Dce Curs2011

Universitatea Petru Maior Tg-Mure
Facultatea de Inginerie
Catedra de Inginerie Electric

ef lucrri dr. ing. Germn Zoltn

Dispozitive electronice i circuite electronice fundamentale

Anii I Inginerie Electric, anul II Mecatronic

Curs. Format electronic

Anul universitar 2010-2011

Dr. ing. Germn Z Dispozitive i circuite electronice 2011 - curs
2
Introducere

Corpurile solide au o structur cristalin cu atomii i moleculele distribuite ntr-o reea regulat, n
care unitatea structural (cub, tetraedru, etc.) se repet periodic. Atomii situai n nodurile reelei cristaline
sunt legai ntre ei prin electronii de valen. Din punct de vedere electric, corpurile solide se mpart n trei
mari grupe:
-conductoare
-semiconductoare
-izolatoare
Aceast clasificare are la baz valoarea conductivitii electrice msurat la temperatura
camerei.La aceast temperatur se obin urmtoarele valori pentru conductivitate electric:
( )( )
1 6 8
10 10

= m la materialele conductoare
( )( )
1 9 5
10 10

= m la materialele semiconductoare
( )( )
1 9
10

= m la materiale izolatoare
Dispozitivele electronice sunt acele componente ale circuitelor electronice a cror comportare se
bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin n corpul solid, n gaze sau n vid. Aproape toate
dispozitivele electronice folosesc conducia n corpul solid, de regul n semiconductoare. Prin controlul
micrii purttorilor de sarcin se nelege fie controlul injeciei de purttori de sarcini, fie controlul propriu-
zis, care se poate exercita prin cmpul electric care apare datorit unei diferene de potenial. Controlul
mrimii curentului electric se poate realiza i prin efectul unui flux luminos (fotoni) asupra numrului de
purttori de sarcin dintr-o anumit zon a dispozitivului electronic , care este cazul particular al
dispozitivelor optoelectronice
Circuitele electronice sunt de fapt circuite electrice care utilizeaz dispozitive electronice pentru
realizarea unor funcii cum ar fi:
-amplificarea, generarea unor oscilaii armonice, redresarea tensiunii alternative, stabilizarea
tensiunii, modulare/demodulare
Funciile electronice pot fi asociate la dou categorii mari de aplicaii: -controlul i conversia
energiei, -prelucrarea sau transmiterea semnalelor electrice purttoare de informaii

Dispozitivele electronice pot fi privite ca elemente ale circuitelor
electronice, ca urmare mrimile care apar la bornele acestora sunt tensiuni
electrice i cureni electrici. La dispozitivele mai simple cu dou borne,
caracterizarea se face prin legtura care exist ntre tensiunea aplicat i
curentul rezultat, de exemplu ca pe figura alturat:
Dependena poate fi o caracteristic static sau una dinamic dac apare
posibilitatea stocrii energiei electrice de ctre dispozitivul electronic.
La dispozitivele cu trei sau mai multe borne descrierea se poate face prin
relaiile care exist ntre patru mrimi electrice: doi cureni i dou tensiuni ,
deoarece al treilea curent se obine n funcie de ceilali doi.

Caracteristicile statice ce descriu complet funcionarea acestui dispozitiv cu trei borne sunt dou
funcii de dou variabile, de exemplu

( )
2 1 1 1
, u u i i = ) , (
2 1 2 2
u u i i =

Este interesant de remarcat c n majoritatea cazurilor proprietile de interes ale dispozitivelor
electronice pot fi descrise cu referire la caracteristicile statice.
3

O prim proprietate a dispozitivelor electronice este caracterul lor neliniar. Toate dispozitivele
electronice au caracteristici statice neliniare. Caracteristica static a diodei semiconductoare, de exemplu,
permite redresarea unui semnal alternativ.
O a doua proprietate este caracterul parametric al unor dispozitive electronice. Un anumit
parametru al dispozitivului poate fi controlat electric. Rezistena tranzistorului cu efect de cmp ntre surs
i dren poate fi controlat de tensiunea aplicat ntre poart i surs.Aceast rezisten controlat poate fi
folosit n reglajul automat al amplificrii.
O a treia proprietate important pe care o prezint unele dispozitive electronice este caracterul lor
activ.Numim active acele dispozitive electronice care pot asigura transformarea puterii absorbite de la
sursele de alimentare n curent continuu n putere de semnal.

1.DISPOZITIVE ELECTRONICE

1.1 Jonciunea pn

Dispozitivele semiconductoare au n construcia lor regiuni ale reelei monocristaline cu diverse
impurificri att ca mrime a concentraiei ct i ca tip de impuritate (n-regiune tip donor, p-regiune tip
acceptor).Jonciunea pn reprezint o structur fizic realizat ntr-un monocristal care are dou regiuni
vecine, una de tip p alta de tip n.Intre aceste dou regiuni de conductibilitate electric diferit apare o
variaie a distribuiei impuritilor. Linia de demarcaie dintre cele dou regiuni se numete jonciune
metalurgic. Jonciunea pn are o importan esenial n funcionarea unei clase mari de dispozitive
electronice. Majoritatea dispozitivelor electronice semiconductoare conin una sau mai multe jonciuni.
Cunoaterea fenomenelor din jonciunea pn servete i la nelegerea unor fenomene cum sunt cele legate
de suprafaa semiconductorului, de contacte metalice, etc.

1.1.1 Jonciunea pn la echilibru termic

ntr-o jonciune pn aflat la echilibru termic concentraiile de purttori mobili de sarcin difer n
zona jonciunii metalurgice fa de valorile din structur datorit fenomenelor de difuzie a purttorilor mobili.
Astfel, golurile din regiunea p, aflate n concentraii mari, difuzeaz spre regiunea n unde concentraia lor
este foarte mic, aici ele se recombin datorit tendinei semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul.
In mod similar electronii in zona n difuzeaz spre zona p. Procesele de difuzie ncep evident cu purttorii
aflai n apropierea jonciunii metalurgice. In zona p adiacent jonciunii metalurgice, prin plecarea golurilor
apare un exces de sarcin negativ datorit ionilor acceptori (sarcini fixe). Zona n din apropierea jonciunii
metalurgice capt o sarcin n exces pozitiv , prin acelai procedeu. Caurmare se stabilete un cmp
electric intern orientat de la regiunea n spre regiunea p. Acest cmp electric transport golurile dinspre
regiunea n spre regiunea p i electronii dinspre regiunea p spre regiunea n, deci n sens opus fluxurilor de
difuzie

Ca urmare, procesul de scdere a concentraiilor de purttori majoritari nu se continu pn la
uniformizarea concentraiilor (conform tendinei de difuzie), ci se autolimiteaz (prin generarea cmpului
electric intern) la valori care asigur echilibrul curenilor (fluxurilor) de difuzie i de cmp.Aceast situaie
corespunde unui curent electric nul prin structur, rezultat compatibil cu condiia de echilibru termic.
4
1.1.2. Caracteristica static a jonciunii pn

Caracteristeica static desemneaz dependena curentului prin jonciune , de tensiunea aplicat
acesteia. Convenia de notaii prezentat pe figura este urmtoarea:

-polarizare direct pentru care 0 0 > >
A A
I U
-polarizare invers pentru care 0 0 < <
A A
I U
In polarizare direct se fac notaiile
F A
I I = i
F A
U U = , iar n
polarizare invers se noteaz
R A
I I = i
R A
U U = (direct-
forward, invers-reverse)

Aplicarea unei polarizri directe duce la micorarea cmpului electric intern (sensul tensiunii
aplicate este contrar sensului cmpului intern de la echilibru termic). Aceasta duce la la micorarea
curenilor de cmp i mrirea curenilor de difuzie, rezultnd un curent I
F
nenul. Micorarea cmpului
electric intern duce la creterea concentraiei purttorilor mobili de sarcin datorit deplasarii golurilor spre
regiunea n i a electronilor spre regiunea p (n cantiti mai mari ca la echilibru termic). Acest proces se
numete injecie de purttori minoritari. Existena unui excedent de concentraii duce la preponderena
fenomenelor de recombinare.Recombinarea purttorilor mobili de sarcin are loc att n regiunile neutr ct
i n interiorul regiunii de trecere.
Aplicarea unei polarizri inverse mrete cmpul electric intern. Curenii de difuzie se vor micora
n favoarea curenilor de cmp. Concentraiile de electroni i goluri vor fi mai mici dect la echilibru termic
datorit cmpului electric intern crescut, care extrage golurile din regiunea n i electronii din regiunea p. ca
urmare vor predomina fenomenele de generare. Odat generat, perechea electron-gol este desprit prin
antrenarea de ctre cmp, a electronului i golului n sensuri contrare.Avnd n vedere cele prezentate mai
sus, se poate generaliza c n ambele regimuri de polarizare curentul prin jonciunea pn se datoreaz att
fenomenelor din regiunea de sarcin spaial, ct i celor din regiunile neutre.
Caracteristica static ideal a jonciunii pn are urmtoarea form matematic:

(
\
|
= 1 exp
mkT
qU
I I
A
O A

unde q-sarcina electric, U
A
-tensiunea aplicat jonciunii, m -constant de material cu valori
ntre (1,2), k-constanta lui Boltzmann, T -temperatura absolut

Graficul caracteristicii statice este :

(
(
|
|
\
|
=
(
\
|
= 1 exp 1 exp
T
A
O
A
O A
U
U
I
mkT
qU
I I
n polarizare direct predomin fenomenele de difuzie, de
obicei valoarea tensiunii aplicate este mult mai mare ca
tensiunea termic
q
mkT
U U
T A
= >> astfel nct ecuaia
poate fi aproximat cu: |
\
|
=
mkT
qU
I I
A
O F
exp
(partea exponenial din cadranul I al caracteristicii statice)

5

n polarizare invers, pentru tensiuni negative mult mai mari n valoare absolut ca tensiunea termic
q
mkT
U U
T R
= >>
curentul prin jonciune depinde foarte slab de tensiunea aplicat, avnd valoarea curentului de saturaie:
O R
I I =
Datorit modului rapid de variaie a funciei exponeniale, se observ c ntr-un domeniu limitat de curent,
tensiunea pe jonciune n polarizare direct poate fi presupus constant, valoarea tipic a acesteia este
de 0,7V pentru Si, 0,3V pentru Ge, As.

1.1.3. Strpungerea jonciunii pn

Fenomenul electric de strpungere a jonciunii pn const n creterea puternic a curentului n
polarizare invers la o anumit tensiune, aa cum rezult din figura de mai jos. In dreptul tensiunii
BR
U
numite tensiune de strpungere, curentul invers
R
I tinde ctre infinit.

Dac circuitul electric exterior limiteaz curentul prin jonciune la o valoare care nu duce la
distrugerea structurii prin nclzire excesiv, fenomenul de strpungere este reversibil.
Strpungerea jonciunii poate fi explicat prin dou efecte, amndou fiind legate de valorile mari ale
intensitii cmpului electric la tensiuni inverse mari.
Multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin. La tensiuni inverse ridicate, cmpul electric din
regiunea de sarcin spaial atinge valori mari i imprim o energie crescut purttorilorde sarcin. In urma
ciocnirii cu atomii reelei cristaline, un purttor de sarcin poate avea energie suficient pentru a forma o
pereche electron gol prin ruperea unei legturi covalente.Aceti purttori de sarcin suplimentari sunt
antrenai la rndul lor de cmpul electric i n mod similar pot rupe legturi covalente, fenomenul ducnd la
o cretere nelimitat a curentului.Din punct de vedere cantitativ, prezena fenomenului de multiplicare este
luat n consideraie prin nmulirea valorii curentului invers
O
I (n absena acestui fenomen) cu un
coeficient M de multiplicare n avalan:
O R
I M I =
Coeficientul M poate fi calculat cu o relaie empiric:
n
BR
R
U
U
M
|
|
\
|
=
1
1

unde n este un exponent cuprins ntre 4 i 7, valoarea sa depinznd de semiconductor.
Efectul Zener.Pentru concentraii mari de impuriti (>10
18
cm
-3
) strapungerea jonciunii nu se mai face
prin multiplicare n avalan, ci prin efect Zener. Aceasta const n apariia unui numr crescut de purttori
de sarcin prin ruperea unor legturi covalente sub aciunea direct a cmpului electric.Efectul Zener apare
la un numr redus de tipuri de jonciuni i anume acelea cu tensiuni mici de strpungere (<5V).
Regiunea de strpungere a caracteristicii electrice (cadranul trei), unde tensiunea este practic
independent de valoarea curentului se numete i regiune de stabilizare.
6
Suprafaa semiconductorului poate juca un rol important n strpungerea jonciunii, imperfeciuni
majore, impuriti nedorite ajut la o strpungere prematur

1.1.4 Circuitul echivalent al jonciunii pn

Circuitul echivalent pentru semnal mic este alctuit din rezistena intern R
i
(care ine seama de
toate efectele staionare ale tuturor componentelor curentului) i din dou capaciti, C
b
, capacitatea de
barier i C
d
, capacitatea de difuzie. Acest circuit echivalent poate capta forme particulare n funcie de
polarizarea de curent continuu a jonciunii.

1.2 Diode semiconductoare

Dioda este un dispozitiv electronic care prezinta conducie electric unilateral. Simbolul diodei
este reprezentat n figura de mai jos, terminalele dispozitivului se numesc anod (A), respectiv catod (C ).
Sensul direct de conducie este de la anod la catod.

Majoritatea diodelor semiconductoare este realizat pe baza jonciunii pn ntr-o mare varietate de
tipuri dup cum vom vedea n cele din urm.

1.2.1 Diode redresoare

Diodele redresoare se folosesc la transformarea curentului alternativ n curent continuu, de obicei
sunt utilizare la frecvene joase (50/60 Hz). Principalii parametri ale diodelor redresoare sunt curentul n
polarizare directa maxim admisibil ( I
FM
) i tensiunea n polarizare inversa maxim admisibila (U
RM
) .
Realizrile actuale permit cureni direci pn la ordinul sutelor de amperi i tensiuni inverse de mii de voli.

7
1.2.2 Diode detectoare

Diodele detectoare se folosesc la demodularea semnalelor radio, video, etc, ele au funcii
asemntoare cu diodele redresoare, dar la frecvene mari, sute de kHz, MHz, ns la puteri mici. De
aceea structurile semiconductoare acestor dispozitive au arii mici, n vederea micsorrii capacitilor
asociate.

1.2.3 Diode de comutaie

Aceste dispozitive sunt folosite n circuite de impulsuri, principalii parametri fiind timpii de comutaie
direct (din stare de blocare n stare de conducie) i invers (din stare de conducie n stare de blocare).
De obicei pentru reducerea timpilor de comutaie se folosesc tehnologii de impurificare a structurii cu
diferite materiale , de exemplu aurul, n cazul siliciului.

1.2.4 Diode varicap

Diodele varicap servesc drept condensatoare cu capacitate variabil prin tensiunea (curentul)
invers aplicat unei jonciuni pn. Mrirea capacitii de barier (dominant fa de capacitatea de difuzie,
n cazul polarizrii inverse) se controleaz prin valoarea tensiunii inverse aplicate.

1.2.5 Diode stabilizatoare (Zener)

Diodele stabilizatoare folosesc regiunea de strpungere (efect Zener) a caracteristicii statice n
vederea stabilizrii tensiunii continue. n vederea stabilizrii este necesar, ca n domeniul de stabilizare
rezistena diferenial r
z
sa fie ct mai mic (adica unei variatii mari de curent sa-i corespunda o variatie
foarte mic de tensiune), acest lucru este echivalent cu asigurarea unei tensiuni stabilizate U U
Z BR
ct
mai constante. De asemenea, este foarte important ca tensiunea de stabilizare sa depind ct mai slab de
temperatur.

3 Stabilizator parametric cu diod stabilizatoare

n figura de mai jos se prezint schema unui stabilizator parametric cu diod stabilizatoare.
Funcionarea schemei se bazeaz pe caracteristica neliniar a diodei stabilizatoare care admite variaii
mari de curent la variaii mici ale tensiunii pe diod. Tensiunea de ieire este chiar tensiunea pe diod i
este de dorit ca dioda s fie alimentat la un curent constant n plaja de stabilizare.
8

max Z
I este determinat din considerente de putere, adic
Z Z Z
U I P
max max
= , iar
min Z
I de ieirea din
regiunea de stabilizare. n plaja de stabilizare caracteristica neliniar a diodei poate fi liniarizat
(aproximat liniar).
O Z I
i i i + =
O I I
u Ri u + =
O Z
Z I
O Z
O I
i i
U u
i i
u u
R
+
=

Dimensionarea rezistenei R st la baza proiectrii stabilizatorului parametric:

max min
Im
O Z
Z in
MAX
I I
U u
R
=
min max
Im
min
O Z
Z ax
I I
U u
R
=

Pentru a obine performane mai bune, tensiuni stabilizate mai mari, se pot conecta mai multe stabilizatoare
parametrice n cascad. Relaiile de mai sus determin plaja ( )
MAX
R R ,
min
corespunztoare curenilor i
tensiunilor maxime pe dioda stabilizatoare. Pentru un factor de stabilizare ridicat alegem rezistena de
valoare mai mare.

Aplicaie

n circuitul de pe figura de mai jos dioda este realizat pe baza unei jonciuni pn cu I A
O
= 1 i m = 1. S
se calculeze punctul static de funcionare al diodei.

Punctul static de funcionare ( ) I U
A A
, rezult din rezolvarea sistemului de
ecuaii:
U RI U
I I
qU
mkT
A A
A O
A
+ =
=
|
\
exp 1

Rezolvarea acestei ecuaii duce la o ecuaie transcendent, de aceea vom prefera o rezolvare
iterativa, bazat pe aproximaii succesive. Se presupune iniial U
A
= 0 ; rezult atunci curentul de valoarea
I
U
R
mA
A
= = 10 . Cu aceasta valoare a curentului se recalculeaz tensiunea pe diod:
( ) U m
kT
q
I
I
V
A
A
O
= +
|
\
| = + = ln . ln . 1 0 026 10 1 0 239
4

Noua valoare a curentului este acum I
U U
R
mA
A
A
=

= 9 76 . iar U V
A
= 0238 . .
9

Aceste valori se retin ca fiind solutia problemei. Se
remarca convergenta rapida calculului iterativ.
Rezolvarea sistemului se poate face i grafic, dup cum
se vede pe figura alturat

1.3 2.6 Redresoare de tensiune

1.3.2.6.1 Introducere

Funcionarea majoritii circuitelor electronice se bazeaz pe utilizarea energiei de la una sau mai
multe surse de alimentare de curent continuu, care face conversia tensiunii alternative din reeaua de
distribuie cu frecvena de 50Hz. Aceast conversie se realizeaz cu ajutorul redresoarelor de tensiune.
Transformarea tensiunii alternative ntr-o tensiune care are component continu diferit de zero este
posibil datorit elementelor neliniare pe care le conine un redresor, diodele semiconductoare.
Figura de mai jos reprezint schema bloc a unei surse stabilizate de alimentare de curent continuu:

Transformatorul are rolul de a modifica tensiunea de curent alternativ a reelei la nivelul necesar
obinerii tensiunii continue dorite i de a izola aparatul electronic de la reeaua de curent alternatuiv.
Rederesorul realizeaz componenta de curent continuu cu ajutorul diodelor redresoare. Pe lng
componenta continu la ieirea redresorului se obine i o component variabil numit ondulaie.
Filtrul are rolul de a atenua ondulaiile tensiunii redresate, deci trebuie s fie un filtru trece-jos, cu
frecventa de tiere foarte joas
Stabilizatorul are rolul de a face tensiune de ieire independent de tensiunea de intrare, de
curentul de ieire (de sarcin) i pe ct posibil de temperatur.
n cele ce urmeaz vom studia reresoarele monofazate, adic acelea care redreseaz numai o faz a
reelei, cu i fr filtru, dup care n capitolul urmtor vom studia i stabilizatoarele

1.3.2.6.2 Redresor monofazat monoalternan

n figura de mai jos se prezint schema unui redresor monofazat, precum i caracteristica ideal a
unei diode redresoare, cu care se realizeaz redresarea:

10
Se consider un transformator fr pierderi, cu t U u sin
1 1
= i t U u sin
2 2
= , unde
1
n i
2
n
respectiv
1
r i
2
r sunt numrul de spire i rezistenele din primar i secundar.
ntr-un redresor dispozitivul semiconductor (dioda) lucreaz la semnal mare, neliniaritile
dispozitivului producnd de fapt efectul de redresare.n acest caz, tensiunea de deschidere poate fi
neglijat, dioda las s treac doar semialternana pozitiv, cea negativ fiind tiat. Expresia curentului
prin sarcin este:

=

2 0
0 sin t I
i
M
L
unde
L
M
R R
U
I
+
=
2
, iar R este rezistena total
Rezistena R nglobeaz rezistena de pierderi a transformatorului, precum i rezistena
d
r a diodei
corespunztoare modului de lucru la semnal mare

dezvoltnd n serie Fourier aceast form de und, rezult:

( )( )
(
+
+ =

= ... 6 , 4 , 2
1 1
cos 2
sin
2
1 1
k
M L
k k
t k
t I i

, unde tensiunea pe sarcin este:

O L O
i R u =

Ca urmare curentul i tensiunea medie (redresat) sunt:
M
O
I
I = ,

2
U
R R
R I
R U
L
L M
L O

+
= =
amplitudinea componentei fundamentale a semnalului (ondulaiei):
2
1
M
O
I
I = ,
2 2
2
1
U
R R
R I
R U
L
L M
L O
+
= = :
valoarea eficace (efectiv) a curentului total de sarcin:

( )
2
sin
2
1 1
0
2 2
0
2 M
M
T
O OEF
I
t td I dt i
T
I = = =

randamentul redresrii se definete ca fiind raportul dintre puterea de cc n sarcin i puterea total:
11
( )
% 40
1
1 4
2 2
2
<
+
=
+
=
L
OEF L
O L
R
R
I R R
I R

factorul de ondulaie caracterizeaz calitativ forma de und obinut dup redresare, fiind :
57 , 1
2
1
= = =

O
O
U
U

Caracteristica extern a redresorului se obine prin eliminarea lui
L
R din expresia tensiunii de ieire:
O O
RI
U
U =
2

ceea ce ne arat c tensiunea redresat scade pe msur ce crete curentul de sarcin, datorit pierderilor
pe rezistena de pierderi totale.

1.3.2.6.3 Redresor dubl alternan cu priz median

Pe figura de mai jos se prezint shema electric i formele de und ale unui redresor dubl
alternan cu transformator cu priz median:

Se observ c circuitul se compune din dou redresoare monoalternan, astfel conectate nct n
alternana pozitiv conduce dioda
1
D , iar n semialternana negativ conduce
2
D , curentul prin sarcin
fiind suma celor doi cureni prin diode, avnd acelai sens n ambele semialternane. Se obine o form de
und dubl alternan cum se vede pe figurile urmtoare:

Dac admitem pentru diode caracteristica ideal , curentul prin sarcin va avea expresia:
12

( )( )
(
+
=

= ... 6 , 4 , 2
1 1
cos 4 2
sin
k
M
er serieFouri
M L
k k
t k
I t I i

Curentul i tensiunea redresat sunt:
M
O
I
I
2
=
2
2U
R R
R
U
L
L
O
+
=
Se observ c frecvena minim a ondulaiilor este dublul frecvenei tensiunii din secundar, iar amplitudinile
fundamentalei n sarcin sunt:
3
4
3
4
2
2 2
U
R R
R
U
I
I
L
L
O
M
O
+
= = , valoarea eficace a curentului de
sarcin:
2
M
OEF
I
I =
randamentul redresrii:
( )
% 80
1
1 8
1
1
2
2
2
2
<
+
=
+
|
|
\
|
=
+
=
L L
OEF
O
OEF L
O L
R
R
R
R
I
I
I R R
I R

factorul de ondulaie:
3
2
2
= =
O
O
U
U
, deci subunitar fa de redresarea monoalternan
caracteristica extern:
O
O
O
RI
U
U
U =
2
2

2.6.4 Redresor bialternan n punte

n figura de mai jos se prezint un redresor bialternan n punte care utilizeaz patru diode: n
semialternana pozitiv conduc diodele
3 1
, D D , iar n semialternana negativ conduc diodele
4 2
, D D , se
obin aceleai forme de und ca i n cazul redresorului bialternan cu punct median:

Observaie
ntruct la un moment dat conduc dou diode, rezistena total va fi modificat (ambele diode vor
contribui cu rezistena proprie la rezistena total), n rest toate relaiile obinute la redresorul anterior se
pstreaz. Avantajul redresorului n punte const n faptul c tensiunea invers maxim pe diode la
aceeai tensiune redresat este jumtate din valoarea corespunztoare redresorului cu priz median,
precum i faptul c transformatorul nu are nevoie de priz median

13
2.6.5 Redresor cu filtru capacitiv

Tensiunile i curenii rezultai prin redresare monofazat sunt funcii periodice (nesinusoidale). Ele
se descompun n serii Fourier, aa cum am vzut mai nainte, astfel se pun n eviden armonicile care
apar n urma redresrii. Forma de und a tensiunii redresate se caracterizeaz prin factorul de ondulaie
defini ca fiind raportul dintre amplitudinea armonicii i valoarea tensiunii continue obinute n urma
redresrii. n cazul redresorului monofazat monoalternan armonica cea mai important este componenta
alternativ de 50 Hz, iar n cazul redresorului bialternan este cea de 100 Hz.
Pe figura de mai jos se prezint un redresor monoalternan cu un filtru capacitiv, cel mai des
folosit.Condensatorul nmagazineaz energie n intervalul cnd dioda conduce, energie debitat n sarcin
atunci cnd dioda este blocat, ca urmare timpul ct curentul trece prin sarcin crete (ca i valoarea
medie a curentului), iar ondulaiile se reduc.

Presupunnd condensator de valoare foarte mare, se obine un factor de ondulaie:
C R U
U
L O
O
=

n general se pot utiliza multe tipuri de filtre de netezire (filtre inductive, capacitive, compuse) n multe
configuraii (n T, n ) , dintre acestea filtrul capacitiv fiind el mai rspndit

1.3. Tranzistorul bipolar

1.3.1. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici.

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei borne: emitor, baz, colector. Aceste trei
borne fac legtura la trei regiuni semiconductoare de conductibilitate diferit (n, p) ale aceluiai cristal
semiconductor. Se numete " bipolar" deoarece conducia este asigurat de dou tipuri de purttori de
sarcin cu sarcin de semn diferit: electroni i goluri. n figurile urmtoare se arat simbolurile grafice
corespunztoare celor dou structuri, npn i pnp. Sgeata din simbol corespunde jonciunii pn emitor-baz
(vrful sgeii merge ntotdeauna de la zona p spre zona n) i arat i sensul normal pozitiv al curentului
principal prin tranzistor.
14

Se pot defini trei cureni i trei tensiuni , dar pentru descrierea funcionrii nu sunt necesare toate
aceste ase mrimi. Tensiunile i curenii sunt legate prin realaia:

u u u
i i i
CB CB EB
E B C
= +
= +

Tranzistorul poate fi asimilat cu un nod n care suma algebric a curenilor este zero, deci numai dou
tensiuni i doi cureni sunt independeni. Alegerea mrimilor electrice care descriu comportarea
tranzistorului se poate face n moduri diferite. Criteriul este urmtorul: se consider tranzistorul ca un diport
(cuadripol), adic un bloc cu dou intrri i cu dou ieiri dar dat fiind faptul c tranzistorul are numai trei
borne, una trebuie s fie comun intrrii i ieirii. Borna comun definete conexiunea tranzistorului. De
exemplu:
- emitor comun (EC)
- baz comun (BC)
- colector comun (CC)
Tipuri de caracteristici.

Pentru un tranzistor dat, curenii rezult atunci cnd se dau tensiunile aplicate pe jonciuni.
Alegnd de exemplu pentru exemplificare conexiunea baz comun (BC):

( )
( )
i i u u
i i u u
E E EB CB
c c EB CB
=
=
,
,

Grafic aceste funcii de dou variabile corespund la dou familii de caracteristici.n descrierea
tranzistorului bipolar se folosesc caracteristici :

- de intrare: ( ) i i u u i
E E EB CB C
= , , parametri
- de transfer: ( ) i i u u i
C C EB CB B
= , , parametri
- de ieire: ( ) i i u u i
C C CB EB B
= , , parametri

OBSERVAIE: tranzistorul va fi complet descris prin specificarea a dou seturi de caracteristici
independente. Pentru comoditate ns se folosesc, dup caz, toate tipurile de caracteristici de mai sus, att
n conexiune baz (BC), ct i n conexiunea emitor-comun (EC).
15

1.3.2 Principiul de funcionare (efectul de tranzistor)

Efectul de tranzistor va fi explicat pe schema unui tranzistor pnp de pe figura de mai jos, care
cuprinde dou jonciuni semiconductoare, jonciunea emitor-baz i jonciunea colector baz

Ecuaii de dispozitiv. n funcionare normal, jonciunea colector-baz se polarizeaz invers iar
jonciunea emitor-baz direct. Dac u
KT
q
EB
>> , atunci i
E
este mare i u
EB
constant cu valori
tipice de ordinul 0.6-0.7 V (Si) sau 0.3-0.4 V (Ge).
Pentru ca dou astfel de jonciuni s satisfac cerinele funcionale ale unui tranzistor cuplarea lor
trebuie s satisfac dou condiii importante:
a. jonciunea emitorului s fie puternic asimetric (tip p n
+
) ca urmare i
E
va fi un curent de goluri.
b. baza s fie foarte subire n comparaie cu lungimea de difuzie a golurilor,astfel nct fluxul de
goluri s ajung practic n totalitate la colector, deci i i
E C

Examinnd, de exemplu circuitul din figur, putem determina mrimile electrice:

( )
u u R I u
u u R I
I
u u
R
u
R
u u
EE EB E E EB
CC CB C C
E
EE EB
E
EE
E
EE EB
= +
= +
=

>>
,

I I
C E
iar u u R I
CB CC C C
= + . (calculul de mai sus e valabil dac u
CB
< 0).
Comportarea tranzistorului ca amplificator.Dac presupunem o mic variaie u
EB
, aceasta
provoac variaia lui i i
E C
, i a lui u
CB

u
R
R
u
CB
C
E
EB
iar u
EB
va aprea "amplificat" dac R R
C E
< .
Este de remarcat c rezultatul nu este edificator, deoarece aplicarea semnalului n serie cu sursa
de alimentare nu este deloc inspirat ( de obicei se "atac" printr-un condensator care blocheaz curentul
continuu dar permite trecerea semnalului alternativ).
Considernd i i const
qu
KT
C E
EB

|
\
| . exp ,
i
u
qI
KT
g
C
EB
C
m
= = , unde I
C
este curentul continuu n
jurul cruia au loc variaiile produse de semnal, iar g
m
este panta (tansconductana) tranzistorului.
u R i g R u
CB C C m C EB
= =

deci amplificarea n tensiune este g R
m C
. Aceast amplificare poate lua valori mari. Deoarece i i
C E

tranzistorul amplific n putere, adic transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic n circuitul
de ieire de rezisten mare, de aici denumirea TRANSfer reZISTOR adic rezisten de transfer.

1.3.3 Componentele curenilor prin tranzistor

16
Vom considera un tranzistor pnp n conexiune baz comun polarizat normal, vom analiza separat
curenii de electroni i curenii de goluri la cele dou jonciuni

0 ,
,
, ,
CB p C C
r p E Cp
n E p E E
I i i
i i i
i i i
+ =
=
+ =

O parte din curentul de electroni injectat de emitor n baz se pierde prin recombinare, ca urmare,
curentul de goluri injectate de emitor i colectatate de colector este i
C p ,
. Curentul propriu al jonciunii
colectorului I
CB0
este susinut de purttori minoritari, electroni i goluri ( curent rezidual ).

i i i i i i i I i i I
B E C E p E n E p r CB E n r CB
= = + + = +
, , , , 0 0

unde i
E n ,
este curentul propriu de electroni al jonciunii emitorului.

Se definete eficiena emitorului :
E
E p
E
E p
E p E n
i
i
i
i i
= =
+
, ,
, ,
( )
E
1
factorul de transport :
E
C p
E p
C p
C p r
i
i
i
i i
= =
+
,
,
,
,
( )
T
1

i i i i i I i i I
E E p E n C E T E CB C F E CB
= + = + = +
, ,

0 0
unde
F E T
= este factorul de
amplificare n curent n sens direct, n conexiunea BC.
O alt condiie pentru funcionarea eficace al tranzistorului este ca I
CB0
0 ( s fie neglijabil ).
17

1.3.4 Descrierea funcionrii n regiunea activ normal

conexiunea BC (baz comun)
u
KT
q
EB
>> , u
CB
< 0, u
KT
q
CB
>> = + i i I
C F E CB
0
, unde
F CB
I ,
0
sunt presupuse constante.
conexiunea EC

C C CE CC
B B EB BB
I R u u
I R u u
+ =
+ =

Se va considera U const
EB
. nlocuind, obinem I I I
C T B CE
= +
0
unde
T
F
F
=
1
este factorul
de amplificare n curent (conexiunea EC), iar ( ) I
I
I I
CE
CB
F
F CB C I
B
0
0
0 0
1
1 =
= + =
=
este curentul
rezidual de colector n conexiunea EC (msurat cu baza n gol).

Noul factor de amplificare n curent poate avea valori mari (sute, zeci ).

u
CB
< 0 (jEB pd + jCB pi)
regimul inversat de lucru (regiunea activ invers) u
EB
< 0 , u
CB
> 0
regimul de saturaie ( u
EB
> 0 , u
CB
> 0) ambele polarizate direct.

1.3.5. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

1.3.5.1. Caracteristicile statice n conexiunea baz comun (BC)

caracteristicile de intrare
i I
qu
KT
I
qu
KT
i I
qu
KT
I
qu
KT
E ES
EB
R CS
CB
C F ES
EB
CS
CB
=
|
\
|
\
(
=
|
\
|
\
(
exp exp
exp exp
1 1
1

prima ecuaie poate fi interpretat ca i i u
E E EB
= ( ) ca o caracteristic de intarare
pentru u
CB
< 0 i I
qu
KT
E ES
EB
=
|
\
(
exp 1 este o caracteristic de diod,
pentru u
CB
< 0 u
KT
q
CB
>> obinem
( ) i I
qu
KT
I I
qu
KT
I
E ES
EB
R CS ES
EB
ES F
=
|
\
(
+ =
|
\
(
exp exp 1 1

18

Caracteristicile de transfer ( ) i i u
C C EB
=
Caracteristica de transfer este dat de ecuaia urmtoare ca ( ) i i u
C C EB
=
i I
qu
KT
I
qu
KT
C F ES
EB
CS
CB
=
|
\
|
\
(
exp exp 1 1 pentru u ct
CB
= .
n funcionare normal ea difer foarte puin de caracteristica de intrare:
`
( ) i I
qu
KT
I I
qu
KT
I I
qu
KT
C F ES
EB
CS F ES
EB
CS R F ES
EB
|
\
(
+ =
|
\
(
+ exp exp exp 1 1

Caracteristicile de ieire

aceste caracteristici pot fi interpretate fie pentru i const
E
= fie pentru u const
EB
=
pentru i
E
= 0vom folosi ecuaia: i i I
qu
KT
C F E CB
CB
=
|
\
0
1 exp
caracteristica i
E
= 0 este urmtoarea: I I
qu
KT
C CB
CB
=
|
\
( 0
1 exp
iar pentru i ct
E
= . caracteristicile se obin prin translatarea curbei pe vertical pe distane egale:

1.3.5.2. Caracteristicile statice n conexiune emitor comun (EC)

Prin scderea ecuaiilor
i I
qu
KT
I
qu
KT
i I
qu
KT
I
qu
KT
E ES
EB
R CS
CB
C F ES
EB
CS
CB
=
|
\
(

|
\
(
=
|
\
|
\
(
exp exp
exp exp
1 1
1 1

obinem:
( ) ( ) ( ) i i i I
qu
KT
I
q
KT
u u
B E C F ES
EB
F CS CE EB
= =
|
\
(
+ +
(
1 1 1 1 exp exp
ecuaie ce poate fi folosit pentru trasarea caracteristicilor de intrare
Caracteristicile de intrare ( ) i i u
B B EB
= pentru u ct
CE
= .
19

Caracteristica u
CE
= 0 este de asemenea de tip diod:
( ) ( )
[ ]
i I I
qu
KT
B F ES R CS
EB
= +
|
\
(
1 1 1 exp
Caracteristica de transfer ( ) i i u
c C EB
= pentru uCE = ct.
( ) i I
qu
KT
I
q
KT
u u
C F ES
EB
CS CE EB
=
|
\
(
+
(
exp exp 1 1
dac uCE este suficient de negativ (pnp) i u
kT
q
EB
>> ,atunci obinem caracteristica de transfer
i I
qu
KT
C F ES
EB
|
\
| exp .
Deci se obine o caracteristic exponenial iC = iC (uEB) ceea ce este o trstur de baz a
tranzistorului bipolar.Forma exponenial a caracteristicii de transfer a tranzistorului n regiunea activ
normal (RAN) trebuie reinut deoarece ea este folosit ca atare n studiul comportrii neliniare a
tranzistorului n unele circuite electronice.

Caracteristici de ieire

Cele mai folosite sunt iC =iC (-uCE ) pentru iB = ct.
( ) i i i i i
I q
KT
u u
E C B C
F
F
B
CB
F
CE EB
= + =
1 1
1
0
exp sau
( ) ( ) i i I
q
KT
u u
C F B F CB CE EB
= + +
(
1 1
0
exp ;
F
F
F
=
1

n regiunea activ normal (RAN) uEB > 0, uEB = ct.Pentru uCB = uCE + uEB < 0,1 V de exemplu
( ) i i I I I
C F B F CB F B CE
+ + = + 1
0 0
. Caracteristica iB = 0 nu este limita regiunii de tiere. Pentru a
bloca tranzistorul eset necesar s blocm jonciunea emitor - baz.

Curbele i const
B
= nu sunt orizontale, deoarece
F
depinde de limea bazei, de fapt curentul de
colector crete cu creterea tensiunii colector-emitor

1.3.6. Polarizarea tranzistorului ntr-un punct dat de funcionare, n regiunea activ

Dispersia parametrilor tranzistorului de la un exemplar la altul face ca s nu se poat pune baz pe
caracteristicile acestuia. Situaia este foarte dramatic pentru tranzistorul n conexiunea emitor comun
20
(EC), unde dispozitivul polarizat n regiunea activ normal poate fi caracterizat cu aproximaie de
parametrii uEB , F , ICB0 unde dispersia uEB este mic, dar dispersia lui F , ICB0 este foarte mare.

u u R I
u u R I
I I I
BB EB B B
CC CE C C
C F B CE
= +
= +
= +
0
(*)

Punctul static de funcionare (PSF) se va gsi la intersecia caracteristicii iB = IB = ct. ,unde
I
u u
R
B
BB EB
B
=
cu linia (*) care se numete dreapta de sarcin.

Pentru alt F , caracteristica iB = IB = ct. are alt
poziie i PSF se schimb.
Dac presupunem dreapta de sarcin dat , adic
tensiunea de alimentare i rezistena de colector
bine precizate, atunci fixarea (printr-o tehnic
oarecare) a valorii curentului nseamn de fapt
"imobilizarea" punctului de funcionare ntr-o poziie
bine determinat.

n continuare se prezint un circuit de polarizare cu rezisten n emitor, unde pentru simplitate
vom presupune vom presupune I i i
CB C F B 0
0 , ( ) i i
E F B
+ 1 . Schema difer de schema
anterioar prin rezistena de emitor RE care introduce o "reacie negativ".

( ) [ ]
B E F B EB E E B B EB BB
I R R u R I R I u u 1 + + + = + + =
( )
( )
I
u u
R R
C
F BB EB
B F E
=
+ +
1

Se observ c IC , curentul de colector al tranzistorului presupus a funciona n regiunea activ normal,
este independent de polarizarea colectorului dac F ,atunci IC devine independent de F , pentru
(F + 1) RE >> RB la limit am putea pune RB = 0 I
u u
R
I I ct
E
BB EB
E
C
F
F
E
=
=
+

1
. dar
aceast polarizare particular nu ne convine (RB = 0) deoarece semnalul care se aplic de obicei n baz
ar fi scurtcircuitat. Schemele practice folosesc o singur surs de alimentare , dup cum se vede pe figura
alturat:
21

Dimensionarea rezistenei R
B
ne conduce la valori mari, ceea ce nu satisface
condiiile enunate mai nainte, o soluie mai bun este divizorul rezistiv din
baz. Aplicnd teorema Thvenin la stnga punctelor a i b, obinem
echivalarea cu figura anterioar
u
R
R R
u
R
R R
R R
BB CC
B
=
+
=
+
2
1 2
1 2
1 2

Polarizarea tranzistorului cu generator de curent constant. n scheme practice apare frecvent acest mod de
polarizare. Un generator de curent constant este construit cu unu sau mai multe dispozitive electronice. O
schem simpl de generator de curent constant este cea de tranzistor cu rezisten n emitor i divizor de
polarizare a bazei, reprezentat pe figura de mai jos:

I I I
u u
R
C E
BB EB
E
0
= =

22

1.3.7.Limitri n funcionare datorat variaiei temperaturii i disipaiei de putere

1.3.7.1 Variaia caracteristicilor electrice cu temperatura

Un tranzistor care funcioneaz n regiunea activ normal (RAN)poate fi caracterizat cu aproximaie de
parametrii uEB (uBE) , F , ICB0 .Pentru variaia lui uEB i ICB0 vom prelua rezultatele cunoscute de la
jonciunea pn:
uEB scade cu temperatura cu o rat de 2-2,5 mV/
0
C la iE = ct.
ICB0 crete cu temperatura dup o lege exponenial dificil de prezis (orientativ ICB0 se
dubleaz la fiecare cretere de circa 10
o
C)
cnd nu este dat n catalog F variaia cu temperaturapoate fi estimat dup formula:

F F F
T T
T T
K
=

(
( ) ( )
0
0
T0 =25
0
C , K =100
0
C (Si) , 50
0
C (Ge)
Pe baza acestora se poate vedea cum se modific caracteristicile statice cu creterea temperaturii

1.3.7.2 Stabilizarea PSF n raport cu variaiile de temperatur

S considerm un tranzistor n conexiune emitor comun (EC), polarizat cu iB=IB=constant.
Punctul static de funcionare se va gsi la intersecia caracteristicii iB=IB cu dreapta de sarcin static.Dac
temperatura crete, caracteristicile se vor deplasa n sus i punctul static de funcionare se va deplasa i el
pe dreapta de sarcin spre cureni de colector mai mari. Pentru a reduce deplasarea punctului static ar fi
indicat ca circuitul s asigure o scdere a lui IB cu tendina de a menine curentul de colector constant
(IC=constant). Adic ar fi de dorit ca IB sa scad cu creterea T ca s rmn curentul de colector IC = ct. ,
de aici rezult importana circuitului de polarizare n stabilizarea PSF. Vom prezenta n continuare una din
cele mai des ntlnite procedee de stabilizare a punctului static de funcionare.
Pentru ilustrare vom considera din nou schema de mai jos, ns fr a mai neglija de aceast dat
curentul rezidual al jonciunii baz-emitor ICBO .

uBB = RB IB + uBE ; IC = F IB + (F +1)ICB0 + RE IE
IE =IB + IC = (F + 1)IB + (F + 1)ICB0
uBB - uBE = RBIB + RE (F + 1)IB + RE (F + 1)ICB0
I
u u
R R
R I
R R
B
BB BE
B F E
E F CB
B F E
=
+ +

+
+ + ( )
( )
( )
1
1
1
0

( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
I I I
u u
R R
R I
R R
I
u u
R R
R R
R R
I
C F B F CB
F BB BE
B F E
F E F CB
B F E
F CB
F BB BE
B F E
F
B E
B F E
CB
= + + =
+
+ +
+ + =
=
+ +
+ +
+
+ +

( ) ( )
( )
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0

iar uCE = uCC - RCIC - REIE = uCC - (RC + RE )IC

Stabilizarea PSF la variaia temperaturii se reduce la stabilizarea lui IC (tensiunea colector-emitor
rezult din relaiile de mai sus)
Creterea temperaturii duce la creterea curentului de colector IC prin intermediul tuturor celor trei
parametri (uBE , F , ICB0). Problema care se pune este, cum poate fi minimizat creterea lui IC prin
alegerea elementelor circuitului ?
Pentru a insensibiliza pe iC la variaiile lui F trebuie aleas o rezisten ( ) R R
B F E
<< + 1
23
astfel avem: I
U u
R
R
R
I
C
BB BE
E
B
E
CBO
+ +
|
\
| 1 , ceea ce recomand circuitul cu divizor pe baz , n care se

poate asigura o valoare suficient de mic pentru RB . Pe de alt parte, deoarece
( )
I
u
R R
C
BE
F
B E F
=
+ +
1

se mai folosete i circuitul cu o singur rezisten n baz, deoarece la valori mari ai lui RB variaia de mai
sus devine mai mic.

1.3.8.Tranzistorul bipolar n regim dinamic

1.3.8.1 Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural

n stabilirea unui circuit echivalent de semnal mic nu ne va interesa dect funcionarea
tranzistorului n regiunea activ normal, acolo unde se pune problema de a amplifica semnalul (fr a
introduce distorsiuni ale formei acestuia)

factorul de modulare a grosimii bazei, g
m
-panta (transconductana) tranzistorului
g
-conductana baz-emitor, C
dE
-capacitatea de difuzie (jonciunea emitorului)
1
r
g g
b e
b e
'
'
= =

C C C C
C C C C
b e
dE bE dE
b c
dE bc bc
'
'
= +
= +

g g
r
b c b e
b c
' '
'
= =
1
g g
r
ce m
O
= =
1

Capacitatea de barier poate fi practic neglijat pe lng capacitatea de difuzie n cazul n care jonciunea
emitorului este puternic deschis. Circuitul echivalent se numete natural, deoarece elementele sale au
fost deduse n strns legtur cu fenomenele fizice care au loc n dispozitiv.

1.3.8.2. Circuit echivalent cu parametri hibrizi

Circuitul echivalent cu parametri hibrizi este echivalent cu circuitul echivalent natural, considernd efectul
ieirii neglijabil la intrare
h r
g
h h g r h
r
i r f m O
O
= = = = =
1
0
1
; ; ;
1.3.8.3 Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun.

Figura de mai jos arat un etaj de amplificare EC, caracteristica de transfer ( ) u u u
O O I
= , unde
u
O
este tensiunea de ieire. Presupunnd c:
( ) ( ) u t U u t
I I i
= +
24

Rspunsul n curent continuu se deduce uor de pe caracteristica de transfer ( ) U u U
O O I
= , iar rspunsul
liniar al dispozitivului se poate calcula direct pe baza circuitului echivalent:

u t R i t R g u t
u t u t
r
r r
C C C m
b e
b e
i
b e
b s b e
0
( ) ( ) ( )
( ) ( )
'
'
'
' '
= =
=
+

A
u t
u t
g R u t
r r
r
u t
g r R
r r
U
o
i
m C
b e
b s b e
b e
i
m
b e
C
b s b e
= =
+
=
+
( )
( )
( )
( )
'
' '
'
'
' '
A
i t
i t
g u t
g t
g r
I
c
b
m
b e
b c
m
b e
F
= = = =
( )
( )
( )
( )
'
'
'

amplificatorul preia putere de la sursa de curent continuu (+UCC) i o transform n putere de curent
alternativ (de semnal)
bilanul energetic n circuitul de colector: - n absena semnalului : UCC = RCIC + uCE
UCC IC = RL IC
2
+ uCE IC
- n prezena semnalului alternativ, puterea de curent alternativ disipat pe RL trebuie s fie
1
2
2
R I
L c
(IC - amplitudinea semnalului alternativ)
U I u I R I R I R I
CC C CE C L C L C L C
= + +
1
2
1
2
2 2 2

puterea medie disipat pe tranzistor se micoreaz la apariia semnalului exact cu puterea de curent
alternativ (util) debitat n sarcin.
acest fenomen este caracteristic funcionrii tranzistorului ca VENTIL DE COMAND care controleaz
pur i simplu puterea instantanee pe care sursa de curent continuu o debiteaz la un moment dat n
rezistena de sarcin.
randamentul crete cu amplitudinea semnalului.

1.3.9 Caracteristica dinamic i limitarea amplitudinii semnalului

n figura de mai jos apare o schem practic de amplificator cu tranzistor bipolar n conexiune
emitor-comun (EC). Capacitile de cuplaj blocheaz componentele de curent continuu , lsnd s treac
semnalul variabil.

schema echivalent de curent alternativ
25
R R R L
L C
'
( ) = adic legarea n paralel a celor dou rezistene
( ) U u i R i R u R R i
CC CE C C E E CE C E C
= + + + +
( ) ( ) i t I i t
C C c
= +
( ) ( ) u t U u t
CE CE ce
= +
Punctul instantaneu de funcionare cu coordonatele iC(t), uCE(t) descrie aa-numita " CARACTERISTIC
DINAMIC", care nu mai coincide aici cu dreapta de sarcin static.

U U I R R u t R R i t
CC CE C C E ce C E c
= + + + + + ( ) ( ) ( ) ( )

dac se liniarizeaz caracteristicile dispozitivului n jurul PSF (uCE, ICE) atunci valoarea medie a mrimilor
electrice nu depinde de amplitudinea semnalului deci este aceeai ca la semnal zero. (Punctul mediu de
funcionare n regim dinamic coincide cu puctul static de funcionare n absena semnalului.)
Se poate reprezenta locul geometric al punctului instantaneu de funcionare n planul (ic(t), uce(t)) plan
definit pe un sistem rectangular
u t R i t
ce
L
c
( ) ( )
'
=
caracteristica dinamic este de fapt un segment al acestei drepte, segment al crui lungime depinde de
amplitudinea semnalului dac admitem
i t
u t u t
R
u t
R
b
g be
G
g
G
( )
( ) ( ) ( )
=
atunci o tensiune ug(t) sinusoidal ib(t) sinusoidal.

Limitarea amplitudinii semnalului

Deoarece caracteristicile statice sunt imprecis cunoscute se prefer s se fac calcule aproximative
ignornd neliniaritatea dispozitivelor, admind
i t I t
c C
( ) cos = , u t U t
ce CE
( ) cos = , u R i t
ce
L
c
=
'
( ) , U u U u
MAX
ce CE CEsat 0
= =
max

Pentru limitarea dispozitivului n regiunea de blocare se impune: Ic max = IC, U u R I
ce
L
C 0
max max
'
= = , iar
limita este cea mai restrictiv dintre cele dou condiii .

Alegerea punctului static de funcionare (PSF)

Caracteristica dinamic este limitat inferior de axa orizontal (tiere).Dac U
O max
este amplitudinea
maxim impus semnalului, atunci: I I
U
R
C c
C
> =
min
max
0
. Curentul maxim de lucru se dtermin lund
U V
CEsat
= 05 . ca limitare pentru evitarea saturaiei. Se obine: I I
U U V
R R
C C
CC
C E
MAX
< =
+
+
( , )
max
0
0 5

26

Aplicaie

n circuitul din figur tranzistorul bipolar are
F EB
U V = 0 99 0 2 . , . i I A
CBO
= 2 . ntre ce
limite putem gsi punctul static de funcionare dac rezistenele din circuit au tolerane de 5% ?

n relaia : I I I
C F E CBO
= + vom lua
F
1 i I
CBO
0. Pentru valorile nominale ale
rezistenelor se calculeaz:
V I R U U mA
R
U U
I I
C C CC CB
E
EB EE
E C
2 . 6 9 . 2 2 12 ; 9 . 2
2
2 . 0 6
= + = + = =
= =
Limitele ntre care poate varia curentul prin tranzistor sunt:
mA
R
U U
I I mA
R
U U
I I
E
EB EE
E C
E
EB EE
E C
76 . 2
1 . 2
2 . 0 6
; 05 . 3
9 . 1
2 . 0 6
max
min min
min
max max
=
= = =
= =
Valorile extreme ale tensiunii de colector se calculeaz astfel:
( ) V I R U U
C C CC CB
76 . 6 76 . 2 9 . 1 12
min min max
= = = ,
( ) V I R U U
C C CC CB
60 . 5 05 . 3 1 . 2 12
max max min
= = =
Locul geometric al punctelor de funcionare este reprezentat n figura de mai jos, unde mai sunt
reprezentate dreptele statice de funcionare pentru valorile extreme ale lui RC.

Aplicaie

n circuitul din figur tranzistorul npn are parametrii
F R
= = 0 99 06 . , . i I A
ES
= 2 . se cere
s se determine punctul static de funcionare ( ) I U
C CE
, .
27

n ipoteza funcionrii n regiunea activ normal tranzistorul este descris cu aproximaie de
re;aiile:

( ) i i I i I
qu
kT
I I I
I
C F B CBO E ES
BE
CBO F R CS CS
F ES
R
= + =
|
\
| = =
; exp ; ; 1

Ecuaiile circuitului se obin aplicnd legile lui Kirchhoff circuitului de baz (care cuprinde jonciunea baz-
emitor) i respectiv circuitul de colector:
U R i U R i
U R i U R i
BB B B BE E E
CC C C CE E E
= + +
= + +
;

la care se mai adaug i i i
E C B
= + . Obinem astfel un sistem de cinci ecuaii cu cinci necunoscute
( ) I I I U U
E B C BE CE
, , , , , una din ecuaii fiind neliniar.
Vom estima IE presupunnd pentru nceput U
BE
0 i I
CBO
0;
I I I
C
F
F
B F B
=

1

I
U
R
R
mA
E
BB
B
F
E
=
+
+
=
+
=
1
6
300
100
3
1
apoi obinem: U
kT
q
I
I
V
BE
E
ES
= = = ln . ln . 0 026 500 016 . Aceasta valoare a lui UBE va fi considerat
suficient de precis pentru calculul curenilor (ceea ce se poate verifica prin ncercri succesive). fr a mai
neglija de aceasta dat pe ICBO (calcul mai precis) obinem:
( ) ( )( )
( )
I
U U
R R
I R R
R R
mA
C
F BB BE
B E F
CBO E B F
B E F
=
+ +
+
+ +
+ +
=
( )
.
1
1
1
103
Aproximnd I I
C E
obinem: ( ) U U R I R I U R R I V
CE CC C C E E CC C E C
= + = 4 8 .
Deoarece tensiunea colector-emitor este pozitiv i suficient de mare, tranzistorul nu este saturat

Aplicaie

n circuitul din figura de mai jos tranzistorul are F cuprins ntre 100 i 200 , tensiunea baz-emitor
de 0.6V . Se cere s se determine poziia punctului static de funcionare n planul caracteristicilor de ieire
( ) i i u
C C CE
= . Presupunnd RC variabil, s se determine plaja de valori pe care o poate lua astfel ca
tranzistorul s funcioneze n regiunea activ normal

28

Cu o echivalare Thvenin la stnga bornelor A,B se obine circuitul echivalent din figura a doua,
unde:
U
R
R R
U V R
R R
R R
k
BB CC B
=
+
= = =
+
=
=
2
1 2
1 2
1 2
10
30
18 6
10 20
30
6 66 , .
Se rezolv sistemul de ecuaii:
U R I U R I
I I I
I I
U R I U R I
BB B B BE e e
E B C
C F B
CC C C CE E E
= + +
= +
=
= + +
;
;
;
;

cu necunoscutele: IE, IB, IC, UCE . Din primele trei ecuaii rezult expresia curentului de colector:
( )
( )
I
U U
R R
C
F BB BE
B F E
=
+ +
1

valoare independent de RC , att timp ct tranzistorul funcioneaz n regiunea activ normal.
Introducnd valori numerice se obine I mA
c
= 259 . pentru
F
= 100
I mA
c
= 2 64 . pentru
F
= 200
Curentul de colector depinde foarte slab de factorul de amplificare n curent F Din punct de
vedere matematic, IC independent de factor de amplificare se asigur prin: ( )
F E B
R R + >> 1
Aceasta echivaleaz cu neglijarea cderii de tensiune pe RB n circuitul baz-emitor. Ca urmare,
potenialul bazei fa de punctul de referin este aproximativ constant i egal cu UBB ,iar :
I I
U U
R
mA
C E
BB BE
E

=
6 0 6
2
2 7
.
.
Cu ajutorul divizorului pe baz i al rezistenei din emitor, tranzistorul este polarizat la un curent constant,
aproximativ independent de tranzistor. Neglijnd curentul de baz fa de curentul de colector, obinem
aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff:
( ) U U R R I
CC CE C E C
+ +
care este ecuaia dreptei de sarcin reprezentete n figura de mai jos:

29

Punctul static de funcionare se vagsi pe aceast dreapta de sarcin, la curenii cuprini ntre 2,59 i 2, 64
mA. Lund I mA U V
C CE
= = 2 6 7 6 , ,

R
C min
= 0 i R
U U
I
R k
C
CC O
C
E max
max
,
,
, =
=
18 0 5
2 64
2 4 63

Valoarea maxim se calculeaz astfel nct tensiunea colector-emitor la curent de colector de valoare
maxim s nu scad sub valoarea de saturaie, considerat n acest caz de o valoare acoperitoare de
0,5V.

1.4 Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciune

1.4.1 Generalitati.Principii de funcionare.Simboluri. Noatii.

Tranzistoarele la care conduciaelectric este asigurat de un singur tip de purttor de sarcin se
ntlnesc n literatura de specialitate sub denumirea de tranzistoare unipolare sau tranzistoare cu efect de
cmp. Pentru aceste tranzistoare se foloseste curent prescurtarea de tranzistoare TEC sau FET (Field
Effect Transistor). Funcionarea lor se bazeaza pe variatia conductibilitatii unui "canal" dintr-un material
semiconductor, ale carui dimensiuni transversale sau concentratii de purtatori de sarcina mobili pot fi
controlate cu ajutorul cmpului electric transversal, creat ntre un electrod de comanda numit poarta (gate)
situat n vecinatatea canalului i masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal.
Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TECJ) funcioneaza cu purtatori majoritari (electroni n
canalul n , vezi figura de mai jos, respectiv goluri n canalul p)
Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune (TECJ) a fost propus de Schockley n 1952 i este n
esenta un rezistor a carui sectiune este controlata de grosimea regiunii sarcinii spatiale a unei jonciuni pn.
Termenul de efect de cmp este legat de existenta cmpului electric n zona de sarcina spatiala , cmp a
carui intensitate este determinata de tensiunea aplicata pe terminalul poarta.
Figura de mai jos arata un tranzistor cu efect de cmp cu jonciune realizat n constructie planar-
epitaxiala. Conductia are loc ntr-un canal n ntre contactele sursa (care emite electroni) i respectiv drena
(care i colecteaza). Electrodul denumit "poarta" contacteaza zona difuzata p
+
care mpreuna cu substratul
p
+
delimiteaza canalul n. Jonciunea pn poarta-canal este polarizata invers, iar grosimea regiunii de sarcina
spatiala asociata acestei jonciuni face ca sectiunea conductiva a canalului (regiunea n neutra) sa fie mai
mic dect distanta dintre cele doua jonciuni. Aceasta sectiune este controlabila electric prin diferenta de
potential care exista ntre poarta i canal.

Simboluri grafice

Observatie. i substratul p
+
poate fi folosit ca electrod poarta. Daca este legat la acelasi potential cu
propriu-zisa, atunci se obine un "efect de cmp" aproximativ simetric fata de axa longitudinala a
dispozitivului. Dar substratul poate fi folosit ca un al patrulea electrod, independent, caz n care se obine
"tetroda cu efect de cmp".
Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune are avantaje importante fata de tranzistorul bipolar:
-dependenta de temperatura mai redusa a caracteristicilor (nu sunt purtatori minoritari)
-rezistena de intrare (pe electrodul poarta) foarte mare (sute, mii de M, pentru ca iG=0)
30
-inexistenta tensiunii de decalaj (tensiunea drena-sursa este zero la curent de drena zero)
-zgomotul mai redus
Pe de alta parte TECJ nu amplifica n curent, iar amplificarea n tensiune este mai mic. De obicei n
circuitele electronice discrete se ntlneste i n combinatie cu tranzistorul bipolar (se exploateaza
avantajele ambelor tipuri de tranzistoare)
Trebuie remarcat faptul ca sageata din simbolul grafic i n acest caz desemneaza o jonciune pn (sensul
sagetii de la p la n). Curentul de poarta este foarte mic (de ordinul nA) i va fi considerat practic nul.
Curentul de drena iD este normal pozitiv: intra n drena tranzistorului cu canal n (electrod care evacueaza
electroni) i iese din drena tranzistorului cu canl p. Curentul de sursa este egal cu cel de drena.

1.4.2 Caracteristicile statice ale TECJ

a.Caracteristici de ieire ( ) i i u
D D DS
= cu u cons t
GS
= tan parametru numite i
caracteristici de drena. Pentru o anumita valoare a tensiunii poarta-sursa, numite tensiunea de prag UT
(threshold), daca negativarea portii creste, grosimea efectiva a canalului scade i se anuleaza precum i
curentul de drena.

pentru tensiuni uDS mici cu uGS=constant caracteristicile sunt:
i G
u
U
u
D O
GS
T
DS
=
|
\
(
(
(
1
1
2

Aceste caracteristici sunt schiate pe figura de mai jos:

unde GO este conductanta canalului la tensiune poarta-sursa
nula.Liniile sunt trasate i n cadranul al treilea (dar numai pentru
tensiuni mici!) pentru a arata ca tranzistorul se comporta ca o
conductanta liniar i pentru tensiuni drena-sursa mici. TECJ este
folosit n regiunea liniar la tensiuni mici drena-sursa ca rezistena
controlata n tensiune. Aici conductanta drena-sursa este identica cu
conductanta canalului i rezistena drena-sursa este functie liniar de
tensiunea poarta-sursa aplicata.
Pentru calcule practice se poate aproxima rezistena canalului cu expresia empirica: r
r
KU
d
GS
=
0
1

unde r0 este rezistena pentru tensiune poarta-sursa nula, iar K este o constanta a tranzistorului.
Pentru valori mai mari ai tensiunii uDS avem urmtoarele caracteristici de drena:

Aceste caracteristici sunt liniare numai la tensiuni drena-
sursa foarte mici, pentru tensiuni mai mari, distingem a zona
neliniar, o zona de saturaie a curentului de drena (aici
curentul de drena depinde foarte slab de tensiunea drena-
sursa), dup care urmeaza o zona de cretere abrupta
(strapungere) a curentului, nemarcata pe grafic.

Zona neliniar este caracterizata de u u
DS DS sat
<
,
, unde uDS,sat este tensiunea la care apare
saturatia curentului de drena.
Zona de saturaie este caracterizata de faptul ca ID nu mai creste cu uDS. Prin definitie
u u
DS DS sat
,
, i I
D D sat
=
,

31
Teoria arata ca saturatia corespunde momentului n care canalul este strangulat lnga drena. Aceasta
strangulare apare la rndul ei atunci cnd diferenta de potential ntre poarta i extremitatea de lnga drena
a canalului este egala cu tensiunea de prag, deci:

u u U u u U
GS DS sat T DS sat GS T
= =
, ,

Din grafic se vede cum uDS,sat creste cu uGS. La tensiuni mari uDS apare o cretere foarte puternica a lui iD
datorit strapungerii prin multiplicare n avalansa care apare la capatul de lnga drena al jonciunii poarta-
canal.
b.Caracteristicile de transfer sunt iD=iD(uGS). Dispozitivul este folosit ca amplificator n zona de
saturaie caracterizata de u u
DS DS sat
>
,
, unde iD este practic independent de uDS. Pentru calcule se
foloseste aproximatia parabolica a acestei caracteristici:
i i I
u
U
D D sat DSS
GS
T
= =
|
\
|
,
1
2

Grafic, caracteristica statica de transfer se prezinta n figura
urmtoare. Zona preferata de lucru este cea de la curenti
mari, acolo unde i panta caracteristicii este mai mare. Aici
curentul scade cu creterea temperaturii (la uGS=constant)
dar problema ambalarii termice nu se pune n cazul TECJ.

1.4.3 Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp cu jonciune (TECJ)

Figura de mai jos prezint un circuit n care polarizarea porii fa de surs se asigur prin cderea
de tensiune dat de curentul de sursa iD pe rezistena RS. Aceasta tensiune este aplicata pe poarta prin
rezistena RG , care are valori de ordinul M.

Deoarece u R i
GS S D
= punctul de funcionare n planul caracteristicii de transfer poate fi
determinat prin intersectia dreptei de mai sus numite dreapta de polarizare, ca n figura. datorit dispersiei
caracteristicilor (variatia tensiunii de prag la diferite cdispozitive), caracteristica ( ) i i u
D D GS
= este nsa
nesigura.. Pentru o polarizare corecta, bine determinata, linia de polarizare trebuie sa intersecteze
caracteristicile de transfer ntre punctele A,B, lucru deloc usor de realizat.
Atunci cnd este impus un domeniu foarte mic pentru variatia curentului de drena, se recomanda
polarizare cu divizor rezistiv pe poarta
32

u U i R
GS GG D S
= U
R
R R
U
GG DD
=
+

2
2 1

asigurnd astfel o polarizare corect, respectnd limitele impuse, lucru imposibil de realizat cu schema
anterioar.

1.4.4 Circuitul echivalent de semnal mic

La frecvene joase comportarea tranzistorului este cvasistaionar i modelul de semnal mic poate
fi dedus prin liniarizarea caracteristicilor n jurul unui punct de funcionare. Definirea parametrilor circuitului
echivalent se face plecnd de la:
( ) i i u u
D D GS DS
= ,
difereniind:
di
i
u
du
i
u
du
D
D
GS
GS
D
DS
DS
= +

trecnd la variaii finite (dar foarte mici):
i g u g u
D m GS d DS
= +
definim panta sau transconductanta:
g
i
u
i
u
m
D
GS
u
D
GS
U
DS DS
=

si conductanta de dren sau de ieire
g
i
u
i
u r
d
D
DS
u
D
DS
u
d
GS GS
= =
1
unde rd este rezistena de drena.
Dac tranzistorul este polarizat n regiunea activa normala, atunci panta gm i rezistena de drena
rd au valori mici. Valoarea maxim a pantei se poate calcula:

g
i
u
I
U
u
U
g
u
U
m
D
DS
u
DSS
T
GS
T
m
GS
T
DS
= =
|
\
| =
|
\
2
1 1
0

unde g
i
u
I
U
U
m
D
GS
U
DSS
T
T
GS
0
0
2
0 0 = =
> <
=
, este panta maxim la uGS=0

Circuitul echivalent din figura de mai jos corespunde relaiei anterioare i este valabil la excursii suficient de
mici ale variabilelor n jurul punctului de funcionare.

33
La frecvene nalte trebuie luate n considerare capacitile dintre electrozi, asa cum se indic n
figura de mai jos

Cgs este capacitatea de barier dintre poart i surs, iar Cgd capacitatea de barier dintre poart i
drena. Valorile obinuite pentru aceste capaciti sunt de ordinul 1-10 pF. Capacitatea dren-surs a
canalului Cds poate avea valori cuprinse ntre 0.1-1 pF. Datorit acestor capaciti n tranzistor apare o
reacie negativ intern iar amplificarea scade la frecvente nalte.

Aplicaie

Se da circuitul din figur, unde tranzistorul cu efect de cmp este descris de legea:
i I
u
U
D DSS
GS
T
=
|
\
| 1
2

cu I mA
DSS
= 9 i U V
T
= 3 . ntre ce limite poate varia rezistena de dren astfel nct tranzistorul s
funcioneze n regiunea de saturaie ?

nlocuind u R i
GS S D
= n Ecuaia caracteristicii de transfer, obinem: i
i
D
D
=
|
\
| 9 1
12
2
sau
i i
D D
2
8 144 0 + = cu solutiile 36 mA i 4 mA. Evident, numai a doua solutie convine problemei. n
general. dintre cele doua solutii obtinute din Ecuaia de gradul doi n curentul de drena, pentru circuitul din
figura numai valoiarea cea mai mic este cea corecta. Pentru tensiunea poarta-sursa numai solutia
U u
T GS
< < 0 este corecta. n cazul de fata avem: U R I V
GS s D
= = = 0 25 4 1 .
Modificarea rezistentei de drena nu are nici un efect asupra curentului de drena.
( ) U U I R R U U I R
DS DD D D S DD GS D D
= + = +
Impunnd conditia pentru saturaie:
U U U U V
DS DSsat GS T
< = = 2
obinem:
R R
U U U
I
U U
I
k
D D
DD GS DSsat
D
DD T
D
< =
+
=
+
=
=
max
,
16 3
4
3 25
deci, rezistena de drena poate fi cuprinsa ntre ( ) R k
D
0 325 , .

1.5 Tranzistoare cu efect de cmp MOS

1.5.1 Generalitati.Principii de funcionare.Simboluri. Notatii
34

Tranzistorul MOS este un dispozitiv electronic bazat pe conducia curentului electric la suprafata
semiconductorului. Proprietile conductive ale suprafetei semiconductorului sunt controlate de un cmp
electric aplicat printr-un electrod izolat de semiconductor (poart). Aceste aspecte constructive definesc
familia tranzistoarelor cu efect de cmp cu poarta izolat sau, pe scurt, TEC-MIS (tranzistor cu efect de
cmp-metal-izolator-semiconductor). Izolatorul folosit este un strat subtire de oxid (SiO2) crescut prin
oxidarea termic a suprafeei siliciului (de unde denumirea TEC-MOS, adic tranzistor cu efect de cmp-
metal-oxid-semiconductor).
Poarta este realizat, de regul din aluminiu, dar poate fi realizat i din alte materiale, de exemplu
siliciu policristalin puternic dopat.
Conducia se realizeaz pe suprafaa substaratului de siliciu, ntre doua zone cu tip de
conductivitate opus celui al substratului; cele dou zone se numesc surs (S) i dren (D).

n figur s-a considerat un substrat de tip n; n acest caz sursa i drena sunt de tip p. Pentru a se putea
stabili un curent electric ntre sursa i drena, suprafaa semiconductorului trebuie inversat ca tip de
conductivitate, adic s devin de dip p. n acest caz, la suprafaa apare un canal conductor, de tip p., care
leag sursa de dren. Inversarea tipului de conductivitate a suprafeei, precum i controlul rezistivitii
canalului se face de ctre poart. Simbolurile grafice pentru tranzistoare MOS cu canal n i p sunt
prezentate n continuare:

De obicei n aplicaii obinuite substratul se leag la surs, dar exist dispozitive la care substratul apare
ca un terminal separat. Se observ aceeai semnificaie pentru sgeata din simbolul grafic.

1.5.2 Caracteristicile statice ale tranzistorului MOS

Fie un TEC-MOS cu canal n (cel cu canal p se descrie identic) la care substratul se leag la surs.
Tensiunile de poart UGS i de dren UDS sunt pozitive. Pentru tensiuni de poart mai mici de tensiunea de
prag UT nu apare canal la suprafata i ca urmare curentul de drena ID este nul.Daca tensiunea de poarta
depaseste valoarea de prag, ntre sursa i drena se formeaza un canal n care permite conduciacurentului
electric (cu att mai bine cu ct tensiunea UGS este mai mare).
Caracteristicile staice ale tranzistorului MOS reprezint dependena curentului de dren de tensiunile de
poart i de dren:
( ) I I U U
D D GS DS
= ,
35
Caracteristicile de dren sau de ieire au aceeasi forma ca i n cazul TECJ, se pot deosebi o zon
cvasiliniar i a zona de saturaie:

Ecuaia caracteristicii statice n regiunea cvasiliniar este:
( ) I U U U
U
U U
D GS T DS
DS
DS DS sat
=
(
< < 2
2
0
2
,
,

unde este un parametru constructiv al tranzistorului.
tensiunea de saturaie are forma aproximativ:

U U U
DS sat GS T ,

n zona de saturaie curentul de drena are o valoare constant n raport cu UDS pentru tensiuni mai mari ca
tensiunea de saturaie, i caracteristica static de transfer are urmtoarea form:
( ) I U U U U
D GS T
m
DS DS sat
= > ;
,

unde m este un coeficient cuprins ntre 1 i 2 , dar de obicei n calcule mai simple se utilizeaz:
( ) I U U U U
D GS T DS DS sat
= >
2
;
,

n figura de mai jos se reprezint aceast caracteristic pentru un tranzistor MOS cu canal n

Observatie. Din punctul de vedere al dependenei de
temperatur, tranzistorul MOS prezint avantaje deosebite fa
de tranzistoarele bipolare. La creterea temperaturii, curentul
de dren scade, dar dependena este foarte slab. Ca urmare
tranzistoarele MOS nu prezint fenomenele de strpungere
secundar i ambalare termic.

n figura urmtoare este prezentat caracteristica static de transfer pentr un TECMOS cu canal p

n cazul TECMOS cu canal p ambele tensiuni UGS, UDS sunt
negative. Aceste tranzistoare au canal indus prin aplicarea
unei tensiuni UGS mai mari dect valoarea de prag.

Unele tranzistoare prezint canal chiar la tensiuni poart-surs nule ( ) U
GS
= 0 i se numesc
tranzistoare MOS cu canal iniial. Aceast situaie se ntlnete n special la tranzistoare cu canal n.
Un asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate a tensiunii de poart. Dac tensiunea de poart este
pozitiv U
GS
> 0, regimul se numete regim de mbogire datorit creterii concentraiei de electroni n
canal; dac tensiunea de poart este negativ U
GS
< 0, regimul poart denumirea de regim de srcire i
duce la scderea concentraiei de electroni din canal pn la dispariia lui (la U U
GS T
= )
Caracteristicile de transfer pentru TECMOS cu canal iniial n i p sunt prezentate n figurile urmtoare:

36
TECMOS cu canal p iniial TECMOS cu canal n iniial

1.5.3 Polarizarea TECMOS

alegerea unui anumit punct static de funcionare se face n functie de scopul dorit: obinerea unei
anumite pante, folosirea unei regiuni ct mai liniare a caracteristicilor, etc
Pentru tranzistoare MOS cu canal indus tensiunile de poarta i de drena au aceeasi polaritate. ca
urmare, pentru polarizare se poate folosi un circuit simplu, cu o singura sursa de curent continuu, cum se
vede pe figura:

U U
R
R R
GS DD
=
+
2
1 2

pe baza caracteristicii de transfer se poate determina curentul ID; tensiunea
de dren este atunci:

U U R I
DS DD D D
=

Tranzistoarele MOS cu canal iniial trebuie polarizate astfel nct tensiunea de poart s poat
cpta att valori pozitive ct i valori negative. n figura de mai jos se prezint un astfel de circuit de
polarizare, cu o singur surs de alimentare.

Tensiunea de poart se calculeaz cu relaia:
U U
R
R R
R I
GS DD S D
=
+

2
1 2

Se observ posibilitatea realizrii ambelor semne pentru tensiunea de
poart. Circuitele de curent continuu ale tranzistoarelor MOS nu au, de
regul, sarcina stabilizrii termice a punctelor statice de funcionare,
datorit dependentei slabe de temperatur a caracteristicilor statice.

1.5.4 Regim variabil de semnal mic.Schema echivalenta de semnal mic.

Utilizarea tranzistoarelor MOS n circuite de amplificare necesita stabilirea unei scheme
echivalente pentru regimul variabil de semnal mic. Tranzistorul MOS lucreaza n regiunea de saturaie.
Daca frecventa semnalului este joasa se poate adopta ipoteza cvasistaionar, potrivit creia
dependena ntre valorile instantanee ale marimilor electrice ( ) i u u
D GS DS
, , este aceeasi ca n curent
continuu, conform relaiei:
( ) i u U
D GS T
m
=
difereniind oinem:
37
di
i
u
du
i
u
du
D
D
GS
GS
D
DS
DS
= +

notnd variaiile mici de semnal: du u du u di i
DS d GS g D d
= = = , , , rezulta o relaie ntre componentele
variabile ale mrimilor electrice:
( ) ( ) i m U U u U U
u
u g u
r
u
d GS T
m
g GS T
m
DS
d m g
d
d
= + = +
1 1

unde s-au utilizat urmtoarele notatii:

gm panta tranzistorului la frecvente joase data de:
( ) g m U U
mI
U U
m GS T
m
D
GS T
= =
1

rd rezistena difereniala canalului n regiunea de saturaie:

( )
1
r
U U
u
I
u
d
GS T
m
DS
D
DS
= =

Pe baza acestora se poate realiza schema echivalenta la semnale mici:

La frecvente nalte trebuie luate n considerare capacitatile ntre electrozi, asa cum se indica n figura de
mai jos

38
SINTEZA UNOR DISPOZITIVE ELECTRONICE FUNDAMENTALE
Denumire/
Simbol grafic
Caracteristica de intrare Caracteristica de transfer Caracteristica de ieire
Tranzistor bipolar
pnp

Tranzistor bipolar npn

C
o
m
a
n
d
n

p
u
t
e
r
e

TEC-J canal n

TEC-J canal p

TEC-MOS canal n iniial

TEC-MOS canal p iniial

TEC-MOS canal n indus

TEC-MOS canal p indus

C
o
m
a
n
d
n

t
e
n
s
i
u
n
e

39

1.6 Dispozitive multi- i unijonciune

1.6.1 Introducere

Dispozitivele multijonciune au trei sau mai multe jonciuni, au la baza structura pnpn, care are
patru straturi i trei jonciuni i care, datorit caracteristicii sale statice curent-tensiune cu doua stari stabile,
se foloseste n circuitele de comutaie. Vor fi tratate n acest capitol urmtoarele dispozitive multijonciune:
dioda pnpn, tiristorul conventional, tiristorul tetroda, diacul, triacul.
Aceste dispozitive multijonciune sunt folosite n circuite de impulsuri, n circuite pentru conversia
energiei electrice, circuite de comutaie.

1.6.2 Dioda pnpn

Dioda pnpn este o structura de siliciu monocristalin cu patru zone alternativ dopate cu impuritati
acceptoare i donoare. n figura de mai jos este prezentet schematic modelul unidimensional al acestui
dispozitiv cu trei jonciuni (J1,J2,J3). Zonele extreme mai puternic dopate se numesc emitori, iar zonele
interioare se numesc baze. Emitor p1
+
se mai numeste anod, iar emitorul n2
+
catod. Jonciunile se afla la
distante mici ntre ele, astfel ca regiunile A-J3 i J1-C sa poata ndeplini functia de tranzistor. Dioda pnpn
se mai numeste i dioda Shockley, dinistor sau dioda cu patru straturi. Simbolul grafic al acestui dispozitiv,
precum i sensurile pozitive pentru curent i tensiune sunt prezentate n figura de mai jos:

Caracteristica statica este aratata n aceeasi figura:
n polarizare inversa jonciunile J1,J3 sunt alimentate invers, iar jonciunea J2 direct i ca urmare
curentul prin dispozitiv are valori mici, de ordinul curentului invers printr-o jonciune pn. La o anumita
valoare a tensiunii inverse UB (breakdown) curentul invers prin dioda creste foarte rapid datorit
strapungerii prin multiplicarea n avalansa a purtatorilor de sarcina a jonciunii J1 sau J3.
n polarizare directa avem doua stari stabile. una caracterizata prin curent mic i tensiune mare
(rezistena mare),de blocare, alta prin curent mare i tensiune mic (rezistena mic), de conductie.
Crescnd tensiunea directa pe dioda, curentul are valori mici, practic curentul invers al jonciunii centrale
polarizate invers. La o tensiune numita de aprindere (de amorasare) notata cu UBO dispozitivul comuta n
cealalta stare stare stabila, cea de conductie.Regiunea O-A se numeste regiune de blocare, iar regiunea B-
C de conductie. Portiunea intermediara A-B de rezistena dinamic negativa este instabila. Comutarea
inversa are loc atunci cnd curentul direct sau tensiunea directa scad sub valorile de mentinere IH,
respectiv UH.Pentru a studia fenomenele fizice din structuar diodei pnpn se adopta modelul lui Ebers, i
anume descompunerea structurii pnpn n doua tranzistoare T1 pnp i T2 npn conectate ca n figura de mai
jos:

i i I
i i I
C F E CB
C F E CB
1 1 1 01
2 2 2 02
= +
= +

40
unde F sunt factori de amplificare n curent direct, iar ICB0 sunt curentii reziduali de colector. Prin
jonciunea centrala va trece curentul

i i i i i I
A C C F A F A O
= + = + +
1 2 1 2 2
, unde I I I
O CBO CBO 2 1 2
= + este curentul rezidual al jonciunii J2.
Din relatia anterioara rezulta:
( )
i
I
A
O
F F
=
+
2
1 2
1
de unde conditia de amorsare:
F F 1 2
1 + = .
n momentul amorsarii, la jonciunea J2 apare multiplicarea n avalansa a purtatorilor, ce atrage dup sine o
cretere puternica a curentului iA.Tensiunea la care se realizeaza amorsarea este denumita tensiune de
autoamorsare, notata cu UBO.Amorsarea diodei pnpn prin creterea tensiunii anodice reprezint modul
normal de funcionare. Exista nsa i moduri parazite de amorsare, prin creterea temperaturii sau prinntr-o
variatie brusca a tensiunii anodice, moduri ce trebuie evitate la o funcionare normal.

1.6.2 Diacul

Diacul (Diode alternating current) este un dispozitiv multijonciune care are proprietatile diodei
pnpn n ambele sensuri de conductie. Dispozitivul are cinci straturi i patru jonciuni, poate fi considerat ca
fiind realizat din doua structuri pnpn asezate antiparalel n acelasi monocristal de siliciu. Diacul are
conduvctibilitate bidirectionala, cei doi electrozi ntre care circula curentul principal iT se numesc terminal T1
i terminal T2.
La aplicarea unei tensiuni pozitive (vezi figura urmtoare) structura din dreapta este pola-rizata
direct, se amorseaza la o tensiune de amorasare naturala i are caracteristica din cadranul I.

Cnd polaritatea tensiunii se inverseaza, intra n conducie structura din stnga, rezultnd ramura
simetrica a caracteristicii. Este de dorit ca tensiunile de amorsare sa fie agale, pentru o caracteristica
simetrica. Datorit caracteristicii bidirectionale, simetrice, diacul se foloseste n circuitele de curent
alternativ, fiind un dispozitiv de putere mic, se utilizeaza n circuitele de comanda ale tiristoarelor i
dispozitivelor triac.

1.6.3 Tiristorul convenional

Tiristorul este o structur pnpn prevazut cu electrod de comand prin conectarea zonei p
adiacente catodului, dup cum se vede pe figur:

Electrodul de comand, poarta, G (gate), anod i catod sunt cele trei terminale ale tiristorului. Acest tiristor
se numete "convenional" deoarece el constituie varianta cea mai des ntlnit.
41
Amorsarea tiristorului se realizeaza prin injectarea unui curent pe poarta, la o tensiune mai mic
dect cea de autoamorsare sau la tensiunea de autoamorsare fara curent de poarta, mod utilizat foarte rar
sau deloc.
Denumirea de "tiristor" provine de la numele unui tubul electronic cu gaz cu funcionare
asemanatoare numit tiratron (TIRatron transISTOR)
Analiza fenomenelor fizice ce au loc la amorasarea tiristorului prin injectarea unui curent de poarta
se poate face echivalnd structura cu doua tranzistoare complementare , ca n cazul diodei pnpn, dup
cum se vede pe figura urmtoare:

Avem relatiile:
( ) i i i I
i i I
C F A G CB
C F E CB
2 2 02
1 1 1 01
= + +
= +

prin jonciunea J2 circula curentul:
( )
( )
i i i i I i
i I
A F A F A G CB A
F G O
F F
= + + + =
+
+

1 2 02
2 2
1 2
1

Aceast relaie indica posibilitatea creterii nelimitate a curentului prin structura, daca este
ndeplinita conditia de amorsare, amorsarea poate avea loc la o tensiune anodica mai mic dect
tensiunea de autoamorsare. Procesele fizice sunt aceleai ca la amorsarea diodei pnpn, deosebirea fiind
ca iniierea amorsrii este provocat prin injectarea unui curent iG prin jonciunea J3 i nu prin creterea
tensiunii anodic. Dependena factorilor de curent de curentul prin dispozitiv st la baza procesului de
amorsare a tiristorului. Urmrind caracteristicile statice curent-tensiune, se observ c la cureni de poart
mai mari tensiunea de amorsare este mic, peste o anumit valoare a curentului de poart, amorsarea are
loc pe curba punctat, ca la o jonciune pn (tiristorul este de fapt o diod comandat).
n funcionare normal, tensiunea anodic trebuie s fie mai mic dect tensiunea de
autoaprindere UBO. Pentru comutare direct se aplic un curent de poart cruia i corespunde o tensiune
de aprindere UA<UBO.
n polarizare invers, tiristorul se comport ca o dioda pnpn, prin el trecnd un curent mic, iar la
tensiunea UB are loc strpungerea tiristorului.
Pentru a bloca tiristorul trebuie micorat curentul prin structura sub valoarea de meninere IH
(HOLD) (tensiunea la borne scade i ea sub valoarea de mentinere UH), deoarece dup amorsare, poarta
si pierde rolul de electrod de comanda, n sensul ca nu poate actiona i pentru blocarea tiristorului, totusi
acest rol va fi reluat dar numai dup blocarea tiristorului.
Semnalul de comanda pentru amorsarea tiristorului poate fi att semnal continuu ct i impulsuri
de polaritate corespunztoare. Comutarea directa i blocarea tiristorului au loc n timp fini, fiind legate de
procese fizice de injectie i extractie de purtatori de sarcina.
Timpul de comutare directa creste cu temperatura i cu curentul anodic, dar scade cnd amplitudinea
semnalului de comand creste. Daca semnalul de comanda este un impuls, trebuie sa aiba o durata
minima, timp de mentinere pe poarta, sub care comutarea nu are loc.Timpul de comutare inversa creste de
asemenea cu temperatura i curentul anodic i scade cnd amplitudinea semnalului de comutare creste.
Astfel, pentru blocare este suficient sa micsoram tensiunea anodica sub valoarea de mentinere, dar timpul
de comutare inversa scade daca inversam polaritatea tensiunii pe anod.
Daca semnalul de blocare este un impuls, exista o durata minima a acestuia, numita timp de revenire pe
poarta sub care blocarea nu are loc.n tiristoarele rapide timpii de comutare sunt de ordinul a cteva
microsecunde, iar timpul de blocare este n general mai mare dect cel de comutare directa.

42
1.6.5 Triacul

Triacul este un dispozitiv cu cinci straturi, echivalent cu dou tiristoare aezate antiparalel n
acelai monocristal de siliciu, avnd un singur electrod de comand (TRIode Alternating Current).
Caracteristica curent tensiune pentru ambele sensuri ale tensiunii aplicate n circuitul principal, are forma
corespunztoare tiristorului polarizat n sens direct.

Datorit conductibilitii bidirecionale, cei doi electrozi ntre care circul curentul principal iT se
numesc terminalul T1 i terminalul T2. Comanda pe poart se poate face cu semnale de ambele polariti
pentru fiecare dintre cele dou sensuri ale curentului principal.
Se disting patru moduri de funcionare: modul I u u
T G
> > 0 0 ,
modul II u u
T G
> < 0 0 ,
modul III u u
T G
< < 0 0 ,
modul IV u u
T G
< > 0 0 ,
Triacul se foloseste n circuitele de reglare i comand a puterii de curent alternativ. tensiunea de
autoaprindere trebuie s fie mai mare dect valoarea de vrf aplicat triacului ntre cele dou terminale
pentru a asigura amorsarea dispozitivului pe poart la orice valoare instantanee a tensiunii de alimentare.
Comanda porii se face prin tensiune continu, tensiune alternativ redresat (nefiltrat), alternativ sau n
impulsuri. IPRS Baneas produce triace de 6 (de exemplu TB10N6 pentru 600V), respectiv 10 A,
(TB10N6), diace de 32, 38, 44, 50 V (DC32, DC38, DC44, DC50).
Pentru aplicaii de putere se recomand utilizarea triacelor cu radiator pentru eliminarea puterii
disipate.

Aplicaie

Pe schema de mai jos se reprezint o schema de variator de curent alternativ, realizat cu un triac,
comandat cu ajutorul unui diac.

Condensatorul C1 se ncarc pn la tensiunea de autoaprindere a diacului, moment n care diacul
se deschide asigurnd curentul de poart necesar amorsrii triacului. Puterea pe sarcin se variaz prin
variaia unghiului de conducie a triacului. Prin R1, se regleaz durata de ncrcare a condensatorului C1,,
iar R2 are rolul de a limita curentul prin diac, iar C2 are rol de filtrare.

1.7 Dispozitive optoelectronice

43
1.7.1 Generaliti. Clasificri

Dispozitivele optoelectronice reprezint o categorie de dispozitive electronice a caror funcionare
presupune existenta unei radiatii electromagnetice n domeniul optic Transformarea energiei radiatiei
electromagnetice n energie electric i invers se face n mod direct, fara intermediul altor forme de
energie. Fenomenele fizice fundamentale care stau la baza funcionarii dispozitivelor optoelectronice sunt
absorbtia radiatiei electromagnetice n corpul solid i recombinarea radiativa a purtatorilor de sarcina n
semiconductor. dispozitivele electronice se mpart n doua mari categorii:
-dispozitive bazate pe efectul fotoelectric intern
-dispozitive optoelectronice electroluminescente

1.7.2 Dispozitive optoelectronice bazate pe efectul fotoelectric intern

1.7.2.1 Fotorezistena

Fotorezistena este un rezistor realizat dintr-un material semiconductor, a carei rezistena depinde
de valoarea intensitatii fluxului luminos. Constructiv este realizata dintr-o placuta de material
semiconductor omogen, prevazuta cu capete cu contacte ohmice. o mArime importantA ce defineste
fotorezistena este rezistena de ntuneric, ca fiind rezistena la echilibru termic:
R
l
wd
O O
= , unde
O
este rezistivitatea n absenta iluminrii

Pentru grosimi w mici se poate considera ca lumina este absorbita uniform n tot volumul
materialului. n urma absorbtiei, n semiconductor se genereaza perechi electron-gol care duc la
micsorarea rezistivitatii si, implicit a rezistentei. Conductanta fotorezistentei este direct proportionala cu
intensitatea fluxului luminos incident. Alte marimi ce definesc funcionarea fotorezistentei sunt:
-pragul fotoelectric, adica lungimea de unda maxima pna la care efectul fotoelectric mai este
prezent
-inertia fotorezistentei, exprimata prin timpul necesar stabilirii valorilor stationare ale concentratiilor
purtatorilor mobili.

1.7.2.2 Fotodioda

Fotodioda este un dispozitiv optoelectronic realizat pe baza unei jonciuni pn sau a unui contact
metal-semiconductor, polarizat imvers. n conditii de ntuneric, curentul prin jonciune polarizata invers este
datorat perechilor electron-gol generate n interiorul regiunii de sarcina spatiala i n regiunile neutre.
n prezenta luminii apare o generare suplimentara de purtatori, deci un curent suplimentar IL ,
atunci curentul invers are expresia:
I I I
R O L
= +
Generarea de purtatori sub influenta luminii se face n tot volumul jonciunii unde lumina este
absorbita. Purtatorii de sarcina generati n regiunile neutre se deplaseaza spre regiunea de sarcina
spatiala prin curenti de cmp sau de difuzie, dar sunt supusi recombinrii.
n figura de mai jos se prezinta caracteristicile statice ale fotodiodei la diferite valori ale iluminarii:
44

I I
qU
mkT
I
A o
A
L
=
|
\
(
exp 1

O alt caracteristic important a fotodiodei este caracteristica spectral, care indic rspunsul
relativ al fotodiodei n funcie de lungimea de und a radiaiei luminoase.

1.7.2.3 Fotoelementul

Fotoelementul este un dispozitiv optoelectronic care realizeaz conversia directa a energiei
luminoase n energie electric , prin apariia la borne a unei tensiuni electromotoare. Constructiv, se poate
spune, este identic cu fotodioda, doar c aria sa este mult mai mare pentru a putea oferi o suprafa mai
mare de iluminare i , deci o energie electric mai mare. ntruct de cele mai multe ori energia luminoas
este cea solar fotoelementele se mai numesc i baterii solare. Circuitul electric pentru aplicaii nu mai
cuprinde surse exterioare ci numai rezistena de sarcina.

Mrimea tensiunii electromotoare rezult din urmtoarea relaie: E U
mkT
q
I
I
FE FE
I
L
O
FE
= = +
|
\
|
=0
1 ln
Puterea maxim ce se poate obine la ieire este n jur de 30 mW

1.7.2.4 Fototranzistorul

Fototranzistorul este un dispozitiv optoelectronic, realizat pe o structur de tranzistor, al
crui curent de colector este comandat de un flux luminos.
Baza tranzistorului este nlocuit cu o suprafa care poate fi iluminat, asigurnd astfel
curentul de baz necesar. Cu toate acestea unele fototranzistoare sunt prevzute i cu
electrod de baz . Simbolul grafic este prezentat pe figura urmtoare, iar caracteristicile
sunt practic identice cu caracteristicile tranzistorului bipolar.

1.7.2.5 Fototiristorul

Fototiristorul este un dispozitiv optoelectronic realizat pe o structura de tiristor, a carui aprindere se
face sub actiunea unui flux luminos. i n acest caz tensiunea de amorsare scade cu creterea intensitatii
fluxului luminos

1.7.3 Dispozitive optoelectronice bazate pe emisia radiatiei luminoase
45

1.7.3.1 Dioda electroluminescenta

Fenomenul de emisie a radiatiei luminoase se mai numeste i luminescenta. Emisia de lumina n
semiconductoare se datoreaza recombinarii radiative a purtatorilor de sarcina.
Dioda electroluminescenta (Light Emitting Diode), dioda LED, este realizata dintr-o jonciune pn polarizata
direct. luminescenta se realizeaza prin injectie de purtatori minoritari. simbolul grafic i caracteristicile
curent-tensiune, respectiv cele spectrale se prezinta n figura urmtoare:

Diodele electroluminescente sunt folosite ca simple indicatoare luminoase sau servesc la
realizarea elementelor de afisare, dar elementele de afisaj de dimensiuni reduse nu folosesc diode
separate, ci acestea se realizeaza integrat n aceeasi placuta de semiconductor (GaAs). n scopul
economisirii materialului semiconductor, dimensiunea reala a cifrei este foarte mic, pentru a fi usor
observabila deasupra structurii se monteaza lentile convergente, care maresc imaginea.

1.7.3.2 Optocuploare

Optocuplorul se obine prin interconectarea unei diode electroluminescente cu un fototranzistor
(fotodioda, fototiristor, fotoelement, etc) astfel nct semnalul electric ajuns pe dioda LED sa fie transferata
de aceasta catre fototranzistor.

De obicei randamente de transfer relativ ridicate se obtin n domeniul
frecventelor infrarosii. Optocuploarele pot fi utilizate pentru transfer de
semnale att de curent continuu, ct i de curent alternativ, frecventa
limita fiind ordinul zecilor de MHz.

1.7.3.3 Receptoare foto

n schemele urmtoare se prezinta doua circuite simple, receptoare foto. n primul caz la apariia
fluxului luminos, fototranzistorul intra n saturaie, tensiunea de ieire fiind practic nula.
n al doilea caz , la apariia fluxului luminos tranzistorul intra n conductie, tensiunea de ieire va
avea valoare foarte apropiat de valoarea tensiunii de alimentare.
Pentru a obine valori mai mari pentru curentul de ieire, se poate utiliza nc un tranzistor bipolar
pentru un montaj Darlington.

46
2. CIRCUITE ELECTRONICE FUNDAMENTALE

2.1 Amplificatoare

2.1.1 Introducere. Generaliti

Prin amplificare nelegem procesul de mrire a valorilor instantanee ale unei puteri sau ale altei
mrimi, fra a modifica modul de variaie a mrimii n timp i folosind energia unor surse de alimentare.
Amplificarea electronic se obine pe baza modificrii intensitii unui curent de electroni n vid sau
n structur semiconductoare prin variaia unor tensiuni la electrozii de comand. n circuitele de amplificare
se realizeaz procesul de amplificare, adic se reproduce la ieire sub form amplificat puterea sau o
mrime ce intr ca factor n expresia puterii instantanee, folosind energia surselor de alimentare. n acest
capitol se vor studia amplificatoarele realizate cu tranzistoare unipolare (TEC sau FET) i bipolare.
Tranzistoarele sunt considerate n circuite electronice ca dispozitive active, n sensul c pot comanda
puterea absorbit de la sursele de alimentare ca rspuns la aciunea semnalului de intrare, asigurnd
sarcinii utile o putere mai mare ca aceea debitat de sursa de semnal de la intrare.
Un amplificator poate fi considerat ca n schema bloc din figura de mai jos n domeniul timp sau n
domeniul frecven, unde x(t) este mrimea semnalului de intrare iar y(t) este semnalul de ieire:

Factorul de amplificare (amplificarea) se introduce cu expresiile: ( ) ( ) = t x A t y
unde A este amplificarea i este timpul de ntrziere (de trecere) ale semnalului n amplificator.
Y A X =
unde A este funcia de transfer (factor de amplificare n complex) cu modulul i faza, de obicei dependente
de frecven:
( )
( ) ( ) ( )
A A j
A j A j
=
=
exp
exp

n legtura cu figura a treia unde se folosete reprezenterea de cuadripol pentru amplificator, se introduc
amplificrile de tensiune, de curent i de putere:
A
U
U
A
I
I
A
U I
U I
U I P
= = =
2
1
2
1
2 2 2
1 1 1
, ,
cos
cos

unde U U I I
2 1 2 1
, , , sunt valorile efective ale mrimilor de la ieire i intrare i
1 2
, sunt unghiurile de faz
ntre cureni i tensiuni. Un amplificator cu mai multe etaje se poate considera ca fiind legarea n cascad
a mai multor amplificatoare simple, amplificarea global fiind egal cu produsul amplificrilor.
Caracteristica de frecven a amplificatorului reprezint dependena ntre modulul factorului de
amplificare, de obicei n tensiune, i frecvena semnalului de intrare i se obine experimental atacnd la
intrare amplificatorul cu un semnal sinusoidal de amplitudine constant i frecven variabil i msurndu-
se tensiunea de la ieire. Modulul factorului de amplificare rezult din raportul valorilor efective ale celor
dou tensiuni.

47
Deoarece modulul amplificrii i frecvena se reprezint curent n diagrame la scar logaritmic, se
d mai jos definiia factorului de amplificare exprimat n decibeli (dB). Pentru amplificatorul din figura de
mai jos, cu rezistena de intrare RIN i ncrcat la ieire cu rezistena de sarcin RS, puterile de la intrare i
de la ieire (n cazul unor rezistene pur ohmice) sunt:

P
U
R
I R P
U
R
I R
IN
IN
S
S 1
1
2
1
2
2
2
2
2
2
= = = = ,
Amplificarea n putere exprimat n dB (ctig) se defineste prin: [ ] [ ] G A dB
P
P
A dB
P P P
= = = 10 10
2
1
lg lg
Prin comparaie cu expresia anterioar se definesc i amplificrile de tensiune i curent exprimate n dB:
[ ]
[ ]
G A dB
U
U
G A dB
I
I
U U
I I
= =
= =
20
20
2
1
2
1
lg
lg

Caracteristica de frecven logaritmic pentru un amplificator se prezint n figura urmtoare:

Modulul factorului de amplificare rmne practic constant, la valoarea AUN (nominal). ntr-un
anumit domeniu de frecven in vecintatea frecvenei f0. Cu un semnal sinusoidal de amplitudine
constant la intrare, puterea utila furnizat sarcinii RS scade la jumtate dac modulul factorului de
amplificare devine
A
UN
2
adic scade cu 3dB. Acest aspect a sugerat definirea benzii de frecven a
amplificatorului ca domeniul de frecven n care modulul factorului de amplificare nu se schimb mai mult
de
1
2
ori fa de valoarea AUN:
B f f
s j
=

unde fs este limita superioar a benzii de trecere la frecvene nalte, iar fj la frecvene joase. Reprezentarea
la scar logaritmic este avantajoas din urmtoarele motive: caracteristica global a unui amplificator cu
mai multe etaje se obine prin simpla sumare grafic a caracteristicii etajelor: n diagrame se pot
reprezenta amplificri i frecvene care variaz n limite foarte largi; aproximarea liniar fragmentara a
caracteristicilor reale este simpl i cu erori destul de mici

2.1.2 Clasificarea amplificatoarelor

La clasificarea amplificatoarelor se consider diferite criterii care se refer la domeniul frecvenei
semnalelor care pot fi prelucrate, structura schemelor amplificatoarelor i natura elementelor din scheme,
regimurile particulare de funcionare ale elementelor active, natura mrimii amplificate, nivelul semnalelor,
etc., fr a exista ntre diferite clasificri o delimitare precis.
Dup frecvena semnalelor, amplificatoarele pot fi mprite n dou mari grupe: amplificatoare de
curent continuu (cc, care amplific tensiuni i cureni cu variaie arbitrar i orict de lent i deci pot lucra
i cu semnale alternative de joas frecven, proprietate asigurat de obicei prin cuplaje adecvate ntre
etaje) i amplificatoare de curent alternativ (ce au n structur cuplaje ce nu permit trecerea semnalelor de
curent continuu).
Amplificatoarele de curent alternativ, dup domeniul frecvenelor semnalelor, se clasific n:
48
-amplificatoare de audiofrecven cu banda de la zeci de Hz la zeci de kHz,
considerate n clasa amplificatoarelor de joas frecven;
-amplificatoare de videofrecven, cu banda de la cca 20 Hz la 30 MHz, a
cror denumire a fost dat dup semnalul video din televiziune
-amplificatoare de radiofrecven, ce sunt destinate pentru semnale cu
frecvena mai mare de 100 kHz i au mai multe subdiviziuni.
Dup limea benzii de frecven amplificatoarele de c.a. se mpart n amplificatoare de band ngust i
amplificatoare de band larg.
Etajele de amplificare se clasific i dup poziia punctului static de funcionare, adic punctul de
funcionare fr semnal al dispozitivului activ n planul caracteristicilor sale de ieire sau de intrare,
componentele de curent continuu ale mrimilor de terminal ale dispozitivului activ fiind ns diferite de cele
de punct static. Dup acest criteriu sunt etaje de amplificare clas A, B, C, AB.
Dup natura mrimii de interes la ieirea amplificatoarelor, acestea se grupeaz n amplificatoare
de tensiune, de curent, i de putere.
O clasificare dup nivelul semnalului i putere este urmtoarea:
-amplificatoare de semnal mic, n care este posibil elaborarea schemelor
echivalente de analiz folosind modelele dispozitivelor active pentru semnale mici presupuse cu parametri
constani i anume cu valori determinate n punctul static. Este evident c n regim de semnal mic mrimile
de terminal ale dispozitivelor active trebuie s se schimbe foarte puin fa de valorile de punct static, altfel
parametrii variaz cu nivelul semnalului (de exemplu panta g I
m C
= 40 la un tranzistor bipolar).
-amplificatoare de semnale mari, n care se consider limitri determinate de de puterea disipat
de dispozitivul activ, distorsiunile semnalului, valorile maxime posibile pentru curenii i tensiunile de
terminal, temperatur, etc. La analiza i proiectarea etajelor de amplificare pentru semnale mari se folosesc
familii de caracteristici de terminal, cel mai des cele de ieira i metode grafo-analitice.
-amplificatoarele de putere cuprind n general etajele selective de putere n care dispozitivele
active lucreaz n regim neliniar, urmrindu-se s se obin o putere de curent alternativ i un randament
ct mai mare

2.1.3 Amplificatoare ideale

La amplificatoarele ideale amplificrile sunt independente de elementele exterioare amplificatorului.
Pentru a discuta particularitile amplificatoarelor ideale de tensiune, de curent, transadmitan i
transimpedan se definesc n legtur cu amplificatorul ideal din figur, amplificrilr prin care se poate
caracteriza rspunsul acestuia.

Dac se atac n tensiune (generator de semnal modelat prin modelul Thvenin) un amplificator ideal,
care se vede prin rezistena sa de intrare, atunci, interesul ar fi s se transfere practic toat tensiunea
generator ctre amplificator:

g
g IN
IN
IN
U
R R
R
u
+
= pentru
g IN
R R >> avem
g IN
U u
deci interesul ar fi ca etajele cu rezisten (impedan) mare de intrare s
fie atacate n tensiune, pentru c n acest caz avem transfer maxim de
tensiune
Dac sursa de semnal este un generator de curent (model Helmholtz), atunci curentul de intrare n
amplificator va avea expresia:
49

g
IN g
g
IN
I
R R
R
i
+
= iar pentru
g IN
R R << avem
g IN
I i
Rspunsul amplificatorului poate fi determinat n mai multe feluri dup mrimea de ieire
considerat i dup modul cum se iau mrimile de intrare, tensiuni sau cureni:
Amplificare n tensiune:
IN
O
U
u
u
A =
Amplificare transadmitan:
IN
O
Y
u
i
A =
Amplificare n curent:
IN
O
I
i
i
A =
Amplificare transimpedan:
IN
O
Z
i
u
A =

2.1.4 Amplificatoare de semnal mic realizate cu tranzistoare bipolare (ASM)

2.1.4.1 Amplificator de semnal mic n conexiune emitor-comun

Schema electric se prezint pe figura urmtoare. Condensatoarele de cuplaj au rolul de a filtra
componenta de curent continuu, respectiv de a lsa s treac semnalul variabil care trebuie amplificat.
Condensatorul din emitor devine scurtcircuit la frecvena de lucru, punnd la ms emitorul de unde i
denumirea conexiunii: emitor comun (EC).

schema echivalent n care am nlocuit tranzistorul cu schema echivalent cu parametrii hibrizi:

neglijnd efectul ieirii la intrare, considernd 0 =
r
h , obinem schema simplificat:

amplificarea n tensiune:
O
i
f
i i
L C
o
i f
IN
O
U
R
h
h
i h
R R
h
i h
u
u
A =
|
|
\
|

= =
1

50
unde
L C
o
O
R R
h
R =
1

cum de obicei parametrul
o
h are valori foarte mici, expresia devine
'
L L C O
R R R R =
deci amplificarea n tensiune va deveni:
'
L
i
f
U
R
h
h
A =
amplificarea n curent se poate scrie:
f i
f
i B
i B
C L
C
i
f
L
i B
L
i
f
L
i B
IN
O
i B
IN
L
O
i
O
I
h h
h
h
h R
h R
R R
R
h
h
R
h R
R
h
h
R
h R
u
u
h R
u
R
u
i
i
A
+
+
=
= =
1
'

rezistenele de intrare i de ieire devin:
i i B
i
IN
IN
h h R
i
u
R = = dac
i B
h R >>
C
o
C
O
O
O
R
h
R
i
u
R = =
1
dac
C
o
R
h
>>
1

Observatie Constatm c toi parametrii etajului depind direct de parametri tranzistorului i prin
aceasta de condiiile de lucru, schema de polarizare trebuie s asigure ns stabilitatea
punctului static de funcionare n raport cu variaia temperaturii precum i cu dispersia
parametrilor.

2.1.4.2 Amplificator de semnal mic conexiune colector comun (CC) (repetor pe emitor)

Schema electric de principiu precum i cea de curent alternativ se prezint pe figurile urmtoare:

Polarizarea tranzistorului bipolar este identic cu cea de la etajul cu emitorul comun, pe schema de curent
alternativ toate condensatoarele apar ca scurtcircuite, amplificrile de tensiune i de curent se calculeaz
cu relaiile urmtoare:
( )
( )
1
1
1
1
1
(
(
|
|
\
|
+ +
|
|
\
|
+
=
+
= =
i L E
o
f i
i L E
o
f
O i i
O
IN
O
U
i R R
h
h h
i R R
h
h
u i h
u
u
u
A
deci etajul repetor pe emitor de fapt nu amplific n tensiune (are amplificare aprope unitar).
Amplificarea in curent:
( )
( )
L E
L E
f i B
B
L E
E
f
i
B
IN
L
O
IN
L
O
IN
O
I
R R
R R
h h R
R
R R
R
h
i
R
u
R
u
i
R
u
i
i
A
+
+ + +
+
+ =
+
= = =
1
1
51
se observ c o parte din amplificarea n curent a tranzistorului se pierde prin divizarea curentului att la
intrare ct i la ieirea etajului
dac ( )
B
L E
L E
f
R
R R
R R
h >>
+
+ 1 atunci
L
B
I
R
R
A

2.1.4.3 Amplificator de semnal mic cu tranzistor bipolar n conexiune baz comun (BC)

Schema unui etaj BC unde tranzistorul este polarizat cu dou surse de alimentare se prezint pe
schema de mai jos:

Schema echivalent de curent alternativ precum i schema echivalent n care tranzistorul a fost
nlocuit cu circuitul echivalent cu parametri hibrizi se prezint pe figura de mai jos:

n schema echivalent s-a neglijat parametrul
O
h , fapt justificat ulterior prin calcule.

( )
1 >> =

= =
O
i
f
i i
L C i f
IN
OUT
U
R
h
h
i h
R R i h
u
u
A , unde ( )
L C
L C
L C O
R R
R R
R R R
+
= =
amplificarea n curent:
( )
f
f
E
i i
f i
L C
C
i f
i
O
I
h
h
R
h i
h i
R R
R
i h
i
i
A
+
+ +
+
= =
1
1

Caracterul ideal al etajului amplificator BC const n independena amplificrii n curent
(subunitar) de circuitul exterior

2.1.5 Etaje compuse cu tranzistoare bipolare

Exist unele configuraii de cte dou etaje care se utilizeaz frecvent n schemele de
amplificatoare (inclusiv n cele integrate), care pot fi privite ca un etaj compus, deoarece polarizarea celor
dou tranzistoare este inseparabil
52

2.1.5.1 Etajul compus tip EC-BC (cascod)

n figura de mai jos se prezint schematic etajul compus tip cascod:

Etajul cascod are amplificarea n curent:
1
1
1 1
1
2 2
f
i
i f
i
i f
IN
O
I
h
i
i h
i
i h
i
i
A = = = , unde am neglijat
1 o
h
iar amplificarea n tensiune:
C
i
f
i i
C i
f
f f
i i
i f
IN
O
U
R
h
h
i h
R i
h
h h
i h
i h
u
u
A
+
= = =
1 1
1
2
1 2
1 1
2 2
1

unde pentru simplitate am presupus
i i i
h h h = =
2 1
,
f f f
h h h = =
2 1
, adic tranzistoare identice. Concluzia
ar fi c obinem un amplificator care amplific n curent ca un etaj EC, la o rezisten de ieire foarte mare
(rezistena de ieire a tranzistorului n conexiunea BC n gol) i are amplificare n tensiune de valoare mare
n gol (
C
R )

2.1.5.2 Etaje compuse CC-EC i CC-CC

Combinaiile colector comun-emitor comun i colector comun-colector-comun sunt reprezentate pe
figura de mai jos, unde generatorul de curent constant este necesar pentru polarizarea primului tranzistor
(n variante simple se poate nlocui cu o rezisten):

innd seama de proprietile etajelor CC i EC, putem afirma c etajul compus CC-EC poate fi
privit ca un amplificator transadmitan, amplificarea fiind dat practic de cel de al doilea etaj.
Combinaia CC-CC este aproape un amplificator ideal de tensiune, avnd ns amplificarea
subunitar. n schimb etajul compus CC-CC are o amplificare n curent foarte mare.Un caz particular l
constituie etajul numit Darlington. Cazurile acestea pot fi generalizate, aa cum se vede pe figura de mai
jos, semnalul de intrare se aplic totdeauna pe baz, iar semnalul de ieire putnd fi colectat att de pe
colectorul ct i de pe emitorul celui de al doilea tranzistor.
53
Prin calculul parametrilor echivaleni se demonstreaz c aceast conexiune se poate nlocui cu un
tranzistor echivalent, dup cum se vede pe figur:

2.2 Amplificatorul diferenial

Amplificatorul diferenial constituie un tip aparte de etaj elementar de amplificare, att prin faptul c
poate fi excitat simultan de ctre dou surse de semnal, ct i pentru faptul c semnalul de ieire se poate
culege n mai multe moduri (mod diferenial sau mod comun, aa cum vom vedea mai ncolo)
Schema de principiu al unui amplificator diferenial este prezentat pe figur:

Scriind relaiile dintre curenii de colector i tensiuni emitor-baz:
2
2
2
1
1
1
,

C
E
C
E
i
i
i
i = =
2 1 E E
i i I + = presupunnd
= =
2 1

( )
|
|
\
|
+ =
|
|
\
|
+
=
|
|
\
|
+ = + =
T
BE BE
T
BE
T
BE
T
BE
T
BE
T
BE
U
u u
U
u
S U
u
U
u
S
U
u
S
U
u
S C C
e e
I
e e
I
e I e I i i I
2 1 1 2 1
2 1
1
1 1
2 1

2 1 2 1 2 2 1 1 BE BE I I I BE BE I
u u u u u u u u = + = dar
1
1
C
U
u
S
i e I
T
BE
=

T
I I
T
I I
T
I I
U
u u C
U
u u C
U
u u
C
e
I
i
e
I
i e
i
I
2 1 1 2
2 1
1 1
1
2 1
1

+
=
+
=
|
|
\
|
+ =

54
reprezentnd grafic:

Observaii

1.exist o poriune de funcionare liniar n jurul lui 0
2 1
=
I I
u u la
T
U
2.transconductana defini:
( )
T
I I
T
I I
T
I I
T
I I
U
u u
U
u u
T
C
T
U
u u
U
u u
I I
C
m
e
e
U
i
U
e
e
I
u u
i
g
1 2
1 2
1 2
1 2
1
1
1
1
2
2 1
1
+
=
|
|
\
|
+
=

=

are valoarea maxim pentru 0
2 1
=
I I
u u obinnd
T
m
U
I
g
4
max
= , valoare ce este un sfert din
valoarea transconductanei unui tranzistor bipolar
3. tensiunea de ieire defini ca diferena tensiunilor din colectoarele celor dou tranzistoare

(

=
= + = =
T
I I
C
C C C C O O O
U
u u
th R I
R i E R i E u u u
2
1 2
2 1 2 1

Se vede c pentru 0
2 1
=
I I
u u avem
0
2 1
=
O O
u u ceea ce este un avantaj, deoarece
se pot conecta mai multe etaje de acest fel n
cascad

4. Se poate extinde domeniul tensiunilor de intrare cu ajutorul schemei de mai jos:

Rezistenele de emitor permit extinderea
domeniului tensiunilor de intrare cu valoarea
E
R I iar transconductana se va modifica:
E m
m
me
R g
g
g
+
=
1

55
La un amplificator diferenial definim urmtoarele:
tensiunea de intrare diferenial:
2
2 1 I I
Id
u u
u

=
tensiunea de ieire diferenial:
2
2 1 O O
Od
u u
u

=
tensiunea de intrare de mod comun:
2
2 1 I I
Ic
u u
u
+
=
tensiunea de ieire de mod comun:
2
2 1 O O
Oc
u u
u
+
=
amplificarea diferenial pur
0 =
=
Ic
u
Id
Od
dd
u
u
A
amplificarea de mod comun pur
0 =
=
Id
u
Ic
Oc
cc
u
u
A
amplificarea pe mod comun a semnalului diferenial
0 =
=
Ic
u
Id
Oc
cd
u
u
A
amplificarea diferenial a semnalului pe mod comun
0 =
=
Id
u
Ic
Od
dc
u
u
A
factor de discriminare:
cc
dd
A
A
F =
factorul de rejecie pe mod comun:
dc
dd
A
A
CMMR =
factorul de rejecie pe mod diferenial:
cd
cc
A
A
DMRR =
Astfel pentru tensiunile de ieire avem urmtoarele relaii de calcul:
Ic dc Id dd Ic Id dd Od
Id cd Ic cc Id Ic cc Oc
u A u A u
CMRR
u A u
u A u A u
DMRR
u A u
+ = |
\
|
+ =
+ = |
\
|
+ =
1
1

2.2.1Moduri de lucru. Analiza funcionrii amplificatoarelor difereniale

Cea mai simpl variant a nui amplificator diferenial se obine atunci cnd n locul generatorului de
curent constant din emitor se folosete o rezistena de emitor, ca n figura de mai jos:

56
n schema echivalent, tranzistoarele s-au nlocuit cu schemele echivalente naturale (Giacoletto)
simplificate. Prin metoda diseciei vom obine cte un semicircuit pentru cele dou moduri de lucru, mod
diferenial, mod comun:

Semicircuitul pentru modul diferential pur se prezint pe figura de mai jos, unde tensiunea din emitor nu va
varia, i nici n punctul mediu al rezistenei de sarcin, modul de lucru este mod diferenial pur :

( )

r R
R
R
r R
R
R
r g
r
u
r R
R
R u g
u
u
A u u u
B
L
C
B
L
C
m
B
L
C m
Id
Od
dd Id I I
+
|
\
|

=
+
|
\
|

=
=
+
|
\
|

= = = =
2 2
2
2 1

semicircuitul valabil pentru modul de lucru mod comun se prezint pe figura de mai jos:

( )
( ) ( )
( )

r R R
R
R
R r R
R
r g R r R
r R g
u g
r
u
R
r
u
r R
u R g
u
u
A u u u
B E
E
C
E B
C
m E B
C m
m E B
C m
Ic
Oc
cc Ic I I
+ >> +
+ + +
==
+ + +
=
=
|
|
\
|
+ + +
= = = =
2 1
2
2 1 1 2
2
2 1

Este de remarcat faptul c aceast amplificare se dorete a fi ct mai mic, lucru ce se realizeaz uor
dac n loc de rezistena de emitor se folosete un generator de curent constant, ce are o rezisten
dinamic echivalent foarte mare
rezistena de intrare diferenial: ( )
r R
i
u
i
u u
R
B
Id
Id
Id
I I
id
+ = =
= 2 2
2 1

rezistena de intrare de mod comun: ( ) 1 + + + = =
r R
i
u
R
B
Ic
Ic
ic

dac un amplificator diferenial este comandat de un semnal i de mod comun i de mod diferenial,
atunci schema echivalent pentru acest semnal va fi:

57
2.3 Amplificatoare cu reacie

2.3.1 Introducere

Schema bloc a unui amplificator cu reacie este reprezentat n figura de mai jos, unde
amplificatorul de baz are amplificarea:
i O
aX X =

unde Xo i Xi pot fi fiecare n parte cureni sau tensiuni. Reeaua de reacie cu funcia de transfer (feed-
back) este realizat de obicei sub forma unui atenuator de precizie :

O f
X X =

iar la intrare semnalul de reacie este sczut din semnalul dat de generator:

f g i
X X X =

Amplificarea global (amplificarea incluznd efectul reaciei) este:

a
a
X
X
A
i
O
+
= =
1

i ea poate fi n modul mai mare sau mai mic dect cea a amplificatorului de baz

Tipuri de reacie

Definim reacia pozitiv pentru 1 1 , < + > a a A
i reacia negativ pentru 1 1 , > + < a a A

n amplificatoare se folosete reacia negativ care asigur mbuntirea unor performane n
schimbul reducerii amplificrii . Un caz particular este cel al reaciei negative puternice, care

1
1

+
=
a
a
A pentru a (foarte mare)
Se definete transmisia pe bucl, ca fiind a
X
X
T
i
f
= = , pentru reacie pozitiv acest raport
este pozitiv ( 0 > T ), iar pentru reacie negativ este negativ.
58
2.3.2 Desensibilizarea amplificatorului

Amplificarea amplificatorului de baz a este sensibil la condiiile de funcionare (variaia
tensiunilor de alimentare, variaia temperaturii), precum i la variaiile parametrilor dispozitivelor electronice.
n cazul unei reacii negative puternice amplificarea global depinde practic numai de reeaua de reacie,
care este realizat de obicei sub forma unui atenuator de precizie. Lund n considerare variaiile lui A n
raport cu a, putem scrie

( )
2
1
1
1 a a
a
da
d
da
dA
+
=
|
|
\
|
+
=

Din relaiile anterioare, rezult urmtoarea expresie:

a
da
F a
da
a A
dA 1
1
1
=
+
=

unde T a F + = + = 1 1 este factorul de reacie sau factorul de stabilizare.
Se poate observa c variaia relativ a amplificrii scade prin aplicarea reaciei negative exact n raportul n
care scade amplificarea. Mrirea amplificrii poate fi asigurat prin mrirea numrului de etaje, n timp ce
reducerea variaiei relative a amplificrii (desensibilizarea amplificrii) este un ctig calitativ foarte
important.

2.3.3 Efectul reaciei negative asupra perturbaiilor

Se examineaz situaia n care semnalul parazit apare n interiorul amplificatorului i anume se
adaug la intrarea unui al doilea bloc amplificator care intr n compunera amplificatorului de baz
,semnalul parazit poate fi de pild zgomotul de reea (brum)

Semnalul util la ieire:
2 1
2 1
1 a a
x a a
g
+

Semnalul parazit la ieire:
2 1
2
1 a a
x a
n
+

Raportul semnal-zgomot:
n
g
x
x
a
N
S
1
= |
\
|

2 1
2 1
2
1 a a
a a
a
+
=
2 1 1
1 a a a + =

Deci reducerea efectului unui semnal parazit prin reacie negativ revine prin adugarea unui
amplificator de semnal mic care este practic imun la aceast perturbaie

59
2.3.4 Efectul reaciei negative asupra distorsiunilor

Daca amplificatorul de baza are o caracteristic neliniar, ca de exemplu pe figura de mai jos,
unde pentru semnale mici la intarare avem 1000 = a , iar pentru semnale mai mari avem 100 = a , cu o
reea de reacie, care are 1 . 0 = obinem o amplificare global:
9 . 9
101
1000
1 . 0 1000 1
1000
1000
= =
+
= A respectiv 09 . 9
11
100
1 . 0 100 1
100
100
= =
+
= A

Se observ deci o variatie a pantei de la 9.9 la 9.1 fa de 1000 la 100, practic s-a liniarizat
caracteristica neliniar, preul pltit fiind reducerea amplificrii

2.3.5 Ameliorarea rspunsului n frecven

Fie un amplificator de baz cu rspunsul n frecven, unde
S
este frecvena de tiere
( )
S
O
j
a
j a
+
=
1
,
unde
O
a este amplificarea la frecven zero, astfel amplificarea cu reacie negativ se scrie:
( )
( )
1
1
1
1
1
1
1
1
1
S
O
O S
O
O
S
O
S
O
j
A
a
j
a
a
j
a
j
a
j A
+
=
+
+
+
=
+
+
+
=
unde
1
S
este frecventa leteral a amplificatorului cu reacie negativ. Pe figura de mai jos se reprezint
caracteristicile de frecven corespunztoare:

60
2.3.6 Topologia circuitelor de reacie

n continuare se prezint cele patru topologii de baz ale circuitelor cu reacie care difer prin
modul de culegere al semnalului de reacie la ieire (eantionarea semnalului la ieire) i prin modul de
aplicare al acestuia la intrare (compararea cu semnalul dat de generator). n figura de mai jos se prezint
topologia cu reacie cu eantionare pe bucl i comparare pe bucl sau reacie serie-serie sau reacie
curent-tensiune, vorbind de la ieirea la intrarea amplificatorului, sau reacie de curent serie. Pe de alt
parte avem de a face n acest caz cu un amplificator de baz amplificator transadmitan i un bloc de
reacie de tip transimpedan:

Z Y
Y
Y
a
a
A
+
=
1

n figura de mai jos se prezint topologia cu reacie cu eantionare pe nod i comparare pe bucl
sau reacie paralel-serie sau reacie tensiune-tensiune, vorbind de la ieirea la intrarea amplificatorului, sau
reacie de tensiune serie. Pe de alt parte avem de a face n acest caz cu un amplificator de baz
amplificator de tensiune i un bloc de reacie de tip amplificator de tensiune:

U U
U
U
a
a
A
+
=
1

n figura de mai jos se prezint topologia cu reacie cu eantionare pe nod i comparare pe nod
sau reacie paralel-paralel sau reacie tensiune-curent, vorbind de la ieirea la intrarea amplificatorului, sau
reacie de tensiune paralel. Pe de alt parte avem de a face n acest caz cu un amplificator de baz
amplificator transimpedan:i un bloc de reacie de tip transadmitan:

Y Z
Z
Z
a
a
A
+
=
1

n continuare de mai jos se prezint topologia cu reacie cu eantionare pe bucl i comparare pe
nod sau reacie serie-paralel sau reacie curent-curent, vorbind de la ieirea la intrarea amplificatorului, sau
reacie de curent paralel.
61

Pe de alt parte avem de a face n acest caz cu un amplificator de baz amplificator de curent:i
un bloc de reacie de tip amplificator de curent:

I I
I
Y
a
a
A
+
=
1

Impedanele de intrare i de ieire se modific astfel datorit reaciei negative:

( ) T Z Z
IN
R
IN
+ = 1 pentru reacii tip serie (tensiune)
( )
1
1

+ = T Z Z
IN
R
IN
pentru reacii tip paralel (curent)
( ) T Z Z
OUT
R
OUT
+ = 1 pentru reacii tip serie (curent)
( )
1
1

+ = T Z Z
OUT
R
OUT
pentru reacii tip paralel (tensiune)

unde
OUT IN
Z Z , sunt impedanele de intrare i de ieire ale amplificatorului de baz, innd cont
de ncrcarea introdus de reeaua de reacie, iar
R
OUT
R
IN
Z Z , sunt cele asociate amplificatorului cu reacie.
Configuraii tipice de amplificatoare cu tranzistoare, asociate celor patru configuraii de raecie,
sunt reprezentate n figurile ce urmeaz, unde au fost considerate numai schemele echivalente n regim
dinamic:
reacia serie de tensiune presupune un amplificator de tensiune neinversor, realizat cu
tranzistoarele
2 1
,T T i cuadripolul de reacie
2 1
, R R :

reacia paralel de curent este realizat ntr-o structur format dintr-un amplificator de
curent realizat cu
4 3
,T T i un divizor de curent
4 3
, R R :

62
reacia paralel de tensiune necesit un amplificator transimpedan realizat cu
5
T i un
cuadripol transadmitan
5
R pentru bucla de reacie:

reacia serie de curent este realizat cu un tranzistor ce realizeaz funcia de
transadmitan
6
T i un cuadripol transimpedan
6
R pe bucl:

2.4 Amplificatoare de putere de joas frecven

2.4.1 Introducere

Amplificatoare de semnale mari, sau de putere trebuie s dezvolta n sarcin o anumit putere, cu
un randament ct mai bun i cu distorsiuni ct mai mici. Sarcina unui etaj de putere poate fi un difuzor, o
linie de transmisie, un servomotor, etc, iar puterea variaz ntre zeci i sute de wai. Rezistena sarcinii
variaz de la civa ohmi (difuzoare) pn la sute de ohmi (servomotoare). Tranzistoarele din etaje de
putere pot lucra n regim liniar n clasele A, B, AB, C de amplificare, n oricare din cele trei conexiuni
posibile. Alegerea conexiunii se face n funcie de putere util, distorsiuni neliniare, caracteristic de
freven, etc. Clasa C este folosit numai la amplificatoare de putere de nalt frecven, unde realizarea
circuitelor acordate este mult mai simpl ca la frecvene joase. Tranzistoarele pot lucra n regim de
impulsuri cnd semnalul de comand este un semnal dreptunghiular cu factorul de umplere variabil n
funcie de semnalul de intrare, regimul numindu-se n acest clasa D de amplificare. n conexiune EC se
obine cea mai mare amplificare de putere iar n conexiunea CC avem cele mai simple scheme (repetoare
pe emitor, fr transformator la ieire). Conexiunea BC asigur distorsiuni minime.

2.4.2 Amplificatoare n clas A

Pe figura de mai jos se prezint schema unui amplificator de putere cu un tranzistor n conexiune
EC funcionnd n clasa A de amplificare, adic amplific ambele alternane ale unui semnal alternativ:

63
n absena semnalului de intrare, tranzistorul se gsete n punctul static de funcionare
( )
0 0
,
C C
I U P , ale crui coordonate trebuie s satisfac ecuaia dreptei de sarcin n regim static:
( )
P E C CC CE
r R I U U + =

i s se gseasc sub hiperbola de disipaie termic a tranzistorului t cons P
d
tan =
Pentru a obine excursie maxim a tensiunii din colectorul tranzistorului tensiunea din punctul static
de funcionare se alege astfel nct:
2
max
0
CE
C
U
U
unde
max CE
U reperezint valoarea maxim a tensiunii de colector. n regim dinamic, punctul static de
funcionare se deplaseaz pe dreapta de sarcin dinamic, a crei ecuaie este:
L C L C
R
n
n
i R u
2
2
1 '
|
|
\
|
= =

Dup cum se vede pentru nlturarea pierderilor s-a nlocuit rezistena de colector cu primarul unui
transformator, iar punctul static este astfel ales nct atunci cnd amplitudinea semnalului crete s se
ajung n acelai timp la limita de saturaie i la cea de tiere.
Randamentul unui etaj in clasa A este:
0
2
1
C CC
c ce
I U
I U
=

deoarece
CO C
I I =
max
i
CC C CE
U U U = =
0 max
rezult randamentul maxim 5 . 0
max
= , ceea ce
nseamn c mai mult de jumtate din puterea absorbit de la sursa de curent continuu se pierde. Pentru
semnale foarte mici acest randament tinde ctre zero.

2.4.3 Amplificatoare n contratimp (clasele B, AB)

Amplificatoare n contratimp (push-pull) folosesc dou tranzistoare, unul amplificnd alternanele
pozitive, cellalt alternanele negative ale semnalului de intrare. Randamentul maxim se obine atunci cnd
tranzistoarele lucreaz n clasa B de amplificare.
Pe figura de mai jos este reprezentat schema unui amplificator n clasa B, dou repetoare pe
emitor legate n contratimp:

Dac tensiunea de intrare este pozitiv tranzistorul
1
T lucreaz ca repetor pe emitor, tranzistorul
2
T fiind blocat, iar la tensiune de intrare negativ
1
T va fi blocat i
2
T repetor pe emitor. Dac tensiunea
de intrare este nul, ambele tranzistoare sunt blocate, nu se consum energie de la sursa de alimentare,
fapt ce duce la un randament mult mai mare.
64
Tensiunea de ieire este aproximativ egal cu tensiunea de intrare, deci amplificarea n tensiune
este practic unitar, n schimb amplificarea n curent este practic egal cu cea a tranzistorului ( ). Curenii
consumai de la fiecare surs n parte sunt egali, iar valoarea maxim a tensiunii de ieire este foarte
apropiat de cea de alimentare (tranzistoare saturate).
Puterea maxim la ieire la semnal sinusoidal:
L
CC
U
R
U
P
2
2
=
Puterea pierdut pe tranzistorul
1
T , mai exact valoarea medie a acestei puteri:
( )
|
|
\
|
=
=
2
0
2
max max sin
1
4
1 1
max
T
O CC O
L
t U u
L
O
O CC d
U U U
R
dt
R
u
u U
T
P
O O

astfel randamentul circuitului:
% 5 . 78 785 . 0
4 2
max max max
1
=
+
=
=
CC O
U U
CC
O
CC
O
U d
U
U
U
U
U
P P
P

Dup cum se vede pe caracteristica de transfer, curentul este aproape zero n jurul originii, unde
avem o aa numit zon moart, care va cauza distorsiunile neliniare numite de trecere (vezi
figura), ceea ce este un mare dezavantaj. Acest dezavantaj poate fi nlturat, dac bazele
tranzistoarelor sunt polarizate (prepolarizate) cu o surs (respectiv dou) de tensiune continu, cazul
clasei AB de amplificare, prezentat pe figura de mai jos:

Distorsiunile care totui apar n urma transferului neliniar pot fi micorate foarte mult printr-o reacie
negativ adecvat, care poate fi realizat de exemplu cu ajutorul rezistenelor de emitor (reacie
curent-tensiune).
Rezistenele
2 1
, R R fiind n serie cu sarcina, scade valoarea puterii utile, de dorit fiind valori mici
pentru aceste rezistene.
Totui, meninerea constant a tensiunilor de prepolarizare cu variaia temperaturii, rmne problema
fundamental a amplificatoarelor n clasa AB de funcionare.
Figurile urmtoare prezint cteva exemple de realizarea prepolarizrii tranzistoarelor din
amplificatoare clas AB. Pe diodele
2 1
, D D cderea de tensiune este de aproximativ 0,7V, tensiune la
care prin tranzistoare trece un curent mic de polarizare (de punct static de funcionare). Pentru a obine
o rezisten mai mare la intrare, diodele pot fi nlocuite cu repetoare pe emitor, aa cum se vede pe
figura a doua:
65

Pe ultima figur se vede un circuit de polarizare numit diod multiplicat, realizat cu tranzistorul
3
T ,
care funcioneaz cu reacie negativ prin rezistenele
4 3
, R R :
|
|
\
|
+ =
4
3
1
R
R
U U
BE CE

Generatorul de curent
1
I asigur curentul de polarizare pentru tranzistoarele finale, deoarece nu
poate trece curent de la intrare spre tranzistoarele finale. Asigurnd contactul termic al circuitului de
polarizare (
3
R poate fi un termistor NTC n contact cu radiatorul tranzistoarelor finale) se asigur
compensarea variaiei cu temperatura a tensiunii
BE
U .
Dac este necesar obinerea unor valori mari pentru curentul de ieire, tranzistoarele pot fi
nlocuite cu conexiuni Darlington, dup cum se vede pe figura de mai jos:

Dac nu se pot obine tranzistoare npn i pnp de aceeai putere se utilizeaz schema
cuasicomplementar de pe ultima figur, unde ansamblul
'
2 2
,T T se comport ca un tranzistor pnp.

66
2.5 Amplificatorul operaional

Amplificatoarele operaionale constituie principala clas de circuite integrate liniare, n esen ele
sunt circuite cu ctig foarte mare n tensiune, destinate lucrului n bucl de reacie, n care funciile de
transfer sunt univoc determinate de proprietile reelelor de reacie. Proiectate iniial pentru a ndeplini
funcii de operator analogic de calcul (scdere, adunare, integrare, etc), amplificatoarele operaionale se
utilizeaz n prezent n cele mai diverse aplicaii ca: filtre active, stabilizatoare de tensiune, oscilatoare,
convertoare analog-numerice, etc. Practic pot fi folosite la orice. Dezvoltarea intensiv a acestei familii de
circuite integrate a condus la dispozitive care aproximeaz foarte bine caracteristicile elementului ideal
(ctig n tensiune infini, rezisten de intrare infini, rezisten de ieire nul), n condiii de pre redus.
Acest lucru a fcut posibil utilizarea amplificatoarelor operaionale ca simple componente n aplicaii.
Accesibilitatea i performanele acestor dispozitive permit realizarea de echipamente net superiore celor
realizate cu componente discrete din punctul de vedere al raportului performan/pre. Regulile de
proiectare sunt simple i aplicabile cu erori minime. Schematic un amplificator operaional const din trei
blocuri cu funcii distincte, fiecare dintre ele poate fi constituit din unul sau mai multe etaje amplificatoare
realizate cu tranzistoare integrate.

Blocul de intrare este un amplificator diferenial, numit astfel deoarece amplific diferena dintre cele
dou tensiuni de intrare v
+
i v
-
. Blocul intermediar preia tensiunea furnizat de blocul de intrare i o
prelucreaz pentru a corespunde cerinelor blocului de ieire. Ultimul bloc asigur curentul de ieire
necesar (uzual de ordinul a 10 mA).

Observaie 1. Proprietile intrrilor imversoare i neinversoare de a inversa semnul tensiunii,
respectiv de a-l pstra neschimbat, decurg din modul n care este construit amplificatorul
operaional.
2. Semnele minus i plus notate n dreptul bornelor de intrare nu au nici o legtur
cu semnele (polaritile) tensiunilor v
+
i v
-
aplicate respectiv la intrarea inversoare
i la cea neinversoare; oricare din aceste tensiuni poate fi negativ sau pozitiv

Simbolul grafic se prezint n figura urmtoare:

2.1 Parametri de baz ai amplificatoarelor operaionale

a.ctigul diferenial n bucl deschis a reprezint raportul dintre variaia tensiunii de ieire u
O
i
tensiunea diferenial de intrare u v v u u
ID I I
= =
+ +

a
u
u
u
u u
O
ID
O
I I
= =
+
unde u v v u u
ID I I
= =
+ +

67

b.tensiunea de decalaj (offset) de la intrare ( ) u u
offset DI
= reprezint tensiunea continu a unui
generator aplicat la una din intrrile circuitului (cealalt fiind la mas) pentru care potenialul de ieire u
O

este nul.Acest parametru se reprezint pe caracteristica de transfer, ca n figura:

c.curentul de polarizare de la intrare I
B
este valoarea medie a celor doi cureni de intrare (vezi
figura)

I
I I
B
B B
=
+
+
2
I I I
DI B B
=
+

d.curentul de decalaj (offset) de la intrare ( I
DI
) reprezint diferena dintre cei doi cureni de
intrare (vezi figura)
e.factorul de rejecie al tensiunilor de alimentare SVR SVR
+
, (Supply Voltage Rejection) este
raportul dintre variaia tensiunii de decalaj de la intrare i variaia surselor de alimentare, care
conduc la aceeai deplasare a tensiunii de ieire. Se pot defini separat pentru fiecare surs de
alimentare (SVR+ , SVR-) sau se poate lua n considerare efectul combinat al variaiilor tensiunilor
de alimentare

SVR
U
V
DI +
+
=

, SVR
U
V
DI

f. factorul de rejecie pe mod comun (CMRR - common mode rejection rate) este raportul dintre
ctigul diferenial in bucl deschis a i ctigul pe mod comun in bucl deschis a
CC
:
CMRR
a
a
CC
=

68
g. viteza de variaie a semnalului de ieire (SR = Slew Rate) reprezint viteza maxim de variaie a
semnalului de ieire pentru un semnal treapt la intrare (pentru o reacie i reea de compensare
date) i de obicei se msoar n conexiune repetor

h. banda de trecere la ctig unitar reprezint banda la 3 dB in montaj repetor

Definiie.Pe baza acestor parametri putem defini amplificatorul operational (AO) ca un circuit
electronic care reunete urmtoarele proprieti:
- ctig in tensiune foarte mare a
- rezisten de intrare foarte mare R
i

- rezisten de ieire foarte mic R
O

- spectru de frecvene transmise fr distorsiuni, foarte mare
- posibiliatea de a fi utilizat intr-o bucl de reacie negativ in care sa fie necondiionat
stabil
- factor de rejecie pe mod comun foarte mare

Amplificatorul operaional ideal
Un amplificator operaional ideal se caracterizeaz prin urmtoarele proprieti de baz:
a
U
v v
o
I I
=

+
( )
sau v v
I I
+
= 0
R
i
sau I I
B B
+
, 0
R
0
0 =
tensiune de decalaj U
DI
= 0 sau v v
I I
+
= 0 pentru U
o
= 0
rspuns in frecven perfect plat pe o band de frecven infini
timp de rspuns nul in condiii de nivel mare de semnal de intrare

Amplificator operaional real
Din condiiile enumerate pentru elementul ideal, rezult reguli practice de proiectare care
sunt utilizate de obicei in analiza i calculul circuitelor electronice cu amplificator operaional, cele
mai folosite fiind:
U
DI
= 0 ; I I
B B
+
= , 0; v v
I I
+
= 0
69
Utilizarea acestor reguli de proiectere implic cunoaterea condiiilor in care se pot aplica.
Abaterea de la situaia real (eroarea) poate fi:
-eroare de calcul (afectnd R
i
, R
0
, a , caracteristica de transfer)
-eroare static (modificarea nivelelor de curent continuu)
-eroare dinamic (erori de regim tranzitoriu, influena zgomotului)
Pe baza definiiilor anterioare, precum i parametrilor definii o schem echivalent pentru
amplificatorul operaional ar fi:

2.2 Circuite liniare realizate cu amplificatoare operaionale

2.2.1 amplificator inversor

v
u
R
u
R
R R
v u
R
R
u
I O
O O
+
=
+
+
= = =
1 2
1 2
2
1
1 1
0

A
R
R
INV
=
2
1

2.2.2 amplificator neinversor

v
R
u
R
R R
v u u
R
R
u
O
I O O
+
=
+
+
= = = +
0
1 1
1
1 2
1 2
2
1
( )

A
R
R
NINV
= + 1
2
1

2.2.3 repetor

Cazul particular al amplificatorului neinversor

u u R R
O I i o
= ; ; 0
70
2.2.4 amplificator diferenial

2
4 3
4
2 1
1
2 1
2
1
2
4 3
4
2 1
2 1
1
1 1
I O I
I
O I
u
R R
R
R R
R
u
R R
R
u
u
R R
R
v
R R
R
u
R
u
v
+
=
+
+
+

+
= =
+
+
=
+

=
+
+

+

(
u
R R
R
R
R R
u
R
R R
u
O I I
1 2
1
4
3 4
2
2
1 2
1
alegnd convenabil valorile R R R R
1 3 2 4
= = ;
obinem ( ) u
R
R
u u
O I I
=
2
1
2 1
, de unde i denumirea de "amplificator diferenial".

2.2.5 amplificator sumator

v
u
R
u
R
R R
v u R
Ii
i
O
i
n
i i
n O
=
=
+
=
+
+
= = =
1
1
1 1
0
Rezistena R
R
i i
n
'
=
=
1
1
1
compenseaz
eroarea introdus de curentul de polarizare

2.2.6 amplificator sumator-extractor

( ) u
R
R
u u u u u u
O I I I I I I
= + +
2
1
4 5 6 1 2 3
deoarece
v
u
R
u
R
u
R
u
R
R R R R
v
u
R
u
R
u
R
R R R
I I I O I I
+
=
+ + +
+ + +
= =
+ +
+ +
1
1
2
1
3
1 2
1 1 1 2
4
1
5
1
1 1
1 1 1 1 1 1 1

71

2.3 Circuite neliniare realizate cu amplificatoare operaionale

2.3.1 integrator

u u
C
i dt
RC
u dt
O C
t
I
t
= = =

1 1
0 0
deoarece i i
u
R
C
I
= =

2.3.2 derivator (difereniator)

u i R RC
du
dt
O
I
= = unde u u
C I
=

2.6 Circuite de comutaie realizate cu amplificatoare operaionale

Aceste circuite folosesc proprietile de comutaie la semnal mare a amplificatoarelor operaionale
oglindite i n caracteristica de transfer

2.6.1 Detector de prag inversor

u V u V
OH OL
=
+
;

2.6.2 Detector de prag neinversor

u V u V
OH OL
=
+
;
72
2.6.3 Comparator tip "fereastr" realizat cu AO

Conectnd dou detectoare de prag n felul artat n figura de mai jos obinem un comparator tip
"fereastr", care are funcia de transfer prezentat n figura de mai jos:

2.6.4 Comparator inversor cu reacie pozitiv (cu histerezis) (Trigger Schmitt)

scriind expresiile potenialelor bornelor v
=
i v
+
, precum i condiia de basculare v v
+
= ,
obinem expresiile tensiunilor de prag, adic valorile tensiunii de intrare la care basculeaz circuitul:

v
U
R
u
R
R R
REF O
+
=
+
+
1 2
1 2
1 1
i v u
IN
=

avnd n vedere c tensiunea de ieire u
O
poate avea numai dou valori distincte u u
OH OL
, , obinem:

u
R
R R
U
R
R R
u u u u
R
R R
U
R
R R
U
IN REF O IN PRAG P REF O
H L H L H L H L
=
+
+
+
= = =
+
+
+
2
1 2
1
1 2
2
1 2
1
1 2
, , , ,

se definete tensiunea de "histerezis", adic limea zonei de histerezis:

( )
U u u u u
R
R R
H P P O O
H L H L
= =
+
1
2 1

73

valoare care n cazul unei alimentri simetrice V V V
+
= = i cu u u V
O O
H L
= devine:
U V
R
R R
H
=
+
2
1
1 2
adic independent de tensiunea de referin
Pentru cazul particular U
REF
= 0 obinem tensiunile de prag de urmtoarele valori (precum i un
grafic simetric):
U u
R
R R
P O
H L H L , ,
=
+
1
1 2

2.6.5 Comparator cu reacie pozitiv (cu histerezis) (Trigger Schmitt) neinversor

scriind expresiile potenialelor bornelor v
=
i v
+
, precum i condiia de basculare v v
+
= ,
obinem expresiile tensiunilor de prag, adic valorile tensiunii de intrare la care basculeaz circuitul:
v
u
R
u
R
R R
I O
+
=
+
+
1 2
1 2
1 1
; ...pentru basculare v v U
REF
+
= = v
R
R R
u
R
R R
u v U
I O REF
+
==
+
+
+
= =
2
1 2
1
1 2

avnd n vedere c tensiunea de ieire u
O
poate avea numai dou valori distincte u u
O O
H L
, , obinem:
u
R R
R
U
R
R
u u u u
R R
R
U
R
R
u
I REF O I PRAG P REF O
L H L H L H H L
=
+
= = =
+
1 2
2
1
2
1 2
2
1
2
, , , ,

se definete tensiunea de "histerez", adic limea zonei de histerez:

( )
U u u u u
R
R
H P P O O
H L H L
= =
1
2

valoare care n cazul unei alimentri simetrice V V V
+
= = i cu u u V
O O
H L
= devine:
U V
R
R
H
= 2
1
2
adic independent de tensiunea de referin
Pentru cazul particular U
REF
= 0 obinem tensiunile de prag de urmtoarele valori (precum i un
grafic simetric fa de origine):
U
R
R
u
P O
H L L H , ,
=
1
2

74

2.7 Stabilizatoare de tensiune

Tensiunea obinut la ieirea unui redresor cu filtru are pe lng componenta continu i o
component variabil, numit ondulaie, n plus componenta continu este dependent de curentul de
sarcin, de temperatur, precum i de tensiunea de reea. Stabilizatorul de tensiune este un circuit care n
caz ideal asigur la ieire o tensiune independent de tensiunea de intrare, de curentul de sarcin i de
temperatur

2.7.1 Clasificarea stabilizatoarelor de tensiune

n funcie de principiul de funcionare, avem:
-stabilizatoare parametrice care i bazeaz funcionarea pe neliniaritatea caracteristicii
curent-tensiune a dispozitivului electronic folosit (n general
diod stabilizatoare)
-stabilizatoare cu reacie negativ care sunt circuite electronice liniare, funcia de
stabilizare realizndu-se printr-o reacie negativ
-stabilizatoare n regim de comutaie la care elementul regulator al tensiunii de ieire
lucreaz n regim de comutaie, crescnd astfel mult randamentul stabilizatorului
n funcie de poziia elementului regulator fa de ieirea stabilizatorului
-stabilizatoare serie
-stabilizatoare paralel (n derivaie)

2.7.2 Parametrii stabilizatoarelor

Vom defini pe schema de mai jos cei mai importani parametri:
( ) T i u u u
O I O O
, , =
Difereniind i trecnd la variaii finie (presupunnd variaii mici):
T S i R u
S
u dT
T
u
di
i
u
du
u
u
du
T O O I O
O
O
O
O
I
I
O
O
+ = + + =
1

ct T i
I
O
O
u
u
S
=
=
,
1
-coeficient de stabilizare
ct T u
O
O
O
I
i
u
R
=
=
,
-rezistena de ieire
ct i u
O
T
O I
T
u
S
=
=
,
- coeficient de temperatur
Pe figurile de mai jos sunt reprezentate variaiile ( )
I O O
u u u = , respectiv ( )
O O O
i u u = pentru un
stabilizator de tensiune real:

75

2.7.3 Stabilizatoare de tensiune cu reacie

n stabilizatoarele electronice cu reacie efectul de stabilizare a tensiunii de ieire este realizat
printr-o reacie negativ. Tensiunea de ieire este eantionat cu circuitul (elementul) de eantionare EE i
este comparat n circuitul comparator C cu referina intern R. Semnalul de eroare obinut, este
amplificat de amplificatorul de eroare AE i aplicat elementului de control EC.
n stabilizatoarele de tip serie elementul de control este n serie cu sarcina, deci suport ntregul
curent de ieire, n cazul stabilizatoarelor de tip paralel, elementul de control este n paralel cu sarcina,
suportnd toat tensiunea de ieire.
Schemele bloc a celor dou tipuri de stabilizatoare sunt prezentate pe figurile de mai jos:

La stabilizatoarele de tip serie, creterea tensiunii de ieire (datorit creterii tensiunii de intrare
sau scderii curentului de sarcin) produce o scdere a curentului n elementul de control, deci a
creterii tensiunii pe acesta, care reduce din creterea iniial a tensiunii de ieire.
La stabilizatoarele tip paralel semnalul de eroare produce creterea curentului elementului de
control, deci creterea tensiunii pe rezistena R (de balast) deci se reduce creterea iniial a tensiunii
de ieire.Datorit pierderilor pe rezistena R, stabilizatoarele de tip paralel au un randament mai sczut
fa de cele de tip serie, motiv pentru care sunt utilizate mai puin.

2.7.3.1 Stabilizator serie fr amplificator de eroare

Pe figura de mai jos se prezint schema cea mai simpl de stabilizator serie fr amplificator de
eroare:

Tensiunea de ieire este comparat cu tensiunea de referin dat de dioda Zener direct pe baza
tranzistorului T care este elmenmtul de control:
B Z
i i i + = ;
Z I
U Ri u + = ; ( )
B F O
i i 1 + =

n proiectarea de curent continuu cea mai esenial este dimensionarea rezistenei R, ca i la
stabilizatorul parametric. Din relaiile de mai sus se obine:
76
( ) 1 +
+
=
F
O
Z
Z I
i
i
U u
R

Admind plaje de variand plaje de variaie pentru
F Z O I
i i u , , , rezult domeniul pentru rezistena
R:
( ) 1
min
max
min
Im
max
+
+
=
F
O
Z
Z in
I
I
U U
R
;
( ) 1
max
min
max
Im
min
+
+
=
F
O
Z
Z ax
I
I
U U
R

Aceste relaii pot fi folosite n proiectare, dar trebuie s se in cont de limitrile tranzistorului n ceea ce
privete tensiunea colector-emitor i curentul de colector maxime, care trebuie s fie mai mare ca
tensiunea de intrare, respectiv curentul de ieire maxim

CEM Z ax CE
U U U U =
Im max
(din catalog) ,
CM O C
I I I
max max
,
( )
M O Z ax
P I U U P =
max Im max

2.7.3.2 Stabilizator serie cu amplificator de eroare

Pe figura de mai jos este prezentat o variant de stabilizator serie cu amplificator de eroare, unde
tranzistorul
2
T are funcia de comparator i de amplificator de eroare

( )
2
2 1
2
R
R R
u U u
BE Z O
+
+ = ;
2 1 C B
i i i + =

T
BE
S C
U
u
I i
2
2
exp
Semnalul de eroare
O Z BE
u
R R
R
U u
2 1
2
2
+
= este
amplificat de tranzistorul
2
T i aplicat n antifaz pe baza
tranzistorului
1
T , care este elementul de control.
Deci componentele variabile ale curenilor de colector i de baz ale tranzistorului
1
T sunt n antifaz.
Rezistena
3
R asigur curentul de polarizare diodei de referin i trebuie dimensionat astfel ca valoarea
curentului variabil
2 C
i s nu afecteze tensiunea de referin (
2 3 C
i i >> ). Ea trebuie s satisfac
urmtoarele relaii:
min
max
max 3
Z
Z O
I
U U
R

=
max
min
min 3
Z
Z O
I
U U
R

=
Rezistena R asigur curentul de polarizare pentru baza tranzistorului
1
T i colectorul tranzistorului
2
T . Fiind conectat la tensiunea nestabilizat, poate transmite la ieire variaiile tensiunii de intrare, prin
jonciunea baz-emitor a tranzistorului
1
T , astfel scade factorul de stabilizare. Rezistena R nu poate avea
valori mici, deoarece transmite variaiile tensiunii de intrare , dar nici foarte mare pentru c n acest caz nu
poate polariza tranzistoarele. Ea trebuie s fie totui ct mai mare:

max min 2
Im
max
B C
O BE in
i i
u u U
R
+

=

77
Rezistenele
2 1
, R R ale circuitului de eantionare trebuie s fie alese astfel nct curentul prin ele
s fie mult mai mare dect curentul de baz al tranzistorului
2
T

2.7.3.3 Stabilizator paralel fr amplificator de eroare

Pe figura de mai jos se prezint un stabilizator paralel fr amplificator de eroare, unde tranzistorul
este elementul de control i comparatorul. ntreaga tensiune de ieire este comparat cu tensiunea de
referin dat de dioda stabilizatoare:

Z O BE
U u u =
O I I
u Ri u + =
O Z C I
i i i i + + =
1
R
u
i i
BE
B Z
+ =
BE Z O
u U u + = iar
L O O
R i u =

Proiectarea n curent continuu se reduce la dimensionarea rezistenei R, neglijnd curentul prin dioda
stabilizatoare, obinem relaiile:
O C
Z I
Z O C
BE Z I
i i
U u
i i i
u U u
R
+
+ +

=
admind plaje de variaie pentru
C I O
i u i , , rezult domeniul pentru rezistena R :
max min
Im
max
O C
Z in
I I
U U
R
+
=
min max
Im
min
O C
Z ax
I I
U U
R
+
=
Rezistena
1
R se dimensioneaz astfel ca s permit trecerea curentului minim necesar diodei
satbilizatoare atunci cnd tranzistorul este blocat.
Evident se ine cont de limitrile tranzistorului privitoare la curenii i tensiuni maxime admise.
Pentru a obine tensiuni de ieire mai mari ca tensiunea diodei stabilizatoare se poate utiliza
schema din figura urmtoare:

( )
1 2
1
R R
R
U u
u
Z BE
O
+
+
=

78

2.7.4 Stabilizatoare de tensiune de tip serie perfecionate

2.7.4.1 Stabilizator de tensiune cu prestabilizator

Pentru ca ondulaiile tensiunii de intrare s nu se
transmit la la ieire prin rezistena R, aceasta
poate fi alimentat de la o tensiune stabilizat
utoiliznd un stabilizator parametric avnd rolul
prestabilizatorului. Prin acest procedeu se
mbuntete factorul de stabilizare i rezisten de
ieire:

Pe figura alturat se prezint un alt stabilizator cu
prestabilizator, dar n acest caz prestabilizarea se
face fa de tensiunea stabilizat:

Dac nlocuim rezistena printr-un generator de
curent constant, rezistena de sarcin a
amplificatorului de eroare crete, ceea ce duce la
creterea factorului de stabilizare. Pe schema din
figura urmtoare generatorul de curent constant
este realizat cu tranzistorul
3
T , dioda Zener
3
DZ ,
rezistena
4
R .

Stablizatoarele serie pot fi mbuntite i prin perfecionarea amplificatorului de eroare, de exemplu
utiliznd un amplificator diferenial
79

2.7.4.2 Stabilizatoare realizate cu amplificatoare operaionale

Se prezint dou scheme n care amplificatorul de eroare este realizat cu amplificator de eroare:

Stabilizator serie Stabilizator paralel

Z O
U
R
R
u
|
|
\
|
+ =
2
1
1
Z O
U
R
R
u
|
|
\
|
+ =
2
1
1

2.7.5 Protecia stabilizatoarelor

n caz de suprasarcin sau de scurtcircuit accidental, curentul prin tranzistorul serie crete mult,
apare pericolul distrugerii acestuia. Pentru a preveni distrugerea tranzistorului serie se folosesc circuite ce
limiteaz curentul maxim prin sarcin.
n general se aplic dou tipuri de protecie la suprasarcin, limitarea la curentul de scurtcircuit i
limitarea prin ntoarcerea caracteristicii, dup cum se vede pe figurile de mai jos

80

2.8 Oscilatoare armonice

2.8.1 Introducere

Oscilatorul armonic este un circuit electronic care genereaz un semnal de form sinusoidal:

t U t u sin ) ( =

Semnalul ( ) t u apare la bornele unei rezistene de sarcin
L
R . Oscilatorul cedeaz deci sarcinii o putere
de curent alternativ, care se poate scrie n forma:
s
s
R
U
P
2
2
1
=

Sursa primar a puterii este bateria de alimentare n curent continuu, pus n eviden pe figura de mai jos:

Circuitul trebuie s conin dispozitive electronice active, capabile s transforme puterea de curent
continuu absorbit de la sursa de alimentare n putere de semnal. Astfel de dispozitive sunt de pild
tranzistoarele bipolare sau cu efect de cmp.
Observaiile de mai sus se leag de aspectul energetic al problemei existenei oscilatoarelor. Din
punctul de vedere al teoriei circuitelor electrice, trebuie lmurite i alte aspecte: cum se explic existena
oscilaiilor ntr-un circuit care nu este excitat din exterior de nici o surs de semnal i de ce aceste oscilaii
sunt de forma sinusoidal?
O nelegere mai bun a fenomenelor care au loc n oscilator o putem cpta privind circuitul ca un
amplificator cu reacie pozitiv.

2.8.2 Oscilatorul armonic ca un amplificator cu reacie pozitiv. Relaia Barkhausen

Considerm amplificatorul cu reacie din figura de mai jos, care funcioneaz n regim de curent
alternativ. Semnalele notate cu X pot fi, dup caz, tensiuni sau cureni. Amlificatorul i reeaua de reacie
sunt circuite liniare descrise de ecuaiile:

=
1 2
X A X

=
2
X X
r

Prima relaie, valabil indiferent de circuitul extrerior amplificatorului, definete un amplificator
ideal. Consideraii similare se aplic reelei de reacie defini de funcia de transfer . Utiliznd i ecuaia
sumatorului

+ =
r g
X X X
1

obinem amplificarea cu reacie

= =
A
A
X
X
A
g
r
1
2

81

Circuitul din figura de mai sus devine un oscilator, dac ndeprtnd semnalul de excitaie (Xg = 0)
obinem totui un semnal de ieire ( X2 = fini, 0 ). Aceasta echivaleaz cu
=
g
r
X
X
A
2

i utiliznd formula reaciei pozitive obinem condiia de oscilaie A = 1, denumit i relaia lui
Barkhausen. Aceast condiie semnific n fond reproducerea semnalului pe bucla de reacie pozitiv, aa
cum se arat n figura de mai jos:

n general A = A (j) i = (j), deoarece circuitul conine elemente reactive. Punnd n
eviden amplitudinea i faza acestor numere complexe avem
1 , exp = =

j j A A
A
,
j exp

=
i relaia Barkhausen este echivalent cu dou condiii reale:

A= 1 (condiia de amplitudine)

A + A = 0,2 , 4 , (condiia de faz)

Reamintim c semnalul sinusoidal este unicul semnal care si reproduce forma dup ce parcurge
un circuit (liniar) cu elemente reactive. Aceasta este i motivul pentru care circuitul genereaz un semnal
sinusoidal i nu de alt form. Semnalul Xr = X1 A(j) (j) care rezult dup parcurgerea buclei de
reacie este evident de aceeai frecven cu X1. Condiiile de oscilaie cer ca amplitudinea i respectiv faza
semnalului s se reproduc. n multe situaii practice, putem presupune A = numr real. Atunci A= 0
sau , dup caz. Condiia de faz devine
,... 2 , 0 ) ( = +
B A

i determin frecvena de oscilatie, osc. Rezult concluzia important: reeaua de reacie este aceea care
determin frecvena de oscilaie. Nu numai mrimea acestei frecvene, dar i posibilitatea reglajului
frecvenei ntr-o anumit band, precum i stabilitatea acestei frecvene sunt influenate de tipul reelei de
reacie i de realizarea concret a acesteia.

2.8.3 Clasificarea oscilatoarelor armonice

Oscilatoarele armonice de tip amplificator cu reacie pozitiv se clasific dup natura reelei de
reacie astfel:
-oscilatoare RC (reea de reacie cu rezistene i capaciti );
-oscilatoare LC (reea de reacie cu inductane i capaciti );
82
Oscilatoarele pot lucra pe frecven fix sau variabil. Dup gama de frecven pe care o acoper,
oscilatoarele sunt:
-de audiofrecven, cu frecvena de la civa Hz pn la circa 20 KHz ;
-de radiofrecven (sute de KHz pn la 1 GHz) ;
-de microunde (frecvene peste 1 GHz) ;
Ca regul general, oscilatoarele de audiofrecven sunt de tip RC iar cele de radiofrecven de tip LC .
Oscilatoarele por fi clasificate i dup dispozitivele active pe care le conin:
-oscilatoare cu tranzistoare bipolare
-cu tranzistoare cu efect de cmp;
Nu toate oscilatoarele sunt de tip amplificator cu reacie pozitiv. O alt categorie o formeaz
oscilatoarele cu dispozitive cu rezisten negativ. Un astfel de dispozitiv genereaz putere dac este
polarizat convenabil n curent continuu. Plasnd di spozitivul ntr-un circuit rezonant, se pot obine
autoosciland dispozitivul ntr-un circuit rezonant, se pot obine autooscilaii neamortizate dac rezistena
negativ a dispozitivului compenseaz pierderile.

2.8.4 Probleme ale analizei funcionrii oscilatoarelor

Pentru caracterizarea unui oscilator trebuie s se determine n principal:
- condiia de amorsare a oscilaiilor ;
- frecvena de oscilaie, fosc = osc / 2 ;
- amplitudinea de oscilaie, de pild Uosc ;
- condiia de stabilitate dinamic a oscilaiilor ;
Mai prezint interes: stabilitatea amplitudinii i frecvenei de oscilaie, forma exact a semnalului
generat (evaluarea distorsiunilor, etc).
Teoria liniar a oscilatoarelor se bazeaz pe modelarea dispozitivelor electronice cu circuite
echivalente de semnal mic. Celelalte elemente de circuit au caracteristici liniare i parametrii independeni
de mrimea semnalului aplicat. n cadrul acestei teorii nu se pot stabili dect condiia de amorsare,
frecvena de oscilaie i stabilitatea acesteia. De fapt, f osc va fi afectat de neliniariti, dac circuitul este
neliniar i se comport ca atare.
Presupunem A = A = real (independent de frecven). Din relaia Barkhausen

1 ) ( =
j A
rezult c (j) trebuie s fie real la frecvena de oscilaie, adic

) ( Im j =osc = 0

Ecuaia de mai sus determin osc . Din relaia precedent rezult
) (
1
osc
j
A

= ,
adic valoarea pe care trebuie s aib amplificarea pentru a susine autooscilaiile. n mod intuitiv ne dm
seama c relaia de mai sus furnizeaz valoarea minim a modulului amplificrii. Aici apare o dificultatate.
n sensul c din punct de vedere experimental A nu poate fi realizat exact la valoarea calculat cu o
relaie de tipul celei de sus.. Chiar dac un reglaj fin n circuit ar permite ndeplinirea precis a condiiei de
mai sus, aceast funcionare nu ar fi stabil. Cea mai mic modificare a parametrilor unor elemente di n
circuit ar putea modifica amplificarea A i ca urmare ar aprea una din urmtoarele situaii:
- dac A devine mai mic dect valoarea impus de relaia de mai sus, atunci oscilaiile se sting ;
- dac A este mai mare dect aceeai valoare, atunci amplitudinea oscilaiilor va crete la indefini,
fr ca teoria s poat prevedea valoarea la care oscilaiile vor trebui totui s se limiteze.
De fapt, tocmai acesta este marele dezavantaj al teoriei liniare: ea nu permite deteminarea
amplitudinii de oscilaie.
83
Teoria cvasiliniar se mai numete i metoda primei armonici. Se admite c funcionarea
amplificatorului este neliniar i se deduce o amplificare pe fundamental. Aceast amplificare va depinde
de amplitudinea semnalului, notat cu U. n cazul oscilaiilor n regim permanent, va trebui ca:
.
) (
1
osc
U U
j
A
osc

=
=

Aceast condiie determin deci amplitudinea oscilaiei. Se va arta c ea permite i aprecierea
stabilitii dinamice a funcionrii oscilatorului. Metoda este aproximativ deoarece nu ia n considerare
armonicile semnalului .
Teoria neliniar permite n principiu determinarea formei de und exacte. Din punct de vedere
matematic, este necesar rezolvarea ecuaiei difereniale neliniare a circuitului, problem pentru care nu
exist metode standard. O solutie analitic este cel mai adesea imposibil, chiar cu preul unor simlificri n
schema analizat i n caracteristicile dispozitivelor electronice folosite.

2.8.5 Limitarea amplitudinii de oscilaie

Limitarea se poate face prin:
a). elemente de control cu inerie termic (termistor)
Termistorul este un rezistor a crui rezisten are un coeficient de temperatur negativ i foarte
mare n valoare absolut. n timp ce rezistena metalelor pure crete cu circa 0,4 % pe grad (Celsius,
Kelvin), rezistena termistorului poate scdea cu 3 pn la 5,5 % pe grad. Dependena de temperatur a
rezistenei termistorului poate fi aproximat prin:
) exp(
0
0 0
T
T
T R R
T T T
= ,
2
0
0
T
B
T =
b). rezistene controlate electric (TEC)

Figura de mai jos reprezint caracteristicile de dren ale tranzistorului TEC cu poart jonciune la
cureni mici. Caracteristicile sunt practic liniare: ntre dren i surs tranzistorul se comport ca o rezisten
a crei mrime este controlat de tensiunea continu aplicat ntre poart i surs, uGS .

c). dipoli de limitare cu diode;

n figura urmtoare se arat dou diode aezate n antiparalel i caracteristica curent-tensiune a
dipolului respectiv. Dac la bornele dipolului se aplic o tensiune sinusoidal de amplitudine U, atunci prin
dipol trece un curent apreciabil abia dup depirea tensiunii prag.
Curentul curge sub form de impulsuri. n context prezint interes rezistena pe care o ofer dipolul
pentru fundamentala curentului. Aceast rezisten scade rapid cu creterea amplitudinii semnalului dup
ce amplitudinea depete tensiune de prag a diodelor (~ 0,6 V).
84

O comportare similar o are dipolul format din diode Zener n serie i n opoziie. Aici deschiderea
dipolului are loc abia dup depirea tensiunii UZ, dac se neglijeaz tensiunea pe diod deschis.
Deoarece rezistena dipolului scade brusc, amplitudinea semnalului se va limita la o valoare practic egal
cu UZ . Aceast tensiune este mai mare dact cea din cazul precedent i poate fi aleas dup dorin. Ar fi
de dorit ca cele dou diode s aib caracteristici identice pentru ca I=I(u) s fie perfect simetric: n acest
caz lipsesc armonicile de ordin par ale curentului. Aceast situaie este deosebit de favorabil deoarece de
regul armonica a doua este cea mai mare i mai greu de filtrat.

Circuitul n punte permite obinerea unei caracteristici simetrice. Neglijnd tensiunea pe diodele
deschise, dipolul se deschide pentru o amplitudine de semnal ce depete tensiunea de stroungere a
diodei Zener (UZ).Rezistena de intrare n punte variaz cu amplitudinea semnalului aplicat.

n toate cazurile prezentate pn aici dipolul a crui rezisten variaz cu nivelul semnalului se
poate introduce ntr-o reea de reacie suplimentare care controleaz amplificarea amplificatorului. Ca
urmare, amplificarea variaz cu amplitudinea oscilaiei di circuit.

d). caracteristica neliniar a tranzistorului sau, n general, a dispozitivului electronic activ.

O alt posibilitate este ca limitarea amplitudinii de oscilaie s se fac pe seama elementului amplificator.
Dac curentul de intrare este sinusoidal atunci att timp ct nu prsim regiunea activ normal, curentul
de colector i tensiunea de colector au o variaie tot sinusoidal. O limitare a oscilaiei apare atunci cnd
amplificarea scade datorit intrrii n tiere sau n saturaie.
85

2.8.6 Oscilatoare RC

2.8.6.1 Oscilatoare Wien

Figura de mai jos reprezint schema general a unui oscilator cu amplificator ideal de tensiune i reea
Wien.

Funcia de transfer a reelei Wien lucrnd n gol
(impedana de intrare a amplificatorului este infini) are
expresia:
( )
|
|
\
|
+ + +
= =
1 2
2 1
1
2
2
1 2
1
1
1
1
C R
C R j
C
C
R
R U
U
j
W

Condiia Barkhausen se scrie: ( ) 1 = j A
U

i admind real A
U
= , rezult ( )
2 1 2 1
2
1
C C R R
f real j
osc osc W
= =
iar amplificarea necesar pentru susinerea oscilaiilor este :
( )
1
2
2
1
1
1
C
C
R
R
j
A
osc W
U
+ + = =

Acest tip de oscilator se folosete n generatoare de audiofrecven cu frecvena variabil n limite
largi. Pentru a putea regla frecvena rapoartele din relaia de mai sus trebuie meninute constante, iar
pentru cazul particular C C C R R R = = = =
2 1 2 1
, avem frecvena:
RC
f
osc
2
1
=
iar amplificarea n tensiune trebuie s fie egal cu 3, ca s fie satisfcut condiia de oscilaie.
Amplificatorul de tensiune trebuie s satisfac deci urmtoarele condiii:
-amplificare pozitiv, egal cu 3 pentru reeaua cu elemente egale
-impedan de intrare practic infini
-impedan de ieire neglijabil
Pentru a ndeplini aceste condiii, se poate folosi un amplificator cu reacie negativ de tensiune serie,
reacie care stabilizeaz amplificarea i o face uor controlabil, crete impedana de intrare i o reduce pe
cea de la ieire. Figura de mai jos prezint un oscilator cu dou bucle de reacie :una pozitiv selectiv
(dependent de frecven) prin reeaua Wien i o reacie negativ neselectiv prin atenuatorul format din
rezistenele
2 1
, r r .

Dac amplificarea amplificatorului de
baz este suficient de mare, atunci
amplificarea cu reacie negativ este:
real
r
r
r
r r
U
U
A
U
= + =
+
=
1
2
1
2 1
1
2
1
n cazul
C C C R R R = = = =
2 1 2 1
, , 3 =
U
A
trebuie s lum
1 2
2r r = , unde
2
r
trebuie s fie sensibil la
amplitudinea oscilaiei din circuit
(uzual termistor).

86
2.8.6.3 Oscilatoare RC cu reea de defazare

Oscilatoarele RC cu reea de defazare sunt de fapt amplificatoare cu reacie pozitiv care
utilizeaz reele defazoare RC, trece-sus sau trece-jos, ca n figura urmtoare:

1 2

( )
RC j
RC j
U
U
j F
+
= =
1
1
2
1
( )
2 2 2
1
1 C R
RC
j F
+
= ( )
RC
arctg j F

1
arg
1 1
= =

( )
RC j U
U
j F
+
= =
1
1
1
2
2
( )
2 2 2
2
1
1
C R
j F
+
= ( ) RC arctg j F = =
2 2
arg

Figura de mai jos reprezint un oscilator cu amplificator ideal de tensiune i reea de defazare:

Calculul funciei de transfer indic: ( )
3
2
1
2
2
1
2
1
2
3
3
4
4
1
2
1
5 6 1
1
|
|
\
|
+
|
|
\
|
+
|
|
\
|
+
= = =
Z
Z
Z
Z
Z
Z
U
U
U
U
U
U
U
U
j
Pentru o reea de tip trece-sus obinem:
( ) ( )
( ) RC j
j R Z
C j
Z
1
;
6 5 1
1
;
1
1
1
3
1
2
1
1 2 1
=
+
= = =

Condiia de oscilaie se scrie: ( ) 1 = j A
U
, presupunnd amplificare real condiia dvine:

( ) real j
osc
= , obinem:
RC
osc
= =
6
1
6
2
1
( )
( )
29
1
= =
osc
osc U
j
j A

Este evident c reeaua defazeaz cu 180 de grade.

Celula de tip trece-jos se obine pentru: 29
6 1
2 1
= = = =
U osc
A
RC C j
Z R Z

Deci la aceleai valori ale lui R i C, frecvena oscilatorului cu celule trece-jos este de 6 ori mai mare dect
cea a oscilatorului cu celule trece-sus, n plus un alt avantaj ar fi faptul c reeaua trece-jos atenueaz
armonicile oscilaiei din circuit (practic nesinusoidale din cauza distorsiunilor). Amplificarea negativ este
realizabil cu un singur etaj ( de pild surs comun), mrimea amplificrii este ns relativ ridicat ( pentru
un singur etaj, de pild) .
87
O realizare practic a acestor oscilatoare se poate vedea pe figura urmtoare:

6
1
2
1
RC
f
TS
osc
=
RC
f
TJ
osc
2
6
=

Dce Curs2011

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Dce Curs2011

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Universitatea Petru Maior Tg-Mure

, unde tensiunea pe sarcin este:

cu linia (*) care se numete dreapta de sarcin.

| 1 , ceea ce recomand circuitul cu divizor pe baz , n care se

atunci o tensiune ug(t) sinusoidal ib(t) sinusoidal.

, este panta maxim la uGS=0

S-ar putea să vă placă și