Sunteți pe pagina 1din 102

Cap.1.

Metoda formrilor jonciunilor pn


Cap.2. Procesul de fotolitografie
Cap.3. Metode de confecionare a circuitelor integrate cu
tranzistoare bipolare. Metode de izolare a elementelor
Cap.4. Constuciile i calculul elementelor n circuitul cu
tranzistor (CI)
Cap.5. Tehnologia circuitelor integrate hibride (CIH)
Cap.6. Tehnologia circuitelor VLSI
Cap.1. Metoda formrilor jonciunilor pn
Metode: - prin difuzie;
- prin implantere ionic.
Teoria difuziei
Definiie: difuzia reprezint ptrunderea atomilor unei substane in alta
substan datorit micrii haotico-termice.
n principiu difuzia are loc n toate cele patru stri ale materiei: n solide,
lichide, gaze, plasm.
Procesele difuziei n corpuri solide
Prioriti ale difuziei fa de alte metode:
- putem obine jonciuni pn cu suprafaa de la un m
2
pn la zeci de cm
2
;
- jonciunile pn obinute prin difuzie se caracterizeaz printr-o nalt
reproductibi-litate a parametrilor datorit faptului c putem controla i regla uor
adncimea jonci-unilor pn precum i concentraia impuritilor;
- procesul de difuzie se caracterizeaz printr-o inalt productivitate a
muncii.
Difuzia poate avea mai multe mecanisme:
I mecanism: atomii de P (fosfor) pot ptrunde ntre nodurile reelei
cristaline;
al-II-lea mecanism: difuzia prin locul vacant (loc liber);
al-III-lea mecanism: atomii de impuritate (P) au o energie foarte mare i pot
smulge atomii de Si din reeaua cristalin pe care i trimite ntre nodurile reelei,
iar atomii de P ocup locul atomilor de Si.
Legile difuziei (pt. gaze) formulate de Fick n 1889
Aceste legi descriu procesul difuziei foarte bine i n solide.
De exemplu avem un corp solid (plac de Si):
1
unde N(x) reprezint concentraia impuritilor care au intrat (difuzat) n
cristal.
I - lege a lui Fick:
x
N
- F

D
(1) u nde F fluxul (nr. de atomi care
ptrund printr-o unitate de suprafa ntr-o unitate de timp);
[ ]
s m
atomi
SI
F

2
;

dx
dN
gradientul concentraiei impuritii; D ct.=coeficient de difuzie.
Coeficientul de difuzie F D dac
1
dx
dN
.
A II-a lege a lui Fick:
2
x
N
2
t
N

D
(2) unde
t
N

=viteza schimbrii
concentraiei.
Procesul difuziei pe trei coordonate (trei direcii):

,
_

2
2
2
2
2
2
z
N
y
N
x
N
N D
t
N
Ecuaia poate fi rezolvat numai n cazuri speciale care se ntlnesc i n
practic:
1) difuzia dintr-o surs semiinfinit;
2) difuzia dintr-o surs limitat;
Difuzia dintr-o surs semiinfinit
Fie o plcu de Si i o mulime de atomi de P n vecintatea ei. n
interiorul unei fiole de cuar (cu vid) se pun bucele de P i se introduce i
plcua de Si. Aceast fiol este introdus apoi intr-un cuptor la temperatura de
1200C. Crescnd temperatura, n volumul fiolei de cuar se formeaz o anumit
concentraie de P care este egal cu concentraia vaporilor saturai la
temperatura dat.
2
P se vaporizeaz direct din faza S (prin sublimare). O parte din atomii de P
vaporizai intr n Si i rezult
. ct
gaz
N
pt. t 0 , unde t timpul.
.
0
ct N
concentraia atomilor la suprafaa plachetei, care este constant
pt. t 0 deoarece atomii ptrund tot mai adnc n placu.
) , ( t x N
concentraia impuritilor la o anumit adncime x dup timpul
t
0 ) , ( t x N
pt.
x
.
Din toate acestea rezult c legea a-II-a a lui Fick poate fi soluionat dac
introducem o variabil
t
x

,
_

dx
t D
x
e N t x N
2
0
2
2
1
0
) , (

, unde
x erf dx
t D
x
e

2
0
2 2

, i se tie c
x erfc x erf 1
t D
x
erfc N t x N


2
0
) . (
, funcia
[ ] 1 , 0 erfc
.
Reprezentarea soluiei legii a-II-a a lui Fick pt. condiiile scrise mai sus:
Difuzia dintr-o surs limitat
Fie o pelicul de Al de 1m la suprafaa plachetei de Si. Pt. ca vaporii de
Al s nu se evapore ci s intre n material se adaug o pelicul de SiO
2
.
3


2
/
18
10 5 cm at Q (cm
2
deoarece se consider grosimea foarte mic i
se neglijeaz) = concentraia iniial a atomilor care se afl pe suprafaa
semiconductoare.
Aceast cantitate de atomi de Al nu se poate vaporiza ci doar intr n
interiorul cristalului. Dac o parte din aceti atomi intr n placheta de Si ,
cantitatea lor scade (concentraia lor) deoarece nu mai vin ali atomi pt. a
compensa

pt. a soluiona legea a-II-a a lui Fick trebuie avute n consideraie


urmtoarele condiii de limit:
1)
0 N(x,t)
, dac t=0 i x > 0;
2)
0 ) , ( t x N
, dac t > 0 i x

;
3)
0

x
N
, pt. x=0 i 0 < t <

, (gradientul concentraiei impuritii


lipsete la suprafaa plachetei);
4)

x
Q dx t x N
0
) , (
, pt. 0 <x <

i 0 < t <

- legea conservrii
materiei.
Avnd n vedere cele patru condiii, legea a-II-a a lui Fick are urmtoarea
soluie:

,
_

t D
x
t D
Q
t x N
4
2
exp ) , (

Reprezentarea (concentraiei impuritilor) soluiei legii a-II-a a lui Fick pt.


aceste condiii:

4
Pe msur ce are loc difuzia concentraia impuritilor la suprafa scade i
pe msur ce timpul crete impuritile ptrund mai adnc n suprafa.
n practic aceste metode de difuzie se folosesc mpreun. De exemplu
cnd facem fotoreceptori pe baza jonciunilor pn, dac concentraia pe suprafa
este mare are loc absorbia la suprafa mare.
Difuzia are loc n dou etape:
- la nceput se face difuzie la o adncime foarte mic;
unde: N
n
=N
p
s-a format jonciunea pn i x
pn
este adncimea jonciunii pn.
Aceast difuzie se folosete pt. formarea bazei tranzistorului bipolar, a
jonciunii colector-baz, a jonciunii emitor-baz (care are loc ntr-o singur
etap (din surs semiinfinit) deoarece se dorete E foarte dopat).
Influena diferiilor factori la distribuirea impuritilor n procesul
difuziei
La distribuia impuritilor influeneaz urmtorii factori:
1) solubilitatea solid a impuritii;
2) timpul;
3) temperatura procesului;
4) desvrirea reelei cristaline.
1) Se numete solubilitate solid concentraia maxim a impuritii care
poate intra n cristal fr a se forma faze noi pe suprafaa lui.
Obs! ntr-un cristal de Si se gsesc atomi a crei concentraie este
N
Si
=5*10
22
at/cm
3
. Dac vom introduce atomi de impuritate care au o
concentraie de 5*10
20
at/cm
-3
(atomi de P, de ex.)

la 100 atomi de Si de baz


i revine un singur atom de impuritate (1%). Dac introducem N
imp
=5*10
21
at/cm
-
3

10% impuriti.
5

Au are solubilitate mic, ns are un coeficient de difuzie destul de nalt. P
are solubilitate ridicat.
2) Timpul n ambele soluii ale legii lui Fick timpul apare ca un produs
ntre D i
t
. n principiu pt. ambele tipuri de jonciuni adncimea jonciunii pn
este proporional cu rdcina ptrat a timpului.
Timpul procesului de difuzie este reglat destul precis.
3) Temperatura nu influeneaz la adncimea jonciunii pn, dar ea totui
apare indirect n coeficientul de difuzie D:

,
_


T R
H
D D exp
0
unde 0
D
este
coeficient de difuzie la o temperatur care

; H - energia de activare a
impuritii (minimul necesar de energie de care trebuie s dispun impuritile
pt. a putea ptrunde n interiorul cristalului).
Unghiurile de nclinaie a dreptelor e acelai i ca urmare H este aceeai
pt. diferite impuriti.
Temperatura este bine stabilizat n tehnologie: la 1200C i se poate
schimba n timp cu
2
1
t
C.
4) Desvrirea reelei cristaline.
Dac reeaua cristalin are multe defecte atunci impuritile vor ptrunde
mai uor n cristal. S-a fcut un expariment de cretere a cristalelor n spaiul
cosmic i s-a obinut un cristal cu reea perfect, dar cnd s-a fcut difuzia a
aprut scurt ntre C i E i ca urmare tranzistorul nu mai funciona.

6

Metode de efectuare a difuziei i difuzanii utilizai
n principiu difuzia poate fi efectuat n sisteme nchise i n sisteme
deschise.
Difuzia ntr-un sistem nchis:
Se scoate aerul, dup care se sudeaz fiola i se introduce ntr-un cuptor la
o animit temperatur. P se vaporizeaz direct din starea S (prin sublimare) i
toi atomii difuzani vor umple ntregul volum. Dac o parte din atomii difuzani
intr n placheta de Si atunci din bucelele de P se vaporizeaz ali atomi de P
astfel nct concentraia atomilor de P n faza gazoas s fie constant

difuzie
dintr-o surs semiinfinit.
Avantaj: putem introduce fiola ntr-un cuptor cu dou nivele de temperatur
diferite:

Cu T
1
se regleaz presiunea vaporilor saturai

concentraie const. n faza


gazoas.
Cu T
2
se regleaz lungimea difuziei (adncimea difuzieie i rapiditatea
difuziei).
Dezavantaj: pt. a scoate plachetele trebuiesc tiate fiolele de cuar care se
arunc i cost foarte mult.
Cuarul este folosit pt. c poate fi purificat i pt. c suport temperaturi
foarte mari (nu se nmoaie).
Mai des se utilizeaz n industrie sistemul deschis n flux de N
2
.
Schema cu posibilitatea de a difuza trei tipuri de impuritate (dar nu se
folosesc toate odat):
7
Se poate face face difuzie din toate strile de agregaie: S (P
2
O
5
), L (PCl
3
),
G(AsH
3
), dar nu toate odat.
Difuzani utilizai:
- nu se poate folosi As curat pt. c este otrvitor sau P curat n calitate de
difuzant;
- pt. Si avem difuzanii ce formeaz condiie:

de tip n de tip p
Lichid
PCl
3
POCl
3
AsCl
3
SbCl
3
BBr
3
BCl
3
Solid
P
2
O
5
B
2
O
3
BN
Gaz
PH3
AsH3
B
2
H
6
Este o deosebire ntre sursele de difuzie S, L, G. Pt. sursa S trebuie un
cuptor cu dou tipuri de temperatur pt. a regla concentraia care se face
nchiznd i deschiznd mai mult sau mai puin butelia de gaz.
Pt. faza L concentraia impuritilor se poate regla prin fluxul de N
2
care
trece prin vas sau prin nclzirea vasului cu lichid

se mrete concentraia
impuritilor care ajung n interiorul reactorului.
Cum are loc procesul de difuzie pt. sursa S:
P
2
O
5
la nclzire se vaporizeaz i ajunge pe suprafaa plachetei de Si cu
care intr n reacie chimic:
P SiO Si O P 4
2
5 5
5 2
2 + +
(1)
SiO
2
conine atomi de P i se poate scrie:
( ) ( )
x
O P
x
SiO

1 5 2 2
care este de fapt
o sticl fosforosilicat = PSG (Phosfor Silicon Glass).
8
nti se formeaz pe suprafaa plachetei aceast sticl dup care difuzia
atomilor de P are loc din aceast sticl

difuzie din surs limitat.


Se introduce i O
2
deoarece difuzia nu se poate face de exemplu din PCl
3

curat, deoarece se poate forma o curgere turbulent a gazului, caz n care
concentraia impuritilor poate fi mai mare dect solubilitatea solid i poate
duce la eroziunea plachetelor.
2
6
5 2
2
2
5
3
4 Cl O P O PCl + +
(2) , unde P
2
O
5
intr n reacie cu Si i
formeaz aceeai sticl i din gaz;
2
6
5 2
2
2
5
3
4 H O As O AsH + +
, unde As
2
O
5
reacioneaz cu Si i formeaz
o sticl arsenicosilicat;
De ex. avem o surs de difuzie (foarte utilizat):
2
6
3 2
2
2
3
3
4 Br O B O BBr + +
,
unde B
2
O
3
n reacie cu Si formeaz o sticl borsilicat.
BN este solid i are T
top
=3000C (ns la 1250C ncepe s se topeasc
sticla de cuar) i pt. aceasta se realizeaz astfel:
- lng o plcu de Si se pune o plcu de BN:
Metoda implantrii ionice
Prioriti ale metodei:
- posibilitatea de a implanta orice element din tabelul lui Mendeleev n
orice semiconductor;
- implantarea poate avea loc la temperaturi joase, chiar la temperatura
camerei;
- n metoda implantrii ionice avem ioni care au o energie i capt o
vitez cu ajutorul creia intr n interiorul cristalului;
- putem forma jonciuni pn reproductibile pn la 100% cu o concentraie
controlat pe toate cele trei axe (x, y, z);
- procesul are loc n vid destul de nalt, ceea ce nu duce la purificarea
plachetelor;
- durata procesului de implantare este pn la cteva minunte, dar putem
face i implantare local.
Neajunsuri: ionul accelerat nimerind pe suprafaa cristalului poate duce la
defectarea reelei cristaline pn la amorfizarea suprafeei. Pt. a lecui aceste
defecte se face un tratament termic la t=600-700C timp de o or.
Energia oricrei particule ncrcate poate fi:
U q E
[J], [eV], unde q-ncrctura ionului (pozitiv);
Avem de ex. ioni:
+
31
P
- are o ncrctur pozitiv

q=1 sau
+ +
31
P
- este
lipsit de 2 electroni (are dou ncrcturi pozitive

q=2

energia acestui ion


9
este de dou ori mai mare la acelai potenial),
+
N
- un atom de azot crcat
pozitiv.
Dac un astfel de ion ar nimeri pe suprafaa plachetei acesta s-ar putea
ciocni de nucleul atomilor, de moleculele cristalului de pe suprafaa plachetei.
Aceste ciocniri pot fi elastice sau plastice.
Construcia instalaieie implantrii ionice i principiul de funcionare
Tot sistemul este n vid.
1 sursa de ioni; 2 bobine electromagnetice; 3 filament
termoelectronic; 4 electrod de tragere a ionilor din surs (diafragm); 5
lentile electrostatice pt. focalizarea fluxului de ioni; 6, 7, 10, 11 plci pt.
reglarea fluxului de ioni pe axa x i pe axa y (se utilizeaz pt. a scana pe
suprafaa plachetei); 8 separator magnetic; 9 diafragm.
Putem pune un gaz care se vaporizeaz i ajunge n interiorul filamentului
care se nclzete i eman nite electroni care nimerind n cmpul
electromagnetic (2) se vor mica pe o traiectorie sub form de spiral i ca
urmare crete probabilitatea de a se ciocni cu moleculele de PCl
3
. Cu ajutorul
bobinelor are loc separarea ionilor
+
31
P
i

Cl
. Cu -7 la (4) se vor extrage doar
nrcturile pozitive (ionii de P) cu ajutorul diafragmei (4). Separatorul magnetic
face ca particula extras s se mite pe o circumferin care are o for
centripet:
B e
v m
r v B e
r
v m

2
, unde r raza de micare, m masa, v
viteza, care este dat de potenialul de accelerare, B intensitatea cmpului
magnetic, e electronul propriuzis.
Dac e=ct.,B=ct., v=ct, m r ca urmare particulele cu raz mai mic vor
avea i masa mai mic i cele cu raz mai mare vor fi separate de diafragm (9)

separm ionii dup mas i se elimin i impuritile.


Dnd un anumit potenial pe plcile 10 i 11 se poate scana placheta de Si.
Prioriti ale metodei: se pot realiza direct circuite integrate.
Difuzia local e un proces izotropic.
Avem o plcu de Si pe care depunem o pelicul de SiO
2
.
10
La implantarea ionic, ionii cad pe vertical (perpendicular) i jonciunea
pn se realizeaz exact fr a se ptrunde sub oxid.
Distribuirea ionilor implantai pe adncimea plachetei
Factori ce influeneaz distribuirea ionilor:
1 energia ionului;
2 orientaia plachetei;
3 temperatura plachetei la implantare;
4 doza (nr. de ioni care cade pe o unitate de suprafa).
1 - Energia ionului date experimentale pt. o plachet de Si cu orientaia
(100) la temperatura camerei pt. diferite energii ale ionului:
De ce exist dou maxime? Lindarhu a interpretat graficul astfel: ionii care
cad pe suprafaa plachetei de Si sunt mprii n dou grupe:
1) ionii care nimerind pe suprafaa plachetei pierd memoria direciei de
micare i se absorb n stratul superficial;
2) ionii care se canalizeaz (formeaz un flux canalizat).
De ex. avem structura reelei cristaline pe care cade un ion sub un unghi nu
foarte mare i ptrunde n interior ciocnindu-se de ioni, ptrunznd foarte adnc
n cristal.
Din teoria lui Lindarhu: distribuirea total a ionilor reprezint superpoziia
a dou fluxuri canalizat i necanalizat.
11
2 Orientaia plachetei: la (111) avem maxim densitatea de atomi este
maxim.
3 Influena temperaturii:
4 Doza: dac cad muli ioni pe suprafaa plachetei, acetia se ciocnesc
ntre ei i nu ptrund foarte adnc (se absorb la suprafa).
Cap.2 Fotolitografia la producerea dispozitivelor semiconductoare
i a circuitelor integrate
Fotolitografia conine un ir de operaii tehnologice ndeplinite consecutiv,
care duc la formarea topologiei circuitului integrat. Pt. a efectua acet proces se
utilizeaz un fotorezist, care este format dintr-o substan polimer (organic)
sensibil la razele UV i un solvent n care acesta se dizolv.
Fotorezitii se mpart n dou categorii:
- pozitivi (FR pozitiv);
- negativi (FR negativ).
Pt. a ndeplini procesul de fotolitografie sunt necesare fotomti. O
fotomasc arat astfel:
Dac avem o plachet de Si pe care am depus fotorezist i punem o masc
pe suprafaa plachetei i iluminm placheta, n cazul fotorezistului pozitiv are
loc absorbia razelor UV care duce la producerea reaciei fotochimice datorit
12
creia are loc distrugerea legturilor dintre moleculele fotorezistului, iar n cazul
celui negativ are loc majorarea legturilor dintre aceste molecule.
Operaiile de baz ale procesului de fotolitografie pot fi:

3) Splare.
Dup ce FR i-a ndeplinit funciile se ndeprteaz de pe suprafaa
peliculei, deoarece la realizarea difuziei, la 1200C, prin interiorul plachetei,
dac avem FR pe suprafaa peliculei de SiO
2
acesta se carbonizeaz.
n producerea C.I. se folosete un anumit nr. de fotomti. Pt. a confeciona
cele mai simple C.I. ne trebuie un set de 7 fotomti. Deoarece acest proces
conine 10 operaii tehnologice, se poate ajunge la 100-200 de operaii
tehnologice i ca urmare ne trebuie un timp foarte lung.

Criterii de apreciere a fotomtilor
1 Sensibilitatea FR lui: a)integral, b) spectral;
2 Durabilitatea la aciunea chimicalelor;
3 Rezoluia FR lui.
1-a) Sensibilitatea integral:
H t E
S
1 1

, unde E-intensitatea luminii, t-


timpul de expunere, H-expoziia.
Dac E=ct.

S este o mrime invers timpului.


Problema principal n fotolitografie este de a determina timpul optim pt.
expunerea la lumin:
13
Se msoar timpul necesar pt. a ajunge la 0.9h
0
, dup care se afl pt. h
0
.
n industrie se pun mai multe plcue cu acelai FR, cu aceeai grosime, ce
se expun perioade diferite de timp i se gsete cea mai clar imagine care e dat
de timpul cel mai optim.
1-b) Sensibilitatea integral: cum depinde coeficientul de absorbie (k) a
luminii fa de lungimea de und ():

La baza FR neg. st un polimer numit polivinilfinomat.
Datorit faptului c absorbia maxim are loc la =0.35m trebuie folosit
o masc din sticl de cuar, pt. c numai aceasta d drumul la raze UV cu o aa
de mic. De aceea n FR se adaug o substan numit inhibator care schimb
regiunea spectral i duce la 0.45m i la care se poate folosi sticla special
numit K08 (pt. masc).
2 Durabilitatea chimic a FR lor
14
Nu exist un criteriu absolut pt. determinarea durabilitii. Se pot ns
observa.
FR trebuie s fie inert la aciunea HF, H
3
PO
4
.
Criterii de durabilitate:
- FR se dizolv n corodant total sau parial

FR nu poate fi folosit.;
- corodarea local a FR:

Sub aciunea corodantului n unele locuri rmn nite guri. Aceste guri
apar datorit unor molecule polimerizate n FR ul iniial sau n acele locuri au
fost nite fire de praf. De aceea procesul trebuie s aib loc n locuri lipsite de
praf.
- cnd facem corodarea, sub FR a ptruns corodantul i a distrus din
pelicula de Al.
Aceasta depinde de tipul de FR.
3 Rezoluia FR
Nr. maxim de linii care poate fi format pe suprafaa FR lui pe o unitate de
lungime. Limea linilor trebuie s fie egal cu deprtarea dintre dnsele.
Mecanismul de absorbie a luminii
Se dorete ca raza de lumin s exponeze FR vertical.
15
La FR poz. :

FR poz. Are un contrast mai nalt dect cel negativ.
n industrie se folosete cel mai mult FR poz. Pt. c sunt stabili n acizi (nu
se corodeaz n acizi). n cazul n care folosim corodarea n baze se folosesc FR
neg.
Rezoluia FR lui este:
mm
linii
l
R 500
1 2
1000
2
1000


, l=1m;
Cel mai bun FR poz. are R n jur de 450, ns pt. o linie de 1m nu se prea
poate face.
Operaiile principale ale procesului de fotolitografie
Cuprinde urmtoarele operaii principale:
1) formarea peliculei de FR: - purificarea plachetei;
- depunerea peliculei de FR;
- uscarea peliculei.
16
2) formarea imaginii: - alinierea i exponarea FR lui;
- developarea FR lui;
- tratamentul termic.
3) transferul imaginii pe suprafaa plachetei: - corodarea peliculei
neprotejate de FR;
- nlturarea FR lui.
1) Formarea peliculei de FR :
a) Purificarea plachetei: nu trebuie s fie praf, pete de grsimi pe plachet.
Purificarea se realizeaz cu diferite soluii organice: aceton pt. ndeprtarea
grsimii; dac exist materie metalic se introduce n HCl pt. a le ndeprta.
Particularitile peliculei de SiO
2
din punct de vedere al procesului de
fotolitografie.
S-a observat experimental c pelicula de SiO
2
format pe plachet are o
combinaie:

Pe suprafaa peliculei de SiO
2
,numit siloxan, litografia se poate face
destul de bine. Dar aceast suprafa are contact cu atmosfera i absoarbe
grupri de OH, n acest caz suprafaa de SiO2 se numete siland, iar litografia
nu este bun pt. c suprafaa se umezete cu HCl (corodant) i acesta ptrunde
foarte adnc n FR. n acest caz pe suprafaa plachtei cu OH se adaug o pictur
de H
2
O deionizat, care umezete suprafaa plachetei n aa fel nct formeaz
un unghi de umezire de 45. n principiu litografia va avea succes.
b) Depunerea peliculei de FR
I metod: avem un vas cu fotorezist lichid n care se introduce placheta de
mai multe ori, dup care se pune la uscat vertical i vom avea o astfel de
aranjare a FR lui:
II metod: depunere cu ajutorul pulverizatorului. Se poate folosi pt.
depunere pe suprafee mari, dar se utilizeaz foarte puin deoarece uleiul din
pompe poate ajunge n FR. n general se folosete aer curat n pompe.
17
III metod: depunere cu ajutorul centrifugi (cea mai utilizat):
Grosimea stratului de FR depinde de:
- vscozitatea FR lui: cu ct este mai vscos cu att se va depune mai
ru;
- viteza de rotaie.
n FR depus pot apare defecte sub form de comete, pt. c poate exista un
fir de praf i n timpul rotirii forele acioneaz asupra firului de praf i asfel
grosimea FR lui este mai mic.
Marginea ngroat poate zgria, defecta masca, pt. c aceasta este n
contact cu FR ul. Pt. a elimina acest neajuns se micoreaz viteza de rotaie,
dup ce s-a depus FR ul, i se picur un solvent pe regiunea respectiv pt. a
ndeprta FR ul.
c) Uscarea stratului de FR: se face cu scopul nlturrii solventului din
FR, altfel cnd punem masca acesta se lipete.
2) Formarea imaginii
Pt. exponare se folosete o surs de UV.
18

a) Alinierea se poate face prin dou metode:
A) alinierea cu folosirea tieturii de la baza plachetei. Toate plachetele
care se folosesc n industrie au o tietur la baz pt. a se putea
deosebi.
Apoi se face n tot setul de mti semne de aliniere (sub ele rmne oxid).
B) folosind alte tipuri de semne de aliniere (liniile semnelor de aliniere
trebuie s fie mai mici dect orice semn al circuitului).

Aceste semne ns n timp datorit corodrii se defecteaz cteodat. Ca
urmare s-au introdus alte semne de aliniere.

Dup folosirea primei mti trebuie s se pun a doua, iar ptratul mic s
intre n cel mare iniial (dat de prima masc). Urmtoarea masc va avea un
ptrel mai jos care se va alinia dup celelalte de mai sus.
b) Exponarea: const n iluminarea suprafeei FR lui prin masca dat.
Timpul de iluminare se determin experimental.
19
c) Developarea FR lui:
- pt. FR poz. developarea are loc n soluii lichide, slabe: 0.5%KOH,
NaOH;
- pt. FR neg se folosete acelai solvent care intr n componena FR lui
iniial: aceton, toluen.
d) Tratamentul termic ca i uscarea se face cu raze IR. Este necesar pt.
creterea adeziunii peliculei la plachet. Tratamentul termic nu se face n
cuptoare electrice, deoarece s-ar crea un strat la suprafa care apoi s-ar crpa.
Razele IR ptrund n tot FR ul i-l usuc uniform.
3) Transferul imaginii pe suprafaa plachetei
SiO
2
se poate coroda n HF:
O H
gaz
SiF HF SiO
2
2
) ( 4
4
2
+ +
n 1957 s-a stabilit c pelicula de SiO
2
protejeaz placheta de ionii difuzai.

Ca urmare n corodantul de SiO
2
se mai adaug i NH
4
F:
( ) ........ ) 9 ( ) 1 (
) ( 6 4 2
+ + +
S
SiF F NH HF SiO
SiF
6
este un solid ce cade la fundul vasului i si schimb valena de la 4 la
6 i nu mai ridic FR ul i fereastra este mult mai mic (eventual poate ajunge
la 11m).
Pt. corodarea unei pelicule de Au se folosete HNO
3
i HCl n amestec.
Dup ce s-a fcut corodarea, adic s-a transferat imaginea, se va nltura
FR ul (i cel neg. i cel poz. se nltur cu H
2
SO
4
). FR ul poz. se mai nltur
cu dimtilformonid, precum i cel poz. i cel neg. se mai nltur prin fierberea n
soluii de 10% baze.

Caracteristicile fotomtilor (FM) i metodele de confecionare
Cea mai simpl masc este format pe baza fotoplachetelor i se
caracterizeaz printr-o rezoluie nalt i un contrast destul de perfect.
De ex. pt. formarea contactelor unui FR le desenm de 10 ori mai mari i
le fotografiem astfel nct desenul s fie micorat de 10 ori:
20
Aceste fotomti nu sunt nc durabile.
Masca pe baza peliculei de Cr: Cr are o adeziune mare pe sticl. Se depune
o pelicul de Cr i se pot face 600-700 litografii.
Cerine pt. FM:
- contrast puternic (trecere abrupt ntre negru i strveziu);
- dimensiunile elementelor trebuie s fie aceleai att n centrul mtilor
ct i la marginile lor.
Metode de confecionare a FM
Una din metode (care nu poate fi utilizat n tehnologia VLSI) este metoda
opticomecanic de confecionare.

Ordinul de mrire depinde de detalii.
Pt. a desena acest original se folosete pelicula de tip mailar ce conine:

Dup ce am tiat, cum ne trebuie nou pt. a face originalul, se dezlipete ce
nu ne trebuie. Tieturile se fac cu un tietor la care dm coordonatele:
Apoi se pune o camer de fotografiat de rezoluie mare ntr-un loc unde nu
vor exista vibraii, dip care se va primi un flux de lumin care va determina pe
21
fotoplachet desenul invers i la dimensiuni micorate. Astfel pe fotoplachet va
apare desenul pe scara de 10/1.
Dup care se utilizeaz un multiplicator.
Putem face copii pt. lucru cte dorim, ns nu dup etalon (nu se fac n
contact cu etalonul) ci de pe o alt plachet (masc intermediar).
Pt. circuitele VLSI nu se mai folosesc astfel de mti, deoarece L=1m i
n prezent n tehnologia VLSI L=0.18m.
Confecionarea FM pt. lucru
FM se fac pe baza peliculei de Cr. Cr se se vaporizeaz prin sublimare la
t=1100C.
Proprieti:
- Cr se deosebete prin faptul c o pelicul chiar foarte subire de Cr este
absolut nestrvezie (opac) pt. razele de lumin;
- pelicula de Cr se caracterizeaz printr-o adeziune foarte bun pe sticl.
O FM poate fi utilizat de 600-700 de ori.
Dac de ex. au ajuns bucele de Cr (exist aceast posibilitate) pe
suprafaa sticlei, n timpul operaiei de aliniere se vor rupe de pe sticl i vor
rmne nite guri prin care va ptrunde lumina.
nainte de a se utiliza sticla se finiseaz mecanic astfel nct bucelele s
dispar de pe suprafaa sticlei, i se trece la o nou vaporizare.
Odat creat FM facem un proces de fotolitografie

masca funcionabil.
22
Este greu s se fac alinierea cnd pe masc avem foarte multe elemente
opace i ca urmare au aprut FM colorate pe baz de Fe
2
O
3
care are aceeai
adeziune bun pe sticl, dar care ns nu dau drumul la razele UV , ns las s
treac spectrul vizibil.
Dac desenm coeficientul de absorbie k:

Toate procesele de fotolitografie conduc la elemente cu detalii minime:
l
min
=1.1m (deoarece lungimea de und cu care se face exponarea este de 0.45

rezoluie mic). Pt. a putea micora dimensiunile elementelor pn la


dimensiuni submicronice trebuie micorat lungimea de und.
Litografia cu fascicol electronic
Se tie c fluxul de electroni are proprieti cuantice i ondulatorii. Deci a
fluxului de electroni este: 1
]
1


A
V
150

, [V]=voli.
Dac :

'

A V V
A V V
1 . 0 1500
1 150

,deprtarea dintre doi atomi n reeaua cristalin


este de

A 6

noi nu putem obine o rezoluie la nivelul de

A
.
n calitate de rezist sensibil la fluxul de lectrini se folosete substana
organic polimer PMMA=polimetilmetacrilat (plexiglas-sticl organic).
De ex. avem o plachet pe care avem o PMMA i avem i o masc pe care
cade un flux de electroni, care au o anumit energie (de ex. 15KeV).
Datorit fluxului secundar expunerea va fi mai mare i n acest rezist are
loc distrugerea legturilor moleculare.
Noi putem focaliza un flux de electroni foarte bine astzi cu =0.1m.
Exist dou sisteme cu fascicol electronic pt. litografie:
a) sistem cu scanare;
b) sistem cu desen ivit simultan pe toat suprafaa.
23
a) Sistem cu scanare
Dac se dorete obinerea mai rapid a aceluiai rezultat:
Fie o sticl de cuar. Pe aceast sticl se depune consecutiv un strat de titan
(Ti) care are o foarte bun adeziune pe sticl i n plus nu emite electroni prin
fotoemisie. Prin oxidare anodic pelicula de Ti se transform n TiO
2
. Dup
aceasta cu ajutorul litografiei cu fascicol electronic de scanare se formeaz
desenul viitoarei mti (dimensiunile sunt submicronice). Apoi pe suprafaa
mtii se depune peste tot o pelicul de paladiu (Pd).
Tot acest sistem se numete fotocatod.
Aplicm un potenial i electroni sunt poziionai spre plachet iar unde
cade fluxul de electroni are loc i exponarea suprafeei peliculei de PMMA. n
acelai fel se obine rapid o masc.
Deoarece sistemul este n vid alinierea nu se mai face ca pn acum. Nu se
poate pune microscop pt. a vedea semnele de pe placue, ca urmare se va face
aliniere n regim automat. Sticla este ptrat i n fiecare col este o gaur pe
unde trece lumina. Gurile fcute cu ajutorul laserului sunt i pe plachet.
Alinierea va fi corect cnd lumina din sticl trece perfect prin gaura din
plachet. Acest rol este ndeplinit de un fotoreceptor:
24
Dou diode cuplate n opoziie. Cnd le iluminm fotocurentul:
( ) s R If 1
, unde R=coeficient de reflexie a luminii, =factor cuantic,
s=suprafaa iluminat.
Dac suprafeele iluminate sunt egale pe ccle dou diode
0 0 V If
.
Dac lumina cade mai mult pe primul contact, voltmetrul ne va arta
poziia fascicolui de lumin:
Ca s putem determina mai precis poziia s-a realizat urmtorul dispozitiv
(cu heterojonciuni):

Fia poate fi orict de mic

caracteristica:
Patru astfel de traductoare (care au caracteristica de mai sus) se folosesc pt.
aliniere cuplate prin elemente piezoceramice.
Litografia cu raze x
25
Razele x caracteristice apar de ex. ntr-un atom de Cu:
Razele x se formeaz din analizirul cu raxe x. Analizorul cu raze x lucreaz
astfel:
Se poate astfel determina componena chimic a oricrui corp n funcie de
componenta spectral.
Instalaia i principiul de lucru al litografiei cu raze x
Funcionare:
Filamentul se nclzete i din el iese electronii. Acetia nimeresc pe inta
de Al, avnd potenial de 20KV. n unele instalaii se ntrebuineaz inta sub
form de octaedru, care n timpul lucrului se rotete (electronul avnd o energie
26
att de mare cnd ajunge pe int poate s o topeasc) pt. a se ciocni pe mai
multe fee (n centru este ap pt. rcire).
Micarea electronilor se face n vid, de unde trebuie s ias prin fereastra
din Be n aer. Ca urmare din vid ies razele x, prin fereastra din Be (material care
nu absoarbe razele x). Masca n acest caz este un material subire i care nu
absoarbe razele x dect n zonele opace. Trebuie s existe ns un material care
le absoarbe.
Aceast masc poate fi realizat din membrane de SiO
2
:

Particularitile acestei litografii
Nu putem obine elemente cu dimensiunile precise la nivelul de (precizie
la aproximativ 1.09m). Cuantul de energie cnd se absoarbe poate distruge
polimerul PMMA pe lturi.
Apar unele probleme datorit faptului c este att de mic i nu putem cu
ajutorul lentilelor s focalizm aceste raze x. Aceste raze x cad pe PMMA ca un
flux ce se mprtie divergent i apar erori de formare a desenului: 1- erori
geometrice (semiumbr);
2- erori a cror valoare
depinde de poziia elementului pe suprafaa palchetei.
1-

2-
27
Placheta are diametrul de 200nm, dar fereastra de Be nu se poate face aa
mare i nici membrana

nu se poate desena toat placheta odat. Ca urmare se


face pe mai multe expuneri.
Cap.3 Metode de confecionare a circuitelor integrate cu
tranzistoare bipolare
Construciile TB: - discrete;
- n cadrul unui CI.
Tehnologia planar: toate contactele E,B,C se afl n acelai plan:

Aceti TB au regiunea n
+
comun, dup care se taie cele dou TB.

Aceti TB sunt izolai prin rezistena diodei polarizat invers.
n mod real TB dintr-un CI este cu strat ngropat:
28

Stratul ngropat are rolul de a micora rezistena colectorului. Contactele se
fac din Al sau alaj Al-Cu. Pelicula de Al depus trebuie tratat termic pt. o
adeziune mai mare (300C pt. cteva minunte), (Al ptrunde un pic n Si i Si
un pic n Al).
Solubilitatea solid a Al n Si:
3 18
10
) (

cm N
Al
S

din pelicula de Al
de 1m ar putea difuza n Si o concentraie de 10
18
cm
-3
iar concentraia
electronilor n colector:
( )
3 16
10

cm N
C e
.
Dac nu am avea stratul puternic dopat la C (n
+
-10
20
cm
-3
) s-ar forma o
diod (o jonciune pn) la contactul cu colectorul (nu ne trebuie).
Vedere de sus a TB de mic putere:
Acum se face tratamentul termic pt. a nu se deschide contactele (se topete
puin din Al pt. a se lipi de Si).
Analizm construcia unui TB de putere mare:
29

Dac TB are dimensiunea =200x150m

o putere de 2535mW.
TB pt. circuite TTL (multiemitor 6E):
Analog se pot face TB cu multe colectoare, dar acestea nu sunt bune.
Metode de izolare a TB n CI
Izolarea poate avea loc:
1) cu ajutorul jonciunii polarizate invers:
a) tehnologia standard;
b) izolarea cu ajutorul colectorului;
c) izolarea cu ajutorul bazei;
d) metoda a trei fotomti (3 FM);
2) cu ajutorul dielectricilor: procesul epic;
3) izolarea combinat: procesul VIP i procesul IZOPLANAR.
1) a) Tehnologia standard: se utilizeaz n proporie de 75% din toate CI
cu TB.
A) Se ia placheta iniial cu orientaia (111) Si DB
cm 10
:
(operaia de splare se face dup fiecare corodare,etc (nu o vom mai
preciza))
30

B) Oxidarea termic a Si (n O
2
uscat, O
2
umed, O
2
uscat):

C) Prima fotolitografie (folosim prima FM):

D) Facem difuzia de tipul n
+
: difuzia P din PCl
3
+O
2
pt. stratul ngropat, pe
care l facem la o adncime de 3.5m, ns acum l facem la 0.3m pt. c dup
urmtoarele operaii acesta va ajunge la adncimea dorit (3.5m):

E) nlturare lui SiO
2
prin introducerea plachetei n HF:

F) Cretere epitaxial a peliculei de tip n timp de 610 min. la 1200C:

G) Oxidare termic + fotolitografie:

H) Difuzia de tip p
+
, de izolare, care se face n dou etape:
- predifuzia;
- difuzia propriezis.
31

Dac de ex. facem difuzie dintr-o surs semiinfinit, cu ct densitatea este
mai mare cu att capacitatea de barier va fi mai mare i frecvena de
funcionare a TB scade.
I) Oxidare termic, fotolitografie, difuzia bazei de tip p (Bor):
- fr s mai ndeprtm SiO
2
de mai nainte, dar nu mai desenm diferena
de nivel a SiO
2
:

Baza se formeaz cu ajutorul difuziei n dou etape, pt. ca concentraia pe
baz s nu fie prea mare pt. c altfel nu mai putem face emitorul cu concentraie
mai mare.
J) Oxidare, fotolitografie, difuzia pt. emitor i colector de tip n
+
:

Tranzistoarele npn au o frecven de lucru mai mare i din aceast cauz se
folosesc mai mult.
K) Oxidare, fotolitografie (ferestre de contact) i depunerea Al pe toat
suprafaa:

L) Fotolitografie pt. nlturarea Al care nu ne trebuie:
32

M) Depunerea lui SiO
2
n plasm pt. pasivizarea circuitului i o
fotolitografie pt. desciderea suprafeelor de contact.
b) Metoda de izolare cu ajutorul colectorului
1) n corespundere cu tehnologia standard (A, B, C, D, E) s-a ajuns la
ceterea peliculei epitaxiale de tip p:

2) Oxidare, fotolitografie, difuzia impuritii n
++
care s fie n contact cu
stratul ngropat n
+

colectorul este format din straturile:n


++
n
+
n
++
:

3) Oxidare, fotolitografie, difuzia n
++
pt. emitor:

4) Tehnologia standard de realizare a contactelor, i rezult n final
tranzistorul:

Avantaje:
- s-a simplificat nr. de operaii tehnologice;
33
- s-a redus suprafaa pt. regiunea de izolare (ndeplinit de colector) i ca
urmare se mrete gradul de integrare (nr. de elemente pe o unitate de
suprafa).
Dezavantaje:
- colectorul este puternic dopat, are rezistan mic (bun), ns nu putem
aplica tensiuni mari (se strpunge), dar poate lucra bine n circuite
logice.
b) Metoda de izolare cu ajutorul bazei
1) n corespundere cu tehnologia standard (A, B, C, D, E) s-a ajuns la
ceterea peliculei epitaxiale de tip n:

2) Oxidare, fotolitografie, difuzie de tip p pt. baz:
Obs! Regiunea difuzat p este de jur mprejurul tranzistorului.

3) Oxidare, fotolitografie, difuzie de tip n
+
pt. emitor i colector:

4) Prin tehnologia standard:

Dac n continuare ar exista un alt tranzistor ar prea c colectoarele sunt
scurtcircuitate (unite)

izolarea se face aplicnd - la regiunea p i rezult c


regiunea adncit se mrete precum i regiunea de izolare.
Avantaje:
- s-a micorat nr. de operaii tehnologice i se micoreaz preul CI;
- nu s-a micorat gradul de integrare;
- tranzistorul are aceiai parametri ca n tehnologia standard.
34
c) Metoda a trei fotomti
Aceast metod exclude cretere epitaxial (unde este foarte scump
instalaia).
1) Placheta iniial ca n tehnologia standard:

2) Oxidare, fotolitografie, difuzia n pt. colector:

3) Oxidare, fotolitografie, difuzia bazei de tip p:

4) Oxidare, fotolitografie, difuzia n
+
pt. emitor:

5) Tehnologia standard pt. contacte:

Avantaje:
- este cea mai ieftin tehnologie;
- nu avem difuzie de izolare;
- nu mai avem stratul ngropat;
- tranzistoarele pot fi ct mai apropiate unul de altul.
Dac punem axa de coordonate pe mijlocul emitorului putem determina
distribuia concentraiei impuritilor pt. tehnologia standard i tehnologia celor
3 FM:
n cazul tehnologiei a 3 FM:
35
Concentraia scade

rezistena se mrete n lipsa stratului ngropat.


Datorit gradientului de concentraie la jonciunea BC apare un cmp ce
mpinge electronii napoi n baz i ca umare acest model este mai slab.
2) Izolarea cu dielectrici. Procesul epic
Toate metodele de izolare cu ajutorul jonciunii pn polarizate invers au un
neajuns: ntre colector i plachet este dioda polarizat invers i orice diod are
capacitate de barier. Aceast capacitate micoreaz frecvena de lucru a
tranzistorului.
Trebuia micorat capacitatea de barier i s-a propus izolarea TB cu
ajutorul dielectricului (n loc de grdu de tip p se utilizeaz un dielectric).
Operaiile de baz:
1) Fie o plachet de Si i fie un strat de n
+
depus prin epitaxie sau
implantare ionic:

2) Fotolitografie:

Fotorezistul servete drept masc pt. a face corodri n plachet.
3) Corodare chimic i nlturarea FR lui (n HF, HNO
4
):

4) Oxidare termic:

5) Depunerea polisiliciului:

36
Nu se poate depune monoSi pe SiO
2
cci este o substan amorf. Dac nu
se depunea poliSi, prin lefuire s-ar strica tranzistorul.
6) ntoarcem placheta invers i o lefuim:

7) Folosind tehnologia standard n insula din mijloc putem confeciona un
tranzistor:

Avantaje fa de tehnologia standard:
- este mai bine izolat tranzistorul, deoarece n jurul su este dielectric;
- curenii n dielectric sunt foarte mici 10
-12
A;
- tot exist capacitate ntre colector i poliSi, dar este mic;
-

'


12
4 5 . 2
2
Si
SiO

capacitatea de barier va fi mai mic de trei ori i frecvena


de lucru va fi mai mare de trei ori.
Aceste TB se folosesc n nalt frecven.
Dezavantaj: este mai acump deoarece lefuirea cere o foarte mare precizie
i efort.
3) Metoda de izolare combinat (primele dou metode)
Partea lateral a tranzistorului este izolat cu ajutorul dielectricului iar
partea din dos a tranzistorului rmne izolat cu jonciunea pn polarizat invers.
Tehnologia VIP
1) Avem placheta iniial ca n tehnologia standard cu deosebirea c
placheta are orientaia (100):
37
2) Cu corodant vom realiza guri sub form de V

fotolitografie,
corodare:

Obs! V ajunge pn la plachet.
3) nlturarea FR lui , oxidare termic:

Dac se face fotolitografie acum i difuzie (1200C) pt. a forma
tranzistorul, FR care se va folosi va cdea n aceste V uri , iar la 1200C (pt.
difuzie) NO arde i ca urmare se stric tranzistorul. Pt. a evita acest lucru
depunem mai nti un strat de poliSi.
4) Depunem o pelicul de poliSi:

Pelicula de poliSi nu se crete groas, deoarece gropia sub form de V se
umple mai repede (din ambele pri).
5) lefuire: se lefuiete pn scpm de gropie:

Scopul tuturor acestor noi tehnologii este de a face tranzistor standard, dar
cu izolare mai bun.
6) Prin tehnologia standard:
38
Acest tip de tehnologie este tot complicat, dar mai puin ca cea EPIC.
Tehnologia IZOPLANAR (cea mai performant)
1) Structura iniial este ca n tehnologia standard:
Obs! Se ine cont c creterea oxidului are loc att la suprafaa plachetei ct
i n interior.
2) Fotolitografie, corodare:

Obs! Se corodeaz pn la jumtate din grosimea stratului epitaxial.
3) nlturarea FR lui i oxidare adnc:

Oxidm adnc, atomii de O
2
ptrund adnc iar atomii de Si se ridic la
suprafa umplnd gurile. Oxidarea fiind adnc ajunge pn la nivelul stratului
ngropat (un pic mai jos).
4) Prin tehnologia standard rezult tranzistorul.
Nu este att de scump aceast tehnologie ca celelalte (costul a crescut
datorit oxidrii mai ndelungate).
Toate celelalte elemente ale circuitului se fac simultan cu tranzistorul.
5 tipuri de conectare diodic a tranzistoarelor n CI
n CI nu este nevoie de a se confeciona diode speciale. Diodele sunt
aceleai structuri ale tranzistoarelor (BE, CB, EC) conectate diodic.
39
Seciune prin schema 2)i vedere de sus:

Parametrii diodei: - tensiunea de strpungere;
- capacitatea.
Cum se comport fiecare schem la tensiunea de lucru ce este un pic mai
mare dect tensiunea de strpungere:
U
lucru
Capacitatea-C
p
Schema 1: E este puternic
dopat

U
lmax
=5V
1000 pF/mm
2
Schema 2: 15V 300 pF/mm
2
Schema 3: 5V 1300 pF/mm
2
Schema 4: 5V 100 pF/mm
2
Schema 5: 15V 300 pF/mm
2
Cap.4 Construciile i calculul elementelor n circuitele
integrate
Construciile i calculul rezistoarelor difuzionate (formate prin difuzie)
n CI
n principiu pt. confecionare rezistorului se poate folosi orice regiune a
tranzistorului (regiunea emitorului, a colectorului, a bazei). ns mai des se
utilizeaz regiunea bazei.
Parametrii rezistorului:
- rezistena (
K ,
) R
i
;
- puterea de disipare (pe care poate disipa) P
i
;
- precizie -
R
R
;
- coeficient termic de rezisten -
t R
R R
t
R

0
0

;
40
Considerente din care se alege baza pt. constucia rezistorului:
- fie un semiconductor de tip n;
- purttorii de sarcin (electronii) cu o concentraie oarecare n
0
;
Dc semiconductorul se nclzete, se poate excita un electron i trece din
banda de valen n banda de conducie

se mrete concentraia
electronilor: n
0
+n.
Cnd crete, scade (la nclzire se micoreaz).
Cum se schimb rezistena unei buci de semiconductor cu temperatur,
avnd n vedere c:
Tiem o bucat de la emitor i colector, de semiconductor i ncepem s
nclzim; R
E
este mai mic deoarece concentraia este mai mare i R
C
este cea
mai mare pt. c are concentraia cea mai mic.
Surplusul de nrctur n este egal peste tot.
R
E
este ct. iar R
C
se schimb puternic cu temperatura

pt. colector:

mare, iar pt. emitor:

mic .
n regiunea emitorului se pot implementa rezistoare cu valori de pn la
zeci de (rezisten mic / suprafa). n regiunea colectorului nu se
implementeaz rezistoare deoarece n aceast zon parametrul [R/S] are
coeficient de variaie cu temperatura. De aceea se folosete regiunea bazei pt. c
rspunde mijlociu cerinelor de temperatur i rezisten.
Desenm un rezistor cu utilizarea regiunii bazei:
41
De obicei n CI se dorete ca orice rezistor s fie aezat ntr-o insul izolat
comun.

Pt. ca rezistorul s fie izolat trebuie ca ntr-un punct al regiunii izolate s
avem un potenial pozitiv. De aceea rezistoarele trebuie s fie toate la un loc ca
s avem numai un singur fir la care s fie potenial pozitiv i nu cte un fir pt.
fiecare rezistor.
Diferite construcii de rezistoare:
Pt. a proiecta topologia acestui circuit:
- se analizeaz circuitul i se calculeaz puterea de disipare a fiecrui
rezistor;
- intereseaz i toleranele (n cel mai bun caz putem lua R/R=20%);
- T= intervalul de temperatur de exploatare a circuitului integrat=
[-20C+40C].
Avnd aceti parametri, putem proiecta fiecare rezistor n cadrul CI (se
determin dimensiunile geometrice).
Pt. calcule se introduce o nou valoare: rezistivitate specific pe suprafa.
42
Toate rezistoarele formate n cadrul unui circuit au aceeai adncime
(adncimea este ct. pt. toate rezistoarele).
(2)
h
s


, (1), (2)


b
l
R
s

(3), unde
S
-rezistivitate la suprafa.
Dac n relaia (3) facem l=b

suprafaa este un ptrat i atunci R=


S
;
[
S
]
SI
=
patrat

; (4) K
f
=
b
l
=coeficientul de form,
f
K
s
R
(5) formula pt.
determinarea rezistivitii.
Se tie c
S
pt. baz este:
( )
patrat
B
s

300
.
Dac de ex. avem nevoie ca R
i
=3
10
f
K K
(l=10b).
Obs! Puterea de disipare este direct proporional cu mrimea rezistorului.
Trebuie s gsim mai nti limea rezistorului pt. ca s ne satisfac
cerinele de: putere, toleran:

{ } ) 6 (
) (utere)( ) ( (precizie) ) (nologie)( (culat)
b , b , b max b
m m m 7 5 3 p teh cal

b
teh
=limea minim a rezistorului care poate fi confecionat astzi ,
reproductibil=3m.
b

=cu ct este mai mare limea rezistorului cu att este mai precis.
Din (4)

) 7 (
b l
0.1m = ui rezistorul lor dimensiuni a absolute erorile = b = l
f
f
K
K

,
_

,
_

b
K
l
b b
K
l
b
1
K
K
f

f f
f
f
f
f
K
b
b
l
l
K
K
- formula pt.
determinarea limii maxime a rezistorului care satisface cerinele de precizie.
Dar din (5)
s
f
R
K


) 8 ( , T
K
K
R
R
R
f
f
s
s
+

, unde
R
=10
-4
[C]
-1
, T- ales din
proiectare, i rezistena se poate schimba dac T se schimb, R/R=0.2,

S
/
S
=0.050.1=eroarea relativ a rezistivitii specifice (depinde de
concentraia la suprafa, stabilitatea temperaturii, adncimea jonciunii)

T
R
R
K
K
R
s
s
f
f

) 9 (
nu trebuie s rezulte valoare negativ.
(7), (9)
b
.
Trebuie s aflm b
p
:

S
P
P
i
0
puterea disipat de o unitate de suprafa a
Si=0.53
2
mm
W
(se alege valoarea funcie de capsul: din plastic -
2
0
5 . 0
mm
W
P
, metalic -
2
0
3
mm
W
P
, cele din ceramic, sticl se situeaz n intervalul [0.5
3].
43
) 10 (
2
) 4 (
0
f 0
i
p
K P
P
b


p f
i
p
i i
b K
P
b l
P
S
P
P - formula pt. determinarea limii
rezistorului ca s ne satisfac cerinele de disipare a cldurii.
Dup ce am gsit cu ct este egal b
cal
f cal
K b l
- n acest fel putem
determina limea rezistoarelor dreptunghiulare.
Rezistor de tip meandru:
pt. R=30 K

K
f
=100,
s
(B)=300
patrat

.
Meandrul trebuie comprimat, altfel va ocupa aproape toat suprafaa chip-
ului.

Se mparte n segmente de tipul Z. n cazul nostru avem 3Z=n=nr. de
segmente sub forma Z; l
mij
=lungimea liniei ce trece prin mijlocul rezistorului.
( ) b a n L +
(1)
( ) B a n l
mij
+
(2)
n
a n l
B
mij

(3)
Dac L=B (rezistorul ocup cea mai mic suprafa dac el este nscris ntr-
un ptrat) ( ) ( ) 0 l a n b a n
mij
2
+ +

+
n
a n l
b a n
mij
=b
2
-4ac=a
2
-4(a+b)l
mij

( )
( )
b a
l
b a
a
b a
a
b a
l b a a a
a
b
n
mij
mij
+
+
+
t
+

+
+ + t

t

2
2
2
2 , 1
) ( 4
) ( 2
2
4
2
Notez:
1 ) 1 ( 4 ) 1 ( 2
2
2 , 1
+
+
+
+
+

y
b
l
y
y
y
y
n y
b
a
mij
, primii doi termeni au
valoare mic i putem s-i neglijm


1 1
/
+

y
K
y
b l
n
f mij
, ns adesea a=b
7 50
2
K
n
f
segmente (pt. K
f
=100).
De ex. calculai un rezistor meandru:
R
i
=28 K
4
0
0
10

t R
R R
t
R

P
i
=5 mW T=(-2040C)=60C

R
R
20%
44
m
a n l
B
m n a b a n L
m K b l
m
mm
W
mW
m
T
R
R
K
K
segmente
K
n
patrat
K R
K
mij
f mij
R
s
s
f
f
f
s
i
f

123
7
860
7
70 930
2
140 7 10 2 2 ) (
930 93 10
10
5 . 46
10 5
93 5 . 0
5
K P
P
b
1
1 . 0
1
1 . 0
3 . 0
1 . 0
K
K
b
K
l
b
1 . 0 10 60 1 . 0 2 . 0
7 46
2
93
300
28
3
2
f 0
i
p
f
f
f

,
_

,
_

Construciile i calculul condensatoarelor n CI


n calitate de condensator se folosete capacitatea de barier a joniunii pn a
tranzistorului bipolar. Poate fi utilizat jonciunea: E-B, B-C, C-E sau C-
Body(placheta), ns numai una din acestea poate fi utilizat.
Desenm un condensator ce folosete drept capacitate de barier C
BC
:
Cu ct rezistena plcilor este mai mare cu att factorul de calitate este mai
mic.
Schema echvalent mergnd din punctul 1 n 2 :
Pt. ca condensatorul s fie bun trebuie ca
7
parazit
C
C
un factor de calitate
sczut pt. c avem rezistene mari.
45
Dac considerm C
EB
:

Parametrii condensatorului: - tensiunea de lucru;
- capacitatea unitii de suprafa.

C
EB
C
CB
C
EC-B
C
C-plachet
U
l
(V) 5 15 5 75
C
0
(
2
mm
pF
)
1000 300 1300 150
Calculul: - funcie de suprafa:

( )
0
C S S S
laterala B C
BC
+
Metode de formare a structurilor npn/pnp
Se are n vedere tehnologia standard pn aici. n cadrul aceluiai CI ar
trebui s existe dou tranzistoare:

Tehnologia I
2
L folosete acest tip de realizare a tranzistorului vertical i a
tranzistorului orizontal.
TEC (tranzistoare cu efect de cmp) n CI i metode de confecionare
Structura unui TEC-J:
46
Dac dm un potenial de -1V la G , se mrete RSS (regiunea srcit),
canalul se ngusteaz (l se micoreaz), rezistena se mrete iar curentul scade.
Exist dou metode de confecionare a tranzistoarelor TEC:
- 1) metoda difuziei duble;
- 2) metoda creterii epitaxiale i a difuziei.
1) Metoda difuziei duble
a) Fie o plachet de tip p cu o concentraie mic: N
A
=10
15
cm
-3
(slab
dopat):

b) Oxidare, fotolitografie, difuzia impuritii de tip n:

c) Oxidare, fotolitografie, difuzia impuritii de tip p:

Structura TEC este aproximativ gata, mai trebuie s-I mai facem contactele.
d) Tehnologia standard, oxidare, fotolitografie, deschidem ferestre de
contact, etc:

Acest tranzistor nu cere izolaie special pt. c regiunea p este slab dopat
i are rezisten mare. Ca urmare acest tranzistor poate s nu mai fie izolat
(ajunge izolarea pe care o are).
2) Metoda creterii epitaxiale i a difuziei
a) Fie o plachet de tip p de Si, pe care s-a crescut un strat de tip n de 1m.
Dup care dm drumul n instalaie la impuriti de tip p i cretem nc un strat
de tip p de 1m.
47

b) Facem o fotolitografie, difuzie pt. a pune contactele pt. S i D i o
difuzie de tip n
+
:

Acest tranzistor nu poate fi utilizat nc n CI deoarece are toate canalele
unite. Trebuie s facem o difuzie de tip p pe margini pt. a izola.
c) Oxidare, fotolitografie, difuzie de tip p
+
:

Aceast difuzie lateral se numete inel de gard.
d)

Doar la un inel de gard facem un contact.
Depunerea peliculelor n i p au fost realizate prin epitaxie, numai regiunile
n
+
i p
+
au fost realizate prin difuzie. Canalul este uniform.
Formarea TEC-J n cadrul npn i pnp
Legi: - tehnologie cu minim de operaii;
- temperatura operaiilor n ordine descresctoare
- nu se poate folosi metoda 2) pt. tehnologii mixte, canal n, p.
48
Tehnologia MOS n CI
MOS nu cu grad mare de integrare, vorbim de MOS obinuit, celelalte cer
izolare foarte bun.
Principala deosebire a tehnologiei MOS de cea a TB este c tranzistoarele
MOS pot fi confecionate ntr-un nr. de trei ori mai mic ca TB (45 de operaii).
Trenzistoarele MOS ocup o suprafa de zeci de ori mai mic ca TB

gradul de integrare este mai mare.


Neajunsul la aceste tranzistoare este c curentul depinde foarte mult de
temperatur (concentraia purttorilor depinde de temperatur).
n MOS:
1) Fie o plachet de tip p Si, cu orientaia (100) i cu =7.5
cm
i N
A
=
3 14
10 7

cm :

2) Oxidare, fotolitografie, difuzia de tip n
+
, care se realizeaz la o
adncime maxim de 1m:
S i D sunt gata.
Oxidul are o grosime de 0.5m pt a nu strpunge impuritile, pe cnd
oxidul de sub poarta tranzistorului (G) trebuie s fie
1 . 0
m=1000 i s aib
performane nalte.
3) Fotolitografie, se nltur oxidul dintre S i D:

4) Creterea oxidului cu performane nalte sub poarta (G) tranzistorului, la
temperaturi joase (900C) pt. a se face corect grosimea, n O
2
uscat:
49

5) Tehnologia standard:

Curentul n acest caz va fi:

Caracteristica de transfer la MOS:

Tranzistorul poate funciona numai n regim de mbogire a canalului cu
purttori de sarcin.
MOS cu canal iniial prezint performane mai mari (funcioneaz i n
regim srcit i n regim mbogit)/
1), 2) identic ca n MOS.
3) Difuzie de tipn a canalului iniial (n tehnologia VLSI se face
implantare ionic):

3), 4), 5) identic

n final:
50

Cu o operaie n plus s-a mbuntit semnificativ performanele.
Caracteristica de ieire i caracteristica de transfer:
Cap.5 Tehnologia circuitelor integrate hibride (CIH)
Exist dou tipuri de CIH:
- cu pelicul subire (cteva sute de );
- cu pelicul groas.
Deosebirea principal const n modul de confecionare a acestor circuite.
Un CIH este un suport dielectric pe suprafaa cruia sunt depuse elemente pasive
(rezistoare, condensatoare, bobine, trasee de interconectri) cu unirea de mai
departe a elementelor active (diode, tranzistoare, chip-uri). Prin metodele de
astzi se depun elementele pasive i apoi se conecteaz cele active. Plcile de
cablaj imprimat au doar trasee i pe acestea se conecteaz elementele.
n principiu peliculele subiri se depun prin vaporizare termic n vid, prin
pulverizarea n plasm(metalice (conductoare), rezistive, dielectrice).
Configuraia acestor pelicule se face cu ajutorul mtilor.
La baza CIH cu pelicule groase stau aa numitele paste (past conductoare,
rezistiv, dielectric). Aceste paste conin materiale deficitare: Au, Pt. Principala
problem este c aceste paste nu se depun n vid i se pot depune n atmosfer,
deoarece CIH sunt cele mai ieftine circuite. ns avnd n vedere c sunt
confecionate pe suport dielectric, deci au capacitatea dintre elemente mic, de
aceea pot funciona la frecvene mai nalte dect CI monolite.
Suportul pt. CIH. Metode de purificare i control
Cerine fa de suportul CIH:
- suportul nu trebuie s conin pori, pt. c la depunerea n vid a
peliculelor, din aceti pori se poate degaja aerul absorbit pt vid;
- suprafaa trebuie s fie destul de neted pt. a putea folosi procesele de
fotolitografie;
51
- materialele suportului trebuie s aib o rezistivitate mare pt. izolarea
elementelor;
- suportul trebuie s aib o conductibilitate termic nalt pt. a disipa
cldura de la elementele circuitului integrat;
- materialul trebuie s fie ieftin pt. a produce circuite n mas.
Materiale folosite pt. suporturi:
- sticla (dar este destul de fragil i conductibilitatea termic nu este att
de bun);
- 96%Al
2
O
3
(4% ali oxizi) aceste suporturi pot avea dimensiuni: 96/120
sau 48/60.
- Be
2
O
3
cel mai bun suport, deoarece are o conductibilitate termic
foarte bun i
cm
18
10
i corespunde tuturor cerinelor, dar nu se
folosete pt. c Be este o substan otrvitoare (culoare rou nchis);
- astzi se folosesc suporturi din duraluminiu, pe suprafaa cruia se
depune o pelicul groas de Al
2
O
3
.
Confecionarea suportului
De ex. dac avem 96%Al
2
O
3
i exist fire de praf pe suprafa, Al
2
O
3
se
amestec, se toarn ntr-o form de sticl, se usuc i se arde la 2200C.
Alt metod este prin presare la presiuni de 5080atm.
Purificarea suportului cu ultrasunete
n condiii de uzin ntr-un vas se pune placheta i apoi se toarn o
substan organic (aceton). Vasul l punem pe o msu conectat la un
generator de ultrasunete. n acest vas se formeaz nite vibraii care corodeaz
de pe suprafaa plachetei impuritile.
Bazele fizice a vaporizrii termice n vid
Orice substan are o anumit presiune la temperatura dat:
52

- presiunea vaporilor saturai:
T
B
A p
, A, B = ct.-e ale substanelor,
T[K]=temperatura.
Principala problem cnd se face vaporizarea este c substana trebuie s
fie dispersat pn la starea atomic. Pt. a nu se forma aa ceva se pune o
membran (plac) magnetic deasupra care s nu permit substanei s ias pn
nu se nclzete toat (pn la vaporizare):
- lungimea parcursului liber al atomului=lungimea maxim pe care o
poate parcurge atomul fr ciocnire.
p= 10
-2
mmHg=presiunea condiional de vaporizare.
Dac >> R

vid nalt;
Dac R

vid mijlociu;
Dac < R

vid sczut (n principiu nu putem vaporiza).


Pt. a determina , din teoria cinetico-molecular:
] [
10 5
0
3
cm
p
p

,
p
0
=presiunea vidului; dac p
0
=10
-4
mmHg

=50cm.
Nu avem rezultate bune dac apropiem plcua de vaporizator, deoarece
pelicula depus pe suprafaa suportului nu este uniform peste tot:

Atomul vaporizat cnd ajunge pe placht se poate mica pierzndu-i
energia i unde ajunge, ntr-o groap potenial, i formaz dou legturi cu
suportul i rmne acolo.
53
Pelicula cu mai multe clustere are rezistivitate mai mare.
Cel mai simplu vaporizator:
Astfel de materiale sunt: Wolfram, Tantal.
Noi putem vaporiza substane sub form masiv, dar nu putem vaporiza
substane sub form de praf cu acest tip de vaporizator.
Vaporizatoarele se mpart n:
a) cu nclzire direct;
b) cu nclzire indirect.
Cu vaporizatoarele cu nclzire direct se pot vaporiza materiale sub form
de praf (trece curent prin materialul vaporizator).
Materialul vasului ns nu poate fi dielectric (pt. c se topete) i se
utilizeaz grafitul care rezist la temperaturi mai mari de 2000C i asfel putem
vaporiza orice substan care se afl direct n contact cu vaporizatorul.
Dac n vaporizator exist impuriti acestea vor intra i n pelicula depus.
Pt. a se depune pelicule absolut curate se folosete vaporizatorul cu fascicol
electronic:
54
Cu asfel de vaporizatoare putem vaporiza substane cu temperatur mare de
vaporizare obinndu-se astfel substane cu grad nalt de puritate.
Obs! Pt CIH este necesar vaporizarea aliajelor. De ex. Ni+Cr la
T=1000C, presiunea Cr este P
Cr
10P
Ni
(presiunea vaporilor saturai ai Cr lui
este mai mare de zece ori dect ai Ni - lui). Deoarece aliajul 80%Ni+20%Cr
dup vaporizare nu-i mai pstreaz compoziia (mai nti se depune Ni apoi Cr)

se vaporizeaz foarte bine n vaporizator cu fascicol de electroni.


Alt metod de vaporizare este :
Metoda de vaporizare momentan
n tehnologia peliculelor subiri se folosesc astzi i alte metode:
Metoda pulverizrii n plasm (substana este n stare de ioni i electroni;
toi atomii din plasm sunt ionizai).
Pulverizarea n plasm n principiu are multe prioriti fa de vaporizarea
termic n vid.
Avantaje:
- posibilitatea de a depune aliaje fr schimbarea procentului fiecrui
component n pelicula depus;
- posibilitatea de a obine pelicule din materiale cu temperatura de topire
foarte mare;
- posibilitatea de a obine pelicule dielectrice datorit reaciei chimice n
plasm dintre substana care se vaporizeaz cu un oarecare gaz de
reacie (O
2
sauN
2
);
- uniformitatea grosimii peliculei depuse este mult mai bun dect n
cazul vaporizrii termice n vid;
55
- se poate asigura continuitatea procesului prin folosirea unei inte
(materialul care se vaporizeaz reprezint o int masiv) care se
schimb la de an;
- procesul este puin inert;
- peliculele au o adeziune mai nalt dect n cazul vaporizrii termice,
datorit faptului c atomul pulverizat are o energie de trei ori mai mare
dect n cazul vaporizrii termice n vid;

Fizica procesului pulverizrii catodice
La C dm - i la A dm + i ridicm potenialul. La un moment dat se
va observa c tubul va ncepe s lumineze ntr-o culoare roiatic (potenialul nu
poate rupe electroni din atomi, deci nu din aceast cauz lumineaz). Tubul cnd
ncepe a lumina de fapt lumineaz plasma.
Exist posibilitatea ca pe acest tub s vin o particul cu o energie h, cnd
atomul se ciocnete cu aceast particul (dac atomul este destul de mare)
formeaz un ion pozitiv (ce are mas mai mare i se mic mai ncet) i un
electron.
Electronul micndu-se spre A se poate ciocni de un atom neutral i se
poate forma o alt pereche electron-ion

are loc nmulirea n avalan a


purttorilor de sarcin.
La un moment dat tot acest gaz este ionizat, adic s-a obinut plasm n
interiorul acestui tub.
n interiorul tubului se vor vedea patru regiuni:
1 regiunea ntunecat de lng catod;
2 regiunea luminoas negativ;
3 regiunea ntunecat anodic;
4 regiunea luminoas anodic (cea mai mare).
Ne imaginm c am pus nite electrozi n tub i cnd a nceput iluminarea
vom msura distribuirea potenialului fa de C, vom mica poziia voltmetrului
la fiecare electrod n parte.
Graficul cu distribuirea potenialului pe lungimea acestui tub:
56

Cel mai mare potenial cade lng catod; n regiunea luminoas diferena
de potenial U este mic. n regiunea 4 cderea de potenial fiind mic,
purttorii de sarcin se vor mica haotic (ca n procesul de difuzie).
Un ion micndu-se prin difuzie ajunge lng regiunea ntunecat de lng
catod, se accelereaz i bombardeaz materialul catodului i rupe ioni care cu o
energie destul de mare pot ajunge pe suprafaa anodului.
Dac la A punem suportul i la C punem inta

la A se va depune
materialul de la C:
Exist dou teorii pt. procesul de pulverizare:
I teorie:- teoria clasic ce nu poate lmuri toate aspectele problemei;
- ionul nimerind pe suprafaa intei i cedeaz acestei energia i inta local
se nclzete pn la topire i mai departe are loc vaporizarea. Practic dac am
nclzi catodul ar crete randamentul, ceea ce nu s-a ntmplat.
II teorie: - pulverizarea are loc prin mecanismul impulsurilor (biliard)

se
schimb vitezele la ciocnire, precum i direcile de micare.
Acest mecanism poate lmuri oarecum rezultatele experimentale obinute.
Dac vom desena coeficientul de pulverizare, ce reprezimt nr. de atomi
smuli din C sub aciunea unui ion, n dependen de potenialul aplicat U(V):
57
Cu ct se mrete potenialul de accelerare cu att mai muli atomi pot fi
smuli din int (K mare). La un moment dat K se micoreaz (chiar dac se
mrete energia) i ionul se poate implanta n interiorul intei la energie mare.
S-a obinut pt. viteza de pulverizare urmtoarea formul:
( )
D P
J U U K
v
cr


,
unde U-U
cr
= potenialul aplicat , J=densitatea curentului [A/cm
2
],
P=presiunea gazului inert n tub, D= distana dintre A i C.

viteza de pulverizare este invers proporional presiunii.


Dac presiunea este mare atunci atomii se vor mprtia i nu se vor mai
depune pe suport, ca urmare trebuie s micorm presiunea, i deci trebuie s
mrim potenialul.
Cu ct este mai mare presiunea n aceste gaze se gsesc i diferite
impuriti. Pt a depune pelicule cu o puritate mai nalt se folosete
pulverizarea catodic cu ajutorul curentului alternativ:

Dac n pelicula depus pe suport au fost depuse i gaze n alternana
negativ aceste gaze se vor degaja n interiorul instalaiei.
Aceast metod face ca pelicula depus s fie mai curat. Nu putem ns
micora foarte mult presiunea.
Ultimele dou metode sunt numite sisteme diodice, deoarece exist doar
anod i catod.
Pulverizarea n sistem triodic (A, C, int)

58
Catodul se nclzete i datorit efectului electrotermic iese un noura de
electroni cre este atras de potenialul anodului care este pozitiv. Aceti electroni
se vor mica sub form de spiral pt. a lovi ct mai muli atomi de Ar (care sunt
destul de rari) i prin ciocnire

un ion pozitiv i un electron.


ncrctura pozitiv care s-a format, pt. a nu ne bombarda C am pus un
ecran. Ca urmare se bombardeaz inta i smulge din aceasta atomi ce vor
ajunge (o parte) pe suport.
Avantajele acestei vaporizri:
- viteza de depunere a peliculei este mult mai mare dect n sistemele
diodice datorit micorrii presiunii;
- gradul de purificare a peliculei este mai nalt pt. c presiunea este mai
mic.
Acest sistem poate fi folosit pe larg pt. depunerea peliculelor subiri.
Pulverizarea reactiv: (poate fi fcut i n sistemele diodice i triodice)
Materialul intei Gazul de reacie Pelicula obinit
Si O
2
SiO
2
Al O
2
Al
2
O
3
Si N
2
Si
3
N
4
Cu aceast metod se pot obine i pelicule dielectrice (aici nu mai nclzim
suportul pt. adeziune) pt. c atomii smuli din int au o energie de trei ori mai
mare (ca la depunerea termic) i suportul se nclzete de ctre atomii ce se
ciocnesc.
Pulverizarea dielectricilor la frecvene nalte
Fie sistemul considerat anterior. n loc de Al se pune int din sticl de
cuar (SiO
2
) (mecanic o schimbm).
Dac de int se ciocnete o ncrctur pozitiv (ion) acesta se
acumuleaz pe suprafaa catodului i la un moment dat aceast ncrctur va
neutraliza potenialul catodului

pulverizarea dielectricilor nu poate loc.


Sonda lui Lengmiur pt. pulverizarea la nalt frecven:
59

S-a msurat curentul prin sond pt. ambele polariti:

Justificare: mobilitatea electronilor este mai mare dect cea a ionilor.
Deoarece ionii nu se neutralizeaz imediat pe suprafaa catodului, atrag electroni
mibili ce sunt mai mici i se deplaseaz cu vitez mai mare.
Este necesar o frecven nalt pt. amorsarea efectului:

Cnd la int avem potenial negativ ionii formai n plasm vor bombarda
inta i se vor acumula pe suprafaa intei din SiO
2
. Cnd U~0 inta este
bombardat de electroni neutraliznd potenialul ionilor

inta este gata iar pt.


a putea fi pulverizat cnd potenialul este pozitiv.
60


Msurarea grosimii peliculelor n timpul depunerii
Peliculele care formeaz rezistoare n CIH au grosimea 500-600

trebuie o precizie foarte mare la depumerea peliculelor.


Pt. msurarea acestora se utilizeaz microscopul interfereniomic:

Razele cad pe suport prin deschiztura din pelicul, dup care o parte din
raze se reflect de pe suprafaa suportului i o parte de pe suprafaa peliculei i
ajung la ocular cu o diferen de drum parcurs, i vom vedea:

61
Dac lumina (raza) este verde avem:
2

X
X
h =grosimea peliculei;
] [ 275 . 0 550 . 0 m
X
X
h m
verde



- aa se calculeaz grosimea
peliculei.
Se folosesc diferii traductori (pt. msurarea grosimii), aparate de msur
ce trebuie s msoare diferite grosimi ale peliculei precum i viteza de depunere
a peliculei.
Efecte fizice ce stau la baza acestei metode de msurare:
a) efectul ionizaionic;
b) efectul de rezonan;
c) efectul rezistiv;
d) efectul capacitiv.
a) Msurarea vidului are loc cu ajutorul efectului ionizaionic:
Electronii din catod se duc spre anod i ionizeaz gazul rezidual din
traductor i se duc pe colectorul de ioni

se ivete un curent alternativ care


apare datorit nr.-lui de atomi ce ptrund n traductor prin gurile modulatorului.
Acest curent a ionilor este proporional vitezei de depunere a peliculei: I
ion
v
dep
.
Grosimea peliculei depuse:

t
dt t I
D
h
0
) (
1
- se utilizeaz un integrator; D-
ct. a traductorului i depinde de construcia sa.
Noi putem regla i controla grosimea peliculei depuse cu acest aparat.
b) Traductor pe baza efectului de rezonan:
Orice cristal de cuar are o frecven de rezonan f
0
, dar care depinde de
temperatura materialului de exploatare.
tiind masa, densitatea peliculei putem determina grosimea.
62

Traductorul se caracterizeaz prin f
0
m
0
(masa traductorului);
- masa se schimb:
f f m m + +
0 0 ;
m f
.
Acest traductor trebuie gradat pt. diferite tipuri de materiale:
Depunerile de pe traductor trebuie uneori ndeprtate pt. c se ajunge la
fercvene foarte mari. Pe traductor se depune o pelicul de Al pt. ca ndeprtarea
s se fac cu un corodant pt. Al i va ndeprta depunerile de mai trziu (astfel
se pot ndeprta depunerile de SiO
2
dac traductorul este din SiO
2
).
Cum se poate msura viteza de depunere: prin diferenierea n timp a
semnalului proporional masei.
Obs! Aceast metod se folosete i n VLSI.
c) Efectul de rezisten
Presupunem c s-a depus un rezistor:
d) Efectul capcitiv
63
n funcie de C se poate calcula h, dar nu e nevoie pt. c noi depunem
pelicula pn cnd ajungem la capacitatea dorit (astfel nct s avem h dorit).
Tehnologia mtilor
Adesea concomitent cu procesul de depunere a peliculelor pt. CIH are loc
i formarea configuraiilor viitoarelor elemente. Pt. aceste scopuri se folosesc
mti.
Cerine pt. mti:
- trebuie confecionat dintr-un material destul de subire pt. ca s
lipseasc efectul umbrei;
- masca nu trebuie s se deformeze la cldur, pt. a fi mereu n contact
bun cu suportul.
Tipuri de mti:
- monometalice;
- bimetalice;
- cu trei straturi.
Procesul de formare a mti monometalice
1) masca se formeaz dintr-un material destul de elastic ca s se lipeasc
bine de suport, de ex. BBe
2
(bronz beriliu):

2) fotolitografie:

3) corodarea: care are loc i sub FR:


64
Aceste mti sunt cel mai simplu de confecionat, ns datorit efectului de
umbr nu se prea folosesc.
n industrie se folosesc mtile bimetalice.
Procesul de realizare a acestora:
1)

2) depunere Ni electrochimic:

3) nlturare FR i corodare:

4) scade efectul de umbr:

Deoarece Ni i BBr
2
au coeficieni termici diferii

deformare la creterea
temperaturii. Soluia este de a depune i pe cealalt parte a bronzului o pelicul
de Ni

masc cu trei straturi:



Aceast metod nu se folosete prea des pt. c trebuie s se fac alinierea
pe dou pri i cost foarte mult.
Construciile i calculul rezistoarelor peliculare

65

Cu ajutorul mtii grosimea rezistorului nu poate fi mai mic dect 25m,
ns cu litografia permite 3m.
Calculul rezistoarelor ca n CI monolitice cu deosebirea c:
f s s
K
b
l
R
,
1
]
1



patrat h
s

.
Dac n circuitele monolitice foloseam pt. construirea rezistoarelor baza
tranzistorlui, aici putem confeciona rezistorul n cadrul unui CI din mai multe
materiale (aproximativ trei, dac sunt mai multe va trebui mai multe mti

rezistena mic (material cu mic), rezistena mare (material cu mare),


rezistena medie (material cu mediu)).
Exist furmulele:
1
]
1

patrat
R
R
n
i
i
n
i
i
Soptimal
1
1
1

(1) ,
{ }
teh P cal
b b b b , ,

;
pt. l > b:
f
i
P
K P
P
b

0
(2) , pt. l < b: alt formul;
f
f
f
K
K
K
l
b b

,
_


+
(3).
Deosebirea principal este c tim K
f
:
s
f
R
K

;
l, b= erorile absolute geometrice 0.1m la fotolitografie o t2m cu
mti.
( ) T
R
R
R
R
K
K
R
R
R
imb c f
f
s
s
+

%) 5 3 ( % 3 2
, unde R
c
=R
contact
i
R
mb
=R
mbtrnire
.
T
R
R
R
R
R
R
K
K
R
imb
imb
c
c
s
s
f
f

;
2l K b l
f cal
+
.
Toate calcilele de pn acum s-au fcut pt. K
f
10. Dac este mai mare nu
se mai fac rezistori ca n fig.1, ci sub form de arpe sau meandru.
Rezistorul meandru trebuie s ndeplineasc anumite cerine:
10
'
'

b
l
.
Masca pt. acest rezistor:
66
Materiale pt. rezistoarele peliculare i metodele de depunere
Un rezistor pelicular reprezint o pelicul subire de aproximativ 500
700 la care sunt dou contacte dintr-o pelicul destul de groas (mai mare de
1m). Trebuie cunosut faptul c dac pelicula are o grosime h 1000=0.1m,
atunci pelicula are
pelicul
=
monolit
[rezistivitatea specific].
h b
l
R


; coeficientul
t R
R R
t
R

0
0

pt. metale (metalul cnd se nclzete rezistena crete datorit


purttorilor de sarcin care ncep a se agita foarte tare; la semiconductori scade)
0 >
R

pt. metale.
Dac pelicula are cteva sute de atunci rezistivitatea se mrete fiindc
se micoreaz lungimea drumului liber parcurs al electronilor datorit disiprii
lor la grania peliculei i a gruncioarelor monocristaline.
Deci, dac avem
100 n h
, atunci
pel
>
minolit
i
R
=0.
n pelicule la care grosimea
10 n h
rezistena se mrete cu cteva
ordine de mrime: monolit
n
pel
10
i
R
< 0 (ca n semiconductor).
Exist multe materiale din care se pot confeciona rezistoare. Unul din
primele materiale utilizate pt. realizarea rezistoarelor a fost Cr, care are o
adeziune foarte bun (pe sticl sau pe suprafa ceramic). Pelicula de Cr cu
grosimea
100 n h
are
monolit pel
100
.
Depunerea Cr-lui
Obs! Cr este un material care se vaporizeaz prin sublimaie la
T
vaporizare
=1000C, iar T
topire
=1600C.
Aceste rezistoare au ns un grad de reproductibilitate foarte sczut,
deoarece Cr poate intra foarte uor n reacie chimic cu O
2
(rmas n sistemul
cu vid), formnd :

'

+
3 2
2
2
O Cr
CrO
O Cr
.
Datorit acestui fapt peliculele de Cr nu dau rezisten reproductibil i a
fost scos din uz.
Un alt material (aliaj) este: Ni+Cr care d rezistene reproductibile i
putem obine rezistene n intervalul:
cm M 350 150
. Dar acest material la
vaporizare termic la T=1200C , presiunea vaporilor saturai

Ni Cr
P P 10
se
vaporizeaz mai nti Cr i apoi Ni

se folosete vaporizarea n plasm.


67
Procentajul Ni, Cr n pelicul i rezistenele se pot regla astfel:

Prin aceast metod se obine o reproductibilitate mai mare. Aceste
rezistoare pot ajunge la
] [ 10
4
patrat
s


,
grad
R
1
10
4

. Aceste rezistoare sunt
folosite i astzi n tehnologia CIH cu pelicule subiri.
Un alt material este Tantalul (Ta) care are T
top
3000C.
Depunerea peliculei din Ta se face prin vaporizare de tipul:

Se ia i se ncarc un condensator cu curent continuu. Dup care la un
moment dat C l descrcm prin Ta, care se topete i se vaporizeaz n toate
direciile.
Dezavantaj: nu putem ns regla grosimea peliculei depuse.
Reproductibilitate prea mic.
Se folosete pulverizarea n plasm pt. depunerea peliculei de Ta.
Avantaje: -
patrat
s

100
;
- grosimea peliculei depuse: h=500600
- rezistenele din Ta pot fi aduse la valoarea normal cu o precizie de 10
-
3
% astfel:

Pelicula este depus n atmosfer un pic nclzit i Ta intr foarte rapid n
reacie cu O
2
din atmosfer i formeaz la suprafa o pelicul dielectric Ta
2
O
5

se micoreaz grosimea peliculei de Ta

rezistena crete i cnd se


msoar cu ohmetrul rezistena dorit se oprete nclzirea.
Odat cu ajustarea la nominal s-a fcut i mbtrnirea rezistorului, care
datorit stratului destul de gros de la suprafa de Ta
2
O
5
nu va mbtrni mai
mult.
Pelicula de Ta nu va mai crete din cauza oxidului gros.
Din Ta ce fac i condensatoare (din aceast cauz sunt mai bune pt. c se
poate face un CI ntreg din Ta).
Rezistoare pe baza aliajelor metal-dielectric
68
Sunt rezistoare din Cr-SiO (cermet-praf cafeniu). Aceste pelicule au
rezistivitatea
patrat
s

1000 10
i
grad
R
1
10
4

.
Acest aliaj reprezint un praf i nu se poate face int din acesta, deoarece
el se vaporizeaz n vaporizator pt. pref.
Aceste rezistoare nu sunt foarte reproductibile.
Rezistoare silicide
MoSi
2
, CrSi
2
, Si-Cr acest grup de materiale este cel mai utilizat pt. c
aceste rezistene nu au nevoie de pasivizare a suprafeei fiindc c n timpul
ajustrii la nominal ele se acoper cu dielectric (SiO
2
).
n principiu aceste rezistoare pot avea:
patrat
K
patrat
s

20 200
i
grad
R
1
10
4

.
Configuraia acestor rezistoare este format adesea cu ajutorul
fotolitografiei:

Urmeaz prima fotolitografie i nlturarea unei pri de Al:

A doua fotolitografie (se nltur MoSi
2
):

Tratamentul termic la T 550C, timp de 1015 min. pt. ca o parte din
material s se oxideze i gruncioarele s se mreasc (ca o structur
policristalin).
Pt. pelicula de Cr-Si
2
:
69
Construciile condensatoarelor n CI cu pelicule subiri
Cea mai simpl i cea mai utilizat construcie a condensatorului este:

n topologie:
Dac este nevoie de condensator cu capacitate de pn la 2pF:
Condensator pe baza Ta:
Dm un potenial pt. ca pelicula s se oxideze

aceast operaie se
numete oxidare anodic.
70
Apoi se face placa de sus:

S-a folosit Au pt. contacte pt. c condensatorul are dielectric din Ta
(rezistiv)

este nconjurat de trei pri de Au

crete factorul de calitate, dar


crete i suprafaa ocupat de condensator.
Problema care apare la condensatorul din Ta:
- s-a obs. c aceste condensatoare sunt polare: ntr-o direcie tensiunea de
strpungere este mai mare i n cealalt direcie este mai mic.
Condensatorul nepolar:

Am fcut placa astfel nct condensatorul s fie un pic mai mare dect ne
trebuie. Pt. a-l micora tiem un dinte i astfel ajustm mai precis la nominal.
Materialele dielectricilor pt. condensatoare
71
tim c capacitatea poate fi determinat:
d
S
C

0

, unde
0
=1, -
permitivitatea dielectric, S-suprafaa de suprapunere a plcilor, d-grosimea
dielectricului.
Capacitatea specific a condensatorului:
1
]
1



2
0
0
mm
pF
d S
C
C

.
Cu ct d este mai mic cu att C
0
este mai mare. ns d nu poate fi foarte mic
datorit tensiunii de strpungere.
Tensiunea de strpungere:
1
]
1

mm
V
d
U
E
str
str .
Pt. ca un condensator s lucreze bine trebuie ca: U
lucru
< U
str

d E U U
str str lucru

,
8 . 0
.
De ex.

cm
V
E
SiO
str
6
10
2
putem depune o pelicul de SiO
2
de 0.1m;
V U
m
V
SiO d E
str str
SiO
10 100 ) 1 . 0 (
2
2

.
Grosimea maxim a dielectricului este limitat de coeficientul dilatrii
temice (ce este diferit de la dielectric fa de metal i dac acesta este mai mare
de 1m ar crpa).
Primul material folosit pt. condensatoarele monolitice a fost SiO (sub
form de praf) ce poate fi depus prin vaporizare n vid astfel:
Dac lum materialul:
Material C
0
[F/cm
2
]
SiO 56 0.010.5
SiO
2
3.54 0.0040.02
Al
2
O
3
10 0.030.08
Ta
2
O
5
212
5
0.10.15
De ex. dintr-o suprafa de 1cm
2
de SiO poate rezulta un condensator cu
capacitatea de 0.5F care ns ocup o suprafa foarte mare i se vor folosi n
concluzie condensatori discrei.
Dac avem, n concluzie, condensatoare cu capacitate mare putem folosi n
cadrul CI condensatoare discrete care pot ocupa o suprafa mult mai mic.
n CIH este raional de a folosi condensatoare cu capacitate pn la 300pF.
72
Materiale pt. conductori n CIH
Nu putem folosi n CIH un singur metal pt. a face conductori.
Metal

] [ cm
1000
1
]
1


patrat
s

Cu 1.6 0.2
Au 2.4 0.27
Al 2.8 0.33
Pd-Au 21 3
Ti 55 10
Ni+Cr 100 15
Dei este cel mai bun conductor, Cu curat nu poate fi folosit n CIH pt. c
are adeziune slab pe plachet i pt. c are tendine s se oxideze n timpul
procesului.
Cu am putea s-l folosim dac sub stratul de Cu punem un strat de Ti sau
Ni+Cr (ce au adeziune mai mare), i pt. ca Cu s nu se oxideze deasupra mai
punem o pelicul de Au

trei pelicule de contact.


Au nu putem s-l folosim simplu pt. c nu are adeziune bun (ns Au nu se
oxideaz - bun) i depinde cum conectm elementele circuitului integrat (cu
ciocanul de lipit: pelicula de Au se dizolv n cositor, cu termocompresie este
bine).
Al se poate folosi n cadrul CI pt. c are o adeziune satisfctoare, dar nu se
umezete cu cositor

se poate pune deasupra o pelicul de Ni+Cr. Elementele


pot fi cuplate direct pe Al cu ajutorul ultrasunetelor.
Fluxul tehnilogic de confecionare a CIH cu pelicule subiri
Topologia CIH se pooate forma prin trei metode:
a) confecionarea cu ajutorul mtilor;
b) confecionarea cu ajutorul fotolitografiei;
c) confecionarea combinat.
a) Confecionarea cu ajutorul mtilor
73
Dac Q are terminale sub form de fire le lipim.

b) Confecionarea cu ajutorul fotolitografiei
Fotolitografia invers:
Neajuns: nu putem depune FR cu adeziune slab, pt. c FR este un material
organic ce se arde la temperaturi mari. Acest neajuns poate fi nlturat prin
folosirea n loc de FR a unei alt tip de pelicul:
74
Tehnologia CIH cu pelicule groase
Avantajele tehnologiei:
- preul de confecionare al acestui circuit este cel mai mic din toate
circuitele;
- nu se cer elemente active cu parametri destul de precii;
- nu se cere utilaj tehnologic scump i de o precizie nalt.
Un CIH cu pelicul groas reprezint un suport dielectric pe suprafaa
cruia sunt depuse paste (rezistive, conductoare i dielectrice) din care se
formeaz rezistori, condensatoare i conductori ai CI. Dup confecionarea prii
pasive n circuit se cupleaz elemntele active (diode, tranzistoare, chip-uri).
Principii generale de proiectare a CIH cu pelicule groase:
Care este fluxul tehnologic de confecionare a acestor CIH. Acesta conine
urmtoarele operaii:
1) proiectarea topologiei;
2) confecionarea mtilor;
3) depunerea pastei conductoare (dup fiecare depunere a pastei se face
uscare i apoi coacere);
4) depunerea pastei dielectrice;
5) depunerea pastelor rezistive;
Pastele rezistive pot avea:
patrat
M
patrat
s

1 10
. Aceste paste le punem n
funcie de cerinele de temperatur.
6) ajustarea la nominal;
7) conectarea elementelor active;
8) ajustarea funcional (din aceste circuite de ex. nu putem realiza un
procesor pt. calculator ci pot fi folosite pt. altele (amplificatoare); prin
ajustarea funcional putem mri capacitatea condensatorului);
9) testarea: schemele se testeaz nainte de a le separa de pe plac;
10) separarea CIH;
11) ncapsulare;
12) testare;
13) depozit.
Timpul de realizare a acestor CIH cu pelicul groas este mult mai mic fa
de cele cu pelicule subiri.
Proiectarea topologiei: cum trebuie s fie aezate elementele pe suprafa
astfel nct s nu ocupe prea mult. Trebuie s tim cte rezistoare avem i din
cte paste vom confeciona aceste rezistoare (putem s le realizm din trei tipuri
de paste care se deosebesc prin
s
). Trebuie s tim puterea de disipare a fiecrui
rezistor.
Suprafaa rezistorului: S[mm
2
]=0.012 P
utere
[mW]

suprafaa necesar pt.


rezistor.
Avem dou tipuri de proiectri de rezistoare.
Un rezistor bine proiectat are configuraia urmtoare:
1)
75
Rezistoarel pot s-i schimbe mult rezistena dac le coacem da mai multe
ori.
Dac n circuite avem rezistoare de o valoare mic a rezistenei, putem face
astfel:
2)

n circuitul pe care l-am proiectat putem avea de ex.:
+ + + +
n
R R R R R
S S S S S ......
3 2 1
suprafaa total ocupat de rezistoare.
Trebuie apoi s determinm suprafaa ocupat da condensator.
tim c
d
S
C


0
; grosimea dielectricului n cazul de fa nu este o
problem, are cel puin 10m (satisface perfect cerinele de tensiune de lucru).
Dac tim pt. past (care se poate schimba ntre 10100) putem
determina S.
Dac de ex. avem n circuitul integrat un condensator 300 pF n locul
acestui condensator putem pune un condensator discret de de civa F.
Dac folosim n circuite i condensatoare discrete trebuie s tim animite
detalii.
Suprafaa ocupat de condensatoare:
n
C C C C
S S S S + + + ......
2 1
.
Suprafaa ocupat de elementele active:
n
A A A A
S S S S + + + ...
2 1
.
Dimensiunile suportului pe care va fi confecionat acest circuit:
A C R total
S S S S + +


total ort
S S ) 5 4 (
sup
pt. traseele circuitului integrat
ne trebuie suprafa mai mare.
76
Trebuie s aranjm aceste elemente astfel nct s nu apar ntretieri ntre
trasee, altfel mai trebuie s introducem nc dou operaii.
Confecionarea mtilor
Primul tip de masc, cea mai simpl:
Pe aceast sit se depune FR cu un pulverizator. Fotomasca se pune pe
suprafa plachetei i apoi se fac procesele obinuite (litografie, uscare)

forma viitorului rezistor.


Dup toate procesele de litografie a rezultat o gaur, iar restul suprafeei
sitei rmne acoperit cu FR. Aceast gaur reprezint forma rezistorului.
Aceast masc este utilizat n laborator, nu se utilizeaz pt. depunerea n
mas pt. c la depuneri prea dese se gurete.
Al doi-lea tip de masc permite realizarea rezistorului la dou ochiuri i
jumtate.
Avem de la nceput aceeai sit, care se pune pe plcu, i se depune FR-ul
pe o suprafa neted (celofan) , dup care pe celofanul pa care s-a depus FR se
face litografia.
Acest celofan nefiind tratat termic, imprimat cu desenul i cu FR pe dnsul,
se pune pe aceast sit, se apas puin i se dezlipete apoi celofanul. Dup ce s-
a dezlipit, are loc un tratament termic mai puternic astfel nct sita s intre n
FR.
Neajuns: acest tip de masc nu se poate utiliza un timp ndelungat.
Al trei-lea tip de masc este combinat.
Avem o sit pe care depunem o foi metalic de o grosime de 100 m pe
care sunt formate locurile pt. elemente (desenele).
Aceast masc se poate utiliza mai mult (domeniu industrial) ns are un
neajuns: foia metalic i sita au coeficieni diferii i nu vor fi uniforme.
Al patru-lea tip de masc este masca monometalic care are configuraia:
Avem o foi metalic de 100 m i pe jumtate din foi am fcut o
corodare i am realizat geometria elementelor.
Depunem apoi FR i realizm o expunere prin sit.
77

Paste i metode de depunere a lor
Exist trei tipuri de paste.
Orice tip de past conine n cel mai ru caz trei tipuri de materiale:
1) materialul funcional, care determin destinaia pastei;
2) materialul de legtur staionar;
3) materialul de legtur temporar.
Pasta conductoare:
1)
Aceste materiale sunt prafuri cu diametrul
m 15 5
i n pasta total
sunt n proporie de 75%.
Pastele de Ag nu se mai folosesc n prezent pt. c distana ntre contacte
sunt foarte mici i ionii de Ag datorit cmpului electric tind s se mite pe
suprafaa plachetei i pot face lanuri de atomi ntre trasee

scurtcircuit. Se mai
folosesc la bateriile solare pt. c acolo contactele sunt scurtcircuitate.
Pt. a stopa migraia ionilor n pasta de Ag se adaug Pd.
Pastele cu Au curat au neajunsul c au o adeziune nu prea bun pe
suprafaa suportului i Au din past se poate dizolva foarte uor n cositor.
Ag mai
Ag+Pd Vechi,
Au mai
Au+Pt scumpe
Au+Pd
Ni mai noi,
Al mai
Cu ieftine
78
Cele mai scumpe paste sunt cele din Au+Pt i Au+Pd ce au o adeziune
bun i nu se dizolv n cositor.
2) Materialul de legtur constant este sticla, n orice material poate fi
folosit astfel: SiO
2
, Al
2
O
3
, PbO
2
, Bi
2
O
3
.
n pastele conductoare aceti oxizi se folosesc n proporie de 5%.
4)Sunt formate din substane organice ce regleaz vscozitatea pastei i
legtura temporar.
Materialele 1), 2), 3) se amestec foarte omogen i se depune pe suport.
Pastele rezistive:
Erau formate din acelai material ca cele din care se formau conductorii.
Trebuie cunoscut precis ns concentraia acestor materiale:
Pastele dielectrice:
n ele se adaug praf de BaTiO
3
pt. a le crete (pn la 1000). n past se
afl aceeai sticl pt. a avea aderen bun pe suport.
Procesul de depunere a pastelor
Se depune cu o instalaie care are urmtoarea schem:

Exist dou metode de depunere:
79
1) cnd masca este n
contact cu suportul;
2) cnd ntre masc i suport
este o distan de 500 m.
1) cnd masca este n contact absolut cu suportul:
Pasta are proprieti ticsotropice, adic sub aciunea presiunii pasta i
micoraz vscozitatea i unde nu este acoperit cu FR trece uor prin ochiurile
sitei.
Avantaj: masca pe parcursul depunerii pastei nu se deformaz pt. c este n
contact direct cu suportul.
2)
Dezavantaj: aceast metod deformeaz masca.
Uscarea i coacerea pastelor
La nceput dup ce s-a depus, pasta are o configuraie n funcie de
configuraia sitei:

Aceast past depus nu o punem direct la uscat. Se las 20-30 min. s stea
i are loc scurgerea acestei paste pn se formeaz o suprafa neted.
Adesea procesele de uscare i coacere au loc n una i aceeai instalaie,
scopul uscrii este nlturarea din past a substanelor organice de legtur
temporar, iar scopul coacerii este majorarea adeziunii pastei pe suprafaa
suportului i formarea structurii interne a pastei.
Instalaia pt. uscare i coacere:
Distribuirea temperaturii pe lungimea cuptorului:
80
Dac nclzim prea mult vscozitatea sticlei scade i bilele plutesc n sticl,
ducndu-se apoi la fund

procesul de aglomeraie a bilelor. Adeziunea bilelor


fr sticl este mic, iar deasupra sticla nu poate fi nclzit cu cositor pt. lipire.
Coacerea se face ntr-o atmosfer de gaze inerte (Ar sau N
2
). Pot exista
urmtoarele reacii:
PbO
(din past)
+C
(rmas n instalaie)

Pb + Co
2
(CO
2
vrea s ias din past i o
crap).
Suportul format din Al
2
O
3
poate intra n reacie chimic cu substanele din
past.
Cap.6 Tehnologia circuitelor VLSI
Elementele au dimensiuni micrometrice (0.12 m lungimea canalului
tranzisto-rului MOS).
Procese de baz:
- epitaxie din fascicol molecular;
- fotolitografia cu fascicol de electroni;
- corodarea n plasm;
- depunerea polisiliciului;
- procese de autoaliniere;
- confecionarea metalizrii multistrat (pn la ase straturi de metale).
Depunerea polisiliciului
Cea mai important utilizare a poliSi este la grila tranzistoarelo MOS.
PoliSi dopat poate fi folosit n calitate de contacte n CI. Deasemenea poliSi
poate fi surs de difuzie. Din poliSi se pot confeciona rezistoare precise.
PoliSi reprezint o pelicul cu foarte multe cristale mrunte orientate n
diferite direcii.
HCl Si H SiCl
C
+ +

1200
2 4
, dac acest Si se depune pe sticl:

n tehnologia de azi poliSi se depune la o temperatur mult mai joas:
81
Capcana poate fi astfel:
2
650 600
4
2H Si SiH
piroliza
C
+


- reacia de baz a depunerii poliSi-lui.
Metoda de cretere epitaxial (la presiuni mai mici ca presiunea
atmosferic).
Se d un flux ct. de SiH
4
i cu ajutorul robinetului se poate regla presiunea.
Cnd dopm poliSi (n acelai grafic presupunem temperatura i
presiunea=ct.):
82
Pt. c vitezele sunt mici i scad se face mai nti o cretere de poliSi curat
apoi o implantare ionic.
Tehnologia plasmei n circuitele VLSI
Plasma poate fi folosit pt. depunerea peliculei de SiO
2
, Si
3
N
4
, Al
2
O
3
din
plasm la temperaturi mai mici dect la oxidarea termic (500-600C).
Aceast depunere (n plasm) se folosete pt. a pasiviza suprafaa CI, n
general, sau pt. a face metalizare multistrat i trebuie s realizm izolaie ntre
contacte.
Putem depune i la temperatura camerei pe suprafaa plachetei.
n 1968 se folosete plasma pt. a nltura rmiele de FR de pe suprafaa
plachetei. ns la nlturarea FR-lui o parte din atomi totui rmneau pe
suprafaa plachetei (atomii de St care duceau la scurtcircuitarea ntre reelele de
contact).
Timp de 10 ani nu s-a mai folosit acest proces. S-a ivit apoi problema c s-a
nceput a se utiliza pelicula de Si
3
N
4
, pt. care nu exista un corodant pt. a fi
nlturat i s-a nceput corodarea acestuia cu ajutorul plasmei.
Datorit acestui fapt s-a nceput cercetarea corodrii cu plasm i ncepnd
cu anii 80-83 plasma a nceput s fie folosit pe scar larg pt. circuitele VLSI.
Plasma s-a folosit pt. a depune pelicule din: Pt, WF
6
, Mo.
Cum plasma este ioni+electroni

molecula WF
6
(sare de W- n stare
gazoas) se va descompune n: WF
5
+F sau WF
5
+F
-
.
Depunerea SiO
2
i Si
3
N
4
:
Se pot depune n plasm cu instalaia:
Procesele care au loc n plasm:
disociaie A
2

A+A (molecula care coninea doi


atomi s-a disociat n doi atomi)
disociaie
+ionizare
A
2

A+A
+
disociaie
+ionizare
SiH
4

SiH
2
+H+H
+
Procesul de depunere a peliculei are urmtoarele etape:
83
1) absorbia de ctre suprafaa plachetei a radicalilor i ionilor (de ex. O
2

O+O
+
).
Problema principal const n faptul c temperatura plachetei poate fi
temperatura de camer.
Molecula de SiO
2
poate fi format din:

'

+ + +
+ +
2 2 2 2 4
2 2 2 4
2 2 2
2
H N SiO O N SiH
H SiO O SiH
.
Viteza de depunere a lui SiO
2
depinde de puterea n W aplicat la reactor.
n practic s-a artat:
Metoda T[C]
depunere
Raportul
4
SiH
oxidant
Compoziie Viteza de
corodare
[nm/s]
Depunere n
plasm SiH
4
+O
2
300 3 - 4.5
SiH
4
+N
2
O 300 55 SiO
1.94

N
0.06

3.0
Reacie chimic
SiH
4
+O
2
500 1.5 SiO
2
6
Oxidare termic 900 1.5 SiO
2
1.7
Corodarea se face n: HF+NH
4
F (1/9). Pt a obine o corodare destul de bun
se folosete acelai corodant.
Obs! viteza de corodare scade

oxid dens. Oxid n plasm folosit doar n


izolarea traseelor.
Pt. depunerea n plasm a Si
3
N
4
(e o masc care nu d voie s treac O
2
) se
folosete reacia chimic dintre SiH
4
i NH
3
:
4 3 3 4
N Si NH SiH +
(aceast pelicul poate conine 18% H
2
).
Corodarea uscat
Fie o pelicul de SiO
2
pe care avem depus FR:

+
4 2
) 25 ( SiF m x HF SiO
, x=adncimea de ptrundere a corodantului
sub FR.
SiF
4
este un gaz care ridic polimerul.
S-a adugat n HF, pt. a nu mai ptrunde sub FR, NH
4
F:
+ +
6 4 2
) 9 ( ) 1 ( SiF F NH HF SiO
, unde SiF
6
cade n soluie.
Aceast corodare ns nu poate fi folosit n tehnologia VLSI, pt. c nou
ne-ar trebui aa ceva:
84

Pt. a obine aproximativ configuraia de mai sus se folosete: corodarea n
plasm.
Dac notm prin V
L
-viteza de corodare orizontal, V
V
-viteza de corodare
vertical, atunci anizotropia (=corodare doar pe o direcie) vitezei de corodare
este:
V
L
V
V
A 1
, dac V
L
i V
V
sunt egale atunci A=0 i

nu exist anizotropie
i corodarea ar fi ca un semicerc. n ultimul desen V
L
=0

A=1, predomin
viteza vertical.
Tipuri de corodare uscat:
- cea mai simpl:
pulverizare n plasm: inta sau catodul se bombardeaz cu
ioni i din int se desprind atomii (se pulverizeaz ct.);
corodarea uscat se poate face ntr-un sistem diodic sau
triodic.
Dar aici intereseaz i procesul de selectivitate (corodarea s se finalizeze
cnd ajungem la Si) care n acest caz este greu de obinut.
FR tot se bombardeaz cu ioni, tot se poate vaporiza;
Viteza de distrugere a FR este mai mic dect viteza de
corodare a peliculei de SiO
2
.
Primele corodri au avut loc cu utilizarea plasmei CF
4
(n plasma de Ar se
mai adaug un gaz de reacie). Acesta n plasm se descompune:

'

+ +
+

F F CF
F CF
CF
2
3
4
, atunci are loc bombardarea cu Ar i n jurul bombardrii (n
plasm) mai sunt i atomi de F
+ +
2 4 2
4 O SiF F SiO
n interiorul plasmei mai
are loc i reacia chimic ce mrete viteza de corodare a peliculei.
n acelai mod:
2 4 4
4
2 4
4
N SiF F SiN
SiF F Si
+ +
+
- plasm reactiv- plasma n care
are loc i reacii chimice
Rezultate experimentale:
- viteza de corodare la nite condiii constante a Si-lui n plasma care
conine XeF
2
(gaz), XeF
2
+Ar, Ar
+
:
85
Date experimentale:
Corodarea monoSi i a poliSi:
86
Corodarea Al:
Al se corodeaz n plasm de tipul: CCl
4
i BCl
3
.
Al are pe suprafaa sa Al
2
O
3
i pn nu se rupe aceast pelicul nu are loc
corodarea Al.
Date pt. proiect:
Material pt.
corodant
Gaz V
corodare
[nm/min] Selectivitatea
Material/F
R
Material/S
i
Material/SiO
2
Al, Al-Si, Al-
Cu
BCl
3
+Cl
2
50 58 35 2025
PoliSi Cl
2
5080 5 35 2530
SiO
2
CF
4
+H
2
50 5 20 2530
P.S.G. (sticl
fosforsilicat
)
CF
4
+H
2
80 8 32 2530
Procese de baz n tehnologia circuitelor MOS integrate pe scar mare
(VLSI)
Planarizarea i autoalinierea:
Pt. un circuit VLSI sunt necesare 1720 operaii de fotolitografie. Cnd
toate elementele circuitului sunt gata facem oxidare termic i deschidem
ferestre de contact n SiO
2
(le vom deschide prin corodare uscat).
Prima metod de planarizare a suprafeei plachetei nainte de a depune
contactele:
La ultima etap se depune un strat de PSG (Phosfor Silicon Glasse). n
atmosfer de O
2
are loc oxidarea termic, dar n acelai timp n reactor se d
87
drumul la PCl
3

( ) ( )
x x
O P SiO
1
5 2 2 sticl fosforo-silicat. PSG dac l nclzim
curge (are
)
2
topSiO top
T T
unghiul drept care deranjeaz dispare:


A 2-a metod de planarizare a plachetei (nu se poate folosi n VLSI):
A 3-a metod de planarizare:
A 4-a metod de planarizare: folosirea rinii poliimidice. Aceast rin
poate fi depus ca i FR i dup ce se nclzete la 300C aceasta se smulge

pereii nu mai sunt att de abrupi.


Autoalinierea:
Obs! n tehnologia tranzistoarelor MOS cu grila din Al avem:
88

n timpul litografiei se greete (nu se aliniaz) cu 0.1 m (de ex.) (nu e la
aceeai deprtare contactul de Al de S i D

capaciti de intrare i ieire


diferite).

Fluxul tehnologic pt. procesul de autoaliniere:
1) Fie o plachet de tip p-Si pe care s-a format prin oxidare obinuit o
pelicul de SiO
2
:

2) Litografie (nu se corodeaz pn la p-Si ci se las o grosime pt. grila
tranzistorului MOS):

3) Depunerea poliSi cu o grosime h=1m:
4) Litografia pe poliSi (cu fotolitografia se poate lucra pn la 2m, pt.
dimensiuni mai mici se utilizeaz litografia):

5) Implantarea ionic (ionii trec prin oxid i se formeaz n plachet
regiunile n
+
):
89

Obs! Poli se crete nedopat pt. c el crete mai uor i aici se dopeaz.
6) Oxidare termic pt. creterea stratului de oxid de peste S i D i n plus
acoperirea poliSi cu oxid (vrem s izolm G de D i S):
7) Litografie pt. a deschide ferestre de contact (nu deschidem fereastr de
contact la G pt. c stratul este foarte subire, de 0.15m, i nu putem):
8) Depunere Al:
Prin acest procedeu de autoaliniere, formndu-se mai nti G, nu mai exist
distane diferite ntre G-S i G-D.
Tehnici de izolare a tranzistoarelor n circuitele VLSI
Circuitele integrate cu tranzistor MOS nu conin rezistori i nici
condensatoare. Aceti tranzistori trebuie s fie foarte bine izolai.
Cerine fa de sistemele de izolare a tranzistorului
1) Curenii (parazii) dintre tranzistori trebuie s fie att de mici asfel
nct s poat fi neglijai;
2) Suprafaa ocupat de izolare trebuie s fie destul de mic ca s nu
afecteze gradul de integrare;
3) Izolarea trebuie fcut cu metode nu foarte complexe pt. a nu ridica
costul circuitului integrat.
90
Necesitatea izolrii: de ex. cu dou tranzistoare:
Dac placheta iniial de p-Si este slab dopat i Q
1
, Q
2
se gsesc la o
distan mare unul de altul atunci izolarea nu este necesar fiindc tranzistorii
sunt izolai de ctre materialul de tip p care are o mare rezistivitate. Dac vrem
s-i apropiem (pt. grad mare de integrare), sub Al+oxidul (de sub Al) dintre Q
1

i Q
2
se poate induce un canal parazit ce ar duce la scurgerea curentului prin
acesta.
n concluzie, elementele CI trebuiesc izolate unul de altul la majorarea
gradului de integrare.
Izolarea poate fi realizat prin patru metode:
1) izolarea cu ajutorul oxidului gros i doprii pe cmp (locul liber
dintre tranzistoare);
2) izolarea local sau tehnica LOCOS (LOCal Oxidation Silicon);
3) izolarea prin anuri corodate n Si;
4) izolarea cu ajutorul epitaxiei selective.
Aceste metode se deosebesc prin complexitatea lor. Cea mai utilizat este
tehnica LOCOS.
1) Izolarea cu ajutorul oxidului gros i doprii pe cmp
Dac cretem grosimea oxidului, nu se mai poate forma un canal parazit i
apar n plus greuti de deschidere a ferestrelor de contact.

Dac concentraia impuritilor n p-Si va fi mare, trebuie i la oxidul gros
o tensiune mare pt. ca s formeze canalul

n tot cmpul neocupat de tranzistor


facem o regiune p
+

canalul parazit se formeaz mult mai greu.


Dezavantaj: se formeaz jonciunea p
+
n
+
cu o tensiune de strpungere mic.
Aceast problem se rezolv cu inelul de gard (n jurul fiecrui tranzistor se
face un grdule de p
+
):

Acest tip de izolare este cel mai simplu, cel mai ieftin, dar nu are
performane att de nalte, iar oxidul are trepte destul abrupte.
91
2) Tehnica LOCOS se folosete pt. a denivela aceste trepte:
a)

b) litografia i implantarea ionic:

c) oxidarea termic a Si (Si
3
N
4
e masc pt. oxidant

se vor oxida doar


locurile neprotejate de oxid (p
+
)):
d) Pt. a coroda Si
3
N
4
introducem placheta n H
3
PO
4
la T=70C, pelicula de
Si
3
N
4
se nltur:
Mai departe se repet tehnologia de obinere a tranzistorului MOS (cu
poliSi).
e)
92

Principala problem a tehnicii LOCOS const n aceea c se obine un
relief de SiO
2
ce nu este prea abrupt.
Neajunsurile tehnicii LOCOS:
- ciocul de pasre ce intr sub Si
3
N
4
; datorit forrii stratului de Si
3
N
4

(la ridicare) apar defecte i ca urmare nu se pot folosi aceste poriuni;
- formarea aa numitei oxinitruri (N
2
din Si
3
N
4
poate intra n reacie cu O
2
la oxidarea termic

o oxinitrur ce frneaz ptrunderea O


2
spre
adncime).
Pt. a evita aceste neajunsuri s-a format tehnologia SEPOX (Selective
Polisilicon Oxidation).
Ca s nu apar defecte n cristal, nu oxidm cristalul ci poliSi-ul.
1)

2) fotolitografie:

3) oxidare (oxidantul ptrunde sub Si
3
N
4
pe care l ridic n sus i l rupe
de pe poliSi):

4) ndeprtm apoi Si
3
N
4
i poliSi-ul, iar defectele ce data trecut apreau
n oxid acum sunt n poliSi-ul ce se ndeprteaz:


Se face n continuare cu tehnologia de mai sus.
4) Izolarea prin anuri corodate n Si
93
n jurul viitoarei structuri s-a fcut un an.

Dac anul l-am face la 0.55m

ar fi acelai nivel:
Neajuns: oxidul este mult i scade suprafaa de integrare i soluia ar fi ca
s punem i pe partea lateral a anului Si
3
N
4
i SiO
2
:
1)

2) depunem n plasm SiO
2
i Si
3
N
4
(ntr-un singur reactor):

3) n acelai reactor facem corodarea uscat (fr litografie): bombardm
suprafaa cu ioni

se corodeaz numai pe suprafeele orizontale:



4) problema este c atunci cnd vom nltura Si
3
N
4
apar nite guri ce se
pot umple cu poliSi (sau cu SiO
2
):
94

5) apoi are loc o lefuire i suprafaa rmne absolut neted

Apoi are loc o lefuire i suprafaa rmne absolut neted.
Alt metod de izolare cu anuri ce exclude creterea i lefuirea:
1) placheta cu orientaia (100) + operaiile iniiale:

2) oxidare termic

SiO
2
i depunerea lui S
3
N
4
n plasm:
3) pt. ca n cursul bombardrii s nu se strice Si
3
N
4
depunem n plasm
SiO
2
pe care l corodm asfel nct s rmn doar pe prile laterale:

4) corodare n plasm pt. nlturarea lui Si
3
N
4
de pe prileorizontale:
5) oxidare adnc:
95

Izolarea cu anuri de tipul V
1) fie o plachet de tip p-Si cu orientaia (100):

2) n plachet s-au realizat anuri prin corodare:

3) oxidarea termic:

4) depunerea poliSi-lui (h=100m):

5) se ntoarce structura invers (dup lefuire) conform tehnologiei EPIC:

Neajunsuri: procesul de lefuire este greu de fcut (datorit preciziei).
4) Izolarea cu ajutorul epitaxiei selective - are cele mai multe avantaje.
1) fie o plachet de tip p-Si pe care realiz m o oxidare de h=1m:
96

2) litografie (se deschide fereastr pt. noul tranzistor):

3) cretere epitaxial:

Nu putem crete pelicula pn la capt pt. c Si crescut se depune i pe
marginile gurii (le vom crete pe rnd peliculele).
Pt. a nltura defectele de la captul gurii:
HCl Si H SiCl + +
2 4 .
Se crete un pic de strat epitaxial dup care se d drumul la SiCl
4
i are loc
corodarea stratului de pe marginile gurii. Aceast operaie se repet de 1015
ori.
4)

1m de Si epitaxial este de ajuns pt. a se face n el un tranzistor.
Avantaje: - stratul p-Si epitaxial are mai puine defecte dect placheta
crescut prin metoda Czochalski;
- suprafaa este abolut plan.
Tehnologia PMOS standard
n aceast tehnologie se ia o plachet de n-Si cu orientaia (111) i cu
cm 5 5 . 3
.
1) aceast plachet se oxideaz:
97

2) litografie i depunerea lui B
2
O
3
(substan care la T=400C este lichid):

3) prin litografie se nltur SiO
2
gros (l lsm doar pe cel care nu este pe
cmpul tranzistorului):

4) creterea oxidului subire la o temperatur destul de nalt (900C)

B
se nfund n plachet i se formeaz BSG (Bor Silicon Glasse) deasupra B
2
O
3
ce poate fi ndeprtat uor:

5) litografie, deschidem ferestre de contact, prin tehnologia standard

tranzistorul:


Tehnologia PMOS actual
Conine tranzistorul cu canal iniial i cu canal indus.
1)
98
2)

3) litografie + difuzie din surs lichid-BBr
3
:

Reglm concentraia astfel nct s se creze o regiune p nu mai mare de
1m (limea p ~ V
TH
). B intr i n zonele p
+
dar nu le schimb proprietile.
4) litografie (nlturm oxidul gros de sub G)+ oxidare termic

un strat
de oxid subire:

5) litografie pt. ferestre de contact, depunerea Al, litografie pt. nlturarea
Al ce nu este necesar, pasivizarea, etc:

Tehnologia NMOS de baz
Cuprinde toate operaiile caracteristice VLSI:
- tehnica de izolare LOCOS;
- poliSi;
- implantarea ionic;
- tranzistori cu canal indus i cu canal iniial.
Se ia o plachet de tip p iniial cu orientaia (100) (sarcina acumulat n
oxid pe placheta (100) este mai mic dect pe (111)

capacitile sunt mai


mici).
1)
2) litografia + dopri pt. cmpul dintre tranzistoare:
99

Oxidul nu trebuie nlturat pt. c se folosete implantarea ionic
+
11
B ce
trece prin oxid.
3) oxidare local i nlturarea Si
3
N
4
:


4) depunere rezist + implantare ionic
+
31
P

canal iniial de tip n:



5) litografie:

Rezistul este pus pt. ca s se poat face implantarea ionic
+
11
B . Se face
implantarea ionic
+
11
B pt. ca aceti doi tranzistori s fie simetrici din punct de
vedere al tensiunii de prag.
6) nlturarea rezistului, depunerea poliSi-lui, litografia pe poliSi:

Aici se poate face autoalinierea.
100
7) implantare ionic
+
31
P , oxidare, litografie ferestre de contact, depunere
Al, litografie pt. nlturarea Al, depunerea oxidului de pasivizare,
litografia pt. deschiderea ferestrelor de contact:

Tehnologia CMOS n circuitele VLSI
Include toate avantajele pe care le are tehnologia NMOS.
Structura unui inversor:
Obs! Avem numai tranzistor cu canal indus de tip i de tip n.
1) oxidare, fotolitografie, difuzie (nu putem face implantare ionic
deoarece insulia de tip p trebuie s fie mai mare de 1m (maximul ce se poate
face cu implantarea ionic)):

2) nlturarea oxidului, (tehnologia LOCOS), oxidare termic, depunerea
Si
3
N
4
, litografie, implantare:

3) oxidarea LOCOS,
nlturarea lui Si
3
N
4
, poliSi, litografie:
101

4) facem difuzia n
+
acoperind cu rezist tranzistorul cu canal p i invers pt.
canal p pt. surs i dren, litografie, implantare ionic
+
31
P , litografie,
implantare ionic
+
11
B :

5) oxidare, fotolitografie (ferestre de contact), depunere Al, litografie pe
Al:

Deprtarea ntre S i D este submicronic, ca urmare contactul pt. G va fi
scos nafar prin tehnologia tiut.
102