Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
D
(1) u nde F fluxul (nr. de atomi care
ptrund printr-o unitate de suprafa ntr-o unitate de timp);
[ ]
s m
atomi
SI
F
2
;
dx
dN
gradientul concentraiei impuritii; D ct.=coeficient de difuzie.
Coeficientul de difuzie F D dac
1
dx
dN
.
A II-a lege a lui Fick:
2
x
N
2
t
N
D
(2) unde
t
N
=viteza schimbrii
concentraiei.
Procesul difuziei pe trei coordonate (trei direcii):
,
_
2
2
2
2
2
2
z
N
y
N
x
N
N D
t
N
Ecuaia poate fi rezolvat numai n cazuri speciale care se ntlnesc i n
practic:
1) difuzia dintr-o surs semiinfinit;
2) difuzia dintr-o surs limitat;
Difuzia dintr-o surs semiinfinit
Fie o plcu de Si i o mulime de atomi de P n vecintatea ei. n
interiorul unei fiole de cuar (cu vid) se pun bucele de P i se introduce i
plcua de Si. Aceast fiol este introdus apoi intr-un cuptor la temperatura de
1200C. Crescnd temperatura, n volumul fiolei de cuar se formeaz o anumit
concentraie de P care este egal cu concentraia vaporilor saturai la
temperatura dat.
2
P se vaporizeaz direct din faza S (prin sublimare). O parte din atomii de P
vaporizai intr n Si i rezult
. ct
gaz
N
pt. t 0 , unde t timpul.
.
0
ct N
concentraia atomilor la suprafaa plachetei, care este constant
pt. t 0 deoarece atomii ptrund tot mai adnc n placu.
) , ( t x N
concentraia impuritilor la o anumit adncime x dup timpul
t
0 ) , ( t x N
pt.
x
.
Din toate acestea rezult c legea a-II-a a lui Fick poate fi soluionat dac
introducem o variabil
t
x
,
_
dx
t D
x
e N t x N
2
0
2
2
1
0
) , (
, unde
x erf dx
t D
x
e
2
0
2 2
, i se tie c
x erfc x erf 1
t D
x
erfc N t x N
2
0
) . (
, funcia
[ ] 1 , 0 erfc
.
Reprezentarea soluiei legii a-II-a a lui Fick pt. condiiile scrise mai sus:
Difuzia dintr-o surs limitat
Fie o pelicul de Al de 1m la suprafaa plachetei de Si. Pt. ca vaporii de
Al s nu se evapore ci s intre n material se adaug o pelicul de SiO
2
.
3
2
/
18
10 5 cm at Q (cm
2
deoarece se consider grosimea foarte mic i
se neglijeaz) = concentraia iniial a atomilor care se afl pe suprafaa
semiconductoare.
Aceast cantitate de atomi de Al nu se poate vaporiza ci doar intr n
interiorul cristalului. Dac o parte din aceti atomi intr n placheta de Si ,
cantitatea lor scade (concentraia lor) deoarece nu mai vin ali atomi pt. a
compensa
x
N
, pt. x=0 i 0 < t <
i 0 < t <
- legea conservrii
materiei.
Avnd n vedere cele patru condiii, legea a-II-a a lui Fick are urmtoarea
soluie:
,
_
t D
x
t D
Q
t x N
4
2
exp ) , (
10% impuriti.
5
Au are solubilitate mic, ns are un coeficient de difuzie destul de nalt. P
are solubilitate ridicat.
2) Timpul n ambele soluii ale legii lui Fick timpul apare ca un produs
ntre D i
t
. n principiu pt. ambele tipuri de jonciuni adncimea jonciunii pn
este proporional cu rdcina ptrat a timpului.
Timpul procesului de difuzie este reglat destul precis.
3) Temperatura nu influeneaz la adncimea jonciunii pn, dar ea totui
apare indirect n coeficientul de difuzie D:
,
_
T R
H
D D exp
0
unde 0
D
este
coeficient de difuzie la o temperatur care
; H - energia de activare a
impuritii (minimul necesar de energie de care trebuie s dispun impuritile
pt. a putea ptrunde n interiorul cristalului).
Unghiurile de nclinaie a dreptelor e acelai i ca urmare H este aceeai
pt. diferite impuriti.
Temperatura este bine stabilizat n tehnologie: la 1200C i se poate
schimba n timp cu
2
1
t
C.
4) Desvrirea reelei cristaline.
Dac reeaua cristalin are multe defecte atunci impuritile vor ptrunde
mai uor n cristal. S-a fcut un expariment de cretere a cristalelor n spaiul
cosmic i s-a obinut un cristal cu reea perfect, dar cnd s-a fcut difuzia a
aprut scurt ntre C i E i ca urmare tranzistorul nu mai funciona.
6
Metode de efectuare a difuziei i difuzanii utilizai
n principiu difuzia poate fi efectuat n sisteme nchise i n sisteme
deschise.
Difuzia ntr-un sistem nchis:
Se scoate aerul, dup care se sudeaz fiola i se introduce ntr-un cuptor la
o animit temperatur. P se vaporizeaz direct din starea S (prin sublimare) i
toi atomii difuzani vor umple ntregul volum. Dac o parte din atomii difuzani
intr n placheta de Si atunci din bucelele de P se vaporizeaz ali atomi de P
astfel nct concentraia atomilor de P n faza gazoas s fie constant
difuzie
dintr-o surs semiinfinit.
Avantaj: putem introduce fiola ntr-un cuptor cu dou nivele de temperatur
diferite:
Cu T
1
se regleaz presiunea vaporilor saturai
se mrete concentraia
impuritilor care ajung n interiorul reactorului.
Cum are loc procesul de difuzie pt. sursa S:
P
2
O
5
la nclzire se vaporizeaz i ajunge pe suprafaa plachetei de Si cu
care intr n reacie chimic:
P SiO Si O P 4
2
5 5
5 2
2 + +
(1)
SiO
2
conine atomi de P i se poate scrie:
( ) ( )
x
O P
x
SiO
1 5 2 2
care este de fapt
o sticl fosforosilicat = PSG (Phosfor Silicon Glass).
8
nti se formeaz pe suprafaa plachetei aceast sticl dup care difuzia
atomilor de P are loc din aceast sticl
q=1 sau
+ +
31
P
- este
lipsit de 2 electroni (are dou ncrcturi pozitive
q=2
Cl
. Cu -7 la (4) se vor extrage doar
nrcturile pozitive (ionii de P) cu ajutorul diafragmei (4). Separatorul magnetic
face ca particula extras s se mite pe o circumferin care are o for
centripet:
B e
v m
r v B e
r
v m
2
, unde r raza de micare, m masa, v
viteza, care este dat de potenialul de accelerare, B intensitatea cmpului
magnetic, e electronul propriuzis.
Dac e=ct.,B=ct., v=ct, m r ca urmare particulele cu raz mai mic vor
avea i masa mai mic i cele cu raz mai mare vor fi separate de diafragm (9)
FR nu poate fi folosit.;
- corodarea local a FR:
Sub aciunea corodantului n unele locuri rmn nite guri. Aceste guri
apar datorit unor molecule polimerizate n FR ul iniial sau n acele locuri au
fost nite fire de praf. De aceea procesul trebuie s aib loc n locuri lipsite de
praf.
- cnd facem corodarea, sub FR a ptruns corodantul i a distrus din
pelicula de Al.
Aceasta depinde de tipul de FR.
3 Rezoluia FR
Nr. maxim de linii care poate fi format pe suprafaa FR lui pe o unitate de
lungime. Limea linilor trebuie s fie egal cu deprtarea dintre dnsele.
Mecanismul de absorbie a luminii
Se dorete ca raza de lumin s exponeze FR vertical.
15
La FR poz. :
FR poz. Are un contrast mai nalt dect cel negativ.
n industrie se folosete cel mai mult FR poz. Pt. c sunt stabili n acizi (nu
se corodeaz n acizi). n cazul n care folosim corodarea n baze se folosesc FR
neg.
Rezoluia FR lui este:
mm
linii
l
R 500
1 2
1000
2
1000
, l=1m;
Cel mai bun FR poz. are R n jur de 450, ns pt. o linie de 1m nu se prea
poate face.
Operaiile principale ale procesului de fotolitografie
Cuprinde urmtoarele operaii principale:
1) formarea peliculei de FR: - purificarea plachetei;
- depunerea peliculei de FR;
- uscarea peliculei.
16
2) formarea imaginii: - alinierea i exponarea FR lui;
- developarea FR lui;
- tratamentul termic.
3) transferul imaginii pe suprafaa plachetei: - corodarea peliculei
neprotejate de FR;
- nlturarea FR lui.
1) Formarea peliculei de FR :
a) Purificarea plachetei: nu trebuie s fie praf, pete de grsimi pe plachet.
Purificarea se realizeaz cu diferite soluii organice: aceton pt. ndeprtarea
grsimii; dac exist materie metalic se introduce n HCl pt. a le ndeprta.
Particularitile peliculei de SiO
2
din punct de vedere al procesului de
fotolitografie.
S-a observat experimental c pelicula de SiO
2
format pe plachet are o
combinaie:
Pe suprafaa peliculei de SiO
2
,numit siloxan, litografia se poate face
destul de bine. Dar aceast suprafa are contact cu atmosfera i absoarbe
grupri de OH, n acest caz suprafaa de SiO2 se numete siland, iar litografia
nu este bun pt. c suprafaa se umezete cu HCl (corodant) i acesta ptrunde
foarte adnc n FR. n acest caz pe suprafaa plachtei cu OH se adaug o pictur
de H
2
O deionizat, care umezete suprafaa plachetei n aa fel nct formeaz
un unghi de umezire de 45. n principiu litografia va avea succes.
b) Depunerea peliculei de FR
I metod: avem un vas cu fotorezist lichid n care se introduce placheta de
mai multe ori, dup care se pune la uscat vertical i vom avea o astfel de
aranjare a FR lui:
II metod: depunere cu ajutorul pulverizatorului. Se poate folosi pt.
depunere pe suprafee mari, dar se utilizeaz foarte puin deoarece uleiul din
pompe poate ajunge n FR. n general se folosete aer curat n pompe.
17
III metod: depunere cu ajutorul centrifugi (cea mai utilizat):
Grosimea stratului de FR depinde de:
- vscozitatea FR lui: cu ct este mai vscos cu att se va depune mai
ru;
- viteza de rotaie.
n FR depus pot apare defecte sub form de comete, pt. c poate exista un
fir de praf i n timpul rotirii forele acioneaz asupra firului de praf i asfel
grosimea FR lui este mai mic.
Marginea ngroat poate zgria, defecta masca, pt. c aceasta este n
contact cu FR ul. Pt. a elimina acest neajuns se micoreaz viteza de rotaie,
dup ce s-a depus FR ul, i se picur un solvent pe regiunea respectiv pt. a
ndeprta FR ul.
c) Uscarea stratului de FR: se face cu scopul nlturrii solventului din
FR, altfel cnd punem masca acesta se lipete.
2) Formarea imaginii
Pt. exponare se folosete o surs de UV.
18
a) Alinierea se poate face prin dou metode:
A) alinierea cu folosirea tieturii de la baza plachetei. Toate plachetele
care se folosesc n industrie au o tietur la baz pt. a se putea
deosebi.
Apoi se face n tot setul de mti semne de aliniere (sub ele rmne oxid).
B) folosind alte tipuri de semne de aliniere (liniile semnelor de aliniere
trebuie s fie mai mici dect orice semn al circuitului).
Aceste semne ns n timp datorit corodrii se defecteaz cteodat. Ca
urmare s-au introdus alte semne de aliniere.
Dup folosirea primei mti trebuie s se pun a doua, iar ptratul mic s
intre n cel mare iniial (dat de prima masc). Urmtoarea masc va avea un
ptrel mai jos care se va alinia dup celelalte de mai sus.
b) Exponarea: const n iluminarea suprafeei FR lui prin masca dat.
Timpul de iluminare se determin experimental.
19
c) Developarea FR lui:
- pt. FR poz. developarea are loc n soluii lichide, slabe: 0.5%KOH,
NaOH;
- pt. FR neg se folosete acelai solvent care intr n componena FR lui
iniial: aceton, toluen.
d) Tratamentul termic ca i uscarea se face cu raze IR. Este necesar pt.
creterea adeziunii peliculei la plachet. Tratamentul termic nu se face n
cuptoare electrice, deoarece s-ar crea un strat la suprafa care apoi s-ar crpa.
Razele IR ptrund n tot FR ul i-l usuc uniform.
3) Transferul imaginii pe suprafaa plachetei
SiO
2
se poate coroda n HF:
O H
gaz
SiF HF SiO
2
2
) ( 4
4
2
+ +
n 1957 s-a stabilit c pelicula de SiO
2
protejeaz placheta de ionii difuzai.
Ca urmare n corodantul de SiO
2
se mai adaug i NH
4
F:
( ) ........ ) 9 ( ) 1 (
) ( 6 4 2
+ + +
S
SiF F NH HF SiO
SiF
6
este un solid ce cade la fundul vasului i si schimb valena de la 4 la
6 i nu mai ridic FR ul i fereastra este mult mai mic (eventual poate ajunge
la 11m).
Pt. corodarea unei pelicule de Au se folosete HNO
3
i HCl n amestec.
Dup ce s-a fcut corodarea, adic s-a transferat imaginea, se va nltura
FR ul (i cel neg. i cel poz. se nltur cu H
2
SO
4
). FR ul poz. se mai nltur
cu dimtilformonid, precum i cel poz. i cel neg. se mai nltur prin fierberea n
soluii de 10% baze.
Caracteristicile fotomtilor (FM) i metodele de confecionare
Cea mai simpl masc este format pe baza fotoplachetelor i se
caracterizeaz printr-o rezoluie nalt i un contrast destul de perfect.
De ex. pt. formarea contactelor unui FR le desenm de 10 ori mai mari i
le fotografiem astfel nct desenul s fie micorat de 10 ori:
20
Aceste fotomti nu sunt nc durabile.
Masca pe baza peliculei de Cr: Cr are o adeziune mare pe sticl. Se depune
o pelicul de Cr i se pot face 600-700 litografii.
Cerine pt. FM:
- contrast puternic (trecere abrupt ntre negru i strveziu);
- dimensiunile elementelor trebuie s fie aceleai att n centrul mtilor
ct i la marginile lor.
Metode de confecionare a FM
Una din metode (care nu poate fi utilizat n tehnologia VLSI) este metoda
opticomecanic de confecionare.
Ordinul de mrire depinde de detalii.
Pt. a desena acest original se folosete pelicula de tip mailar ce conine:
Dup ce am tiat, cum ne trebuie nou pt. a face originalul, se dezlipete ce
nu ne trebuie. Tieturile se fac cu un tietor la care dm coordonatele:
Apoi se pune o camer de fotografiat de rezoluie mare ntr-un loc unde nu
vor exista vibraii, dip care se va primi un flux de lumin care va determina pe
21
fotoplachet desenul invers i la dimensiuni micorate. Astfel pe fotoplachet va
apare desenul pe scara de 10/1.
Dup care se utilizeaz un multiplicator.
Putem face copii pt. lucru cte dorim, ns nu dup etalon (nu se fac n
contact cu etalonul) ci de pe o alt plachet (masc intermediar).
Pt. circuitele VLSI nu se mai folosesc astfel de mti, deoarece L=1m i
n prezent n tehnologia VLSI L=0.18m.
Confecionarea FM pt. lucru
FM se fac pe baza peliculei de Cr. Cr se se vaporizeaz prin sublimare la
t=1100C.
Proprieti:
- Cr se deosebete prin faptul c o pelicul chiar foarte subire de Cr este
absolut nestrvezie (opac) pt. razele de lumin;
- pelicula de Cr se caracterizeaz printr-o adeziune foarte bun pe sticl.
O FM poate fi utilizat de 600-700 de ori.
Dac de ex. au ajuns bucele de Cr (exist aceast posibilitate) pe
suprafaa sticlei, n timpul operaiei de aliniere se vor rupe de pe sticl i vor
rmne nite guri prin care va ptrunde lumina.
nainte de a se utiliza sticla se finiseaz mecanic astfel nct bucelele s
dispar de pe suprafaa sticlei, i se trece la o nou vaporizare.
Odat creat FM facem un proces de fotolitografie
masca funcionabil.
22
Este greu s se fac alinierea cnd pe masc avem foarte multe elemente
opace i ca urmare au aprut FM colorate pe baz de Fe
2
O
3
care are aceeai
adeziune bun pe sticl, dar care ns nu dau drumul la razele UV , ns las s
treac spectrul vizibil.
Dac desenm coeficientul de absorbie k:
Toate procesele de fotolitografie conduc la elemente cu detalii minime:
l
min
=1.1m (deoarece lungimea de und cu care se face exponarea este de 0.45
A
V
150
, [V]=voli.
Dac :
'
A V V
A V V
1 . 0 1500
1 150
A 6
A
.
n calitate de rezist sensibil la fluxul de lectrini se folosete substana
organic polimer PMMA=polimetilmetacrilat (plexiglas-sticl organic).
De ex. avem o plachet pe care avem o PMMA i avem i o masc pe care
cade un flux de electroni, care au o anumit energie (de ex. 15KeV).
Datorit fluxului secundar expunerea va fi mai mare i n acest rezist are
loc distrugerea legturilor moleculare.
Noi putem focaliza un flux de electroni foarte bine astzi cu =0.1m.
Exist dou sisteme cu fascicol electronic pt. litografie:
a) sistem cu scanare;
b) sistem cu desen ivit simultan pe toat suprafaa.
23
a) Sistem cu scanare
Dac se dorete obinerea mai rapid a aceluiai rezultat:
Fie o sticl de cuar. Pe aceast sticl se depune consecutiv un strat de titan
(Ti) care are o foarte bun adeziune pe sticl i n plus nu emite electroni prin
fotoemisie. Prin oxidare anodic pelicula de Ti se transform n TiO
2
. Dup
aceasta cu ajutorul litografiei cu fascicol electronic de scanare se formeaz
desenul viitoarei mti (dimensiunile sunt submicronice). Apoi pe suprafaa
mtii se depune peste tot o pelicul de paladiu (Pd).
Tot acest sistem se numete fotocatod.
Aplicm un potenial i electroni sunt poziionai spre plachet iar unde
cade fluxul de electroni are loc i exponarea suprafeei peliculei de PMMA. n
acelai fel se obine rapid o masc.
Deoarece sistemul este n vid alinierea nu se mai face ca pn acum. Nu se
poate pune microscop pt. a vedea semnele de pe placue, ca urmare se va face
aliniere n regim automat. Sticla este ptrat i n fiecare col este o gaur pe
unde trece lumina. Gurile fcute cu ajutorul laserului sunt i pe plachet.
Alinierea va fi corect cnd lumina din sticl trece perfect prin gaura din
plachet. Acest rol este ndeplinit de un fotoreceptor:
24
Dou diode cuplate n opoziie. Cnd le iluminm fotocurentul:
( ) s R If 1
, unde R=coeficient de reflexie a luminii, =factor cuantic,
s=suprafaa iluminat.
Dac suprafeele iluminate sunt egale pe ccle dou diode
0 0 V If
.
Dac lumina cade mai mult pe primul contact, voltmetrul ne va arta
poziia fascicolui de lumin:
Ca s putem determina mai precis poziia s-a realizat urmtorul dispozitiv
(cu heterojonciuni):
Fia poate fi orict de mic
caracteristica:
Patru astfel de traductoare (care au caracteristica de mai sus) se folosesc pt.
aliniere cuplate prin elemente piezoceramice.
Litografia cu raze x
25
Razele x caracteristice apar de ex. ntr-un atom de Cu:
Razele x se formeaz din analizirul cu raxe x. Analizorul cu raze x lucreaz
astfel:
Se poate astfel determina componena chimic a oricrui corp n funcie de
componenta spectral.
Instalaia i principiul de lucru al litografiei cu raze x
Funcionare:
Filamentul se nclzete i din el iese electronii. Acetia nimeresc pe inta
de Al, avnd potenial de 20KV. n unele instalaii se ntrebuineaz inta sub
form de octaedru, care n timpul lucrului se rotete (electronul avnd o energie
26
att de mare cnd ajunge pe int poate s o topeasc) pt. a se ciocni pe mai
multe fee (n centru este ap pt. rcire).
Micarea electronilor se face n vid, de unde trebuie s ias prin fereastra
din Be n aer. Ca urmare din vid ies razele x, prin fereastra din Be (material care
nu absoarbe razele x). Masca n acest caz este un material subire i care nu
absoarbe razele x dect n zonele opace. Trebuie s existe ns un material care
le absoarbe.
Aceast masc poate fi realizat din membrane de SiO
2
:
Particularitile acestei litografii
Nu putem obine elemente cu dimensiunile precise la nivelul de (precizie
la aproximativ 1.09m). Cuantul de energie cnd se absoarbe poate distruge
polimerul PMMA pe lturi.
Apar unele probleme datorit faptului c este att de mic i nu putem cu
ajutorul lentilelor s focalizm aceste raze x. Aceste raze x cad pe PMMA ca un
flux ce se mprtie divergent i apar erori de formare a desenului: 1- erori
geometrice (semiumbr);
2- erori a cror valoare
depinde de poziia elementului pe suprafaa palchetei.
1-
2-
27
Placheta are diametrul de 200nm, dar fereastra de Be nu se poate face aa
mare i nici membrana
cm N
Al
S
din pelicula de Al
de 1m ar putea difuza n Si o concentraie de 10
18
cm
-3
iar concentraia
electronilor n colector:
( )
3 16
10
cm N
C e
.
Dac nu am avea stratul puternic dopat la C (n
+
-10
20
cm
-3
) s-ar forma o
diod (o jonciune pn) la contactul cu colectorul (nu ne trebuie).
Vedere de sus a TB de mic putere:
Acum se face tratamentul termic pt. a nu se deschide contactele (se topete
puin din Al pt. a se lipi de Si).
Analizm construcia unui TB de putere mare:
29
Dac TB are dimensiunea =200x150m
o putere de 2535mW.
TB pt. circuite TTL (multiemitor 6E):
Analog se pot face TB cu multe colectoare, dar acestea nu sunt bune.
Metode de izolare a TB n CI
Izolarea poate avea loc:
1) cu ajutorul jonciunii polarizate invers:
a) tehnologia standard;
b) izolarea cu ajutorul colectorului;
c) izolarea cu ajutorul bazei;
d) metoda a trei fotomti (3 FM);
2) cu ajutorul dielectricilor: procesul epic;
3) izolarea combinat: procesul VIP i procesul IZOPLANAR.
1) a) Tehnologia standard: se utilizeaz n proporie de 75% din toate CI
cu TB.
A) Se ia placheta iniial cu orientaia (111) Si DB
cm 10
:
(operaia de splare se face dup fiecare corodare,etc (nu o vom mai
preciza))
30
B) Oxidarea termic a Si (n O
2
uscat, O
2
umed, O
2
uscat):
C) Prima fotolitografie (folosim prima FM):
D) Facem difuzia de tipul n
+
: difuzia P din PCl
3
+O
2
pt. stratul ngropat, pe
care l facem la o adncime de 3.5m, ns acum l facem la 0.3m pt. c dup
urmtoarele operaii acesta va ajunge la adncimea dorit (3.5m):
E) nlturare lui SiO
2
prin introducerea plachetei n HF:
F) Cretere epitaxial a peliculei de tip n timp de 610 min. la 1200C:
G) Oxidare termic + fotolitografie:
H) Difuzia de tip p
+
, de izolare, care se face n dou etape:
- predifuzia;
- difuzia propriezis.
31
Dac de ex. facem difuzie dintr-o surs semiinfinit, cu ct densitatea este
mai mare cu att capacitatea de barier va fi mai mare i frecvena de
funcionare a TB scade.
I) Oxidare termic, fotolitografie, difuzia bazei de tip p (Bor):
- fr s mai ndeprtm SiO
2
de mai nainte, dar nu mai desenm diferena
de nivel a SiO
2
:
Baza se formeaz cu ajutorul difuziei n dou etape, pt. ca concentraia pe
baz s nu fie prea mare pt. c altfel nu mai putem face emitorul cu concentraie
mai mare.
J) Oxidare, fotolitografie, difuzia pt. emitor i colector de tip n
+
:
Tranzistoarele npn au o frecven de lucru mai mare i din aceast cauz se
folosesc mai mult.
K) Oxidare, fotolitografie (ferestre de contact) i depunerea Al pe toat
suprafaa:
L) Fotolitografie pt. nlturarea Al care nu ne trebuie:
32
M) Depunerea lui SiO
2
n plasm pt. pasivizarea circuitului i o
fotolitografie pt. desciderea suprafeelor de contact.
b) Metoda de izolare cu ajutorul colectorului
1) n corespundere cu tehnologia standard (A, B, C, D, E) s-a ajuns la
ceterea peliculei epitaxiale de tip p:
2) Oxidare, fotolitografie, difuzia impuritii n
++
care s fie n contact cu
stratul ngropat n
+
'
12
4 5 . 2
2
Si
SiO
fotolitografie,
corodare:
Obs! V ajunge pn la plachet.
3) nlturarea FR lui , oxidare termic:
Dac se face fotolitografie acum i difuzie (1200C) pt. a forma
tranzistorul, FR care se va folosi va cdea n aceste V uri , iar la 1200C (pt.
difuzie) NO arde i ca urmare se stric tranzistorul. Pt. a evita acest lucru
depunem mai nti un strat de poliSi.
4) Depunem o pelicul de poliSi:
Pelicula de poliSi nu se crete groas, deoarece gropia sub form de V se
umple mai repede (din ambele pri).
5) lefuire: se lefuiete pn scpm de gropie:
Scopul tuturor acestor noi tehnologii este de a face tranzistor standard, dar
cu izolare mai bun.
6) Prin tehnologia standard:
38
Acest tip de tehnologie este tot complicat, dar mai puin ca cea EPIC.
Tehnologia IZOPLANAR (cea mai performant)
1) Structura iniial este ca n tehnologia standard:
Obs! Se ine cont c creterea oxidului are loc att la suprafaa plachetei ct
i n interior.
2) Fotolitografie, corodare:
Obs! Se corodeaz pn la jumtate din grosimea stratului epitaxial.
3) nlturarea FR lui i oxidare adnc:
Oxidm adnc, atomii de O
2
ptrund adnc iar atomii de Si se ridic la
suprafa umplnd gurile. Oxidarea fiind adnc ajunge pn la nivelul stratului
ngropat (un pic mai jos).
4) Prin tehnologia standard rezult tranzistorul.
Nu este att de scump aceast tehnologie ca celelalte (costul a crescut
datorit oxidrii mai ndelungate).
Toate celelalte elemente ale circuitului se fac simultan cu tranzistorul.
5 tipuri de conectare diodic a tranzistoarelor n CI
n CI nu este nevoie de a se confeciona diode speciale. Diodele sunt
aceleai structuri ale tranzistoarelor (BE, CB, EC) conectate diodic.
39
Seciune prin schema 2)i vedere de sus:
Parametrii diodei: - tensiunea de strpungere;
- capacitatea.
Cum se comport fiecare schem la tensiunea de lucru ce este un pic mai
mare dect tensiunea de strpungere:
U
lucru
Capacitatea-C
p
Schema 1: E este puternic
dopat
U
lmax
=5V
1000 pF/mm
2
Schema 2: 15V 300 pF/mm
2
Schema 3: 5V 1300 pF/mm
2
Schema 4: 5V 100 pF/mm
2
Schema 5: 15V 300 pF/mm
2
Cap.4 Construciile i calculul elementelor n circuitele
integrate
Construciile i calculul rezistoarelor difuzionate (formate prin difuzie)
n CI
n principiu pt. confecionare rezistorului se poate folosi orice regiune a
tranzistorului (regiunea emitorului, a colectorului, a bazei). ns mai des se
utilizeaz regiunea bazei.
Parametrii rezistorului:
- rezistena (
K ,
) R
i
;
- puterea de disipare (pe care poate disipa) P
i
;
- precizie -
R
R
;
- coeficient termic de rezisten -
t R
R R
t
R
0
0
;
40
Considerente din care se alege baza pt. constucia rezistorului:
- fie un semiconductor de tip n;
- purttorii de sarcin (electronii) cu o concentraie oarecare n
0
;
Dc semiconductorul se nclzete, se poate excita un electron i trece din
banda de valen n banda de conducie
se mrete concentraia
electronilor: n
0
+n.
Cnd crete, scade (la nclzire se micoreaz).
Cum se schimb rezistena unei buci de semiconductor cu temperatur,
avnd n vedere c:
Tiem o bucat de la emitor i colector, de semiconductor i ncepem s
nclzim; R
E
este mai mic deoarece concentraia este mai mare i R
C
este cea
mai mare pt. c are concentraia cea mai mic.
Surplusul de nrctur n este egal peste tot.
R
E
este ct. iar R
C
se schimb puternic cu temperatura
pt. colector:
mic .
n regiunea emitorului se pot implementa rezistoare cu valori de pn la
zeci de (rezisten mic / suprafa). n regiunea colectorului nu se
implementeaz rezistoare deoarece n aceast zon parametrul [R/S] are
coeficient de variaie cu temperatura. De aceea se folosete regiunea bazei pt. c
rspunde mijlociu cerinelor de temperatur i rezisten.
Desenm un rezistor cu utilizarea regiunii bazei:
41
De obicei n CI se dorete ca orice rezistor s fie aezat ntr-o insul izolat
comun.
Pt. ca rezistorul s fie izolat trebuie ca ntr-un punct al regiunii izolate s
avem un potenial pozitiv. De aceea rezistoarele trebuie s fie toate la un loc ca
s avem numai un singur fir la care s fie potenial pozitiv i nu cte un fir pt.
fiecare rezistor.
Diferite construcii de rezistoare:
Pt. a proiecta topologia acestui circuit:
- se analizeaz circuitul i se calculeaz puterea de disipare a fiecrui
rezistor;
- intereseaz i toleranele (n cel mai bun caz putem lua R/R=20%);
- T= intervalul de temperatur de exploatare a circuitului integrat=
[-20C+40C].
Avnd aceti parametri, putem proiecta fiecare rezistor n cadrul CI (se
determin dimensiunile geometrice).
Pt. calcule se introduce o nou valoare: rezistivitate specific pe suprafa.
42
Toate rezistoarele formate n cadrul unui circuit au aceeai adncime
(adncimea este ct. pt. toate rezistoarele).
(2)
h
s
, (1), (2)
b
l
R
s
(3), unde
S
-rezistivitate la suprafa.
Dac n relaia (3) facem l=b
; (4) K
f
=
b
l
=coeficientul de form,
f
K
s
R
(5) formula pt.
determinarea rezistivitii.
Se tie c
S
pt. baz este:
( )
patrat
B
s
300
.
Dac de ex. avem nevoie ca R
i
=3
10
f
K K
(l=10b).
Obs! Puterea de disipare este direct proporional cu mrimea rezistorului.
Trebuie s gsim mai nti limea rezistorului pt. ca s ne satisfac
cerinele de: putere, toleran:
{ } ) 6 (
) (utere)( ) ( (precizie) ) (nologie)( (culat)
b , b , b max b
m m m 7 5 3 p teh cal
b
teh
=limea minim a rezistorului care poate fi confecionat astzi ,
reproductibil=3m.
b
=cu ct este mai mare limea rezistorului cu att este mai precis.
Din (4)
) 7 (
b l
0.1m = ui rezistorul lor dimensiuni a absolute erorile = b = l
f
f
K
K
,
_
,
_
b
K
l
b b
K
l
b
1
K
K
f
f f
f
f
f
f
K
b
b
l
l
K
K
- formula pt.
determinarea limii maxime a rezistorului care satisface cerinele de precizie.
Dar din (5)
s
f
R
K
) 8 ( , T
K
K
R
R
R
f
f
s
s
+
, unde
R
=10
-4
[C]
-1
, T- ales din
proiectare, i rezistena se poate schimba dac T se schimb, R/R=0.2,
S
/
S
=0.050.1=eroarea relativ a rezistivitii specifice (depinde de
concentraia la suprafa, stabilitatea temperaturii, adncimea jonciunii)
T
R
R
K
K
R
s
s
f
f
) 9 (
nu trebuie s rezulte valoare negativ.
(7), (9)
b
.
Trebuie s aflm b
p
:
S
P
P
i
0
puterea disipat de o unitate de suprafa a
Si=0.53
2
mm
W
(se alege valoarea funcie de capsul: din plastic -
2
0
5 . 0
mm
W
P
, metalic -
2
0
3
mm
W
P
, cele din ceramic, sticl se situeaz n intervalul [0.5
3].
43
) 10 (
2
) 4 (
0
f 0
i
p
K P
P
b
p f
i
p
i i
b K
P
b l
P
S
P
P - formula pt. determinarea limii
rezistorului ca s ne satisfac cerinele de disipare a cldurii.
Dup ce am gsit cu ct este egal b
cal
f cal
K b l
- n acest fel putem
determina limea rezistoarelor dreptunghiulare.
Rezistor de tip meandru:
pt. R=30 K
K
f
=100,
s
(B)=300
patrat
.
Meandrul trebuie comprimat, altfel va ocupa aproape toat suprafaa chip-
ului.
Se mparte n segmente de tipul Z. n cazul nostru avem 3Z=n=nr. de
segmente sub forma Z; l
mij
=lungimea liniei ce trece prin mijlocul rezistorului.
( ) b a n L +
(1)
( ) B a n l
mij
+
(2)
n
a n l
B
mij
(3)
Dac L=B (rezistorul ocup cea mai mic suprafa dac el este nscris ntr-
un ptrat) ( ) ( ) 0 l a n b a n
mij
2
+ +
+
n
a n l
b a n
mij
=b
2
-4ac=a
2
-4(a+b)l
mij
( )
( )
b a
l
b a
a
b a
a
b a
l b a a a
a
b
n
mij
mij
+
+
+
t
+
+
+ + t
t
2
2
2
2 , 1
) ( 4
) ( 2
2
4
2
Notez:
1 ) 1 ( 4 ) 1 ( 2
2
2 , 1
+
+
+
+
+
y
b
l
y
y
y
y
n y
b
a
mij
, primii doi termeni au
valoare mic i putem s-i neglijm
1 1
/
+
y
K
y
b l
n
f mij
, ns adesea a=b
7 50
2
K
n
f
segmente (pt. K
f
=100).
De ex. calculai un rezistor meandru:
R
i
=28 K
4
0
0
10
t R
R R
t
R
P
i
=5 mW T=(-2040C)=60C
R
R
20%
44
m
a n l
B
m n a b a n L
m K b l
m
mm
W
mW
m
T
R
R
K
K
segmente
K
n
patrat
K R
K
mij
f mij
R
s
s
f
f
f
s
i
f
123
7
860
7
70 930
2
140 7 10 2 2 ) (
930 93 10
10
5 . 46
10 5
93 5 . 0
5
K P
P
b
1
1 . 0
1
1 . 0
3 . 0
1 . 0
K
K
b
K
l
b
1 . 0 10 60 1 . 0 2 . 0
7 46
2
93
300
28
3
2
f 0
i
p
f
f
f
,
_
,
_
n final:
50
Cu o operaie n plus s-a mbuntit semnificativ performanele.
Caracteristica de ieire i caracteristica de transfer:
Cap.5 Tehnologia circuitelor integrate hibride (CIH)
Exist dou tipuri de CIH:
- cu pelicul subire (cteva sute de );
- cu pelicul groas.
Deosebirea principal const n modul de confecionare a acestor circuite.
Un CIH este un suport dielectric pe suprafaa cruia sunt depuse elemente pasive
(rezistoare, condensatoare, bobine, trasee de interconectri) cu unirea de mai
departe a elementelor active (diode, tranzistoare, chip-uri). Prin metodele de
astzi se depun elementele pasive i apoi se conecteaz cele active. Plcile de
cablaj imprimat au doar trasee i pe acestea se conecteaz elementele.
n principiu peliculele subiri se depun prin vaporizare termic n vid, prin
pulverizarea n plasm(metalice (conductoare), rezistive, dielectrice).
Configuraia acestor pelicule se face cu ajutorul mtilor.
La baza CIH cu pelicule groase stau aa numitele paste (past conductoare,
rezistiv, dielectric). Aceste paste conin materiale deficitare: Au, Pt. Principala
problem este c aceste paste nu se depun n vid i se pot depune n atmosfer,
deoarece CIH sunt cele mai ieftine circuite. ns avnd n vedere c sunt
confecionate pe suport dielectric, deci au capacitatea dintre elemente mic, de
aceea pot funciona la frecvene mai nalte dect CI monolite.
Suportul pt. CIH. Metode de purificare i control
Cerine fa de suportul CIH:
- suportul nu trebuie s conin pori, pt. c la depunerea n vid a
peliculelor, din aceti pori se poate degaja aerul absorbit pt vid;
- suprafaa trebuie s fie destul de neted pt. a putea folosi procesele de
fotolitografie;
51
- materialele suportului trebuie s aib o rezistivitate mare pt. izolarea
elementelor;
- suportul trebuie s aib o conductibilitate termic nalt pt. a disipa
cldura de la elementele circuitului integrat;
- materialul trebuie s fie ieftin pt. a produce circuite n mas.
Materiale folosite pt. suporturi:
- sticla (dar este destul de fragil i conductibilitatea termic nu este att
de bun);
- 96%Al
2
O
3
(4% ali oxizi) aceste suporturi pot avea dimensiuni: 96/120
sau 48/60.
- Be
2
O
3
cel mai bun suport, deoarece are o conductibilitate termic
foarte bun i
cm
18
10
i corespunde tuturor cerinelor, dar nu se
folosete pt. c Be este o substan otrvitoare (culoare rou nchis);
- astzi se folosesc suporturi din duraluminiu, pe suprafaa cruia se
depune o pelicul groas de Al
2
O
3
.
Confecionarea suportului
De ex. dac avem 96%Al
2
O
3
i exist fire de praf pe suprafa, Al
2
O
3
se
amestec, se toarn ntr-o form de sticl, se usuc i se arde la 2200C.
Alt metod este prin presare la presiuni de 5080atm.
Purificarea suportului cu ultrasunete
n condiii de uzin ntr-un vas se pune placheta i apoi se toarn o
substan organic (aceton). Vasul l punem pe o msu conectat la un
generator de ultrasunete. n acest vas se formeaz nite vibraii care corodeaz
de pe suprafaa plachetei impuritile.
Bazele fizice a vaporizrii termice n vid
Orice substan are o anumit presiune la temperatura dat:
52
- presiunea vaporilor saturai:
T
B
A p
, A, B = ct.-e ale substanelor,
T[K]=temperatura.
Principala problem cnd se face vaporizarea este c substana trebuie s
fie dispersat pn la starea atomic. Pt. a nu se forma aa ceva se pune o
membran (plac) magnetic deasupra care s nu permit substanei s ias pn
nu se nclzete toat (pn la vaporizare):
- lungimea parcursului liber al atomului=lungimea maxim pe care o
poate parcurge atomul fr ciocnire.
p= 10
-2
mmHg=presiunea condiional de vaporizare.
Dac >> R
vid nalt;
Dac R
vid mijlociu;
Dac < R
,
p
0
=presiunea vidului; dac p
0
=10
-4
mmHg
=50cm.
Nu avem rezultate bune dac apropiem plcua de vaporizator, deoarece
pelicula depus pe suprafaa suportului nu este uniform peste tot:
Atomul vaporizat cnd ajunge pe placht se poate mica pierzndu-i
energia i unde ajunge, ntr-o groap potenial, i formaz dou legturi cu
suportul i rmne acolo.
53
Pelicula cu mai multe clustere are rezistivitate mai mare.
Cel mai simplu vaporizator:
Astfel de materiale sunt: Wolfram, Tantal.
Noi putem vaporiza substane sub form masiv, dar nu putem vaporiza
substane sub form de praf cu acest tip de vaporizator.
Vaporizatoarele se mpart n:
a) cu nclzire direct;
b) cu nclzire indirect.
Cu vaporizatoarele cu nclzire direct se pot vaporiza materiale sub form
de praf (trece curent prin materialul vaporizator).
Materialul vasului ns nu poate fi dielectric (pt. c se topete) i se
utilizeaz grafitul care rezist la temperaturi mai mari de 2000C i asfel putem
vaporiza orice substan care se afl direct n contact cu vaporizatorul.
Dac n vaporizator exist impuriti acestea vor intra i n pelicula depus.
Pt. a se depune pelicule absolut curate se folosete vaporizatorul cu fascicol
electronic:
54
Cu asfel de vaporizatoare putem vaporiza substane cu temperatur mare de
vaporizare obinndu-se astfel substane cu grad nalt de puritate.
Obs! Pt CIH este necesar vaporizarea aliajelor. De ex. Ni+Cr la
T=1000C, presiunea Cr este P
Cr
10P
Ni
(presiunea vaporilor saturai ai Cr lui
este mai mare de zece ori dect ai Ni - lui). Deoarece aliajul 80%Ni+20%Cr
dup vaporizare nu-i mai pstreaz compoziia (mai nti se depune Ni apoi Cr)
la A se va depune
materialul de la C:
Exist dou teorii pt. procesul de pulverizare:
I teorie:- teoria clasic ce nu poate lmuri toate aspectele problemei;
- ionul nimerind pe suprafaa intei i cedeaz acestei energia i inta local
se nclzete pn la topire i mai departe are loc vaporizarea. Practic dac am
nclzi catodul ar crete randamentul, ceea ce nu s-a ntmplat.
II teorie: - pulverizarea are loc prin mecanismul impulsurilor (biliard)
se
schimb vitezele la ciocnire, precum i direcile de micare.
Acest mecanism poate lmuri oarecum rezultatele experimentale obinute.
Dac vom desena coeficientul de pulverizare, ce reprezimt nr. de atomi
smuli din C sub aciunea unui ion, n dependen de potenialul aplicat U(V):
57
Cu ct se mrete potenialul de accelerare cu att mai muli atomi pot fi
smuli din int (K mare). La un moment dat K se micoreaz (chiar dac se
mrete energia) i ionul se poate implanta n interiorul intei la energie mare.
S-a obinut pt. viteza de pulverizare urmtoarea formul:
( )
D P
J U U K
v
cr
,
unde U-U
cr
= potenialul aplicat , J=densitatea curentului [A/cm
2
],
P=presiunea gazului inert n tub, D= distana dintre A i C.
X
X
h =grosimea peliculei;
] [ 275 . 0 550 . 0 m
X
X
h m
verde
- aa se calculeaz grosimea
peliculei.
Se folosesc diferii traductori (pt. msurarea grosimii), aparate de msur
ce trebuie s msoare diferite grosimi ale peliculei precum i viteza de depunere
a peliculei.
Efecte fizice ce stau la baza acestei metode de msurare:
a) efectul ionizaionic;
b) efectul de rezonan;
c) efectul rezistiv;
d) efectul capacitiv.
a) Msurarea vidului are loc cu ajutorul efectului ionizaionic:
Electronii din catod se duc spre anod i ionizeaz gazul rezidual din
traductor i se duc pe colectorul de ioni
deformare la creterea
temperaturii. Soluia este de a depune i pe cealalt parte a bronzului o pelicul
de Ni
patrat h
s
.
Dac n circuitele monolitice foloseam pt. construirea rezistoarelor baza
tranzistorlui, aici putem confeciona rezistorul n cadrul unui CI din mai multe
materiale (aproximativ trei, dac sunt mai multe va trebui mai multe mti
patrat
R
R
n
i
i
n
i
i
Soptimal
1
1
1
(1) ,
{ }
teh P cal
b b b b , ,
;
pt. l > b:
f
i
P
K P
P
b
0
(2) , pt. l < b: alt formul;
f
f
f
K
K
K
l
b b
,
_
+
(3).
Deosebirea principal este c tim K
f
:
s
f
R
K
;
l, b= erorile absolute geometrice 0.1m la fotolitografie o t2m cu
mti.
( ) T
R
R
R
R
K
K
R
R
R
imb c f
f
s
s
+
%) 5 3 ( % 3 2
, unde R
c
=R
contact
i
R
mb
=R
mbtrnire
.
T
R
R
R
R
R
R
K
K
R
imb
imb
c
c
s
s
f
f
;
2l K b l
f cal
+
.
Toate calcilele de pn acum s-au fcut pt. K
f
10. Dac este mai mare nu
se mai fac rezistori ca n fig.1, ci sub form de arpe sau meandru.
Rezistorul meandru trebuie s ndeplineasc anumite cerine:
10
'
'
b
l
.
Masca pt. acest rezistor:
66
Materiale pt. rezistoarele peliculare i metodele de depunere
Un rezistor pelicular reprezint o pelicul subire de aproximativ 500
700 la care sunt dou contacte dintr-o pelicul destul de groas (mai mare de
1m). Trebuie cunosut faptul c dac pelicula are o grosime h 1000=0.1m,
atunci pelicula are
pelicul
=
monolit
[rezistivitatea specific].
h b
l
R
; coeficientul
t R
R R
t
R
0
0
pt. metale.
Dac pelicula are cteva sute de atunci rezistivitatea se mrete fiindc
se micoreaz lungimea drumului liber parcurs al electronilor datorit disiprii
lor la grania peliculei i a gruncioarelor monocristaline.
Deci, dac avem
100 n h
, atunci
pel
>
minolit
i
R
=0.
n pelicule la care grosimea
10 n h
rezistena se mrete cu cteva
ordine de mrime: monolit
n
pel
10
i
R
< 0 (ca n semiconductor).
Exist multe materiale din care se pot confeciona rezistoare. Unul din
primele materiale utilizate pt. realizarea rezistoarelor a fost Cr, care are o
adeziune foarte bun (pe sticl sau pe suprafa ceramic). Pelicula de Cr cu
grosimea
100 n h
are
monolit pel
100
.
Depunerea Cr-lui
Obs! Cr este un material care se vaporizeaz prin sublimaie la
T
vaporizare
=1000C, iar T
topire
=1600C.
Aceste rezistoare au ns un grad de reproductibilitate foarte sczut,
deoarece Cr poate intra foarte uor n reacie chimic cu O
2
(rmas n sistemul
cu vid), formnd :
'
+
3 2
2
2
O Cr
CrO
O Cr
.
Datorit acestui fapt peliculele de Cr nu dau rezisten reproductibil i a
fost scos din uz.
Un alt material (aliaj) este: Ni+Cr care d rezistene reproductibile i
putem obine rezistene n intervalul:
cm M 350 150
. Dar acest material la
vaporizare termic la T=1200C , presiunea vaporilor saturai
Ni Cr
P P 10
se
vaporizeaz mai nti Cr i apoi Ni
20 200
i
grad
R
1
10
4
.
Configuraia acestor rezistoare este format adesea cu ajutorul
fotolitografiei:
Urmeaz prima fotolitografie i nlturarea unei pri de Al:
A doua fotolitografie (se nltur MoSi
2
):
Tratamentul termic la T 550C, timp de 1015 min. pt. ca o parte din
material s se oxideze i gruncioarele s se mreasc (ca o structur
policristalin).
Pt. pelicula de Cr-Si
2
:
69
Construciile condensatoarelor n CI cu pelicule subiri
Cea mai simpl i cea mai utilizat construcie a condensatorului este:
n topologie:
Dac este nevoie de condensator cu capacitate de pn la 2pF:
Condensator pe baza Ta:
Dm un potenial pt. ca pelicula s se oxideze
aceast operaie se
numete oxidare anodic.
70
Apoi se face placa de sus:
S-a folosit Au pt. contacte pt. c condensatorul are dielectric din Ta
(rezistiv)
0
, unde
0
=1, -
permitivitatea dielectric, S-suprafaa de suprapunere a plcilor, d-grosimea
dielectricului.
Capacitatea specific a condensatorului:
1
]
1
2
0
0
mm
pF
d S
C
C
.
Cu ct d este mai mic cu att C
0
este mai mare. ns d nu poate fi foarte mic
datorit tensiunii de strpungere.
Tensiunea de strpungere:
1
]
1
mm
V
d
U
E
str
str .
Pt. ca un condensator s lucreze bine trebuie ca: U
lucru
< U
str
d E U U
str str lucru
,
8 . 0
.
De ex.
cm
V
E
SiO
str
6
10
2
putem depune o pelicul de SiO
2
de 0.1m;
V U
m
V
SiO d E
str str
SiO
10 100 ) 1 . 0 (
2
2
.
Grosimea maxim a dielectricului este limitat de coeficientul dilatrii
temice (ce este diferit de la dielectric fa de metal i dac acesta este mai mare
de 1m ar crpa).
Primul material folosit pt. condensatoarele monolitice a fost SiO (sub
form de praf) ce poate fi depus prin vaporizare n vid astfel:
Dac lum materialul:
Material C
0
[F/cm
2
]
SiO 56 0.010.5
SiO
2
3.54 0.0040.02
Al
2
O
3
10 0.030.08
Ta
2
O
5
212
5
0.10.15
De ex. dintr-o suprafa de 1cm
2
de SiO poate rezulta un condensator cu
capacitatea de 0.5F care ns ocup o suprafa foarte mare i se vor folosi n
concluzie condensatori discrei.
Dac avem, n concluzie, condensatoare cu capacitate mare putem folosi n
cadrul CI condensatoare discrete care pot ocupa o suprafa mult mai mic.
n CIH este raional de a folosi condensatoare cu capacitate pn la 300pF.
72
Materiale pt. conductori n CIH
Nu putem folosi n CIH un singur metal pt. a face conductori.
Metal
] [ cm
1000
1
]
1
patrat
s
Cu 1.6 0.2
Au 2.4 0.27
Al 2.8 0.33
Pd-Au 21 3
Ti 55 10
Ni+Cr 100 15
Dei este cel mai bun conductor, Cu curat nu poate fi folosit n CIH pt. c
are adeziune slab pe plachet i pt. c are tendine s se oxideze n timpul
procesului.
Cu am putea s-l folosim dac sub stratul de Cu punem un strat de Ti sau
Ni+Cr (ce au adeziune mai mare), i pt. ca Cu s nu se oxideze deasupra mai
punem o pelicul de Au
1 10
. Aceste paste le punem n
funcie de cerinele de temperatur.
6) ajustarea la nominal;
7) conectarea elementelor active;
8) ajustarea funcional (din aceste circuite de ex. nu putem realiza un
procesor pt. calculator ci pot fi folosite pt. altele (amplificatoare); prin
ajustarea funcional putem mri capacitatea condensatorului);
9) testarea: schemele se testeaz nainte de a le separa de pe plac;
10) separarea CIH;
11) ncapsulare;
12) testare;
13) depozit.
Timpul de realizare a acestor CIH cu pelicul groas este mult mai mic fa
de cele cu pelicule subiri.
Proiectarea topologiei: cum trebuie s fie aezate elementele pe suprafa
astfel nct s nu ocupe prea mult. Trebuie s tim cte rezistoare avem i din
cte paste vom confeciona aceste rezistoare (putem s le realizm din trei tipuri
de paste care se deosebesc prin
s
). Trebuie s tim puterea de disipare a fiecrui
rezistor.
Suprafaa rezistorului: S[mm
2
]=0.012 P
utere
[mW]
0
; grosimea dielectricului n cazul de fa nu este o
problem, are cel puin 10m (satisface perfect cerinele de tensiune de lucru).
Dac tim pt. past (care se poate schimba ntre 10100) putem
determina S.
Dac de ex. avem n circuitul integrat un condensator 300 pF n locul
acestui condensator putem pune un condensator discret de de civa F.
Dac folosim n circuite i condensatoare discrete trebuie s tim animite
detalii.
Suprafaa ocupat de condensatoare:
n
C C C C
S S S S + + + ......
2 1
.
Suprafaa ocupat de elementele active:
n
A A A A
S S S S + + + ...
2 1
.
Dimensiunile suportului pe care va fi confecionat acest circuit:
A C R total
S S S S + +
total ort
S S ) 5 4 (
sup
pt. traseele circuitului integrat
ne trebuie suprafa mai mare.
76
Trebuie s aranjm aceste elemente astfel nct s nu apar ntretieri ntre
trasee, altfel mai trebuie s introducem nc dou operaii.
Confecionarea mtilor
Primul tip de masc, cea mai simpl:
Pe aceast sit se depune FR cu un pulverizator. Fotomasca se pune pe
suprafa plachetei i apoi se fac procesele obinuite (litografie, uscare)
scurtcircuit. Se mai
folosesc la bateriile solare pt. c acolo contactele sunt scurtcircuitate.
Pt. a stopa migraia ionilor n pasta de Ag se adaug Pd.
Pastele cu Au curat au neajunsul c au o adeziune nu prea bun pe
suprafaa suportului i Au din past se poate dizolva foarte uor n cositor.
Ag mai
Ag+Pd Vechi,
Au mai
Au+Pt scumpe
Au+Pd
Ni mai noi,
Al mai
Cu ieftine
78
Cele mai scumpe paste sunt cele din Au+Pt i Au+Pd ce au o adeziune
bun i nu se dizolv n cositor.
2) Materialul de legtur constant este sticla, n orice material poate fi
folosit astfel: SiO
2
, Al
2
O
3
, PbO
2
, Bi
2
O
3
.
n pastele conductoare aceti oxizi se folosesc n proporie de 5%.
4)Sunt formate din substane organice ce regleaz vscozitatea pastei i
legtura temporar.
Materialele 1), 2), 3) se amestec foarte omogen i se depune pe suport.
Pastele rezistive:
Erau formate din acelai material ca cele din care se formau conductorii.
Trebuie cunoscut precis ns concentraia acestor materiale:
Pastele dielectrice:
n ele se adaug praf de BaTiO
3
pt. a le crete (pn la 1000). n past se
afl aceeai sticl pt. a avea aderen bun pe suport.
Procesul de depunere a pastelor
Se depune cu o instalaie care are urmtoarea schem:
Exist dou metode de depunere:
79
1) cnd masca este n
contact cu suportul;
2) cnd ntre masc i suport
este o distan de 500 m.
1) cnd masca este n contact absolut cu suportul:
Pasta are proprieti ticsotropice, adic sub aciunea presiunii pasta i
micoraz vscozitatea i unde nu este acoperit cu FR trece uor prin ochiurile
sitei.
Avantaj: masca pe parcursul depunerii pastei nu se deformaz pt. c este n
contact direct cu suportul.
2)
Dezavantaj: aceast metod deformeaz masca.
Uscarea i coacerea pastelor
La nceput dup ce s-a depus, pasta are o configuraie n funcie de
configuraia sitei:
Aceast past depus nu o punem direct la uscat. Se las 20-30 min. s stea
i are loc scurgerea acestei paste pn se formeaz o suprafa neted.
Adesea procesele de uscare i coacere au loc n una i aceeai instalaie,
scopul uscrii este nlturarea din past a substanelor organice de legtur
temporar, iar scopul coacerii este majorarea adeziunii pastei pe suprafaa
suportului i formarea structurii interne a pastei.
Instalaia pt. uscare i coacere:
Distribuirea temperaturii pe lungimea cuptorului:
80
Dac nclzim prea mult vscozitatea sticlei scade i bilele plutesc n sticl,
ducndu-se apoi la fund
Pb + Co
2
(CO
2
vrea s ias din past i o
crap).
Suportul format din Al
2
O
3
poate intra n reacie chimic cu substanele din
past.
Cap.6 Tehnologia circuitelor VLSI
Elementele au dimensiuni micrometrice (0.12 m lungimea canalului
tranzisto-rului MOS).
Procese de baz:
- epitaxie din fascicol molecular;
- fotolitografia cu fascicol de electroni;
- corodarea n plasm;
- depunerea polisiliciului;
- procese de autoaliniere;
- confecionarea metalizrii multistrat (pn la ase straturi de metale).
Depunerea polisiliciului
Cea mai important utilizare a poliSi este la grila tranzistoarelo MOS.
PoliSi dopat poate fi folosit n calitate de contacte n CI. Deasemenea poliSi
poate fi surs de difuzie. Din poliSi se pot confeciona rezistoare precise.
PoliSi reprezint o pelicul cu foarte multe cristale mrunte orientate n
diferite direcii.
HCl Si H SiCl
C
+ +
1200
2 4
, dac acest Si se depune pe sticl:
n tehnologia de azi poliSi se depune la o temperatur mult mai joas:
81
Capcana poate fi astfel:
2
650 600
4
2H Si SiH
piroliza
C
+
- reacia de baz a depunerii poliSi-lui.
Metoda de cretere epitaxial (la presiuni mai mici ca presiunea
atmosferic).
Se d un flux ct. de SiH
4
i cu ajutorul robinetului se poate regla presiunea.
Cnd dopm poliSi (n acelai grafic presupunem temperatura i
presiunea=ct.):
82
Pt. c vitezele sunt mici i scad se face mai nti o cretere de poliSi curat
apoi o implantare ionic.
Tehnologia plasmei n circuitele VLSI
Plasma poate fi folosit pt. depunerea peliculei de SiO
2
, Si
3
N
4
, Al
2
O
3
din
plasm la temperaturi mai mici dect la oxidarea termic (500-600C).
Aceast depunere (n plasm) se folosete pt. a pasiviza suprafaa CI, n
general, sau pt. a face metalizare multistrat i trebuie s realizm izolaie ntre
contacte.
Putem depune i la temperatura camerei pe suprafaa plachetei.
n 1968 se folosete plasma pt. a nltura rmiele de FR de pe suprafaa
plachetei. ns la nlturarea FR-lui o parte din atomi totui rmneau pe
suprafaa plachetei (atomii de St care duceau la scurtcircuitarea ntre reelele de
contact).
Timp de 10 ani nu s-a mai folosit acest proces. S-a ivit apoi problema c s-a
nceput a se utiliza pelicula de Si
3
N
4
, pt. care nu exista un corodant pt. a fi
nlturat i s-a nceput corodarea acestuia cu ajutorul plasmei.
Datorit acestui fapt s-a nceput cercetarea corodrii cu plasm i ncepnd
cu anii 80-83 plasma a nceput s fie folosit pe scar larg pt. circuitele VLSI.
Plasma s-a folosit pt. a depune pelicule din: Pt, WF
6
, Mo.
Cum plasma este ioni+electroni
molecula WF
6
(sare de W- n stare
gazoas) se va descompune n: WF
5
+F sau WF
5
+F
-
.
Depunerea SiO
2
i Si
3
N
4
:
Se pot depune n plasm cu instalaia:
Procesele care au loc n plasm:
disociaie A
2
A+A
+
disociaie
+ionizare
SiH
4
SiH
2
+H+H
+
Procesul de depunere a peliculei are urmtoarele etape:
83
1) absorbia de ctre suprafaa plachetei a radicalilor i ionilor (de ex. O
2
O+O
+
).
Problema principal const n faptul c temperatura plachetei poate fi
temperatura de camer.
Molecula de SiO
2
poate fi format din:
'
+ + +
+ +
2 2 2 2 4
2 2 2 4
2 2 2
2
H N SiO O N SiH
H SiO O SiH
.
Viteza de depunere a lui SiO
2
depinde de puterea n W aplicat la reactor.
n practic s-a artat:
Metoda T[C]
depunere
Raportul
4
SiH
oxidant
Compoziie Viteza de
corodare
[nm/s]
Depunere n
plasm SiH
4
+O
2
300 3 - 4.5
SiH
4
+N
2
O 300 55 SiO
1.94
N
0.06
3.0
Reacie chimic
SiH
4
+O
2
500 1.5 SiO
2
6
Oxidare termic 900 1.5 SiO
2
1.7
Corodarea se face n: HF+NH
4
F (1/9). Pt a obine o corodare destul de bun
se folosete acelai corodant.
Obs! viteza de corodare scade
nu exist anizotropie
i corodarea ar fi ca un semicerc. n ultimul desen V
L
=0
A=1, predomin
viteza vertical.
Tipuri de corodare uscat:
- cea mai simpl:
pulverizare n plasm: inta sau catodul se bombardeaz cu
ioni i din int se desprind atomii (se pulverizeaz ct.);
corodarea uscat se poate face ntr-un sistem diodic sau
triodic.
Dar aici intereseaz i procesul de selectivitate (corodarea s se finalizeze
cnd ajungem la Si) care n acest caz este greu de obinut.
FR tot se bombardeaz cu ioni, tot se poate vaporiza;
Viteza de distrugere a FR este mai mic dect viteza de
corodare a peliculei de SiO
2
.
Primele corodri au avut loc cu utilizarea plasmei CF
4
(n plasma de Ar se
mai adaug un gaz de reacie). Acesta n plasm se descompune:
'
+ +
+
F F CF
F CF
CF
2
3
4
, atunci are loc bombardarea cu Ar i n jurul bombardrii (n
plasm) mai sunt i atomi de F
+ +
2 4 2
4 O SiF F SiO
n interiorul plasmei mai
are loc i reacia chimic ce mrete viteza de corodare a peliculei.
n acelai mod:
2 4 4
4
2 4
4
N SiF F SiN
SiF F Si
+ +
+
- plasm reactiv- plasma n care
are loc i reacii chimice
Rezultate experimentale:
- viteza de corodare la nite condiii constante a Si-lui n plasma care
conine XeF
2
(gaz), XeF
2
+Ar, Ar
+
:
85
Date experimentale:
Corodarea monoSi i a poliSi:
86
Corodarea Al:
Al se corodeaz n plasm de tipul: CCl
4
i BCl
3
.
Al are pe suprafaa sa Al
2
O
3
i pn nu se rupe aceast pelicul nu are loc
corodarea Al.
Date pt. proiect:
Material pt.
corodant
Gaz V
corodare
[nm/min] Selectivitatea
Material/F
R
Material/S
i
Material/SiO
2
Al, Al-Si, Al-
Cu
BCl
3
+Cl
2
50 58 35 2025
PoliSi Cl
2
5080 5 35 2530
SiO
2
CF
4
+H
2
50 5 20 2530
P.S.G. (sticl
fosforsilicat
)
CF
4
+H
2
80 8 32 2530
Procese de baz n tehnologia circuitelor MOS integrate pe scar mare
(VLSI)
Planarizarea i autoalinierea:
Pt. un circuit VLSI sunt necesare 1720 operaii de fotolitografie. Cnd
toate elementele circuitului sunt gata facem oxidare termic i deschidem
ferestre de contact n SiO
2
(le vom deschide prin corodare uscat).
Prima metod de planarizare a suprafeei plachetei nainte de a depune
contactele:
La ultima etap se depune un strat de PSG (Phosfor Silicon Glasse). n
atmosfer de O
2
are loc oxidarea termic, dar n acelai timp n reactor se d
87
drumul la PCl
3
( ) ( )
x x
O P SiO
1
5 2 2 sticl fosforo-silicat. PSG dac l nclzim
curge (are
)
2
topSiO top
T T
unghiul drept care deranjeaz dispare:
A 2-a metod de planarizare a plachetei (nu se poate folosi n VLSI):
A 3-a metod de planarizare:
A 4-a metod de planarizare: folosirea rinii poliimidice. Aceast rin
poate fi depus ca i FR i dup ce se nclzete la 300C aceasta se smulge
ar fi acelai nivel:
Neajuns: oxidul este mult i scade suprafaa de integrare i soluia ar fi ca
s punem i pe partea lateral a anului Si
3
N
4
i SiO
2
:
1)
2) depunem n plasm SiO
2
i Si
3
N
4
(ntr-un singur reactor):
3) n acelai reactor facem corodarea uscat (fr litografie): bombardm
suprafaa cu ioni
SiO
2
i depunerea lui S
3
N
4
n plasm:
3) pt. ca n cursul bombardrii s nu se strice Si
3
N
4
depunem n plasm
SiO
2
pe care l corodm asfel nct s rmn doar pe prile laterale:
4) corodare n plasm pt. nlturarea lui Si
3
N
4
de pe prileorizontale:
5) oxidare adnc:
95
Izolarea cu anuri de tipul V
1) fie o plachet de tip p-Si cu orientaia (100):
2) n plachet s-au realizat anuri prin corodare:
3) oxidarea termic:
4) depunerea poliSi-lui (h=100m):
5) se ntoarce structura invers (dup lefuire) conform tehnologiei EPIC:
Neajunsuri: procesul de lefuire este greu de fcut (datorit preciziei).
4) Izolarea cu ajutorul epitaxiei selective - are cele mai multe avantaje.
1) fie o plachet de tip p-Si pe care realiz m o oxidare de h=1m:
96
2) litografie (se deschide fereastr pt. noul tranzistor):
3) cretere epitaxial:
Nu putem crete pelicula pn la capt pt. c Si crescut se depune i pe
marginile gurii (le vom crete pe rnd peliculele).
Pt. a nltura defectele de la captul gurii:
HCl Si H SiCl + +
2 4 .
Se crete un pic de strat epitaxial dup care se d drumul la SiCl
4
i are loc
corodarea stratului de pe marginile gurii. Aceast operaie se repet de 1015
ori.
4)
1m de Si epitaxial este de ajuns pt. a se face n el un tranzistor.
Avantaje: - stratul p-Si epitaxial are mai puine defecte dect placheta
crescut prin metoda Czochalski;
- suprafaa este abolut plan.
Tehnologia PMOS standard
n aceast tehnologie se ia o plachet de n-Si cu orientaia (111) i cu
cm 5 5 . 3
.
1) aceast plachet se oxideaz:
97
2) litografie i depunerea lui B
2
O
3
(substan care la T=400C este lichid):
3) prin litografie se nltur SiO
2
gros (l lsm doar pe cel care nu este pe
cmpul tranzistorului):
4) creterea oxidului subire la o temperatur destul de nalt (900C)
B
se nfund n plachet i se formeaz BSG (Bor Silicon Glasse) deasupra B
2
O
3
ce poate fi ndeprtat uor:
5) litografie, deschidem ferestre de contact, prin tehnologia standard
tranzistorul:
Tehnologia PMOS actual
Conine tranzistorul cu canal iniial i cu canal indus.
1)
98
2)
3) litografie + difuzie din surs lichid-BBr
3
:
Reglm concentraia astfel nct s se creze o regiune p nu mai mare de
1m (limea p ~ V
TH
). B intr i n zonele p
+
dar nu le schimb proprietile.
4) litografie (nlturm oxidul gros de sub G)+ oxidare termic
un strat
de oxid subire:
5) litografie pt. ferestre de contact, depunerea Al, litografie pt. nlturarea
Al ce nu este necesar, pasivizarea, etc:
Tehnologia NMOS de baz
Cuprinde toate operaiile caracteristice VLSI:
- tehnica de izolare LOCOS;
- poliSi;
- implantarea ionic;
- tranzistori cu canal indus i cu canal iniial.
Se ia o plachet de tip p iniial cu orientaia (100) (sarcina acumulat n
oxid pe placheta (100) este mai mic dect pe (111)