Sunteți pe pagina 1din 23

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

procese fizice

joncţiunea PN la echilibru termic

joncţiunea PN cu tensiune aplicată

caracteristica diodei reale

regimul dinamic al joncţiunii PN

variante ale diodelor semiconductoare

1. Procese fizice

- cele mai multe dispozitive conţin joncţiuni pn

- joncţiunea pn este un semiconductor eterogen format din două regiuni distincte

dintre care una este dopată cu impurităţi acceptoare iar cealaltă cu impurităţi donoare; cele două regiuni formează o singură reţea cristalină – doparea diferită se realizează prin procedee tehnologice adecvate.

a) faptul că cele două regiuni de tip diferit sunt una lângă alta face ca în

dreptul joncţiunii golurile din zona P să difuzeze în zona N; golurile pătrunse în zona N se recombină rapid cu electronii care sunt majoritari; acelaşi lucru se

întâmplă cu electronii din zona N care difuzează în zona P; rezultă că apare un curent de difuzie; b) prin plecarea golurilor din zona P în zona N, în imediata vecinătate a joncţiunii apare o zonă cu sarcină negativă care este sarcina ionilor acceptori pentru neutralizarea cărora nu mai sunt suficiente goluri; la fel, în zona N; această sarcină spaţială fixă creează un câmp electric care duce la apariţia unui

curent de câmp ce se opune curentului de difuzie. Deci, in dreptul joncţiunii apare o barieră de potenţial care duce, prin curentul de câmp, la starea de echilibru; deci, prin joncţiune, la echilibru termodinamic, nu există un transport net de purtători;

c) în regiunile neutre există purtători mobili de sarcină în număr mare, iar

conductibilităţile electrice vor fi:

- în regiunea p:

- în regiunea n:

σ

p

qµ p

p

σ µ

n

q

n

n

p

n

valori suficient de mari pentru a considera conducţia curentului foarte bună. În primă aproximaţie, se presupune că rezistenţa electrică a acestor zone este suficient de mică astfel încât pot fi neglijate căderile de tensiune corespunzătoare. În aceste condiţii, limitarea curentului prin joncţiune va fi determinată de regiunea de trecere în care numărul de purtători mobili de sarcină este mai mic.

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

(N )

a

(N )

d

P

N

Capitolul 2 Dioda semiconductoare (N ) a (N ) d P N impuritati N a -

impuritati

N a

-
-

N d

+
+
(N ) a (N ) d P N impuritati N a - N d + x

x

notiţe

p p ≅ N a p N a

n(x) n n n n ≅ N d p n x
n(x)
n
n
n n ≅ N d
p
n
x
ρ(x) + - x
ρ(x)
+
-
x
u(x) U 0 x
u(x)
U 0
x

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe 2003

2. Joncţiunea pn la echilibru termic

Se determină:

-

lungimea regiunii de trecere,

l

-

înălţimea barierei de potenţial,

= l + l

p

U

0

n

ă l ţ imea barierei de poten ţ ial, = l + l p U 0

Aproximaţii:

p

p

n

n

>>

>>

n

p

p

n

p

n

p

n

n

p

p

n

=

=

n

n

2

i

2

i

model unidimensional

p

p

n

n

N

a

N

d

n

p

p

n

n

2

i

N a

n

2

i

N

d

Densitatea de sarcină electrică din regiunea de trecere:

l < x < 0 ρ = q N + p(x) n(x) ≅ −qN

p

a

[

]

0 < x < l

n

[

ρ = q N

d

]

+ p(x) n(x) qN

d

a

(în zona de trecere

mobili de sarcină) Deci:

- pentru semiconductorul P:

- pentru semiconductorul N:

Se determină variaţia lui u(x) în regiunea de trecere:

p(x)

si

n(x)

sunt neglijabile, regiune golită de purtători

ρ

2

ρ

1

≅ −qN ≅ −qp

a

qN

d

qn

n

p

u

2

(

x

)

şi

u

1

(

x

)

ρ

ε

Se rezolvă ecuaţia lui Poisson

0 este permitivitatea

electrică a materialului semiconductor) în cele două regiuni şi se pun condiţiile de continuitate în origine. Zona 2

u =

(unde

ε εε r

=

d

2

u

2

(

x

)

qp

p

=

dx

2

ε

cu condiţiile la limită:

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe 2003

du ( x ) 2 u ( x ) = 0 = 0 2 x
du
(
x
)
2
u
(
x
)
= 0
= 0
2
x =− l
p
dx
x =− l
p
Se integrează:
du
(
x
)
qp
qp
l
p
p
p
2
=
x
+
C
rezultă:
C
=
adică:
1
1
dx
ε
ε
du
x
)
qp
2 (
p
(
=
x
+
l
p )
dx
ε
Se integrează:
1
qp
p
(
u
(
x
)
=
x
+
l
p )
2 +
C
2 rezultă:
C
2 = 0
şi:
2
2
ε
1
qp
p
(
u
(
x
)
=
x
+
l
1
p ) 2
2
ε
Zona 1
2
d
u
(
x
)
qn
1
n
=−
cu condiţiile la limită:
2
dx
ε
du ( x ) 1 u ( x ) = U 1 0 x =
du
(
x
)
1
u
(
x
)
= U
1
0
x = l
n
dx
Se integrează:

x = l

n

= 0

 

du

1

(

x

)

=−

qn

n

 

+

C

rezultă:

 

C

 

=

qn n

l

n

adică:

 

dx

   

ε

x

3

 

3

ε

 

du

1

(

x

)

=−

qn

n

(

x

l

n

)

 
 

dx

   

ε

Se integrează:

 
 

u

1

(

x

)

=−

1 qn

2

ε

n

(

x

l

n

)

2

+

C

4

rezultă:

 

C 4

= U

0

şi:

 

u

2

(

x

)

= U

0

1 qn

2

ε

n

(

x

l

n

) 2

 

Racordarea soluţiilor:

 

1) pentru:

U

x =

1

=

 

0

qp

p

l

2

+

u

1

(0)

1 qn

n

= u

l

2

2

(0)

=

1 q

rezultă:

(

n l

2

+

l

2

)

0

2) pentru:

2

x =

 

0

ε

p

 

2

ε

n

2

ε

n

n

2 ε n 2 ε n n du 1 ( x dx ) x = 0

du

1

(

x

dx

)

x = 0

=

du

2

(

dx

x

)

p

p

p

rezultă:

x = 0

 

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe 2003

qp

p

l

qn

n

l

n

p

ε

+ l

p

p

=

ε

Deoarece:

l = l

=

n

p

p

p

+

n

n

l

n

de unde:

n l

n

n

= p

p

l

p

, rezultă imediat:

l

şi:

l

p

=

n

n

p

p

+

n

n

l

U

0 =

1 q

2

ε


n

l

2

p

2

p

n (

n

n

+ p

p

)

2

+ p

p

l

2

n

2

n

(

n

n

+ p

p

)

2

sau:

l

p

n

n

=

l

n

p

p

Se înlocuiesc:

De aici se deduce lungimea zonei de trecere:

l =

2ε U + n 0 p p n q p n p n
U
+ n
0 p
p
n
q p
n
p
n

Observaţii:

- lungimea de trecere este mică dacă zonele sunt dopate puternic; - regiunea de trecere se extinde mai mult în zona mai puţin dopată cu impurităţi.

Deducerea înălţimii barierei de potenţial

varianta 1:

La echilibru termic:

j

p

=

qp

µ

p

E

j qn

n

=

µ

n

E

+

dp qD p dx dn qD n dx
dp
qD
p
dx
dn
qD
n
dx

= 0

= 0

Se deduc:

E =

D

p

1

dp

=

kT

1

dp

E

=−

kT

1

dn

µ

p

p dx

q

p dx

 

q

n dx

E = −

du

dx

şi, prin artificiu elementar:

du = −

kT dp

kT dn

=

u

(

x

p

 

q

 

n

kT

ln

p

(

x

)

=

kT

ln

n

(

x

)

q

p

c

q

n

c

q

) = −

Se integrează:

p ,n

c

c

constante de integrare

Dar:

Se explicitează concentraţiile de purtători:

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe 2003

 

qu

(

x

)

qu

(

x

)

 

kT

 

n

(

x

) =

 

kT

 

p

( x

) =

p e

c

Condiţii la limită:

 

n e

c

 

x → −∞ u = 0 p = p ;

p

n = n

p

 

p

c

= p

p

;

n

c

= n

p

x

→∞

u

=

U

0

 

 

p

=

p

n

;

n

=

n

n

 

qU

0

qU

0

 

p

n

=

p

p

e

kT

n

n

=

n

p

e

kT

 

Din ambele relaţii rezultă:

 

U

=

kT

ln

n

n

kT

=

ln

p

p

=

kT

ln

p

p

n

n

kT

=

ln

N N

a

d

0

       

2

 

2

 

q

n

p

 

q

 

p

n

q

n

i

q

n

i

Pentru valori tipice ale concentraţiilor de impurităţi, rezultă valori de ordinul zecimi de V:

N a

= 10

15

/

cm

3

;

N

d

=

10

18

/

cm

3

;

2

n

i

=

10

20

/

cm

6

U

0 =

0,777

varianta 2:

Se foloseşte structura de benzi energetice ale semiconductorului:

ş te structura de benzi energetice ale semiconductorului: p )   µ µ 2 = 1

p

)

 

µ µ

2

=

1

+

qU

0

;

U

0

=

µ

2

µ

1

 

Dar:

 
 

W

∆ −

µ

1

q

W

∆ −

µ

2

 

=

n

W

∆ −

ν

µ

1

p

e

kT

;

W

∆ −

p

(

+

µ µ µ

2

2

1

l

p

)

=

p

=

p

ν

µ µ

2

1

p

e

 

kT

qU

0

 

kT

µ

2

=

ν

p

e

kT

+

µ µ

1

2

µ

1

=

p

p

e

µ

1

kT

=

p

µ µ

2

1

p

e

kT

µ µ

2

1

n

e

kT

=

ν

n

e

kT

=

ν

n

e

kT

e

 

kT

=

n e

n

 

kT

 

p l

(

p

n

n

) =

=

ν

p

p

e

=

n

p

=

ν

Se constată:

n l

(

V

Se obţin imediat relaţii identice cu acelea obţinute prin metoda anterioară.

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

3. Joncţiunea pn cu tensiune aplicată

a) regim de echilibru termodinamic: difuzie goluri difuzie electroni camp goluri camp electroni dn dw
a) regim de echilibru termodinamic:
difuzie goluri
difuzie electroni
camp goluri
camp electroni
dn
dw
µ qv 0
µ
∆W
qv
w
- 4 componente ale curentului
- numărul de purtători care difuzează (purtători care înving bariera de
potenţial) depinde de
U
;
0
i
= i
i
+
i
i
= 0
D
pM
pm
nM
nm

b) se aplică tensiune inversă:

difuzie go luri difuzie electroni camp goluri camp electroni dn dw µ q(v -u )
difuzie go luri
difuzie electroni
camp goluri
camp electroni
dn
dw
µ
q(v -u
)
0
∆W
D
µ
∆W
-
qv
q(v -u )
w
0
0
D

Fizic: la polarizare inversă, nu există difuzie de purtători, dar în imediata vecinătate a regiunii de trecere apare o generare termică de perechi de purtători care sunt antrenaţi de câmpul electric; astfel, curentul invers este un curent de generare.

i

D

= i

pM

i

pm

+

i

nM

i

nm

< 0

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

c) se aplica tensiune directă: difuzie goluri difuzie electroni camp goluri camp electroni dn dw
c) se aplica tensiune directă:
difuzie goluri
difuzie electroni
camp goluri
camp electroni
dn
dw
q(v -u
0
D )
µ
∆W
µ
∆W
-
q(v -u )
qv 0
w
0
D
Fizic: la polarizare directă, în imediata vecinătate a regiunii de trecere, în
zona N, va fi un exces de goluri, dar care nu trăiesc mai mult de
τ
p şi nu
pătrund mai mult de
L
. La fel pentru electronii din zona P. Apare o
p

recombinare puternică în ambele zone şi se obţine curentul direct care este un curent de recombinare.

i

D

=

desene

i

pM

i

pm

+

i

nM

i

nm

> 0

Concluzie: curentul prin joncţiune depinde de tensiunea de la bornele joncţiunii. Interesează o expresie de forma:

i

pM

i

pm

=

i

pm

⎜ ⎛ i

pM

i pm

1 = i

f (0) = 1

cu condiţia:

La fel şi pentru electroni. Rezultă curentul prin joncţiune de forma:

pm

i

D

I

0

=

= i

i

pm

pm

[

f

+ i

(

u

D

nm

)

1]

− +

i

nm

I

0 curent de saturaţie

[

f

(

u

D

)

1]

[

f

(

=

I

0

u

D

) 1]

[

f

(

u

D

)

1]

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

Deducerea caracteristicii curent-tensiune

aproximaţii pentru calcul:

- joncţiunea este dintr-un semiconductor monocristalin cu

- fluxuri unidimensionale de purtători;

- regiunea de trecere complet golită de purtători;

- în regiunea de trecere nu au loc fenomene de generare-recombinare;

- lungimile de difuzie sunt mai mici decât lungimile zonelor neutre

n

i

;

(diodă groasă);

-

joncţiune abruptă;

 

-

se neglijează rezistenţele zonelor neutre;

 

-

se neglijează efectele de suprafaţă;

-

se

consideră

temperaturi

ambiante;

impurităţile

sunt

ionizate

complet.

Densitatea curentului electric este aceeaşi în orice secţiune:

curentului electric este aceea ş i în orice sec ţ iune: curent de electroni curent de

curent de electroni

curent de goluri

*

electroni; există curent de câmp;

* pentru

pentru L + l < x < ∞

p

n

l < x < L + l

n

p

n

* l < x <+l

pentru

p

n

-

purtătorii

de

sarcină

sunt

numai

-

componenta de difuzie a golurilor

-

componenta de câmp a electronilor

-

se

neglijează

generarea-

recombinarea de purtători; densităţile de curent rămân constante;

* similar în zona P

Condiţii la limită:

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

Lungimea regiunii de trecere se obţine dacă:

U

0

U u

0

D

, adică:

' 2 ε U p + n u p l = 0 n = l
'
2
ε
U
p
+
n
u
p
l =
0
n =
l
1
D
0
q
p
n
U
p
n
0
- polarizare directă:
l < l
0 ;
- polarizare inversă;
l > l
0 .

La limitele zonei de trecere concentraţiile de purtători vor fi:

 

'

qU

0

qU

0

 

qu

D

 

qu

D

kT

 

= p e

kT

e

kT

= p e

kT

'

p

n

qU

0

qU

0

qu

D

qu

D

kT

= n e

kT

e

kT

= n e

kT

p l

(

n l

(

n

)

p

= p e

p

)

= n e

n

n

p

j

p

= j

p camp

+ j

p dif

 

dn

E

E

+

dn

dx

+ µ

qn

n

 

p

qp

µ

p

p

qD

n

dx

- condiţii la limită de tip Shockley

- injecţie de purtători

Densitatea de curent va fi:

j D

j

n

= j + j

n

p

= j

n camp

+ j

n dif

În semiconductorul P, p >> n :

j

D

=

qp

µ

p

E

p

+

qD

n

(curent de câmp de goluri + curent de difuzie de electroni + curent de câmp de goluri – neglijabil); La fel, în semiconductorul N, n >> p :

j

D

qn

µ

n

E

n

qD

p

dp

dx

Continuitate în regiunea de trecere:

dn j = qD + qp µ E D n p p dx x =−
dn
j
=
qD
+ qp
µ
E
D
n
p
p
dx
x
=−
l
p

x

=−

l

p

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

dp j =− qD + qn E µ n D p n x = l
dp
j
=−
qD
+ qn
E
µ n
D
p
n
x
= l
dx x
n
= l
n
dp
Dar:
qp
E
=− qD
µ p
Rezultă:
p
x
=−
l
p
p dx
x
= l
n
dp
dn
j
=−
qD
+ qD
D
p
n
dx
dx
x
=
l
x
=−
l
n
p

Ecuaţia de continuitate, în regim staţionar şi pentru flux unidimensional de purtători:

p

 

p p

0

1

dj

p

 

= 0

 
 

=−

   

cu

 
     

t

τ

p

q

dx

 

Rezultă:

p p

0

1

d

 

 

dp

= 0

 

τ

p

q

dx

qD

p

dx

d

2

p

(

x

)

p

(

x

)

p

n

= 0

 
 

dx

2

 

L

2

 

p

 

x

 

x

Soluţia:

p

(

x

)

= p

n

+ Ae

L

p

+ Be

L

p

x →∞

p(x) p

n

x

B = 0

j

p

(

x

) =−

qD

cu p = p(x)

dp

p

dx

si:

cu condiţia la limită:

Deci:

− L p p ( x ) = p + Ae n qu D Condiţia
L
p
p
( x
) =
p
+
Ae
n
qu
D
Condiţia la limită Shockley:
x = l
p(l
) = p e
kT
;
n
n
n
l
n
qu
D
L p
kT
Rezultă:
A = p (e
−1)e
;
n
x
− l
n
qu
D
L
p
Deci:
p
( x
) =
p
+
p
(
e
kT −1)
e
.
n
n

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

Pentru:

u

D

= 0

p(x) = p

n

(echilibru termodinamic)

Pentru:

u

D

> 0 apare concentraţia în exces care dispare după

x > L

p

.

Se calculează curentul de goluri:

n

dp qD p dx qu D ( e kT −
dp
qD
p
dx
qu
D
(
e
kT

j

p

(

l

n

) =−

=

1

L

p

p

(

)

e

x = l

n

1)(

qD p

p

=−

qD n

n

Analog:

j

n

(

l

p

) =

L

n

e

x − l n qu − qD p D L p p n = (
x − l
n
qu
qD p
D
L
p
p
n
=
(
e
kT
L
p
x = l
n

qu

D

kT

1)

Rezultă:

j

D

=

qD p

p

n

L

p

qu

D

(

e

kT

1) +

qD n

n

p

L

n

(

A

D

fiind aria transversală a joncţiunii:

i

D

= Aj

D

e

qu

D

kT

1)

i

D

= A

qD p

⎜ ⎜ ⎝

qD n

n

p

p

n

L

p

L

n

+

⎠ ⎟

(

qu

D

kT

e 1)

i =

D

I

0

qu

D

(

e

kT

1)

cu :

(curentul de saturaţie)

Reprezentarea grafică:

I

0

= A

qD p

qD n

n

p

p

n

L

p

L

n

+

1)

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

kT kT - pentru u > 0 u >> ( = 26mV ) la temperatura
kT
kT
- pentru
u
>
0
u
>>
(
=
26mV )
la temperatura
D
D
q q
qu
D
ambiantă, rezultă:
=
I e
kT
i D
;
0
kT
- pentru
u
< 0
u
>>
, rezultă:
i
D =−
I
D
D
0
q

Semnificaţia curentului de saturaţie:

I

0

A

A

⎜ ⎜

qD

qD p

p

n

qD n

n

p

n

2

i

qD

n

n

2

i

I

0

+

A

p

=

⎜ ⎜ ⎝ qD p p n qD n n p n 2 i qD n

L

p

⎜ ⎛ qD

⎝ ⎜ L

p

p

1

N

n

2

i

d

=

+

L

n

qD

L

n

ct T

.

3

n

e

1

N

a

W

kT

n

2

i

L

p

, rezultă:

I

N

d

0

=

L

n

ct T

.

3

e

N

a

W

kT

=

+

=

Deoarece:

=

T . 3 e N − ∆ a W kT = + = Deoarece: ⎞ ⎟

Concluzii:

-

-

I

0

se dublează la fiecare

10

0

C

pentru Ge şi la

6

0

C

pentru Si.

I este mult mai mic la Si decât la Ge (circa 3 ordine de mărime).

0

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

4. Abateri de la caracteristica ideală

- caracteristica ideală:

i

D

=

I

0

qu

D

e

kT

1

- caracteristica unei diode reale:

kT − 1 ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ - caracteristica unei diode reale: * zona I –

* zona I – zona caracteristicii ideale

* zona II – zona curenţilor mari - contează rezistenţele zonelor neutre –

apare o tendinţă de liniarizare a caracteristicii

* zona III – zona curenţilor direcţi de valoare mică – nu se mai pot neglija

fenomenele de generare-recombinare din regiunea de trecere (care creşte); se

qu D

qu D

obţine o caracteristică de tipul

de circa 1,2 (pentru Ge) şi, respectiv de 1 - 1.5 (pentru Si)

* zona IV – zona tensiunilor inverse mici (normale); curentul invers are mai multe componente:

e 2

kT

; mai corect,

kT

e η

cu valori pentru η

- curentul de saturaţie al joncţiunii (constant);

- curentul de generare din regiunea de trecere (creşte odată cu creşterea valorii inverse a tensiunii aplicate);

- curentul de pierderi la suprafaţă (dependent de tensiunea aplicată)

Ponderile acestor componente sunt diferite în funcţie de material.

* zona V – zona tensiunilor inverse mari, în care curentul invers creşte

nelimitat (poate fi limitat numai de circuitul exterior). Sunt 2 fenomene:

- fenomen Zener – smulgerea de purtători din reţea prin câmp electric;

- fenomen de multiplicare în avalanşă – producere de purtători prin

generare sau prin câmp electric, accelerarea acestora, ciocnirea cu reţeaua şi smulgerea altor purtători.

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

i

invers =

MI

0

M =

1

u

D

U

str

1 − ⎜

m

coeficient de multiplicare în avalanşă:

U

m

str

tensiune de străpungere – dependentă de concentraţiile de impurităţi;

exponent dependent de material: 3 pentru Ge tip P+N, 4-7 pentru Ge

tip PN+, Si.

Aproximarea caracteristicilor:

- dioda ideala

tip PN+, Si. Aproximarea caracteristicilor: - dioda ideala - dioda idealizat ă , cu tensiune de

- dioda idealizată, cu tensiune de prag,

U

D cu valori de 0,2-0,3V

pentru Ge şi 0,6V pentru Si (la curenţi relativ mici)

pentru Ge ş i 0,6V pentru Si (la curen ţ i relativ mici) - dioda idealizat

-

dioda idealizată cu tensiune de prag şi cu rezistenţă serie

ă cu tensiune de prag ş i cu rezisten ţă serie - curentul invers se neglijeaz

- curentul invers se neglijează, practic, întotdeauna; eventual se ţine seama de rezistenţa de pierderi, de valoare foarte mare.

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

4. Regimul dinamic al joncţiunii pn

Circuit de polarizare:

Regimul dinamic al jonc ţ iunii pn Circuit de polarizare: U D , I D )

U

D

,I

D

)

E = Ri

i

= i

D

D

D

+ u

(

u )

D

D

Determinarea PSF: (

Ecuaţii:

dreapta de funcţionare statică PSF

M

(

I

D

,U

D

)

Regimul dinamic se aplică peste regimul de curent continuu. Punctul de funcţionare se deplasează în jurul PSF iar pentru semnale variabile suficient de mici, comportarea diodei poate fi considerată liniară.

comportare a diodei poate fi considerat ă liniar ă . Este necesar un model (o schema

Este necesar un model (o schema echivalentă) valabil pentru regimul dinamic şi anume pentru determinarea curentului prin circuit şi a tensiunii la bornele diodei. a) la frecvenţe joase – se pot neglija fenomenele reactive şi modelul va fi caracterizat printr-o rezistenţă dinamică.

Fie:

u

i

D

D

= U

D

= I +

D

+

+

i

d

u

d

componente PSF şi componente variabile;

dinamic ă . Fie: ⎧ u i ⎩ ⎨ D D = U D = I

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notiţe

 

qu

D

 

q U

(

D

+

u

d

)

qU

D

qu

d

=

=

I

0

e

qU

D

kT

1

0

=

I

e

kT

qU

1

D

=

I

0

e

 

kT

e

kT

qU

D

 

1 =

I

0

e

kT