmtorii cureni:

dQm dt este componenta curentului datorat creterii sarcinii electrice a
purttorilor minoritari, aflai n exces n semiconductorul mai puternic
dopat;
Qm 0 este componenta curentului necesar pentru exprimarea variaiilor
de sarcin electric datorit recombinrilor n volumul semiconductorului,
0 fiind timpul efectiv de via al minoritarilor;
- dQM dt este componenta curentului datorat scderii sarcinii
electrice a purttorilor majoritari. Variaia de sarcin ce corespunde
majoritarilor se poate exprima funcie de caracteristicile diodei astfel:

1 din 34

du
Cdifuzie d 0 , la polarizare directa

du j
dQ
dQ du j
dt
M M
C j

du
dt
du j dt
dt
Cbariera inv , la polarizare inversa

dt
Tranzistoarele bipolare au trei tipuri de montaje caracteristice:
BC baz comun, EC emitor comun, CC colector comun.
Toate aceste montaje sunt caracterizate de coeficieni de transfer n curent
specifici

1 i de frecvene maxime de lucru n circuite de

amplificare, semnificativ diferite ca valori numerice f f f fT ,

conform reprezentrii din figura 1.9.
Comportarea tranzistoarelor bipolare, indiferent de montajul caracteristic
n care sunt folosite, este de natur integratoare, ntrzietoare pentru semnal,
asemntoare cu a filtrelor trece jos (FTJ).
Fiecrei frecvene limit superioar din reprezentarea realizat n figura
1.9 i corespunde o pulsaie limit, specific modului de conectare al TB,
pulsaie care reprezint inversul constantei de timp de ntrziere a TB.

Constantele de timp se pot exprima conform urmtoarelor relaii:

BC :

1
1
1

;
2 f 2 fT

EC :

1
1

;
2 f 2 f 2 fT

CC :

1
1

.
2 f 2
f 2 fT

2 din 34

(1.39)

Constanta de timp cea mai mic o are montajul baz comun BC, dar are
amplificarea n curent cea mai mic (cvasi-unitar).
Montajul emitor comun EC are constanta de timp de ntrziere mai mare,
dar prezint avantajul esenial al amplificrii maxime n putere.
Montajul colector comun CC are aproximativ aceeai ntrziere ca
montajul emitor comun, are cea mai mare amplificare n curent, dar amplificarea
n tensiune este aproximativ unitar, motiv pentru care se i numete repetor pe
emitor.
Din punct de vedere al regimului de funcionare, BJT (Bipolar Jonction
Transistor) se pot afla n una din urmtoarele situaii (a se vedea i figura 1.10):
- regim de blocare, cu ambele jonciuni polarizate invers, astfel nct
U BE U CE U CE max , nu se depete limita de prim strpungere;
- regimul de avalan controlat, cu jonciunea baz-emitor polarizat
invers, n timp ce jonciunea baz colector este polarizat invers astfel
nct U CE U CE max tensiune peste limita de prim strpungere, dar
U CB U CB max , nu se depete limita de strpungere secundar, termic;
- regim activ normal, cu jonciunea baz-emitor polarizat direct peste
valoarea de deschidere a diodei, U BE 0,6V , n timp ce jonciunea baz
colector este polarizat invers cu tensiune U CE U CE max , sub limita de
prim strpungere;
- regim de saturaie, cu ambele jonciuni polarizate direct peste limita de
deschidere a jonciunilor, respectndu-se condiia 0 U CEsat U BEsat ;
- regim activ invers, cu jonciunea baz-emitor polarizat invers i
jonciunea baz-colector polarizat direct astfel nct U BC 0,6V ; n
acest caz se inverseaz sensul curentului principal prin tranzistor.
Comutaia tranzistorului bipolar se poate efectua numai prin comanda n
curent prin baz, n dou moduri distincte:
- Comutaia forat, ntre regiunea de blocare i cea de saturaie, caz n
care se folosete supracomanda cu I B I Bsat I Csat , adic gradul de saturaie
este supraunitar:
S I B I Bsat ODF 1

(1.40)

Gradul de sturaie se mai numete i factor de supracomand (Over Drive

Factor ODF) i nu are sens dect prin raportare la comutaia forat.
- Comutaia n regiunea activ, ntre regiunea de blocare i regiunea
activ normal, caz n care comanda n baz este sub nivelul de atingere a
saturaiei I B I Bsat , ceea ce corespunde la grad de saturaie subunitar S 1 .

3 din 34

1.4.1 Funcionarea n comutaie forat a tranzistoarelor NPN

Se consider schema unui comutator cu tranzistor n montaj EC cu sarcin
pur rezistiv RS i limitare rezistiv a comenzii pe baz prin RB , ca n figura
1.11a, unde s-a reprezentat i capacitatea parazit raportat la colectorul
tranzistorului comutator.
n figura 1.11b este prezentat schema unui etaj amplificator de impulsuri
video dreptunghiulare, cu cuplaje capacitive la intrare i ieire, cu funcionare n
comutaie forat a tranzistorului, polarizat cu divizor rezistiv n baz.

Punctul static de funcionare (PSF) al tranzistorului comutator se

stabilete astfel nct consumul schemei n care este conectat s fie minim n

4 din 34

lipsa semnalelor de comand. De obicei PSF se alege n stare de blocare, fiind

notat M1 i avnd coordonatele:
M1 ( I CM1 0,1mA; I BM1 2A;U CEM 1 Eal ;U BEM1 0,3 0,4V)
Prezena capacitii parazite raportate la colectorul comutatorului face ca
timpii de comutaie ai tranzistorului bipolar s fie majorai cu duratele timpilor
de integrare introdui de prezena capacitii parazite asupra fronturilor
semnalelor de comand.
Prezena capacitii parazite n circuit permite efectuarea accelerat a
salturilor de curent prin tranzistor, potrivit nivelului comenzii aplicate, dup care
urmeaz excursia punctului dinamic de funcionare n planul caracteristicilor
statice de ieire ale tranzistorului astfel nct s se pun de acord cantitatea de
sarcin din capacitatea parazit cu diferena de potenial colector-emitor.
Dup comutaia direct forat se ajunge n punctul de funcionare din
regiunea de saturaie, notat M2 i avnd coordonatele:
I CM
E
M 2 ( I CM 2 al ; I BM 2 S 2 ;U CEM 2 U CEsat 0,2V;U BEM 2 U BEsat 0,65V)
RS

Comutaiei directe a TB i corespunde excursia punctului dinamic de

funcionare pe traseul M1AM2 ceea ce presupune parcurgerea succesiv a dou
procese:

5 din 34

D.1 - acumularea de sarcin electric a minoritarilor n exces n

semiconductorul bazei pe durata creterii curentului de colector, potrivit
traseului M1A, fiind respectate relaiile modelului cu control prin sarcin:
iB

du
QB dQB
du

C jBC CB C jEB EB

dt
dt
dt

iC

du
QB
C jBC CB

dt

iE iC iB

(1.41)

QB QB dQB
du

C jEB EB

dt
dt

D.2 - descrcarea total a capacitii parazite raportat la colectorul

tranzistorului, punndu-se de acord cu starea de conducie a tranzistorului,
potrivit traseului A M2:

tdesc C p 3 desc C p 3 C p rCE sat RS

3 Cp rCEsat

(1.42)

n regiunea de saturaie ambele jonciuni ale TB-NPN sunt polarizate

direct i capacitile jonciunilor sunt capaciti de difuzie, cu valori neglijabile.
Ca urmare, sarcina de minoritari n exces stocai n semiconductorul bazei pe
durata comutaiei directe forate evolueaz conform unui proces tranzitoriu de
ordinul I:

t
QB (t ) Qmax 1 exp

echiv

I BM 2 1 exp

(1.43)

innd cont c la limita de intrare n zona de saturaie se obine

QB (tcQB ) I Bsat , va rezulta timpul de cretere al sarcinii acumulate n baz
pn la intrarea tranzistorului n saturaie, dat de relaia:
tcQB ln

I BM 2 I BM1
QB () QB (0)
ln
QB () QB (tcQB )
I BM 2 I Bsat

(1.44)

Dac se ine cont de faptul c I BM1 0 , mprind prin I Bsat i la

numrtor i la numitor n fracia de sub logaritm, se va obine relaia:

tcQB ln

I BM 2 / I Bsat

I BM / I Bsat

S
ln
1
S 1

(1.45)

Din relaia anterioar, pentru grad de saturaie foarte mare rezult timp
S

foarte mic de acumulare a sarcinii n exces n baza TB, lim ln

0 .
S
S 1

6 din 34

Timpul de comutaie direct al tranzistorului bipolar se obine prin

nsumarea timpilor dai de relaiile (1.45) i (1.42), astfel
tonTB tcQB tdesc C p ln

S
3 C p rCE sat
S 1

(1.46)

Diagramele semnalelor caracteristice pentru funcionarea TB n comutaie

forat sunt prezentate n figura 1.13.
Comutaiei inverse a TB i corespunde excursia punctului dinamic de
funcionare pe traseul M2M2sBM1 ceea ce presupune parcurgerea succesiv a trei
procese considerate distincte (fr suprapuneri n timp):
I.1 - Evacuarea sarcinii electrice a minoritarilor n exces, stocat n
semiconductorul bazei pe durata saturaiei tranzistorului, potrivit traseului
M2M2s, fiind respectate relaiile modelului cu control prin sarcin i variaia
exponenial descresctoare a sarcinii din baz cu constanta de timp st ,
condiie respectat de majoritatea TB difuzate simetrice:

t
QB* (t ) QB* () QB* (0) exp QB* ( )
st

(1.47)

*
*
n care QB () st I BR I BR , QB (0) I BM 2 , iar la limita de ieire

*
din saturaie se obine QB (t st ) I BM 2 s I Bsat QBs .

Conform limitelor QB* (t ) rezult timpul de stocare conform relaiei:

QB* QB* 0

t st st ln

*
*
QB QB t st

I BR I BM 2
ln
I BR I Bsat

(1.48)

La majoritatea tranzistoarelor bipolare curentul de baz invers de

evacuare a sarcinii stocate n baz este mult mai mic dect valoarea curentului
de baz direct, pentru atingerea limitei de saturaie, I BR = I Bsat I BM 2 . Dac se
neglijeaz curentul de baz de evacuare, din relaia (1.48) va rezulta relaia
uzual pentru calculul timpului de stocare:
I BM 2
ln S
I
Bsat

tst ln

(1.49)

Din aceast relaie rezult c timp de stocare exist numai n cazul

comutaiei forate, S 1 pentru respectarea condiiei de existen a logaritmului.
Dac gradul de saturaie este mai mic dect baza logaritmului natural
S e 2,72 atunci timpul de stocare este mai mic dect constanta de timp .

7 din 34

I.2 Tranziia din conducie n blocare a TB prin salt descresctor al

curentului de colector, potrivit traseului M2sB, anularea prin descretere rapid a
sarcinii stocate n baz conform unei variaii similare cu (1.47), dar n alte
condiii iniiale, rezultnd timpul de descretere a sarcinii conform relaiei:
I BR I Bsat

I
ln 1 Bsat

I BR 0
I BR

tdQB ln

(1.50)

Dac curentul de baz de saturaie este mai mare cu un ordin de mrime

dect curentul de baz invers de evacuare a sarcinii stocate n baz
I Bsat 10 I BR , atunci tdQB ln 11 2,4 , adic are valori chiar mai
mari dect timpul de stocare. Dac prin circuitele de polarizare a bazei TB se

8 din 34

asigur creterea curentului de baz invers de evacuare a sarcinii, de exemplu

prin folosirea unei inductane LB n locul rezistorului RB n figura 1.11.a, atunci
se poate ajunge la I Bsat I BR , ceea ce nseamn tdQB ln 2 0,7 .
I.3 - rencrcarea capacitii parazite raportat la colectorul TB,
punndu-se de acord cu starea de blocare a tranzistorului, potrivit traseului BM 1
n planul caracteristicilor statice de ieire:

tinc C p 3 inc C p 3 C p rCE blocare RS

3 Cp RS

(1.51)

Timpul de comutaie invers al tranzistorului bipolar se obine prin

nsumarea timpilor dai de relaiile (1.49), (1.50) i (1.51), astfel:
toff TB tst tdQB tinc C p ln S 2,4 3 Cp RS

(1.52)

Puterea maxim disipat de tranzistorul comutator se va determina pentru

starea de saturaie, folosind relaia:
Pd TB I BM 2 U BEsat I CM 2 U
CEsat

(1.53)

1.4.2 Exemplu de calcul pentru amplificator n comutaie cu TB

Se consider un un etaj amplificator de impulsuri cu funcionare n
comutaie, realizat conform schemei din figura 1.11.b, la care se cere s asigure o
putere de minim 10 W pe o rezisten de sarcin RS 1k /16W fiind comandat
cu impulsuri compatibile TTL cu durata ti 20s , factor de umplere i 0,25 .
Se consider o capacitate parazit total raportat la colectorul TB de
C p 50pF . Se cere calculul timpilor de comutaie forat ai TB, calculul
elementelor rezistive de polarizare a TB, puterea disipat de TB, calculul
capacitilor de cuplaj. Pentru impulsurile amplificate la ieire se accept un
timp de front maxim de t front max 1s i o cdere de amplitudine pe palier
U ies 0,5V .
1. Calculul tensiunii de alimentare
Pornind de la relaia (1.55) care este valabil i n acest caz, rezult
curentul de colector minim necesar prin tranzistor n saturaie conform relaiei:
I CM 2

PdRS
RS

10
0,1A=100 mA
103

(1.57)

Tensiunea de alimentare necesar amplificatorului, n ipoteza utilizrii

unui tranzistor care are U CEsat 0,5V , se calculeaz cu relaia:
Eal I CM 2 RS U CEsat 0,1 103 0,5 100,5 V

9 din 34

(1.58)

Se alege o tensiune de alimentare Eal 108V provenit de la un set de 9

acumulatori de 12 V pentru UPS (Uninteruptibile Power Supply).
2. Alegerea tranzistorului bipolar
Trebuie satisfcute trei criterii:
2.1.
suportarea tensiunii de alimentare U CE max Eal ;
2.2.
suportarea tensiunii de comand U BE max U BEcom kd U in ,
tensiunea de comand putnd fi adaptat prin divizor de amplitudine
adecvat;
2.3.
rspuns dinamic pe fronturi cel puin la nivelul cerut,
max tonTB ; toffTB t f max

Referitor la acest criteriu este necesar utilizarea relaiei care face legtura
ntre timpul de comutaie al unui cuadripol idealizabil i banda de frecvene a
acestuia.
Etajul amplificator de impulsuri cu funcionare n comutaie poate fi
considerat o structur cascad format dintr-un filtru trece jos (FTJ-LPF) ce
corespunde comportrii integratoare a elementului activ comutator electronic i
un filtru trece sus (FTS-HPF) ce corespunde comportrii circuitelor capacitive
de cuplaj, conform reprezentrii din figura 1.14.
Aplicnd principiul superpoziiei efectelor celor dou filtre echivalente
considerate n schema echivalent a amplificatorului de impulsuri va rezulta
expresia funciei de transfer normate astfel:
1
1
M j M J j M S j

(1.59)
1 j
1 j j
s

Caracteristica amplitudine-frecven CAF este reprezentarea modulului

funciei de transfer normate, exprimat astfel:

10 din 34

1
1

j
1 j

1 j j
s

1
s

1
1

2
2
2
2
j

1

s

s
s

M j

j
s
1

1 j

(1.60)

M J j M S j

0 i rezult o
s
anumit valoare a pulsaiei, denumit pulsaia de cvasi-rezonan CVR pentru
care se obine maximul CAF, astfel:
Caracteristica CAF are numai parte real dac

CVR j s

M j

max

1
(1.61)

Caracteristica faz-frecven CFF este reprezentarea argumentului

funciei de transfer normate, exprimat astfel:

j

arctg

M j M J j M S j arctg
Caracteristica faz-frecven
cvasi-rezonan CVR .

se

anuleaz

CVR j s M jCVR arctg

pentru

pulsaia

j
j
arctg
0
s
s

(1.62)
de

(1.63)

Reprezentarea caracteristicilor CAF i CFF este cea din figura 1.15 i este
realizat pe baza relaiilor (1.60) i (1.62), innd cont i de concluziile (1.61) i
(1.62).

11 din 34

Pe baza acestor caracteristici se poate determina banda de frecvene a

amplificatorului, definit ca intervalul de frecvene pentru care coeficientul de
transfer n amplitudine se menine cvasi-constant n jurul valorii maxime, nu
coboar sub 1/ 2 0, 707 , iar caracteristica de faz este liniarizabil i

realizndu-se defazaje ale semnalelor cuprinse n intervalul , .

4 4

1
s j
2

f s f j B f

(1.64)

Pentru determinarea funciei indiciale a unui cuadripol se aplic la

intrarea sa semnal treapt unitate, exprimat prin relaia:
uin t 1 t lim 1 t exp t
0

(1.65)

Imaginea armonic a acestui semnal se obine prin aplicarea transformatei

Fourier directe, conform relaiei:
U in j F 1 t

1 t exp
lim
0

lim 1 t exp j t dt

exp jt dt

(1.66)

Considernd amplificatorul de impulsuri un cuadripol liniarizabil n banda

de frecvene, cu un ctig K j K const. i un defazaj al tuturor
componentelor spectrale 0 t0 , pentru comanda cu impulsuri
dreptunghiulare ideale rezult diagramele de semnale din figura 1.16.

12 din 34

Expresia analitic a funciei treapt unitate cu funcii trigonometrice se

obine prin aplicarea transformatei Fourier inverse expresiei obinute n (1.66).
1

1 t Re F U in j Re
U in j exp jt d

(1.67)

1 cos t

1
sin t
1 1
sin t
Re

Expresia analitic a funciei indiciale pentru cuadripolul idealizabil n

intervalul de pulsaii j , s este dat de relaia:

K K
sin t
h t K 1 t
d
2 0

sin t t0
d

(1.68)

Pentru determinarea pantei de variaie a funciei indiciale

amplificatorului idealizabil pe duratele timpilor de front se deriveaz (1.68):

dh t K s
K
cos t t0 d
dt

sin s t t0

s t t0

sin j t t0

j t t0
(1.69)

Pentru determinarea acestei pante la nceputul timpului de front cresctor

se trece la limit n relaia (1.69), astfel:
dh t K
s j
t t0 dt

h t0 lim

13 din 34

2 K f s

fj

2 K B f (1.70)

Aceeai mrime, grafo-analitic se poate exprima pe baza diagramei pentru

uies (t ) n figura 1.16, astfel:
h t0

dh t0
K
tg
dt
tf

(1.71)

Egalnd membrii din dreapta ai ecuaiilor (1.70) i (1.71) va rezulta

relaia:
tf

1
0,5

2 B f
f s f j s j

(1.72)

Aceast relaie exprim legtura dintre timpul de front (de tranziie) al

impulsurilor transferate prin amplificatorul idealizabil i banda de frecvene a
acestuia. La amplificatoare de impulsuri video este respectat relaia de ordine
f s ? 103 f j , ceea ce are ca implicaii directe s ? 103 j i B f f s .
Revenind n relaia (1.72) cu aceste concluzii va rezulta:
tf

0,5

sTB toffTB
f s s

(1.73)

Cunoscnd exprimarea 2 fT din relaia (1.39), corelnd cu

(1.73) va rezulta c parametrii dinamici ai tranzistorului bipolar din
amplificatorul de impulsuri trebuie s respecte relaia:

tf

t f max
2 fT 2 fT

fT
0,5

t f max

(1.74)

De unde rezult c tranzistoarele bipolare din amplificatoare de impulsuri

n comutaie nu trebuie s aib un mare, dar trebuie s aib o frecven de
tranziie ct mai mare pentru a deforma ct mai puin fronturile impulsurilor
amplificate.
n cazul exemplului numeric ce s-a considerat rezult ca necesar
fT
0,5

0,5 MHz .
satisfacerea condiiei
1 106
Lund n considerare criteriile 2.1 2.3, din catalog de tranzistoare se
poate alege tranzistor NPN din familia BF457, BF458, BF459, tranzistoare
planar epitaxiale de mic putere i nalt tensiune.
Pentru tranzistorul BF 457 se specific fT 50MHz , min hFE 25 ,
I CM 100mA , U BE max 5V , U CE max 160V , U CEsat 1V i U BEsat 0,7 V .

14 din 34

3. Calculul elementelor rezistive, de polarizare i de cuplaj

Pentru ca efectul de amplificare s se obin preponderent pe rezistena
din colectorul TB este necesar ca rezistena din circuitul de cuplaj de ieire s fie
mai mare cu cel puin un ordin de mrime fa de rezistena de sarcin.
Rc 10 RS 10k

(1.75)

Pentru a utiliza rezistoare de puteri rezonabile (sub 0,5W) i

condensatoare de cuplaj de valori mai mici se alege o valoare standardizat
Rc* 22k / 0,5W .
Pentru ca timpul de stocare al TB s nu creasc, el contribuind la
ntrzierea frontului cresctor al impulsurilor amplificate, se secomad ca gradul
de saturaie s respecte condiia 1 S 2 . Alegnd S 1,5 va rezulta un curent
de baz de comand conform relaiei:
I CM
S 2

I
I BM 2 S I Bsat S Csat

1,5

100
= 6 mA
25

(1.76)

Curentul prin divizorul rezistiv de polarizare a bazei TB se calculeaz din

condiia de a putea asigura punctul static de funcionare n blocare i saturaia
tranzistorului prin comutaie direct cu gradul de saturaie ales.
I div 10 I BM 2 60 mA

(1.77)

Rezistenele din divizorul depolarizare a bazei se vor calcula cu relaiile:

RB1
RB2

Eal U BEM 1
I div I BM1
U BEM1
I div

Eal
108

1,8k
I div 60 103

0,4
6,6
60 103

(1.78)
(1.79)

Puterea disipat de aceste rezistene se calculeaz cu relaiile:

2
Pd RB1 I div
RB1 0,062 1,8
10
3

6,48W

2
Pd RB 2 I div
RB2 0,062 6,8 24 mW

(1.80)

Ca urmare se opteaz pentru folosirea unui rezistor bobinat

RB1 1,8 k / 7W i un rezistor chimic RB 2 6,8 / 0,5W .
Rezistorul serie din baz n figura 1.11.b se dimensioneaz din condiia de
a asigura o tensiune baz-emitor de cel puin U BEcom 1V .
La trecerea impulsurilor dreptunghiulare pozitive prin capacitatea de cuplaj
de intrare este blocat componenta continu U in 0 i UTTL 0,25 4 1V .
Tensiunea efectiv de comand a tranzistorului NPN va fi UTTL U in 0 4 1 3V
. ntruct U BEcom kd UTTL U in 0 rezult c este necesar un coeficient de

15 din 34

divizare kd 0,33 . Coeficientul de divizare a amplitudinii semnalului de comand

i rezistena serie din baz sunt date de relaiile:
kd

RB2 RB1
RBs RB2 RB1

RB2
RBs RB2

1 kd
1 0,33
RBs RB2
6,8
13,8
kd
0,33

(1.81)

Se poate folosi un rezistor chimic RBs 12 / 0,5W .

4. Calculul timpilor de comutaie ai TB
Timpul de comutaie direct se calculeaz folosind relaia (1.46). Pentru
aceasta trebuie calculat constanta de timp i rezistena de conducie n
saturaie a TB.

25

79,5 ns
2 fT 2 50 10
6

rCE sat

U CEsat
1

10
I CM 2
0,1

tonTB tcQB tdesc C p 79,5 109 ln

1,5
3 50
1012 10 89ns
1,5 1

Timpul de comutaie invers se va calcula pe baza relaiei (1.52), astfel:

toff TB tst tdQB tinc C p 79,5 109 ln 1,5 2,4
3 50
1012 1 10
3 373 ns
Se poate constata c ambii timpi de comutaie calculai pentru tranzistorul
bipolar amplificator sunt sub valoarea maxim impus prin cerine pentru timpul
de front al impulsurilor amplificate.
5. Calculul puterii disipate de TB
Puterea maxim disipat de tranzistorul amplificator n comutaie se va
determina pentru starea de saturaie, folosind relaia (1.53):
Pd TB 6 103 0,7 100 10
3 1 105
mW
Aceast valoare este cu mult sub limita Ptot 1,2 W indicat n catalog
pentru tranzistorul ales, BF 457.
6. Calculul elementelor capacitive de cuplaj
Capacitile de cuplaj au ca efect separarea galvanic a amplificatorului
de impulsuri la intrare i la ieire, precum i deformarea palierelor impulsurilor

16 din 34

prin determinarea unor cderi de amplitudine pe paliere, cauzate de ncrcarea

acestor capaciti din energia semnalelor transferate.

Variaia tensiunii la bornele unei capacitii de cuplaj de ieire, care este

cea mai important din punctul de vedere al distorsiunilor impulsurilor
amplificate, este descris ca un proces tranzitoriu de ordinul I, printr-o relaie
similar cu (1.23), astfel:
uC2 (t ) U C2 (0) U C2 () exp( t / inc C2 ) U C2 ( )

(1.82)

n acest caz U C2 0 0 , U C2 U ies Eal U CEsat Eal , iar constanta

de timp de ncrcare este mult mai mare dect durata impulsurilor fiind dat de
relaia:

inc C2 C2 Rc rCEsat C2 Rc ? ti

(1.83)

Folosind aceste concluzii se poate rescrie relaia (1.82) astfel:

uC2 (t ) U ies 1 exp(t / inc C2 ) Eal 1 exp t / C2 Rc

(1.84)

La finalul intervalului de timp ce corespunde duratei impulsului se poate

dezvolta n serie Taylor expresia anterioar, ntruct ti incC2 0 :
uC2 (ti ) U ies U ies 1 exp( t / inc C2 )
2

t
t
1
t
i
i

U ies 1 1

... U ies i

inc C2 2! inc C2
inc C2

17 din 34

(1.85)

Din aceast relaie rezult condiia de dimensionare a constantei de timp

de cuplaj innd cont de limita impus prin cerine asupra distorsiunilor admise
pe palierele impulsurilor de ieire:
U
inc C2 C2 Rc ti ies
U ies

(1.86)

Capacitatea din circuitul de cuplaj de ieire se va calcula astfel nct cderea

de aplitudine pe palier s fie sub valoarea cerut, alegnd o valoare standardizat
care s respecte una din urmtoarele condiii:
C2

ti U ies

Rc U ies

sau

C2

ti
100

Rc U ies / U ies %

(1.87)

Pentru exemplul numeric ce s-a considerat va rezulta:

ti
Eal
20 106 108
C2

196 nF
Rc U ies 22 103 0,5

(1.88)

Se alege condensator cu mylar, C2 0,22F / 250V , nepolarizat.

Cderea relativ de amplitudine pe palier admis, n exprimare

0,45% . Aceast cerin

procentual, va fi U ies / U ies 100 0,5/108 100
trebuie respectat i de ctre circuitul de cuplaj de la intrare care va avea
constanta de timp de ncrcare dat de relaia:

inc C1 C1 RBs RB2 RB1 rBEcond

C1 RBs RB2 ? ti

(1.89)

Capacitatea de cuplaj din circuitul de intrare va respecta condiia:

C1

ti
100
20 106 100

236F
RBs RB2 U ies / U ies % 12 6,8 0,45

(1.90)

Se poate utiliza un condensator electrolitic C1 470F / 16V ,

condensator polarizat care va fi montat n sensul ncrcrii, cu armtura minus
pe baza tranzistorului i cu cea pozitiv ctre generatorul de semnal de comand,
dup cum este prezentat i n figura 1.11.b.
n acest exemplu cerinele pentru timpii de front i cderea relativ de
amplitudine pe palier sunt destul de restrictive.
Dac nu se fac astfel de specificaii la cerine pentru AI, se accept practic
distorsiunile industriale:
t f max 0,1 min ti ;Tr ti pentru deformarea fronturilor;
U ies / U ies % 10% , pentru deformarea palierelor.

18 din 34

1.5. Funcionarea n comutaie a tranzistoarelor unipolare

Tranzistoarele unipolare sunt dispozitive semiconductoare active,
construite cu trei sau patru electrozi, denumii surs (S - echivalent emitor TB),
dren (D - echivalent colector TB), gril (G - echivalent baz TB), substrat (B
bulk, body, nu are echivalent la TB i n general se conecteaz la electrodul
surs n interiorul capsulei TU).
La tranzistoare unipolare curentul de dren, se controleaz ca valoare prin
tensiunea aplicat ntre gril i substrat (surs), tensiune care are rolul de a
controla conductana cii de circulaie a curentului ntre surs i dren, denumit
n mod uzual canal (channel).
Datorit cmpului electric ce se creeaz n canal, ca urmare a aplicrii
tensiunii de comand ntre gril i surs i tensiunii de alimentare ntre dren i
surs, tranzistoarele unipolare se numesc i tranzistoare cu efect de cmp (TEC),
respectiv Field Effect Transistor (FET).
Conducia este realizat n tranzistoarele unipolare printr-un singur tip de
purtori de sarcin electric, electroni n cazul dispozitivelor cu canal N,
respectiv goluri - hole n cazul dispozitivelor cu canal P.
Din punct de vedere tehnologic i funcional sunt realizate i frecvent
utilizate trei tipuri de tranzistoare unipolare, astfel:
- TEC-J - tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune (J-FET) n cazul
crora canalul de conducie este mrginit de regiunea de sarcin spaial a unei
jonciuni, realizat ntre gril i canal. Construcia (a se vedea i figura 1.18) i
modelele de analiz pentru acest tip de tranzistor au fost propuse i publicate n
1952 de William Shockley, care a considerat TEC-J ca un rezistor
semiconductor a crui seciune este comandat de grosimea regiunii de sarcin
spaial a jonciunii gril-canal, care la rndul ei este controlat prin diferena de
potenial gril-surs.

Comportarea TEC-J cu canal N este asemntoare cu cea a triodelor, drena

corespunde anodului, sursa catodului, grila corespunde grilei de comand, cu
observaia c nu se pot admite dect tensiuni negative ntre gril i surs, orice
pozitivare a grilei conducnd la strpungerea ireversibil a jonciunii gril-canal.

19 din 34

Construcia i comporatrea TEC-J cu canal P este invers fa de TEC-J

cu canal N, tensiunea de alimentare dren-surs fiind negativ i tensiunea ntre
gril i surs fiind strict pozitiv.
La construcia TEC-J substratul semiconductor nu este conectat intern, nu
este accesibil din exteriorul capsulei, iar la unele variante de TEC-J el poate s
lipseasc, fr a fi afectat funcionarea dispozitivului.
- TEC-MOS - tranzistoare cu efect de cmp cu izolarea grilei fa de
canalul semiconductor prin strat de bioxid de siliciu (MOS-FET), realizndu-se
o structur multistrat Metal Oxid Semiconductor (MOS). Construcia (a se
vedea i figura 1.19) i un model de analiz pentru MOS-FET au fost propuse i
publicate n 1959 de Dawon Kahgn i Martin Atalla de la Bell Laboratories
SUA, urmrindu-se realizarea unor dispozitive amplificatoare cu impedan de
intrare foarte mare. Acetia au pornit de la capacitatea MOS care apare ntre
gril i substratul semiconductor i au inserat la marginile substratului dou zone
de semiconductor puternic dopat, de tip complementar dopajului realizat n
substrat. Oricare dintre cele dou zone puternic dopate poate fi electrod surs
sau dren, ntre ele fiind realizat canalul pentru circulaia purttorilor de sarcin.
Funcie de modul de realizare a canalului de conducie TEC-MOS pot fi:
TEC-MOS cu canal iniial, cu strat srcit de purttori de sarcin mobili
(MOS FET Depletion mode), strat realizat tehnologic ntre zonele surs-dren
prin stocarea unei sarcini electrice n stratul izolator de SiO 2 la interfaa cu
semiconductorul substrat. Datorit acestei sarcini stocate ntre gril i substrat,
chiar i pentru U GS 0 poate circula curent ntre dren i surs, motiv pentru
care se recomand utilizarea acestor TU n regim de semnal mic, n
amplificatoare de radiofrecven sau de microunde. Pot fi realizate cu gril de
comand unic sau cu dou, trei grile de comand pentru aplicaii n
schimbtoare de frecven pentru receptoare radio.
TEC-MOS cu canal indus, cu strat de inversiune care apare ntre zonele
surs-dren numai n cazul aplicrii unei tensiuni de polarizare adecvat ntre
gril i surs, care s depeasc un anumit nivel de prag, motiv pentru care
sunt recomandate pentru utilizare n regim de semnal mare, ca amplificatoare
sau comutatoare electronice.

20 din 34

Datorit particularitilor lor constructive i funcionale tranzistoarele

unipolare prezint urmtoarele avantaje:
Impedana echivalent de intrare foarte mare, ntre 108 109 (J-FET)
i 1012 1014 (MOS-FET);
Impedan de ieire foarte mare cnd TU conduce n regiunea liniar;
Au ctig foarte mare n curent pe etaj ( I D / I G 105 );
Au coeficient de zgomot foarte mic la nalt frecven;
Nu apare fenomenul de stocare-evacuare de sarcin n exces pe
duratele comutaiilor, ntruct curentul principal prin TU este dat
numai de purttori de sarcin majoritari;
Timpii proprii de comutaie ai TU sunt accceptabili.
Dintre dezavantajele pe care le au TU sunt demne de menionat:
Panta (transconductana g m I D / U GS I D / U GS U GST ) mai
mic cel puin cu un ordin de mrime fa de cea a TB
I C
g m I C / VT
40 I C la t=27C , la aceeai valoare a
k T / e
curentului principal prin dispozitiv;
Tensiunea dren-surs de saturaie de valori mari (voli);
Tensiunea de intrare (prag de deschidere) mai mare dect la TB, mai
ales n cazul TEC-MOS;
Capacitatea de intrare gril-surs de valori mari (zeci-sute pF), ceea ce
conduce la mrirea timpilor de comutaie ai TU;
Preul unitar este cu un ordin de mrime mai mare dect la un TB la
acelai nivel de putere;
Sunt dificil de mperecheat datorit mprtierii mari a valorilor
parametrilor statici;
Sunt vulnerabile fa de cmpuri electrice perturbatoare, aprnd
frecvent strpungeri gril-surs.

21 din 34

Pentru TEC-J (JFET Jonction Field Effect Transistor) principalele

caracteristici statice sunt prezentate n figura 1.21, fiind delimitate i principalele
regiuni specifice de funcionare:

Se evideniaz patru regiuni caracteristice n planul caracteristicilor statice

de ieire ale TEC-J.
1. Pentru orice tensiune de negativare ntre gril i surs, care depete n
valoare absolut tensiunea de prag UGST, curentul de dren al TEC-J va fi nul i
9
12
tranzistorul se afl n regiunea de blocare n care rDS bl 10 ; 10 .

Ca i la tuburi electronice, exist o valoare UGST a tensiunii de negativare a

grilei TU, denumit tensiune de prag (threshold), la care curentul de majoritari
prin canalul TEC-J se anuleaz. Datorit analogiei cu tuburile electronice, unii

22 din 34

autori denumesc tensiunea de prag ca tensiune de tiere sau tensiune de

strangulare a canalului dintre surs i dren.
2. n regiunea liniar curentul de dren al TEC-J se exprim printr-o
relaie similar cu cea de la pentode, innd cont de rezistena intern
echivalent:
iD

uDS
U u
g DS 1 0 GS u DS
Ri ech
U 0 U GST

(1.91)

n relaia (1.91) ntervine conductana constructiv a canalului, care se

poate evalua din caracteristicile statice de ieire ale TEC-J conform relaiei:
g DS

iD
u DS

uGS ct .

iD
uDS

uGS ct .

(1.92)

rDS

Pentru caracteristica ce corespunde la UGS = 0, la intersecia cu parabola

ce reprezint limita dintre regiunea liniar i regiunea de saturaie se face
proiecia pe ordonat, ca n figura 1.21 i se obine valoarea curentului maxim
de dren de saturaie IDsat, iar pe abscis se obine U DSsat max U GST .
2
3
Corespunztor regiunii liniare, rDS lin 10 ; 10 la majoritatea TEC-J.
Pentru caracteristica UGS = 0 se particularizeaz n relaia (1.91) i se
poate determina nivelul U0 astfel:

g
U 0 U GST 1 DS
U GST
I DSsat

(1.93)

3. n regiunea de saturaie curentul principal prin TU va fi exprimat

printr-o relaie care evideniaz dependena parabolic a curentului de dren fa
de tensiunea de comand dintre gril i surs, astfel:
U DSsat
iD I DSsat

U DSsat max

u
I DSsat 1 GS
U GST

(1.94)

4
5
Corespunztor regiunii de saturaie rDS sat 10 ; 10 10; 100 k la

majoritatea TEC-J. Se poate observa c rDS sat ? rDSlin . Din acest motiv se
utilizeaz TEC-J n comutaie ntre regiunea de blocare i regiunea liniar.
4. n ceea ce privete regiunea de strpungere, ea trebuie evitat prin
utilizarea unei tensiuni de alimentare a TEC-J strict mai mic dect tensiunea
dren-surs maxim, specificat n catalog de fiecare productor. Strpungerea
poate apare prin multiplicare n avalan a numrului de purttori la captul
dinspre dren al jonciunii gril-substrat, atunci cnd tensiunea dren-surs

23 din 34

depete valoarea U DS max , sau cnd tensiunea gril-surs devine pozitiv la

TEC-J cu canal N, respectiv negativ la TEC-J cu canal P.
De regul TEC-J sunt realizate ca LPD, pentru puteri maxime disipate sub
1W. Puterea maxim disipat de TEC-J utilizat ca i comutator electronic se va
determina pentru starea de conducie, folosind relaia:
Pd TU I Gcond U GSsat I Dcond
U DSsat I Dsat UGST

(1.95)

tiind c n mod uzual U GST 1 ; 5 V , rezult c valoarea curentului

maxim comutat nu depete zeci sute de mA. Acesta este unul dintre motivele
pentru care TEC-J este folosit mai frecvent ca amplificator de impulsuri video i
mai puin pe post de comutator electronic de putere.
Schema din figura 1.22.a este etaj amplificator de impulsuri cu TEC-J cu
surs de negativare separat n gril EG U GST , de polaritate contrar fa de
sursa de alimentare. Cuplajele sunt galvanice, iar TU este afectat n funcionare
de o capacitate parazit echivalent raportat la dren, ntr-o manier similar cu
analizele efectuate asupra efectelor capacitive parazite n cazul TB NPN.

Schema din figura 1.22.b este etaj amplificator de impulsuri cu TEC-J cu

grup de negativare automat ntre gril i surs, grupul RSS CSS , pe care n regim
static se asigur o cdere de tensiune care menine TEC-J blocat astfel nct
U SS EG U GST . Pentru ca rezistorul RSS s nu micoreze amplitudinea
impulsurilor amplificate n regim dinamic se folosete o capacitate de decuplare
CSS, care are reactana cu cel puin un ordin de mrime mai mic dect RSS pentru
cea mai mic frecven din spectrul semnalelor amplificate. n majoritatea
aplicaiilor se consider frecvena minim din spectru ca fiind frecvena standard
a reelei de distribuie pentru energia electric f min f R 50Hz , ceea ce
conduce la dimensionarea capacitii de decuplare din condiia:

24 din 34

X CSS

f min

RSS
R
1
10
32

SS CSS

103
10
2 f R CSS 10
2 fR RSS RSS
(1.96)

Cuplajele etajului amplificator sunt capacitive i au comportare similar

cu cea analizat pentru etajul amplificator de impulsuri cu TB.
Pentru TEC-MOS (MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor) cu canal N principalele caracteristici statice sunt prezentate n figura
1.23, fiind specificate i principalele regiuni de funcionare.
Se evideniaz aceleai patru tipuri de regiuni (zone) caracteristice n
planul caracteristicilor statice de ieire ale TEC-MOS ca i la TEC-J.
n regiunea liniar (nesaturat, cu comportare rezistiv) curentul de
dren al TEC-MOS se exprim funcie de elemente constructive i polarizrile
aplicate prin relaia urmtoare:
iD n C0GB

w
ch
Lch

u DS

uGS

UGST

2
u DS

Kn u DS

uGS

U GST

u DS

2
(1.97)

n care n este mobilitatea electronilor ca purttori de sarcin prin canal, C0GB

este capacitatea pe unitatea de suprafa dintre gril i substrat, wch este
lrgimea (width) maxim a canalului dintre surs i dren, Lch este lungimea
canalului, iar K n este o constant tehnologic ce depinde de construcia
tranzistorului TEC-MOS.

25 din 34

n regiunea de saturaie (activ, cu comportare de surs de curent

constant) curentul de dren al TEC-MOS se exprim funcie de polarizrile
aplicate astfel:
iD

Kn
2
uGS U GST 1 u DS UDSsat
2

(1.98)

n care parametrul este mult subunitar i reprezint efectul de modulaie a

lungimii canalului din TEC-MOS funcie de tensiunea aplicat ntre dren i
surs. Pentru 0 se ajunge la o relaie similar cu (1.94) la TEC-J, dar ar
nsemna c se accept ipoteza c rezistena dren-surs a TU n regiunea de
1
u
1
DS
saturaie este infinit, ntruct rDSsat rDSon
.
g DS
iD
I Dsat
Exist multe similitudini cu TEC-J privind caracteristicile electrice i
comportarea n circuite a TEC-MOS, n sensul c impedanele de intrare i de
ieire sunt foarte mari, comanda se face n tensiune i nu exist stocare de
sarcin de minoritari i efecte de cuplaj parazite ntre circuitul de intrare al
generatorului de semnal i circuitul de ieire al sarcinii.
Diferenele eseniale dintre TEC-MOS i TEC-J constau n modul de
polarizare a grilei de comand, care poate s admit i tensiuni pozitive mici
(max. 10 V) la TEC-MOS, precum i n corelaia tehnologic ce exist ntre
rDS on 0.1; 103 i valoarea UGST.

Spre exemplu pentru TEC-MOS cu rDS on 0,2 este specificat

U GS T 4V la IRF 640 (HPD Vishay China), iar pentru TEC-MOS cu
rDS on 5 este specificat U GS T 2V la BS 170 (LPD Fairchild SUA).

Din aceste valori ale tensiunii de prag, tensiunea gril-surs de intrare n

conducie a TEC-MOS, rezult c aceste dispozitive se comand cu impulsuri de
tensiune, cu amplitudine care depete cu cel puin 10% valoarea U GS T .
n figura 1.24 sunt prezentate scheme de principiu pentru comutatoare cu
TEC-MOS cu canal N, cu surs de negativare separat fa de tensiunea de
alimentare, cu sarcin rezistiv constant (fig. 1.24.a), respectiv cu sarcin
activ echivalent cu o rezisten neliniar (fig. 1.24.b, inversor NMOS).

26 din 34

Schema echivalent a comutatorului electronic cu tranzistor unipolar i

sarcin rezistiv este prezentat n figura 1.25.a, care se poate simplifica potrivit
reprezentrii din figura 1.25.b.
De regul, pentru comanda TEC-MOS cu canal N se folosesc impulsuri
pozitive de la un generator echivalent de tensiune, cu amplitudine care s
conduc la polarizarea n conducie a tranzistorului cu cel mult U GS 0V , adic
fr pozitivarea grilei, ca i n cazul TEC-J.

27 din 34

Comutaia direct a TU se realizeaz din regiunea de blocare n cea de

saturaie pe traseul M1AM2 n reprezentarea din figura 1.26, iar comutaia
invers se realizeaz pe traseul M2BM1 reprezentat n planul caracteristicilor
statice de ieire.
Schemele echivalente pentru etajele de comutatoare electronice cu TEC-J
i respectiv TEC-MOS sunt necesare i utile la caracterizarea proceselor ce se
produc pe duratele comutaiilor TU i la determinarea relaiilor de calcul pentru
timpii de comutaie.
n schema echivalent la nalt frecven din figura 1.25.b, care este
relevant pentru distorsionarea fronturilor impulsurilor de comand, au fost
eliminate rezistenele foarte mari rGS rGD 1012 i capacitatea de transfer
1
X CGD
lim CGD .
intern conectat serie n calea semnalulului, lim

Punctul static de funcionare (PSF) al TU comutator se stabilete prin

polarizare astfel nct consumul de curent s fie minim n lipsa semnalelor de
comand, ca i n cazul TB. De obicei PSF se alege n stare de blocare, fiind
notat M1 i avnd coordonatele:
3
M1 ( I DM1 102 mA; I GM 1 10A;
U DSM1 E;al U GSM1 U GST)

28 din 34

Prezena capacitii parazite raportate la dren face ca timpii de comutaie

ai TU s fie majorai cu duratele timpilor de integrare introdui de prezena
capacitii parazite totale de ieire asupra fronturilor semnalelor de comand.
Dup comutaia direct a TU se ajunge n punctul de funcionare din
regiunea de saturaie, notat M2 i avnd coordonatele:
I DM 2
E U GST
M 2 ( I DM 2 al
; I GM 2
;U DSM 2 U GST ; U GSM 2 0)
RS
103
Comutaia direct a TU corespunde cu excursia punctului dinamic de
funcionare pe traseul M1AM2 ceea ce presupune parcurgerea succesiv a dou
procese:
D.1 stabilirea canalului de conducie ntre surs i dren i ncrcarea cu
sarcin electric a capacitii de intrare a TU, potrivit traseului M1A.
Timpul de stabilire a cii de conducie ntre surs i dren corespunde
ntrzierii la deschidere a TU, adic intervalul de timp de la aplicarea saltului
pozitiv de tensiune ntre gril i surs i momentul n care tensiunea dren-surs
ncepe s scad. Acest timp este denumit time delay to ON - td on i este
neglijabil pentru TU de mic putere, dar are valori specificate n catalog pentru
TEC-MOS de putere medie sau mare.
ncrcarea capacitii de intrare se face de la generatorul de semnal de
comand, ntr-un interval de timp foarte mic i determinat cu relaia:

tinc Cin 3 inc CGS 3 CGS Rg RG

3 CGS Rg

(1.99)

D.2 - descrcarea total a capacitii totale de ieire, raportat la drena

tranzistorului, punndu-se de acord cu starea de conducie a TU, potrivit
traseului A M2. Descrcarea se realizeaz prin curent constant, datorit
comportrii TU ca surs de curent constant n zona de saturaie, adic
du
iD t I DM 2 Cout DS , de unde rezult:
dt
tdesc Cout

CDS C p Eal U GST

Cout U DS Cout Eal U DSsat

I DM 2
I DM 2
I DM 2

(1.100)
Timpul de comutaie direct al tranzistorului unipolar se obine prin
nsumarea duratelor proceselor prezentate anterior astfel:
tonTU td on tinc Cin tdescCout

(1.101)

Comutaia invers a TU corespunde cu excursia punctului dinamic de

funcionare pe traseul M2BM1 ceea ce presupune parcurgerea succesiv a dou
procese, care sunt complementare celor analizate pe durata comutaiei directe:

29 din 34

I.1 descrcarea sarcinii electrice a capacitii de intrare a TU i blocarea

canalului de conducie ntre surs i dren, potrivit traseului M2B.
Descrcarea capacitii de intrare se face prin generatorul de semnal de
comand, ntr-un interval de timp foarte mic i determinat cu relaia:

tdesc Cin 3 desc CGS 3 CGS Rg RG

3 CGS Rg tincCin

(1.102)

Timpul de blocare a cii de conducie ntre surs i dren corespunde

ntrzierii la blocare a TU, adic intervalul de timp de la aplicarea saltului
negativ de tensiune ntre gril i surs i momentul n care tensiunea dren-surs
ncepe s creasc. Acest timp este denumit time delay to OFF - td off i este
neglijabil pentru TU de mic putere, avnd valori specificate n catalog pentru
TEC-MOS de putere medie sau mare.
I.2 - rencrcarea total i necondiionat a capacitii totale de ieire,
raportat la drena tranzistorului, punndu-se de acord cu starea de blocare a TU,
potrivit traseului BM1:

tinc Cout 3 inc Cout 3 Cout rDS bl RS

3 C
DS

Cp

RS (1.103)

Timpul de comutaie invers al tranzistorului unipolar se obine prin

nsumarea duratelor proceselor succesive prezentate anterior astfel:
toffTU td off tdesc Cin tincCout

(1.104)

1.5.1 Exemplu de calcul pentru comutator electronic cu TEC-MOS

Pentru exemplificare numeric se consider un tranzistor comutator de
putere tip 2N 6755 n schema din figura 1.24.a, la care se specific n catalog
I DM 12A ,
PDM 75W ,
U DS max 60V, pt. U GS 0 ,
U DSon 3V ,
U GST 4V i curentul maxim gril surs I GSS 100nA . De asemenea se
specific valoarea maxim a capacitii de intrare CGS Ciss 800pF , valoarea
maxim a capacitii de ieire CDS Coss 500pF , timpul de ntrziere la
deschidere td on 30ns , timpul de ntrziere la blocare td off 40ns . Se
consider TEC-MOS alimentat la Eal 40V i comandat de un generator
compatibil TTL care are Rg 50 i d U in 4V pentru a asigura un curent
de dren n saturaie de I DM 2 1A . Se consider, de asemenea, o capacitate
parazit total raportat la drena TEC-MOS de C p 100pF . Se cere calculul
elementelor rezistive de polarizare, puterea disipat de TEC-MOS i calculul
timpilor de comutaie.

30 din 34

Pentru asigurarea blocrii tranzistorului se asigur negativarea grilei cu o

surs care d tensiunea EG U in 4V . Rezistena din gril se va alege
respectnd condiia de limitare a curentului de gril:
RG min EG / I GSS 4 (0,1 10 3 ) 40k .
Se alege valoarea standardizat RG 100k la 0,5W.
Rezistena din dren se calculeaz din condiia asigurrii curentului de
conducie cerut folosind relaia:
RD max

Eal U DSon 40 3

37 .
I DM 2
1

Puterea disipat de rezistor va respecta condiia:

2
PdRD I DM
RD max 37 W .
2

Se va realiza rezistorul din dren prin nserierea a dou rezistoare cu

R
valori standardizate D 18 la 25W.
2
Puterea disipat de comutatorul TEC-MOS se va calcula cu relaia (1.95):
Pd TU I Dsat U GST I DM 2
U DSon 1 3 3W
<< Pd max

75W

Capacitatea total de ieire a comutatorului TEC-MOS se calculeaz cu

relaia:
Cout Coss C p 500 100 600pF .
Conform relaiei (1.101), introducnd valorile elementelor de circuit
specificate, timpul de comutaie direct va fi dat de relaia:
tonTU td on tinc Cin tdescCout 30 109 3 Rg Ciss
600 1012 40 3
30 10 3 50 800
10

1
9
30 120 22,2 10 172,2ns.
9

12

Cout ( Eal U DSon )

I DM 2

Conform relaiei (1.104), introducnd valorile elementelor de circuit

specificate, timpul de comutaie invers va fi dat de relaia:
toffTU td off tdesc Cin tincCout 40 109 3 Rg Ciss

3 Rs Cout

40 109 3 50 800
1012 3 18 18 600 10 12

40 120 64,8 109 224,8ns > tonTU

31 din 34

Cea mai important contribuie n determinarea timpilor de comutaie ai

TEC-MOS o au capacitatea de intrare i capacitatea de ieire ale dispozitivului
comutator utilizat.
Etajul comutator cu TEC-MOS este mult mai puin influenat de prezena
valorilor uzuale ale capacitilor parazite ale montajelor experimentale n ceea
ce privete de terminarea valorilor timpilor de comutaie.
La niveluri de putere disipat comparabile, timpii de comutaie ai
dispozitivelor TEC-MOS sunt mai mari dect cei ai TB.
1.5.2 Exemplu de calcul pentru amplificator de impulsuri cu TEC-J
Se consider un un etaj amplificator de impulsuri cu funcionare n
comutaie, realizat conform schemei din figura 1.22.b, la care se cere s asigure
o putere de minim PdS 300mW pe o rezisten de sarcin RS 1,5k /1W ,
fiind comandat cu impulsuri compatibile TTL cu durata ti 20s , factor de
umplere i 0,2 . Se consider o capacitate parazit de C p 50pF raportat la
drena TEC-J.
Se cere calculul elementelor rezistive de polarizare, calculul capacitilor
de cuplaj, calculul timpilor de comutaie ai TEC-J i puterea disipat de acesta.
Pornind de la relaia (1.55) care este valabil i n acest caz, rezult
curentul de colector minim necesar prin tranzistor n saturaie conform relaiei:
I DM 2

PdRS
RS

0,3
14,2 mA
1,5 103

Tensiunea de alimentare necesar amplificatorului, n ipoteza utilizrii

unui TEC-J care are U DSon U GST 5V , se calculeaz cu relaia:
Eal I DM 2 RS U DSon 14,5 10
3
1,5 10
3 5 26,75

V
Se alege o tensiune de alimentare standardizat de 30 V.
Alegerea TEC-J pentru funcionare ca amplificator n comutaie se face
potrivit acelorai criterii ca i n cazul montajelor cu TB, respectiv:
2.4.
suportarea tensiunii de alimentare U DS max Eal ;
2.5.
suportarea tensiunii de comand U GS max U GScom kd U in ,
tensiunea de comand putnd fi adaptat prin divizor de amplitudine
adecvat;
2.6.
rspuns dinamic acceptabil, adic max tonTU ; toffTU t f max ti /10

ceea ce trebuie verificat prin calcule pentru orice tranzistor ales dup
primele dou criterii.
Se alege un tranzistor tip J 111 (ON Semiconductor Japonia) care are
U DS max 35V Eal ,
specificai
n
catalog
urmtorii
parametri:

32 din 34

U GSTmed 2 8 /2= 5V , Pd max 350mW , rDSon 30 , CGS 5pF ,

CDS 30pF i curentul maxim gril surs I GSS 1nA .
Pentru ca efectul de amplificare s se obin preponderent pe rezistena
din drena TEC-J este necesar ca rezistena din circuitul de cuplaj de ieire s fie
mai mare cu cel puin un ordin de mrime fa de rezistena de sarcin.
Rc 10 RS 10 1,5
10
3 15k

Pentru a utiliza rezistoare de puteri rezonabile (sub 0,5W) i

condensatoare de cuplaj de valori mai mici se alege o valoare standardizat
Rc* 22k / 0,5W .
Rezistena din gril se va dimensiona respectnd condiia de a nu diminua
prea mult impedana de intrare a TEC-J:
Zin min U GST / IGSS 5 (1 109 ) 5T .
Se alege valoarea standardizat RG 1M la 0,5W, pentru adaptare cu
instrumentaia de msurare, ntruct majoritatea osciloscoapelor industriale au
impedana de intrare de 1M.
Pentru negativarea automat a grilei TEC-J se alege o cdere de tensiune
tensiune pe grupul RSSCSS din figura 1.22.b, U SS 6V U GSTmed 5V .
Amplitudinea impulsurilor de comand este sub 5V i nu va putea pozitiva grila
TEC-J astfel nct s existe risc de strpungere ntre gril i surs.
Ca urmare rezistena RSS se calculeaz cu relaia:
RSS U SS / I DM 2 6 (14,5 103 ) 414 .

Se alege valoarea standardizat RSS 430 la 0,5W.

Conform relaiei (1.96) se calculeaz capacitatea de decuplare astfel:
10
32
32
CSS

103
10
3 74,4F
2 f R RSS RSS
430
Se alege condensator electrolitic CSS 100F /16V .
Condiia de dimensionare a constantei de timp de cuplaj de ieire, innd
cont de limita impus prin cerine asupra distorsiunilor admise pe palierele
impulsurilor U ies / U ies 0,1, conduce la calculul capacitii de cuplaj de ieire
conform relaiei similare cu (1.87), astfel:
C2

max ti , Tr ti
Rc

(1 0,2)
20 106
100
100
0,2

36,4nF
10
22 103
U ies / U ies %

Se alege condensator ceramic plachet C2 47 nF / 50V .

Capacitatea de cuplaj din circuitul de intrare va respecta condiia:

33 din 34

C1

max ti , Tr ti
RG RGS

100
20 106 4 100

800 pF
U ies / U ies % 1 106 10

Se poate utiliza un condensator ceramic plachet C1 1nF / 50V .

Puterea disipat de TEC-J se va calcula cu relaia (1.95):
Pd TEC J I DM 2 U GST 14,5 10
3 5 72,5mW

< Pd max

350
W.

Conform relaiei (1.101), innd cont c pentru TU-LPD td on 0 ,

introducnd valorile elementelor de circuit specificate, timpul de comutaie
direct va fi dat de relaia:

CDS C p ( Eal

tonTECJ tinc Cin tdescCout 3 Rg CGS

3 50 5 10

12

30 50 1012 30
14,5 103

U GST )

I DM 2
5

750ps

138ns

138ns.

n mod analog, innd cont c pentru TU-LPD td off 0 , conform relaiei

(1.104), introducnd valorile elementelor de circuit specificate, timpul de
comutaie invers va fi dat de relaia:
toffTECJ tdesc Cin tincCout 3 Rg CGS 3 Rs Cout

3 50 5 10
12 3 1,5
103 30 50 10 12
750ps
360ns
360ns

Se poate constata c s-au obinut valori care respect condiia de rspuns

dinamic adecvat al TEC-J ce a fost ales: tonTECJ toffTECJ ti /10 2s .

34 din 34