ELEMENTE ACTIVE FOLOSITE LA REALIZAREA

CIRCUITELOR DIGITALE
Dioda semiconductoare:
Structura
Tipuri si caracteristici
Tranzistorul bipolar:
Stuctura
Functionare
Conexiuni
Caracteristici
Polarizare
Funcionarea tranzistorului ca amplificator
Clase de functionare

Analizarea elementelor active bipolare care intra in compunerea circuitelor

logice de tip transistor bipolar si diode bipolare. Analizarea urmatoarele
probleme:

Structura elementului amplificator;

Caracteristicile de intrare si de iesire;
Polarizarea si conexiunile tranzistorul bipolar;
Clase de functionare si functionare ca element amplificator.
lucrul in impulsuri a tranzistorului bipolar. Scheme de accelerare
si impiedecare de intrare in saturatie a tranzistorului bipolar

1.1.Dioda si tranzistorul bipolar

1.1.1. TIPURI DE DIODE SEMICONDUCTOARE
Dioda semiconductoare (sau mai simplu, dioda) are la baz o
jonctiune pn, jonctiune care se formeaz la contactul unei regiuni p cu o
regiune n a aceluiai cristal semiconductor.
Fig. 1. Simbolul si marimile electrice asociate
diodei; Sensul sagetii indica sensul de circulatie al
curentului prin dioda
Simbolul diodei din figura 1 este n esenta o sageata orientata de la zona
p la zona n a semiconductorului, sageata care arata sensul de referinta al
tensiunii si a curentului prin dioda.

DIODA REDRESOARE
O diod redresoare ideal are o caracteristic static ideal de forma

celei din figura 1.1, i se comport ca un scurtcircuit (rezisten nul) n sens

direct i ca un ntreruptor deschis (rezisten
(figura

1.3).

Simbolul

(acelai

cu

cel

infinit)
al

sens

invers

diodei semiconductoare,

sugereaz c dispozitivul conduce ntr-un singur sens, cel direct , indicat de

sgeat

Figura 1.1

Pentru verificarea diodei se utilizeaz un ohmetru ca n figura 1.3

a
Fig. 1.3 Verificarea practic a diodei semiconductoare:

a. polarizare invers- valoare mare a rezistenei;

b. polarizare direct-valoare nul a rezistenei.

DIODA STABILIZATOARE
Este cel mai ntlnit tip de diod. Este folosit n principal la

redresarea curentului alternativ, adic la obinerea curentului continuu din

curent alternativ
Aceste diode sunt destinate sa functioneze in regiunea tensiunii
de strapungere cu masuri de limitare a curentului astfel incat fenomenul
sa nu fie distructiv.

Fig. 1.4

Forma caracteristicii statice este cea a unei diode obinuite. Dac

se aplic o tensiune invers, la o valoare Vz, numit tensiune Zener, apare
fenomenul de strpungere, curentul invers prin diod crescnd

brusc.

Strpungerea este nedistructiv pentru c, datorit rezistenei din circuitul

exterior, curentului nu i se permite s depeasc valoarea maxim

admisibil Izm. n cazul diodei Zener nu apar efecte termice care s
produc strpungerea distructiv.
A
Uz
U
Regiune de funcionare normal

Fig 1.5

Se observ c, dac punctul de funcionare al diodei Zener

ramne n zona delimitat de un punct iniial cu valoarea curentului Iz1,
punct care marcheaz instalarea strpungerii i un punct cu valoarea
curentului Izm, tensiunea pe dioda Zener nu se modific practic, dei

curentul poate s se modifice n limite largi. Aceast zon se numete

regiune Zener sau regiune de stabilizare sau regiune normal de
funcionare.
A
Uz
U
Regiune de funcionare normal

Fig 1.5

DIODA TUNEL
La baza funcionrii diodei tunel se gsete efectul tunel. Simbolul diodei

este dat n figura 1.6. Dioda tunel se utilizeaz la construcia amplificatoarelor (n

domeniul microundelor) i la
construcia oscilatoarelor armonice (datorit rezistenei negative).
n anii 1950-1960 Leo Esaki a descoperit c prin mrirea concentraiei de
impuriti att n zona p ct i n zona n (jonciune de tip p+n+) se obine o regiune
de trecere foarte ngust n raport cu diodele obinuite. Caracteristica diodei tunel
este prezentat n figura 2.5

Fig. 1.6

Dioda tunel se caracterizeaz prin urmtoarele:

Curentul direct crete pn la o valoare de vrf Imax (2)dup care scade la o
valoare minim Imin (3) . Caracteristica continu cu o cretere suplimentar odat cu
creterea polarizrii directe (4-5).
La polarizarea direct caracteristica are o regiune de rezisten negativ
(poriunea 2-3 de pe caracteristic). La polarizarea invers dioda tunel nu are regim
de saturaie, ci are o rezisten intern foarte mic, ceea ce implic distrugerea
diodei n cazul aplicrii unei tensiuni inverse.

2
Imin

Imax
4
3

400mv
Fig. 1.7

DIODA DETECTOARE
Diodele detectoare se folosesc pentru demodularea semnalelor radio,
video etc. Funcia lor este asemntoare diodelor redresoare, dar semnalele
prelucrate au frecvene mari (sute de kHz MHz GHz) i puteri
nesemnificative.

DIODA DE COMUTATIE
Diodele de comutaie sunt folosite n circuitele de impulsuri,
principalii parametri fiind timpii de comutaie din polarizare direct n
polarizare invers i n sens contrar. Pentru mrirea vitezei de comutaie
trebuie redus timpul de

via al purttorilor

mobili de sarcin,

realizeaz tehnologic prin impurificarea structurii cu diverse materiale

care se

1.2. TRANZISTOARE BIPOLARE

Din cele studiate anterior concluzionm: polarizarea direct a jonciunii
pn nseamn echivalarea acesteia cu o rezisten de valoare mic (pentru o

tensiune dat, circuitul este parcurs de un curent mare), n timp ce polarizarea

invers a jonciunii determin echivalarea acesteia cu o rezisten de valoare
mare.
Folosind legea lui Ohm pentru calculul puterii (P = 2 R) i presupunnd
c avem curent constant, se poate concluziona c puterea dezvoltat de-a lungul
unei rezistene mari este mai mare dect cea dezvoltat pe o rezisten mic.
Astfel, n cazul unui cristal cu dou jonciuni pn (una n polarizare direct i una n
polarizare invers), injectarea unui semnal de mic putere n jonciunea
polarizat direct va conduce la un semnal de putere mare la ieirea din jonciunea
polarizat invers. Acest concept este teoria de baz despre amplificarea cu
ajutorul unui tranzistor.

Un tranzistor bipolar este un monocristal cu dou jonciuni cuplate n

opoziie. Aceast dispunere nu este echivalent cu dou jonciuni independente,

montate n acelai circuit, motiv pentru care este valabil definiia:
Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare
alctuite dintr-o succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluiai
cristal semiconductor, regiunea central fiind mult mai ngust i de tip diferit fa
de regiunile laterale.
De altfel, regiunea central este mai slab dopat cu impuriti dect
celelalte regiuni i se numete baz (B). Celelalte dou regiuni, una puternic
dopat cu impuriti, denumit emitor (E), iar cealalta, mai srac n impuriti
dect emitorul, este colectorul (C). Direcia sgeii indic sensul curentului n
emitor cnd tranzistorul conduce normal.

In figura 2.1 sunt reprezentate cele dou tipuri de TB i simbolurile acestora.

C
B

Fig.2.1 Structura i simbolul TB de tip:

a) pnp;

b) npn

Emitorul este sursa de purttori, care determin n general curentul

prin tranzistor, iar colectorul colecteaz purttorii ajuni aici.
Baza are rolul de a controla intensitatea curentului prin tranzistor n
funcie de tensiunea dintre aceasta i emitor. Tranzistorul bipolar transfer
curentul din circuitul de intrare de rezisten mic n circuitul de ieire de
rezisten mare.
Cele dou jonciuni ale tranzistorului sunt:
a) jonciunea de emitor sau:
- emitor-baz (EB) pentru transistorul bipolar pnp;
- baz-emitor (BE) pentru tranzistorul bipolar npn.
b) jonciunea de colector sau:
- colector-baz (CB) pentru tranzistorul bipolar pnp;
- baz-colector (BC) pentru tranzistorului bipolar npn.

Pentru tranzistorul bipolar se pot defini cureni i tensiuni ca n figura 2.2:

Fig. 2.2 Curenii i tensiunile la tranzistorul bipolar:

a) tip pnp;

b) tip npn.

1.2.1 FUNCIONAREA TRANZISTORULUI npn

La tranzistorul npn exist dou regiuni de tip n extreme, care
conin electroni liberi, n timp ce regiunea de tip p central, are un exces de

goluri. Conform teoriei de la jonciunea pn ntre regiunile de tip n i p, se

dezvolt o zon de sarcin spaial i apare o barier de potenial.

Un tranzistor este utilizat de cele mai multe ori n etajele de

amplificare. Pentru a folosi un tranzistor ca amplificator, fiecare din
jonciunile sale trebuie controlat (comandat) cu o tensiune extern.

Astfel, prima jonciune (emitor-baz) este polarizat direct, n

timp ce jonciunea baz-colector este polarizat invers (rezisten mare).
Emitorul este conectat la terminalul negativ al bateriei n timp ce baza
este conectat la borna pozitiv. Tensiunea pe colector trebuie s fie mai mare
dect n baz. Toate acestea sunt prezentate n figura 2.3.

n
p

n
emitor

Polarizare
inversa

Polarizare
directa

colector

Fig. 2.3. Polarizarea tranzistorului bipolar de tip npn

Polarizarea direct a jonciunii emitorului la tranzistorul NPN

Pentru c regiunea n pe una din prile jonciunii este mai puternic
dopat dect pentru regiunea p, curentul produs de purttorii majoritari
(electroni) n regiunea n este mai mare dect cel produs de golurile din

regiunea p.
Astfel, conducia prin jonciunea polarizat direct, ca n figura 2.3,
este asigurat n principal de purttorii majoritari, electronii, de la materialul n
(emitor).
Cu polarizarea jonciunii baz-emitor din figura 2.3, electronii
prsesc terminalul negativ al bateriei i ajung la materialul n (emitorul).
Electronii, fiind purttorii majoritari n materialul n, trec uor prin emitor,
traverseaz jonciunea i se combin cu golurile din baz (material p). Pentru
fiecare electron care se combin n regiunea p, alt electron va prsi
materialul p, crend un nou gol care se va deplasa ctre terminalul pozitiv al
sursei.

Polarizarea invers a jonciunii colectorului la tranzistorul npn

A

conform

doua

figurii

jonciune

2.3,

pn

(baz-colector),

polarizat

invers

se caracterizeaz printr-un curent care traverseaz

jonciunea de valoare mic. Acest curent se numete curent minoritar, sau

curent invers i este produs de perechile electron-gol. Purttorii minoritari
pentru jonciunea polarizat invers sunt electronii n materialul p i
golurile n materialul n.
Observaie
A doua jonciune pn (baz-colector) nu este polarizat direct cum este
prima jonciune pn (baz-emitor). Dac ambele jonciuni ar fi polarizate direct,
electronii ar avea tendina s treac din fiecare regiune n a tranzistorului npn

(emitor i colector) spre centru, regiune p (baz). Dac se greete polarizarea

celei de a doua jonciuni (se polarizeaz direct), se poate dezvolta un curent
excesiv, suficient pentru nclzirea i distrugerea jonciunii.

Concluzie
Trebuie asigurat polarizarea corect nainte de conectarea electric
a tranzistorului.
n figura 2.4 se prezint fenomenele ce apar ca urmare a alimentrii
celor 2 jonciuni ale tranzistorului n acelai timp. n figur sunt reprezentate
sensurile convenionale ale curenilor Ic, Ie, Ib dei sensurile reale sunt n
sensurile opuse acestora.

Ic
n
p
Ib
Vbb

n
Ie

Polarizare
Inversa
Polarizare
directa

Vcc

Fig 2.4 Funcionarea tranzistorului

npn.
flux de electroni;
........flux de goluri.

Observaie

Curentul principal al tranzistorului npn este dinspre colector spre emitor

(sensul convenional). Discutnd n procente, curentul Ie se consider a fi 100 %.

Pe de alt parte, att timp ct baza este ngust i slab dopat, un procentaj mic din
curentul total (Ie) va circula n circuitul bazei fa de circuitul de colector. n mod
normal, curentul de baz nu este mai mare de 25% din curentul total, n timp ce
9598% este curentul de colector.

Relaia de baz existent ntre cei trei cureni este:

Ie = Ib +Ic
n concluzie, un semnal mic n jonciunea baz-emitor va produce un
curent mare de la emitor la colector.

1.2.2 FUNCIONAREA TRANZISTORULUI pnp

n principiu, funcionarea tranzistorului pnp este asemntoare
funcionrii tranzistorului npn. Deoarece emitorul, baza i colectorul la
tranzistorul pnp sunt din materiale diferite fa de tranzistorul npn, fluxul
purttorilor de sarcin va fi diferit de cel al tranzistorului de tip npn. Purttorii
majoritari de curent n pnp sunt golurile, n contrast cu purttori majoritari de la
npn care erau electronii. Pentru a suporta diferena curentului (flux de goluri),

sursele de alimentare sunt n polarizare invers fa de tranzistorul npn

Trebuie fcut precizarea: Golul este o particul echivalent electronului dar
care se mic n sens opus acestuia, astfel c fluxul de goluri se definete ca
micarea n sens invers a electronilor de valen.

Funcionarea tranzistorului bipolar este simpl: semnalul de comand

se aplic ntre baz i emitor, iar semnalul de ieire este reprezentat de curentul
care circul ntre colector i emitor. Cu ct curentul electric care circul
ntre baz i emitor este mai mare, cu att mai mare este i curentul care curge

ntre colector i emitor. Aceti doi cureni se mai numesc:

- curent de comand sau curent de baz (IB);
- curent de ieire sau curent de colector (IC).
Diferena dintre intensitile celor doi cureni (adica IC/IB) se

numete factorul de amplificare al tranzistorului, i se noteaz cu (beta). Altfel

spus, acest factor arat ct de sensibil este curentul de colector fa de curentul
de baz. Valoarea acestui factor variaz de la 5-10 n cazul tranzistoarelor de
putere i poate ajunge chiar i pn la 1000 n cazul tranzistoarelor de mic
putere.

1.2.2.1. Polarizarea directa a jonctiunii emitorului la tranzistorul pnp

Pentru a studia ce se ntmpl cnd jonciunea emitor-baz este
polarizat direct se prezint figura 2.5. Cu polarizarea din figur, terminalul
pozitiv al sursei de alimentare atrage golurile din emitor spre baz, iar

terminalul negativ conduce electronii din baz spre emitor. Ca urmare are loc
un proces de recombinare. Pentru fiecare electron care se recombin cu un
gol, un alt electron prsete terminalul negativ al sursei i se ndreapt spre
baz. n acelai timp, un electron pleac din emitor crend un gol care ajunge

la terminalul pozitiv al sursei. Aceast micare de electroni prin baz i n

afara emitorului constituie curentul de baz

2.5. Polarizarea direct a

jonciunii emitorului. ( flux de
electroni, . flux de goluri).

2.6. Polarizarea invers a

jonciunii colectorului.

1.2.2.2 Polarizarea invers a jonciunii colectorului la tranzistorul pnp

n cazul jonciunii colectorului polarizat invers, figura 2.6,
potenialele negativ din colector, respectiv mai pozitiv din baz interzic

purttorilor de curent majoritari s traverseze jonciunea. Tensiunea de

colector negativ atrage golurile din baz (purttori minoritari), care
traverseaz jonciunea i ajung la colector, alctuind curentul de colector
Ic. n colector, electronii (purttori minoritari), datorit tensiunii de baz

pozitiv, tind spre baz iar golurile sunt atrai de electronii care provin de la
terminalul negativ al bateriei. Dei curentul prin jonciunea polarizat invers
este dat numai de purttorii minoritari, datorit numrului redus al acestora
acesta este foarte mic

Fig. 2.7 Funcionarea tranzistorului PNP

flux de electroni
..........flux de goluri

Prin lansarea n funcionare a celor dou jonciuni n acelai timp (figura

2.7 la care se pstreaz reprezentarea sensurilor convenionale i nu reale ale

curenilor Ic, Ie, Ib), se observ o interaciune ntre cele dou jonciuni similar
celei de la tranzistorul npn (exceptnd faptul c la tranzistorul pnp purttorii
majoritari sunt golurile). La tranzistorul pnp, figura 2.7, tensiunea pozitiv din

emitor ajut la transferul golurilor spre baz. Odat ajunse aici, golurile se
combin cu electronii din baz. Pentru a preveni procesul de recombinare golurielectroni, baza este foarte ngust.

Dei fluxul de curent n circuitul extern tranzistorului pnp are

sensul opus fa de tranzistorul npn, purttorii majoritari trec de la emitor spre
colector. Acest flux de purttori majoritari divizeaz circuitul tranzistorului sub
forma a dou bucle individuale de curent. O bucl este pentru curentul de baz i
o a doua bucl este pentru curentul de colector. Combinaia dintre cei doi cureni
determin curentul total din tranzistor:
Ie = Ib + Ic

Cea mai important asemnare pentru cele dou tipuri de

tranzistoare este c ambele se comand n curent.

Un tranzistor se poate conecta n circuit dup unul din montajele

fundamentale prezentate n figura 2.8, denumite conexiuni fundamentale.

Fig. 2.8 Conexiunile tranzistorului bipolar (NPN I PNP):

a. emitor comun (EC);
b. baz comun (BC);
c. colector comun(CC).

Terminalul tranzistorului comun celor dou circuite i vzut n curent

alternativ d numele conexiunii n care se afl montat tranzistorul. Se disting trei

conexiuni: conexiunea emitor comun (EC), conexiunea baz comun (BC) i
conexiunea colector comun (CC).

Pentru identificarea conexiunii unui tranzistor trebuie urmai trei pai:

1. Identificarea terminalului la care se aplic semnalul (emitor, baz, colector);
2. Identificarea terminalului la care se culege semnalul de ieire (emitor, baz,
colector);
3. Elementul rmas, elementul comun, este elementul care d numele
configuraiei.
Fiecare tip de conexiune are anumite particulariti care o face potrivit
pentru aplicaii specifice.

1.2.3. CONEXIUNILE TRANZISTORULUI

1.2.3.1. Conexiunea emitor comun
Acest tip de conexiune (EC) este tipul cel mai des ntlnit n cazul circuitelor de
amplificare, de comutaie sau digitale, deoarece furnizeaz valori bune pentru
tensiune, curent, respectiv putere. Circuitul de intrare (la care se aplic semnalul de
intrare) este circuitul baz- emitor, iar circuitul de ieire este colector-emitor.
Conexiunea EC se caracterizeaz prin:

Rezisten de intrare de valoare mic (500-1500), intrarea realizndu-

se pe jonciunea polarizat direct;

Rezisten de ieire de valoare destul de ridicat (30k-50k sau chiar mai

mult), ieirea realizndu-se pe jonciunea polarizat invers.

Fig.2.9 Schema de baz a

amplificatorului cu tranzistor npn.

Fig. 2.10 Schema de baz a

amplificatorului cu tranzistor pnp.

n cazul schemei cu tranzistor npn (fig. 2.9), n timpul alternanei pozitive a

semnalului de intrare curentul de baz crete fa de situaia fr semnal. Astfel
crete i curentul de colector iar tensiunea colector-emitor scade. n timpul
alternanei negative a semnalului de intrare curentul de baz scade fa de situaia
fr semnal, curentul de colector va scdea i el iar tensiunea colector-emitor va

crete. Rezult o relaie n antifaz ntre tensiunea de intrare i cea de ieire din
amplificator.
n cazul celuilalt amplificator realizat cu tranzistor pnp (fig. 2.10), n timpul
alternanei pozitive a semnalului de intrare, baza devine mai pozitiv fa de situaia

fr semnal. Curentul de colector scade i crete tensiunea de colector spre valori

negative. Acest lucru echivaleaz cu alternana negativ a semnalului din colector. Pe
timpul semialternanei negative baza se negativeaz n raport cu emitorul, ceea ce
produce o mrire a polarizrii directe i eliberarea unui numr mai mare de purttori

de curent de la emitor, producnd o cretere a curentului de colector i o micorare a

tensiunii n colector. n acest mod curentul de colector care trece printr-o rezisten
de valoare mare (jonciune polarizat invers) produce o amplificare mare.

Pentru semialternana pozitiv a semnalului de intrare ieirea va fi pe

semialternana negativ. Conexiunea EC este singurul tip de conexiune care
produce un defazaj ntre intrare i ieire de -180.
Prin scrierea ecuaiilor pe cele dou circuite, de intrare i de ieire, se
observ c cei doi cureni importani sunt curentul de colector Ic i curentul de
baz Ib. Ecuaia caracteristic de funcionare devine:

Unde reprezint factorul de amplificare n curent n conexiunea baz

comun. Ctigul (amplificarea) este dat() de raportul ntre ieire i intrare. Pentru
conexiunea EC se definete factorul de amplificare conform relaiei:

Se obine:

Variabila pune n concordan modificrile curentului de baz cu cele

ale curentului de colector. Dac se ignor termenul 0 , ctigul n c.c. este raportul
dintre curentul de colector i cel de baz.

1.2.3.2. Conexiunea baz comun

Acest tip de conexiune (BC) este preferat datorit valorilor impedanelor de intrare
/ieire (30-160 / 250k-550k). Utilizarea acestui tip de conexiune este limitat
de:
Rezistena de intrare mic;
Ctigul n curent mai mic dect 1.
Altfel, conexiunea BC este utilizat n aplicaiile n care se cere amplificare n

tensiune mare i rezisten de intrare mic (exemplu: amplificator de voce).

Fig. 2.11

La acest tip de conexiune, semnalul de intrare este aplicat emitorului, n

timp ce semnalul de ieire se culege pe colector. n acest mod, un semnal care
ajut la polarizare va crete valoarea curentului prin tranzistor, iar semnalul care
se opune polarizrii va micora curentul prin tranzistor.
Semnalele de intrare i de ieire sunt n faz.
Prin aplicarea pe emitor a unui semnal care ajut la polarizare, curentul de
colector se va mri, cderea de tensiune pe R va crete, tensiunea Vc va scade,
astfel c tensiunea de colector va deveni pozitiv i n faz cu ieirea.

Amplificarea n curent se calculeaz asemntor conexiunii EC (semnal de

ieire pe semnal de intrare).

n timp ce o parte din curentul de emitor intr n baz i nu apare ca i

curent de colector, acesta va fi mai mic dect curentul de emitor care-l produce.
ntre curenii prin tranzistor exist relaia:

ntre i exist relaia:

1.2.3.3. Conexiunea colector comun

Conexiunea colector comun (CC) este utilizat datorit impedanei sale.
Este folosit ca regulator de curent, avnd ctigul de valoare mare. Este utilizat n
circuitele de comutaie, avnd posibilitatea de a permite trecerea semnalului n
ambele direcii (funcionarea bidirecional).

Fig. 2.12

La acest tip de conexiune semnalul de intrare este aplicat pe baz, iar

semnalul de ieire este cules pe emitor, n timp ce colectorul este comun ambelor
circuite. n cazul conexiunii CC, rezistena de intrare are valoare mare (2k-500k),
iar rezistena de ieire valoare mic (50- 1500). Dei ctigul n curent are valoare
ridicat, ctigul de putere este mai mic dect n cazul conexiunilor EC, BC.
Semnalul de ieire este n faz cu semnalul de intrare.
Amplificarea de curent este:

iar legtura ntre amplificarea n curent a conexiunii EC i amplificarea n

curent a conexiunii CC este:

Un tranzistor care se afl montat n oricare dintre cele trei tipuri de conexiuni
este definit de cele trei relaii:

n tabelul 3.1 sunt prezentate comparativ caracteristicile celor trei tipuri de conexiuni
ale tranzistorului.

1.3 APLICAII ALE TRANZISTORULUI

Se consider un tranzistor npn i conexiunea BC a acestuia ca n figura 2.13.

Fig. 2.13 Polarizarea tranzistorului n conexiunea BC pentru funcionarea n

regiunea de tiere.

Pentru a funciona n regiunea de tiere ambele jonciuni trebuie s fie

polarizate invers. n acest caz toi curenii se presupun zero, curenii de dispersie

asociai polarizrii inverse fiind foarte mici, astfel c pot fi ignorai.

Pentru funcionarea n regiunea activ normal direct jonciunea

baz-emitor este polarizat direct, n timp ce jonciunea baz-colector este
polarizat invers (figura 2.14).

Fig. 2.14 Polarizarea tranzistorului n conexiunea

BC pentru funcionarea n regiunea activ normal.

n regiunea de saturaie, curentul de colector va deveni proporional

cu curentul de emitor plus curentul rezidual Ico. Aceasta nseamn c tensiunea
de polarizare a jonciunii baz- colector este neimportant. Conform figurii 2.14,
n serie cu terminalul colectorului este un rezistor.

Dac curentul de colector crete pn la un punct la care tensiunea pe

rezistor plus tensiunea de alimentare a colectorului tinde s polarizeze direct
jonciunea colectorului, golurile vor fi injectate dinspre baz spre colector. Acest
curent de goluri va contracara curentul de electroni (venit de la emitor) limitnd
efectiv curentul prin tranzistor. Tensiunea Vbc la care ncepe efectul de limitare
este de aproximativ 0,4V, efectul de limitare ajungnd maxim la 0,6V. Acest mod
de funcionare este cunoscut sub numele de regim de saturaie

1.4 Modelele circuitelor pentru tranzistor n

conexiune emitor comun

Circuitul baz emitor

Relaiile ntre curentul de baz i tensiunea baz-emitor sunt
n corelaie cu caracteristicile jonciunii baz-emitor, considernd aceast
jonciune c funcioneaz ca o diod. Aceasta nseamn c modelul acestei
jonciuni va fi similar unei diode. Dac se vorbete de pori logice, se consider
c nu exist curent de baz att timp ct tensiunea baz-emitor este mai mic
de 0,50V. n cazul n care baza conduce greu se presupune c tensiunea bazemitor se apropie de tensiunea de saturaie:

Fig. 2.15 Modelele circuitului n conexiunea EC la tranzistorul npn.

a. Regiune de tiere: Vbe<0,5V, Vbc<0,5V.
b. Regiune activa: Ib>0, Vce>0,2V.
c. Regiune de saturatie: IB>0, IC<IB

1.5 Funcionarea tranzistorului ca inversor / comutator

Utilizarea tranzistorului n circuitele digitale se poate realiza datorit

posibilitii tranzistorului de a bloca sau conduce curentul cu ajutorul unui semnal

de curent de valoare mic. Din acest motiv cele mai importante moduri de
funcionare sunt n regiunile de tiere i de saturaie.

Fig. 2.16 a. Funcionarea tranzistorului ca i comutator.

b. Schema simplificat.
c. nlocuirea tranzistorului cu modelul n regim de tiere

n figura 2.16 care reprezint un comutator clasic, funcionarea

tranzistorului este comandat de curentul din circuitul bazei. Analiza circuitului
se realizeaz pentru Vin = 0V, 5V respectiv 10V

Ex. 1. Vin = 0
Pentru c jonciunea BE este o diod, aceast parte a circuitului se va
analiza ca fiind un circuit n componena cruia este o diod. Fr sursa de
alimentare care s furnizeze tensiune de deschidere a diodei, nu va exista

circulaie de curent, iar fr curent de baz tranzistorul se afl n regiunea de

tiere, drept pentru care nu va exista curent de colector. n lipsa unui curent de
colector, cderea de tensiune pe rezistorul RC va fi nul, ceea ce nseamn
Vce = Vo =10V (fig. 2.16 c.).

Ex. 2. Vin = 5V
Prin introducerea unei surse de tensiune cu 5V se obine un curent de
baz diferit de 0. (fig. 2.17)

Fig. 2.17 Circuitul tranzistorului pentru Vin = 5V.

Att timp ct Vce > Vce-sat (0,2V), acest rezultat arat c tranzistorul funcioneaz n

regiunea activ normal.

Ex. 3. Vin = 10V

Fig. 2.18 Circuitul tranzistorului pentru Vin = 10V

Tensiunea de ieire este Vce-sat. Rmne de verificat dac modelul

considerat este sau nu apropiat de realitate. Verificarea se realizeaz prin
demonstrarea relaiei:

este valabil modelul tranzistorului n saturaie

1.5 CLASE DE FUNCIONARE ALE AMPLIFICATOARELOR CU

TRANZISTOARE

Fig. 2.19 Clasa A

Fig. 2.20 Clasa B

Fig. 2.21 Clasa AB