Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

procese fizice jonciunea PN la echilibru termic jonciunea PN cu tensiune aplicat caracteristica diodei reale regimul dinamic al jonciunii PN variante ale diodelor semiconductoare

1. Procese fizice
- cele mai multe dispozitive conin jonciuni pn - jonciunea pn este un semiconductor eterogen format din dou regiuni distincte dintre care una este dopat cu impuriti acceptoare iar cealalt cu impuriti donoare; cele dou regiuni formeaz o singur reea cristalin doparea diferit se realizeaz prin procedee tehnologice adecvate. a) faptul c cele dou regiuni de tip diferit sunt una lng alta face ca n dreptul jonciunii golurile din zona P s difuzeze n zona N; golurile ptrunse n zona N se recombin rapid cu electronii care sunt majoritari; acelai lucru se ntmpl cu electronii din zona N care difuzeaz n zona P; rezult c apare un curent de difuzie; b) prin plecarea golurilor din zona P n zona N, n imediata vecintate a jonciunii apare o zon cu sarcin negativ care este sarcina ionilor acceptori pentru neutralizarea crora nu mai sunt suficiente goluri; la fel, n zona N; aceast sarcin spaial fix creeaz un cmp electric care duce la apariia unui curent de cmp ce se opune curentului de difuzie. Deci, in dreptul jonciunii apare o barier de potenial care duce, prin curentul de cmp, la starea de echilibru; deci, prin jonciune, la echilibru termodinamic, nu exist un transport net de purttori; c) n regiunile neutre exist purttori mobili de sarcin n numr mare, iar conductibilitile electrice vor fi: p q p p p - n regiunea p: - n regiunea n:

q n n n

valori suficient de mari pentru a considera conducia curentului foarte bun. n prim aproximaie, se presupune c rezistena electric a acestor zone este suficient de mic astfel nct pot fi neglijate cderile de tensiune corespunztoare. n aceste condiii, limitarea curentului prin jonciune va fi determinat de regiunea de trecere n care numrul de purttori mobili de sarcin este mai mic.

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

(Na) P

(Nd) N
impuritati

Na

Nd + p(x) x

Pp

Pn x n(x)

pp N a

np

nn
x

nn N d

(x) +

u(x) U0
x

Capitolul 2 Dioda semiconductoare 2. Jonciunea pn la echilibru termic Se determin: - lungimea regiunii de trecere, l = l p + ln - nlimea barierei de potenial, U 0

notie 2003

Aproximaii:

p p >> n p nn >> pn

p pnp = n

2 i

p p Na nn N d

nn pn = ni2

ni2 np Na ni2 pn Nd

model unidimensional

l p < x < 0 = q[ N a + p( x) n( x)] qN a 0 < x < ln = q[N d + p ( x) n( x)] qN d (n zona de trecere p(x) si n(x) sunt neglijabile, regiune golit de purttori
mobili de sarcin) Deci: - pentru semiconductorul P: - pentru semiconductorul N:

Densitatea de sarcin electric din regiunea de trecere:

2 qN a qp p 1 qN d qnn
(unde = r 0 este permitivitatea

Se determin variaia lui u (x) n regiunea de trecere: u 2 ( x ) i u1 ( x ) Se rezolv ecuaia lui Poisson u =

electric a materialului semiconductor) n cele dou regiuni i se pun condiiile de continuitate n origine. Zona 2

d 2u 2 ( x) qp p cu condiiile la limit: = dx 2
3

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie 2003

u 2 ( x) x = l = 0
p

du 2 ( x) =0 dx x = l p

Se integreaz:

du 2 ( x) qp p = x + C1 rezult: dx

C1 =

qp p l p

adic:

du2 ( x) qp p (x + l p ) = dx
Se integreaz:

u 2 ( x) =

1 qp p (x + l p )2 + C2 2

rezult:

C2 = 0 i:

1 qp p (x + l p )2 u1 ( x) = 2
Zona 1

qn d 2u1 ( x) = n cu condiiile la limit: dx 2 du1 ( x) =0 u1 ( x) x =l = U 0 n dx x =ln

Se integreaz:

qn du1 ( x) = n x + C3 dx

rezult:

C3 =

qnn ln

adic:

qn du1 ( x) = n ( x ln ) dx
Se integreaz:

u1 ( x) =

1 qnn ( x ln )2 + C4 2 1 qnn ( x ln )2 u2 ( x) = U 0 2

rezult:

C4 = U 0 i:

Racordarea soluiilor: 1) pentru: x = 0

rezult: u1 (0) = u 2 (0) 1 qp p 2 1 qnn 2 1 q 2 2 U0 = lp + ln = nn l n + p p l p 2 2 2 du1 ( x) du ( x) 2) pentru: x = 0 rezult: = 2 dx x =0 dx x =0

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie 2003

qp p

lp =

qnn

ln de unde:

nn ln = p p l p

sau:

lp ln

nn pp

Deoarece: l = ln + l p , rezult imediat:

ln =

pp p p + nn

i:

lp =

nn l Se nlocuiesc: p p + nn

2 l 2 p2 l 2 nn 1q p U0 = + pp nn 2 (nn + p p )2 (nn + p p )2

De aici se deduce lungimea zonei de trecere:

l=

2U 0 p p + nn q p p nn

Observaii: - lungimea de trecere este mic dac zonele sunt dopate puternic; - regiunea de trecere se extinde mai mult n zona mai puin dopat cu impuriti. Deducerea nlimii barierei de potenial varianta 1: La echilibru termic:

dp =0 dx Se deduc: dn jn = qn n E + qDn =0 dx D p 1 dp kT 1 dp kT 1 dn = E= E= p p dx q p dx q n dx du i, prin artificiu elementar: E= dx kT dp kT dn du = = Se integreaz: q p q n kT p ( x) kT n( x) u ( x) = ln = ln q pc q nc pc , nc constante de integrare j p = qp p E qD p

Se expliciteaz concentraiile de purttori:

Dar:

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie 2003
qu ( x ) kT

p ( x ) = pc e
Condiii la limit:

qu ( x ) kT

n( x) = nc e

x u = 0

p = pp ; n = np
p = pn ; n = nn
qU 0 kT qU 0 e kT

pc = p p ; nc = n p

x u = U0

pn = p p e
Din ambele relaii rezult:

nn = n p

U0 =

kT nn kT p p kT p p nn kT N a N d ln ln ln 2 = ln = = q np q pn q q ni2 ni

Pentru valori tipice ale concentraiilor de impuriti, rezult valori de ordinul zecimi de V:

N a = 1015 / cm3 ; N d = 1018 / cm3 ; ni2 = 1020 / cm6 U 0 = 0,777 V

varianta 2: Se folosete structura de benzi energetice ale semiconductorului:

Se constat:

2 = 1 + qU 0 ; U 0 =
W 1 kT

2 1
q

Dar:
W 2 kT
qU 0 kT

p (ln ) = pn = p e
pn = p e
W 1 kT

p(l p ) = p p = p e
= p pe

= pe

W 2 + 2 1 kT

2 1
kT

= p pe
kT

n(l p ) = n p = n e

2
kT

= ne

1 + 2 1
kT

= ne

1
kT

2 1

= nn e

2 1
kT

Se obin imediat relaii identice cu acelea obinute prin metoda anterioar.

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

3. Jonciunea pn cu tensiune aplicat a) regim de echilibru termodinamic:

d ifuzie g o luri

difuzie elec troni

c a m p go luri c a m p ele c troni
dn dw q v0 W qv w

- 4 componente ale curentului - numrul de purttori care difuzeaz (purttori care nving bariera de potenial) depinde de U 0 ;

iD = i pM i pm + inM inm = 0
d ifuzie go luri

b) se aplic tensiune invers:

difuzie elec troni
c a m p go luri c a m p ele c troni
dn dw

q v 0 q(v0-u D) w

q(v0-u D )

Fizic: la polarizare invers, nu exist difuzie de purttori, dar n imediata vecintate a regiunii de trecere apare o generare termic de perechi de purttori care sunt antrenai de cmpul electric; astfel, curentul invers este un curent de generare.

iD = i pM i pm + inM inm < 0

7

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

c) se aplica tensiune direct:

d ifuzie g o luri

difuzie elec troni

c a m p goluri c a m p ele c troni
dn dw W q(v0-u D ) W

q(v0-u D) q v 0 w

Fizic: la polarizare direct, n imediata vecintate a regiunii de trecere, n zona N, va fi un exces de goluri, dar care nu triesc mai mult de p i nu ptrund mai mult de

Lp .

La fel pentru electronii din zona P. Apare o

recombinare puternic n ambele zone i se obine curentul direct care este un curent de recombinare.

iD = i pM i pm + inM inm > 0

desene Concluzie: curentul prin jonciune depinde de tensiunea de la bornele jonciunii. Intereseaz o expresie de forma:

i pM 1 = i pm [ f (u D ) 1] i pM i pm = i pm i pm cu condiia: f (0) = 1
La fel i pentru electroni. Rezult curentul prin jonciune de forma:

iD = i pm [ f (u D ) 1] + inm [ f (u D ) 1] = I 0 [ f (u D ) 1]
I =i +i 0 pm nm

I0

curent de saturaie

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

Deducerea caracteristicii curent-tensiune

aproximaii pentru calcul: - jonciunea este dintr-un semiconductor monocristalin cu ni ; - fluxuri unidimensionale de purttori; - regiunea de trecere complet golit de purttori; - n regiunea de trecere nu au loc fenomene de generare-recombinare; - lungimile de difuzie sunt mai mici dect lungimile zonelor neutre (diod groas); - jonciune abrupt; - se neglijeaz rezistenele zonelor neutre; - se neglijeaz efectele de suprafa; - se consider temperaturi ambiante; impuritile sunt ionizate complet.

Densitatea curentului electric este aceeai n orice seciune: curent de electroni

curent de goluri

* pentru

L p + ln < x <

- purttorii de sarcin sunt numai - componenta de difuzie a golurilor - componenta de cmp a electronilor se neglijeaz generarea-

electroni; exist curent de cmp; * pentru l n < x < L p + l n * pentru

l p < x < +l n

recombinarea de purttori; densitile de curent rmn constante; * similar n zona P Condiii la limit:
9

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

Lungimea regiunii de trecere se obine dac:

U 0 U 0 u D , adic:

2U 0' p p + nn u l= = l0 1 D q p p nn U0
- polarizare direct:

l > l0 . - polarizare invers; La limitele zonei de trecere concentraiile de purttori vor fi:
p(l n ) = p p e
' qU 0 kT

l < l0 ;

= ppe

qU 0 kT

qu

D kT

qu

= pn e

D kT

n(l p ) = nn e

' qU 0 kT

= nn e

qU 0 kT

qu D

kT

= npe

qu D kT

- condiii la limit de tip Shockley - injecie de purttori

j D = jn + j p j n = j n camp + j n dif j p = j p camp + j p dif n semiconductorul P, p >> n : dn dn j D = qp p E p + qDn + qn n E p qp p E p + qDn dx dx

(curent de cmp de goluri + curent de difuzie de electroni + curent de cmp de goluri neglijabil); La fel, n semiconductorul N, n >> p :

Densitatea de curent va fi:

jD qn n En qD p

dp dx
x =l p

Continuitate n regiunea de trecere:

j D = qDn

dn + qp p E p dx x = l p

10

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

j D = qD p
Dar:

dp + qn n E n dx x = l n
x = l p

x =ln

qp p E p

= qD p

dp Rezult: dx x = ln

j D = qD p

dp dn + qDn dx x = l n dx x = l p j p ( x) = qD p p = p (x) dp dx

Ecuaia de continuitate, n regim staionar i pentru flux unidimensional de purttori:

p p0 1 dj p p = =0 t q dx p
Rezult:

cu

dp 1 d qD p = 0 q dx dx p d 2 p( x) p( x) pn =0 2 2 dx Lp
x Lp x Lp

p p0

cu

si:

Soluia:

p ( x) = p n + Ae + Be x p( x) pn B = 0 p( x) = pn + Ae
x Lp

cu condiia la limit: Deci:

Condiia la limit Shockley: Rezult: Deci:

x = ln
ln Lp

p (l n ) = p n e
;
x ln Lp

qu D kT

A = p n (e

qu D kT

1)e

p ( x ) = p n + p n (e

qu D kT

1)e

11

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

Pentru: Pentru:

uD = 0

p( x) = pn

(echilibru termodinamic)

u D > 0 apare concentraia n exces care dispare dup x > L p .

Se calculeaz curentul de goluri:

j p (l n ) = qD p = qD p pn (e

dp = dx x = l n 1 Lp 1)( )e Lp
x ln

qu D kT

=
x =ln

qD p pn Lp

(e

qu D kT

1)

Analog:

jn (l p ) =
jD =

qDn n p Ln
(e
qu D kT

(e

qu D kT

1)
qDn n p (e
qu D kT

Rezult:

qD p p n Lp

1) +

AD fiind aria transversal a jonciunii:

Ln i D = Aj D

1)

qD p pn qDn n p qu D (e kT 1) + iD = A L Ln p
i D = I 0 (e
qu D kT

1)

cu :

qD p qD n I 0 = A p n + n p L Ln p

(curentul de saturaie) Reprezentarea grafic:

12

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

- pentru

u D > 0 u D >>

kT q
qu D kT

kT = 26mV ) la temperatura q

iD = I 0 e ; kT - pentru u D < 0 u D >> , rezult: iD = I 0 q Semnificaia curentului de saturaie: I 0 qD p p n qDn n p qD p ni2 qDn ni2 I 0 = A L + L = A L N + L N = p n n a p d
ambiant, rezult:

qD p 1 qDn 1 2 = A L N + L N ni n a p d
Deoarece:

n = ct.T e
2 i 3

W kT

, rezult:

I 0 = ct.T e
3

W kT

Concluzii: -

I 0 se dubleaz la fiecare 10 0 C pentru Ge i la 6 0 C pentru Si. - I 0 este mult mai mic la Si dect la Ge (circa 3 ordine de mrime).
13

Capitolul 2 Dioda semiconductoare 4. Abateri de la caracteristica ideal

notie

- caracteristica ideal: - caracteristica unei diode reale:

qu D iD = I 0 e kT 1

* zona I zona caracteristicii ideale * zona II zona curenilor mari - conteaz rezistenele zonelor neutre apare o tendin de liniarizare a caracteristicii * zona III zona curenilor direci de valoare mic nu se mai pot neglija fenomenele de generare-recombinare din regiunea de trecere (care crete); se obine o caracteristic de tipul e ; mai corect, e cu valori pentru de circa 1,2 (pentru Ge) i, respectiv de 1 - 1.5 (pentru Si) * zona IV zona tensiunilor inverse mici (normale); curentul invers are mai multe componente: - curentul de saturaie al jonciunii (constant); - curentul de generare din regiunea de trecere (crete odat cu creterea valorii inverse a tensiunii aplicate); - curentul de pierderi la suprafa (dependent de tensiunea aplicat) Ponderile acestor componente sunt diferite n funcie de material. * zona V zona tensiunilor inverse mari, n care curentul invers crete nelimitat (poate fi limitat numai de circuitul exterior). Sunt 2 fenomene: - fenomen Zener smulgerea de purttori din reea prin cmp electric; - fenomen de multiplicare n avalan producere de purttori prin generare sau prin cmp electric, accelerarea acestora, ciocnirea cu reeaua i smulgerea altor purttori.
qu D 2 kT

kT

qu D

15

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

iinvers = MI 0 coeficient de multiplicare n avalan: 1 M= m uD 1 U str

U str tensiune de strpungere dependent de concentraiile de impuriti; m exponent dependent de material: 3 pentru Ge tip P+N, 4-7 pentru Ge
tip PN+, Si. Aproximarea caracteristicilor: - dioda ideala

- dioda idealizat, cu tensiune de prag, U D cu valori de 0,2-0,3V pentru Ge i 0,6V pentru Si (la cureni relativ mici)

- dioda idealizat cu tensiune de prag i cu rezisten serie

- curentul invers se neglijeaz, practic, ntotdeauna; eventual se ine seama de rezistena de pierderi, de valoare foarte mare.

16

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notie

4. Regimul dinamic al jonciunii pn

Circuit de polarizare:

Determinarea PSF: (U D , I D ) Ecuaii:

E = RiD + uD iD = iD (u D )

dreapta de funcionare static PSF

M ( I D ,U D )

Regimul dinamic se aplic peste regimul de curent continuu. Punctul de funcionare se deplaseaz n jurul PSF iar pentru semnale variabile suficient de mici, comportarea diodei poate fi considerat liniar.

Este necesar un model (o schema echivalent) valabil pentru regimul dinamic i anume pentru determinarea curentului prin circuit i a tensiunii la bornele diodei. a) la frecvene joase se pot neglija fenomenele reactive i modelul va fi caracterizat printr-o rezisten dinamic.

u D = U D + ud Fie: iD = I D + id

componente PSF i componente variabile;

17

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notie

q (U D + u d ) qU D qu d qu D iD = I 0 e kT 1 = I 0 e kT 1 = I 0 e kT e kT 1 =
qU qU D qud qU D qud kTD = I 0 e kT 1 + e 1 = I 0 e kT 1 + I 0 kT kT qU qud kTD e Rezult: id = I 0 kT u kT 1 kT rd = d = = rezistena dinamic: qU D id q q( I D + I 0 ) I 0e kT kT La polarizare direct: U D > 0, U D >> = 0,026 V q kT kT vT rd = = q( I D + I 0 ) qI D I D

rd =

vT 26 = ; ID ID

[] = [mV ] [mA]
kT q

La polarizare invers:

U D < 0, U D >>
foarte mare

rd =

kT qI 0

b) la frecvene nalte apar elemente capacitive: - datorit sarcinilor fixe din regiunea de trecere - datorit sarcinilor mobile din zonele n care are loc difuzia de purttori de sarcin b1) capacitatea de barier

18

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notie

- sarcina acumulat n regiunea de trecere (sarcin electron X concentraie X volum):

Qb = qN a Al p = qN a A

nn l nn + p p

Qb = qN a A

u nn l0 1 D U0 nn + p p

uD Qb Cb

Cb =

dQb duD

= qN a A
M

1 1 nn l0 nn + p p 2 U 0 qN a A nn l0 nn + p p 2U 0

1 U 1 D U0

Cb =

Cb 0 ; Cb 0 = UD 1 U0

- Cb 0 este proporional cu aria jonciunii; - n funcie de profilul de impuriti se obin relaii de forma:

Cb =

Cb 0 uD 1 U 0
m

cu m avnd valori cuprinse ntre 0,3 si 0,5.

De regul, are efect negativ (ntrzie rspunsul la frecvene nalte) Se folosete sub forma de diod Varicap.

19

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notie

b2) capacitatea de difuzie Este determinat de surplusul de sarcin obinut prin difuzie:

qu D p e kT 1e Qd = qAl pexces dx = qAl pn n n = qApn qu D e kT 1( L p )e

x ln Lp ln

x ln Lp

dx =

qu D = qApn L p e kT 1

uD Q dp Cd
dQdp Cd = du D
p

q e = qApn L p kT

qU D kT

componenta determinat

de goluri; la fel pentru electroni. Capacitatea total de difuzie:

Cd =

Aq 2 ( pn L p + n p Ln ) kT

qU D e kT

= ct.I D

(din PSF).

N a >> N d ; p p 2 >> nn ; Pentru o jonciune P+N: ni2 ni2 n p = p << n = pn p n qApn D p L2p qU D Aq 2 pn L p qU D p kT = q e kT ; Cd Cd = e kT L p D p kT
Cd = q pID kT

Capacitatea de difuzie este proporional cu curentul direct prin diod. Capacitatea de difuzie este mai important dect capacitatea de barier n conducie direct i este neglijabil la polarizarea invers a diodei. Circuitul echivalent la semnale mici al diodei va fi:

20

Capitolul 2

Dioda semiconductoare

notie

Modele simplificate: - la frecven joas: - la blocare: - la conducie cu tensiuni directe mici

21

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

6. Variante constructive de diode semiconductoare Se pot realiza i diode Schottky, cu funcii asemntoare diodelor realizate cu jonciuni pn. Diodele Schottky se realizeaz prin contact metal-semiconductor de 17 3 tip redresor, de obicei Al cu SiN slab dopat cu impuriti (<10 / cm )

- la polarizare direct ( u D > 0 ) bariera semiconductor-metal se micoreaz i crete numrul de electroni ce trec din semiconductor n metal; apare curent direct care ascult de relaia:

- la contact se formeaz o barier de potenial i o regiune de sarcin spaial extins numai n semiconductor. Rezult c dioda Schottky funcioneaz numai cu purttori majoritari. - la echilibru termodinamic curentul prin diod este nul prin compensarea celor dou componente de electroni ce depesc cele dou bariere de potenial, B si U 0 .

qu D e kT 1, cu 1 iD = I 0 - la polarizare invers ( u D < 0 ), bariera de potenial crete i fluxul

de electroni de la semiconductor spre metal scade foarte mult. Proprieti: - cderea de tensiune direct este mai mic (circa la jumtate) dect la o diod bazat pe jonciune pn (regiunea de trecere se extinde numai n semiconductor); - n regim dinamic conteaz numai rezistena dinamic i capacitatea de barier (capacitatea de difuzie nu exist deoarece nu sunt purttori minoritari de sarcin) funcionare foarte bun la frecvene mari i n comutaie (timpi de comutaie mai mici de 100 ps).
22

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

notie

1. Diode de semnal mic diverse utilizri parametri: - curentul maxim direct admisibil 50 - 100 mA - tensiunea invers maxim admisibil 20 100 V - putere disipat maxim admisibil 150 mW 2. Diode redresoare utilizare n conversia cacc pentru frecvene de pn la 400 Hz - curentul maxim direct admisibil - 10 mA 100 A - tensiunea invers maxim admisibil 10 1000 V - putere disipat maxim admisibil 0,1 100 W (se pot utiliza i sub forma de puni redresoare) 3. Diode de detecie demodularea semnalelor, funcioneaz la frecvene mari i foarte mari, dar la puteri mici. Pot fi diode cu jonciuni sau diode Schottky. 4. Diode varicap cu utilizare n circuite acordate, oscilatoare, filtre, la care se folosete dependena capacitii de barier a diodei de tensiunea invers aplicat; capacitatea de barier este proporional cu aria jonciunii: Cb =

Cb 0 UD 1 U 0
m

5. Diode de comutaie utilizate n circuite de comutaie; parametrii principali i reprezint timpii de comutaie direct i invers; de obicei, parametrii referitori la mrimile maxim admisibile nu sunt limitativi. 6. Diode Zener se bazeaz pe fenomenul de multiplicare n avalan. tensiunea stabilizat este cuprins ntre 3V i 100V iar curentul prin diod este de ordinul a 10 - 100 mA, n funcie de puterea diodei.

7. Diode Tunel (Esaki) sunt de tipul P+N+ la care surplusul de purttori trece peste bariera de purttori prin efect tunel; are caracteristica cu rezisten negativ i se folosete n circuite care funcioneaz la frecvene mari sau n circuite de comutaie.

23

Capitolul 2 Dioda semiconductoare

iD

notie

uD

8. Fotodiode (fotoelemente) sunt diode cu jonciuni sau de tip Schottky la care radiaiile luminoase pot ptrunde prin capsul i sunt absorbite de materialul semiconductor ca urmare se intensific procesul de generare de perechi electron-gol i se modific curentul de saturaie al diodei. Se folosete numai cu polarizare invers.

9. Diode electroluminiscente (LED) sunt realizate din jonciuni de tipul GaAs, semiconductor cu banda interzis de circa 1,6 -1,7 eV. n urma recombinrilor directe, se emit cuante de lumin n spectrul vizibil, cu diferite culori. Funcioneaz numai la polarizare direct. 10. Diode generatoare i amplificatoare de microunde (IMPATT, TRAPATT, BARIT) funcioneaz dup alte principii fizice.

24