UNIVERSITATEA POLITEHNICA

BUCURE TI

INGINERIA SISTEMELOR BIOTEHNICE

ENERGIA
SOLAR

Profesor:

Student:

David Oana

Niculescu Petre-Anton
1

I.D.R.D.-Grupa 744

CUPRINS
1.Radiaia solar.............................................................................. 3
2.nclzirea i rcirea caselor cu raze solare ...................................4
3.Concentrarea energiei solare la temperatur nalt......................8
4.Conversia fotovoltaic a energiei solare..................................... 11
4.1. Elementele semiconductoare..................................................... 11
4.2. Celulele solare................................................................................ 15
5.Conversia energiei solare n alte forme de energie.....................20

1. Radiaia solar
Energia solar este energia emis de Soare, fiind o surs de
energie regenerabil.
Energia solar poate fi folosit s:
genereze electricitate prin celule solare (fotovoltaice)
genereze electricitate prin centrale termice solare
nclzeasc cldiri, direct
nclzeasc cldiri, prin pompe de cldur
nclzeasc cldiri i s produc ap cald de consum prin
panouri solare termice
Instalaiile solare sunt de dou tipuri: termice i fotovoltaice.
Soarele este o stea n care n continuu au loc reacii temo-nucleare,
prin care 4 atomi de hidrogen se transform ntr-un atom de heliu, cu
generare de energie i cu o pierdere de greutate, de 5 Mt/s:
Reacia termonuclear este nsoit de o emisie de radiaii
electromagnetice, de o natur identic cu cea emis de un corp negru
de circa 6000C, avnd o putere specific de 7-8 kW/cm 2 i o putere
emis de 4,41026 W. Spectrul emisiunii radiaiilor electromagnetice
cuprinde: 3% cu o lungime de und sub 0,3 m (ultraviolet); 42% cu o
lungime de und ntre 0,3 i 0,7 m (lumina vizibil); 55% cu o lungime
de und de peste 0,7 m (infrarou).
Soarele avnd un diametru de 1391400 km i cu o mas de 210 30
t este compus din: 90% hidrogen; 10% heliu; urme de O 2, C, N2 care au
o importan deosebit n spectrul termic. Temperatura n centrul
soarelui este de 15-20 milioane C, iar la 100 de km distan de
suprafaa soarelui este de 4500 C, n medie 5800 C
Numai o parte redus din energia solar atinge pmntul, datorit
unghiului redus fa de pmnt a traiectoriei razelor solare. Radiaia
solar medie care atinge Pmntul este de 410 33 erg/s, valoare
cunoscut sub denumirea de constant solar. Radiaia termic a
soarelui se propag prin spaiul extraterestru fr o scdere apreciabil.
Intensitatea radiaiilor solare n afara atmosferei este de 2,0
calorii/cm2/min corespunznd la 1,4 kW/m2 suprafa/min. n atmosfera
terestr razele ultraviolete se reduc prin ozon. Din cauza refleciei n
spaiu i absorbiei n atmosfer, din energia solar primit de pmnt
(1,51012 GWh), numai 70% deci circa 1,010 12GWh, atinge pmntul.
Trei zile de radiaie solar este echivalent cu producia de energie dat
de 1,75 milioane de reactoare nucleare de 1000 MW putere sau de
3

20000 ori consumul actual de energie, pe plan mondial. Energia solar

este o surs imens de energie, ca o surs nou de energie termic i
electric, cu toate deficienele inerente acesteia.
Radiaia solar care ptrunde n atmosfer este influenat de
absorbie (de ctre O2, N2, Ar, He, CO2), de difuzie, cu schimbarea de
direcie, de intensitate i de reflecie. Gradul de reflecie depinde de
natura suprafeei atinse de razele solare. Albedoul unei suprafee este
raportul ntre radiaia solar reflectat de aceast suprafa i radiaia
global care atinge suprafaa. Radiaia solar dispersat nu depete 1
kW/m2/zi, cu fluctuaii periodice permanente.
Radiaia solar este diferit dup poziia geografic. n Austria la
Salzburg este de 3 kWh/m2/zi iar la Pheonix n Arizona este de
kWh/m2/zi. La randament termic de 10% pentru 1000 M We este
necesar o instalaie solar cu o suprafa de 80 km 2, iar la o expunere
de 5 kWh/m2/zi, de 48 km2. La randament termic de 20% suprafeele
necesare se reduc la jumtate. Electricitatea obinut de la soare este
de 50 de ori mai eficient dect prin arderea biomasei n termocentrale
convenionale.
Variaiile n ciclurile de insolare sunt sezoniale i zilnice, ca atare
impun stocarea energiei solare sau utilizarea combinat cu o central
termic convenional sau cu o hidrocentral. La o instalaie cu 6 zile de
stocare 1 kWh revine la 100 de ceni, fa de 25 de ceni la o instalaie
nuclear. Instalaia de stocare a energiei electrice revine la 40
dolari/kWh. Rezervele sunt ns nelimitate i este o energie fr
probleme ecologice. Pentru a acoperi un necesar de 10010 12 kWh/an,
sunt necesari 3105 km2, deci este realizabil. Investiiile sunt accesibile,
mai ales la nclzirea locuinelor cu panouri solare.

2. nclzirea i rcirea caselor cu raze solare

nc de la Aristotel se cunoate c pentru nclzirea solar n
partea nordic a caselor, deschiderile trebuie reduse, iar n partea
sudic lrgite, cu un umbrar pentru timp de var. Acest principiu de
arhitectur a fost aplicat timp de secole, dar abia dup 1940 de H. Hottel
apoi de F. Trombe i colab., se elaboreaz, pe baze tiinifice, sistemele
de nclzire a caselor cu colectoare de raze solare. nc de la nceput n
acest domeniu colaboreaz inginerii specializai cu probleme solare i
arhitecii, elabornd sisteme att pentru nclzirea ct i pentru rcirea
locuinelor i a spaiilor comerciale cu energie termic solar.
Bazinul de temperatur sczut, utilizat pentru evaporarea apei i
cristalizarea srurilor din apa mrii, pentru nclzire este inadecvat.
Pentru nclzirea unei case este nevoie de un bazin de mic adncime,
4

cu fund negru pentru absorbia cldurii pe o suprafa minim de 140

m2, sistem inutilizabil pe timp de iarn.
nclzirea i rcirea spaiilor locative se poate realiza printr-un
sistem pasiv sau activ. n sistemul pasiv, radiaia solar este colectat
direct prin elemente de structur sau este admis direct n cldire prin
ferestre mari proiectate n partea sudic a cldirii dup principiul enunat
de Aristotel n antichitate. Sistemul activ are un colector solar, o instalaie
de stocare a cldurii i un sistem de furnizare a cldurii. ca mediu de
transfer de cldur se utilizeaz aerul sau apa cu adaos de antigel,
acionate prin ventilatoare sau prin pompe n circuitul solar de nclzire
sau de rcire. Pentru o mai bun valorificare a cldurii de utilizeaz i
pompe de cldur.
Utilizarea energiei solare pentru nclzirea spaiilor locative se
reduce la cldiri de tip vil sau la spaii comerciale i restaurante
nclzite cu aer cald sau rcite cu aer condiionat. Valoarea energiei
termice utilizate n acest scoop nu este ns mic. Utilizarea comercial
extins pentru blocurile mari, din oraele mari este problematic, din
cauza intensitii reduse a nclzirii soare i a disponibilitii sale ciclice.
Astfel, la Nizza i la Toronto numai 15% din iradierea anual total cade
n lunile de iarn, iar la Oslo numai 6%.
Problema de baz este stocarea cldurii, care nc nu este
rezolvat. Sistemul de nclzire solar este completat printr-un sistem
auxiliar de nclzire, pe baz de combustibil fosil. nclzirea electric
este oneroas dintr-un kW obinndu-se abia 860 de kcal.
n sistemele pasive de nclzire, dup F. Trombe, razele solare se
absorb printr-un perete n partea sudic a cldirii, acoperit etan cu
plci de sticl. Aerul trece printre pereii panoului de sticl n cas, prin
deschideri practicate aproape de acoperi. Sunt i sisteme cu perei
dubli de sticl, cu placa de fund nnegrit, izolate termic n timpul nopii.
ntr-un alt sistem sistem pasiv, peretele sudic este acoperit cu 20-25
vase de sticl interconectate, formnd astfel un perete de ap. apa
cald circul n case prin radiatoare. Peste noapte, n fata peretelui se
ridic un panou de izolare, pentru a reduce pierderile de iradiere. Pentru
ap cald se utilizeaz colectoare plate umplute cu ap, amplasate pe
acoperi sau pe partea sudic a cldirii.
n sistemul Skyterm, pe acoperi se monteaz un panou de tabl
vopsit negru, servind ca suport pentru saci de plastic, prin care circul
apa i transmite prin radiaie cldura n tavanul ncperilor. Un panou
flexibil de izolaie acoper noaptea sau n timp de iarn rezervorul de
ap. n unele sisteme, cldura colectat peste zi este stocat prin
nclzirea rocii mrunite, depozitat ntr-o cavitate din subsolul cldirii.
aerul cald circul ziua printr-un efect de termosifon ntre colector i patul
de roc, iar noaptea ntre patul de roc i ncperi.
5

n sistemul activ colectoarele sunt mai bine studiate i puse la

punct. n general, se utilizeaz un colector preasamblat. Elementele se
pot ncastra n structura cldirii n partea sudic, sau pot forma o parte
din acoperi, fiind nclinate spre sud la 60 fa de orizontal. La
instalaiile mari sau unde terenul permite, colectorul formeaz un corp
separat, neataat de cldire.
Drept colector se poate utiliza o tubulatur erpuit din cupru sau
din aluminiu, fixat sau formnd un corp comun cu o tabl subire din
acelai metal maleabil. se poate utiliza i tabla galvanizat, ct i
tuburile subiri de sticl, nnegrite la fund. Eficiena de colectare depinde
de coeficientul de transfer de cldur, de gradul de absorbie a radiaiilor
solare i de gradul de reflectare a radiaiilor de ctre colector. Eficiena
depinde mai ales de timpul i orele de insolare. Prin colectoare solare se
poate obine aer cald la peste 70C.
Energia solar fiindciclic, peste noapte i n unele instalaii pentru
3-6 zile nensorite, cldura solar se stocheaz. S-au studiat i se aplic
diferite sisteme de stocare mai simple, ca rezervoarele de ap, cu adaos
de lichide antigel i containere umplute cu roc mrunt, de 5 cm
diametru. Cldura specific la ap este de 4,187 Kj/kgC, iar la roc de
0,837 Kj/kgC.
n alte sisteme se utilizeaz cldura joas de fuziune a unor
substane anorganice sau organice. Frecvent se utilizeaz sarea
Glauber, sulfatul de sodiu decahidrat, avnd cldura latent de fuziune
la 40,6C, de 232,6 kj/kg. Sulfatul de sodiu anhidru i schimb faza
solid- -lichid la 22,8C i se utilizeaz ncorporat sub form de igl, care
se poate cimenta cu un beton-polimer format din poliester, cu adaos de
metacrilat de metil, ca aditiv. Este un element colector prefabricat,
elaborat de Architectural Research, Livonia, S.U.A.
Dow Chemichal Pipe System Inc. au pus la punct elemente de
stocare prin ncapsularea clorurii de calciu hexahidrat n tuburi de
polieten de nalt densitate. Tuburile au form hexagonal, de 1,82 m
n lungime i 8,9 cm n diametru, asamblate mpreun sub form de
fagure i sunt montate n spaii nchise, separate de cldire. Clorura de
calciu hexahidrat schimb faza la 27,2C. Capacitatea de absorbie este
de 2460 Btu/tub, sau de 187,4 Btu/kg. Se utilizeaz pentru nclzirea cu
aeroterme a spaiilor comerciale sau a restaurantelor.
Apa cnd nghea la 0C cedeaz cldura latent de335 kj/kg, iar
cnd se topete trebuie s primeasc aceeai cantitate de cldur. Apa
cnd nghea i mrete volumul iar ghea plutete pe faza lichid. La
lichidele de stocare, faza solid fiind mai grea, se depune la fund i la
topire formeaz straturi neomogene. Se utilizeaz adaosuri de aditive,
care s opreasc stratificarea, mrind viteza de solidificare. Dac apa
sau un amestec de ap i de etilenglicol se utilizeaz n circuitul
6

colectorului solar, cldura este distribuit n structura cldirii prin

conducte de alimentare i de retur, prin radiatoare cu pompe de
circulaie, ca la oricare instalaie central de nclzire. Pentru distribuirea
aerului se utilizeaz o combinaie de evi subiri i ventilatoare, similar cu
instalaiile pentru condiionarea aerului. Se pot utiliza i radiatoare din
evi subiri ncorporate n tavanul ncperilor. Ventilatorul de la colector
poate fi utilizat pentru distribuirea aerului cald n ncperi.
La nstalaiile de rcire prin radiaii solare, ca absorbant se
utilizeaz apa i ca refrigerent amoniacul. Se mai utilizeaz i bromura
de litiu ca absorbant i apa ca refrigerent. Sistemul are dezavantajul c
funcioneaz la 93,3C. Pentru a obine un nivel nalt de temperatur,
energia solar se concentreaz pe colector cu lentile lineare tip Fresnel.
n sistemul Solaris, dup H. Thomason, drept colector se folosesc
foi de aluminiu, vopsite negru i acoperite etan cu sticl, iar aceste
panouri se monteaz n pant de 60, pe acoperi. Cldura este stocat
ntr-un tanc de ap de circa 6 m 3 din subsolul cldirii. Tancul este
acoperit de 50 t roc mrunt, care se nclzete de ctre tancul de ap
cald. Aerul cald este nsuflat cu un ventilator prin roca cald n ncperi.
n condiii climatice grele de iarn, colectorul este montat pe
versantul sudic al acoperiului, pe o extensiune independent. O
copertin alb peste suprafaa colectorului poate reflecta razele solare n
timp nnorat i n timp de iarn. n partea nordic a cldirii pentru
stocarea cldurii, este ngropat un tanc de 60 m 3 capacitate, ca mediu de
transfer de cldur avnd un amestec de ap cu etilenglicol. Aerul,
ncircuitul secundar, este nclzit printr-un schimbtor de cldur,
imersat n vasul de stocare. Iarna nclzirea i vara rcirea se
efectueaz printr-o pomp de cldur aer/aer.
ntr-un sistem mai avansat se combin nclzirea activ cu panouri
colectoare montate n partea estic a cldirii, cu panouri fotovoltaice pe
baz de celule cu sulfur de cadmiu, montate pe acoperiul casei.
Cldura de la colectoarele solare se stocheaz prin elemente pe baz
de sruri eutectice, n depozite subterane. Temperatura maxim a
celulelor solare pe baz de cadmiu fiind de 82,2C, n timp de var
celule trebuie rcite. Pentru stocarea cldurii la 40,6C se utilizeaz
sarea Glauber, sau un amestec eutectic.
Sistemul activ de nclzire se poate aplica ori unde este o cantitate
rezonabil de raue solare. Sistemul pasiv este mai ieftin, neavnd
pompe, ventilatoare i sisteme scumpe de control. Din punct de vedere
economic sistemele Solaris i Skyterm sunt mai accesibile. Tendina
este ns de a realiza elemente preasamblate unanim acceptate, pentru
o producie n serie mare, la pre redus. n prezent plcile colectoare i
elemetele de stocare preasmblate sunt nc foarte scumpe, instalaiile
7

solare fiind astfel nc nerentabile. Tendina n cercetare i de elemente

de stocare, mai ieftine i mai eficace.

3. Concentrarea energiei solare la temperatur

nalt
Energia solar fiind diluat, pentru a obine cldur la parametrii
ridicai, razele solare sunt concentrate pe arii mult reduse. Razele solare
fiind aproape paralele, drept concentrator de raze solare se utilizeaz
oglinda parabolic. Parametrii care determin marimea imaginii soarelui
i intensitatea razelor solare sunt: deschiderea oglinzii (D), distana
focal (f) i raportul n=D/f.
Sunt sisteme cu focalizare linear, cu oglinda parabolic care
concentreaz razele solare pe un tub din focarul oglinzii, n poziie
paralel cu oglinda. Prin tub ca fluid trece apa, care se poate evapora,
sau utiliza pentru nclzire direct. Cu o fotocelul se urmrete soarele,
prin dirijarea mecanismului de rotire, pentru a menine oglinda n poziia
optim de insolare.
Sistemul cu tub evacuat seamn cu o lamp fluorescent i conine
un tub interior. ntre tuburi spaiul este vidat, pentru o mai bun izolare
termic. Printr-un tub central mai subire trece mediul de transfer de
cldur, apa sau alt lichid. Tuburile evacuate sunt eficiente la 150C, fa
de 82C ct se obine prin colectoare plate, fr concentrare.
n sistemul turn solar ca receptor central, razele solare sunt
focalizate printr-un numr mare de heliostate, seturi de oglinzi formnd o
suprafa mare reflectant. Energia solar reflectat de heliostate este
focalizat pe turnul solar de recepie, din mijlocul cmpului de oglinzi. Se
pot atinge temperaturi de 1370C. Un cmp heliostat avnd o suprafa
foarte mare de oglinzi 1,3 km2, i corespunde un turn solar la 260 m
nlime. Este un sistem care se poate utiliza ca o surs energetic de
vrf, la 500-1000 dolari/kW instalai. Aproape jumtate din valoare de
investiie revine pentru heliostate. n caz de stocare a energiei pentru o
funcionare continu, cheltuielile se mresc.
La Barstow, n sudul deertului californian, s-a construit de ctre
Sandia National Laboratories, S.U.A., o instalaie cu turn solar,
furnoznd 10 MWe (fig. 1)
Sistemul de focalizare punctiform are o oglind parabolic, ca o
farfurie, care urmrete poziia soarelui pe cer i concentreaz razele
solare ntr-un receptor din focarul oglinzii. Se pot atinge 1970C, la
raportul n=2-3, n dispozitive de recepie de tip furnal. Sistemul este
studiat de JPL (Jet Propulsion Laboratory, Pasadena). Jpl studiaz
variante de aplicare pe baz de: ciclu Rankin cu fluid organic la 400C,
8

urmat de un ciclu Rankin cu ap, pentru a obine aburi de 538C; ciclul

Brayton, utiliznd aerul la 816-1260C; i motoare Stirling la 816C,
utiliznd ca mediu de lucru hidrogenul sau heliul.

Figura 1- Instalaie cu turn solar, Barstow

Ca urmare, sunt dou tipuri de cuptoare la temperatur ridicat.
Dup sistemul de focalizare punctiform sunt cuptoare cu inciden
direct, la care concentratorul este orientat dup soare. Dup sistemul
turn solar, sunt cuptoare tip heliostat, la care radiaiile sunt diijate pe un
concentrator fix, cu ajutorul unor oglinzi mobile numite heliostat. Cuptorul
tip heliostat este mai adecvat pentru fuziune. Pentru orientarea oglinzilor
dup poziia soarelui pe cer, se aplic trei metode: cu taimer, cu un
servosistem sau prin operaie manual. Pentru concentrator se
utilizeaz mai ales sticla optic polizat, pe suprafaa din fa avnd un
strat de aluminiu sau de argint depus epitaxial n cuptoare cu vid.
Suprafaa aluminat sau argintat se protejeaz cu un film de siliconi
sau de mas plastic transparent.
Turnul solar, ca receptor central, este considerat optim pentru
instalaiile energetice centrale. Sistemele cu focalizare linear sau
punctiform se aplic n instalaii modulare, care se pot amplasa dup
9

necesiti, ntr-un complex industrial. Sistemul de focalizare punctiform

este mai adecvat pentru generatoare de electricitate n localiti izolate
sau n cele cu reele electrice de putere redus.
Oglinzile parabolice cu un receptor central, cu mecanism de
urmrire a soarelui cu dubl ax, au o eficien de conversie de circa
80% fa de 50%la focalizarea linear i de 30% la colectoarele plane.
n 1952, un furnal solar s-a construit de F. Trombe la Mont-Louis,
Frana. Instalaia are heliostate i un concentrator cu ax optic
orizontal, avnd 10 m deschidere, 6 m lungime focal i n=1,7. Energia
solar incident era de 70kW. Concentratorul are 3500 oglinzi, iar
heliostatul 10,513 m cu 540 de oglinzi.
Furnalul Natick, Massachusetts, aparinnd armatei S.U.A., are un
concentrator de 8,5 m2, fiind format dintr-un mozaic de 180 de oglinzi
sferice, cu o distan focal de 10,9 m, aranjate sbform de suprafa
sferic, cu focarul n centru. Suprafaa oglinzilor este iluminat i
protejat cu nveli de SiO. Heliostatul este compus din 356 de oglinzi,
argintate pe spate, aranjate pe o suprafa plan.
n laboratorul de energie solar la Odeillo, n Pirineii francezi, la
1800 m altitudine, s-a montat un concentrator cu 63 de heliostate,
aranjate n trepte pe o pant de munte, fiecare avnd 67,5 m, cu 180
oglinzi de 5050 cm, argintate pe spate. Direcia heliostatelor se
schimb dup poziia soarelui printr-un sistem hidraulic. Concentratorul
parabolial de 4054 m este format din 9500 de oglinzi plane, argintate
pe spate i curbate mecanic. Suprafaa efectiv a concentratorului este
de 1900 m2, la o inciden de energie solar de 1800kW. datorit
pierderilor prin reflecie, energia razelor concentrate este de circa 1000
kW. Distana focal este de 18 m, iar raportul n=2,8. Temperatura
maxim n focar este de 4000K.
S-au mai construit furnale de 60-100 kW energie solar, n Algeria i
Japonia. n Frana, Creusot-Loire i grupul de inginerie Bertin Cie, a
pus la punct un sistem numit Thek (Thermo Helio Electrique Kilowatt), la
o capacitate de 30kW de energie termic la 250-300C. Sistemul
se aplic n dou instalaii industriale alimentare.
O instalaie demonstrativ a sistemului de focalizare punctiform s-a
montat ntr-o fabric de tricotaje, furniznd energie electric, aburi la
170C, aer condiionat i ap cald. Instalaia are un colector de 120,7 m
diametru la o producie de 3 MWth i 400 kWe. Uleiul siliconic nclzit la
400C este mediul de transfer de cldur.
Pentru o instalaie de amoniac de 600 t/zi, aparinnd de Valley
Nitrogen Producers, Inc., s-a proiectat un reformer primar solar, la o
valoare de investiie de 13,5 milioane dolari. Heliostatul are 1153 de
oglinzi, controlate printr-un computer, cu orientare solar, care reflect
razele solare print-o cavitate a cuptorului de reformare, montate pe un
10

turn nalt de 79 m. Un material refractar din fibre de sticl siliconic din

interiorul reformerului recepioneaz cldura solar i o transmite
tuburilor de oel, umplute cu catalizator de reformare pe baz de nichel.
n timpul funcionrii instalaiei solare, arztoare auxiliare
prenclzesc aburii i gazul metan la 510C. n reformerul solar
temperatura gazelor se ridic la 732C. gazul de sintez cu 70%
hidrogen trece n reformerul secundar din instalaia existent de
amoniac. Instalaia intr n regim normal de funcionare dup 150 min i
ncepe s piard cldur la 30 min nainte de asfinitul soarelui, dup
care automat gazele trec prin reformerul primar din vechea instalaie,
nclzit cu gaz metan.
n condiii optime, timp de 8 ore pe zi, receptorul solar genereaz
125 milioane Btu/h, adic 91% din energia necesar n instalaia de
amoniac. Se reduce consumul de gaz metan cu 28%, la un cost annual
de un milion de dolari. Instalaia solar furnizeaz energia la 5,70
dolari/milion Btu, aproximativ de dou ori preul gazului metan.
La Universitatea din statul New Mexico s-a testat proiectul denumit
Solchem, pentru stocarea i transportul la distan a energiei solare.
Sistemul este similar cu ciclul Eva I-Adam I, aplicat la Jlich,
Germania. Cldura solar se preia prin reacia endoterm de reformare
a gazului metan i a bioxidului de carbon. Gazul de sintez care rezult
se transport la distan prin conducte, la o instalaie de metanare cu
conversia gazului de sintez n metan. Este o reacie exoterm, prin
care se cedeaz cldura solar stocat.
Reformerul este un tub de oel, rsucit n form de spiral coaxial
n interiorul tubului avnd catalizatorii de reformare pe baz de nichel.
Metanul i bioxidul de carbon prenclzit trec prin tub i la 750925Cformeaz gazul de sintez. Reformerul este amplasat n focarul
unui colector solar de 6-7 m n diametru, avnd o capacitate termic de
25 kW.
Reacia invers de metanare are loc ntr-o instalaie de conversie, ca
n instalaiile convenionalede amoniac, similar ca n ciclul Adam I.
Cldura emanat se poate stoca i ntr-o soluie eutectic de clorur de
sodiu, de potasiu i de magneziu.

4. Conversia fotovoltaic a energiei solare

4.1. Elementele semiconductoare
O cale foarte tentant de a converti energia solar direct n
electricitate se bazeaz pe efectul fotovoltaic, ca o consecin a
absorbiei radiaiei solare ntr-un element semiconductor.
11

Conductibilitatea electric a corpurilor solide variaz foarte mult.

Corpurile ru conductoare de electricitate, cum ar fi cuarul topit cu o
conductibilitate de 210-17 mho/m servesc ca izolatoare. Corpurile bune
conductoare de electricitate, cum ar fi metalele n general; argintul, de
exemplu, are o conductibilitate electric de 610 7 mho/m. Materialele cu
o conductibilitate intermediar se numesc semiconductori.
Corpurile solide sub form de cristale au o structur cu nivele de
energie sub form de benzi, care nsumeaz nivelele energetice ale
atomilor nvecinai. La fel ca i n atomi,, electronii pot exista numai la
anumite nivele. Principiul de excludere Pauli limiteaz i n acest caz
numrul electronilor care pot exista la un anumit nivel de energie.
ntr-un cristal, atomii sunt n contact unul cu altul, ca atare i
nivelele lor energetice discrete sunt strns legate mpreun, formnd
benzi sau nivele energetice pe care-l are un atom izolat. Deoarece ntrun cristal pot fi 1022 atomi/cm, nivelul energetic permis ntr-o band se
poate considera continuu. Energia electronilor n cristal se poate
reprezenta printr-o diagram energetic unidimensional, cu benzi de
energie n care electronii pot fi prezeni i benzi de energie n care dup
principiul lui Pauli, electronii nu pot s existe, deci benzi interzise.
Limea acestor benzi depinde de structura atomic a elementelor
constituente.
Fa de spaiile benzilor libere, numrul electronilor din atomii
nvecinai este redus. Electronii n mod constant caut s ocupe un nivel
energetic mai sczut i n mod constant dac sunt excitai prin fononi
sau fotoni, caut s treac ntr-un nivel energetic superior.
n cele mai multe cazuri, distribuia electronilor pe nivele permise
se poate descrie prin funcia fermi. Aplicnd statistica Fermi-Dirac,
probabilitatea f(E), ca o stare de energie E s fie ocupat de un electron,
este dat prin relaia:

n care f(E) este funcia Fermi; E energia unei stri permise; EF

energia Fermi; kB constanta lui Botzman i T temperatura absolut.
La temperatura camerei kB*T este egal cu 0,025 eV.
Energia Fermi sau nivelul Fermi este prin definiie energia la care
probabilitatea ca o stare s fie umplut cu electroni, este exact 50%. n
echilibru termodinamic prin nivelul Fermi se asigur ntotdeauna
contactul ncruciat ntre dou elemente.
12

La o band extern la un corp solid parial ocupat de electroni, ca

la metale, prin aplicarea unui curent electric exterior, se poate schimba
ocuparea nivelului energetic cu electroni i electricitatea se poate scurge
prin aceast band. Dac banda este complet goal sau complet
umplut cu electroni curentul electric nu se poate scurge prin aceast
band. Substana respectiv este un bun izolator de electricitate.
ntre banda de conducie i banda de valen exist o band
interzis mai mult sau mai puin lat, n care electronii nu pot exista.
Banda de valen corespunde la corpurile solide cu starea de baz a
electronilor din atomii constitueni.
La semiconductori, zona interzis este mai ngust. Astfel, alumina
la temperatura camerei are un spaiu liber de energi (E gap), de 10 eV, iar
germaniu, care este un semiconductor, are abia 0,7 eV.
La un semiconductor la temperatura camerei banda de conducie
este plin. Unii electroni ns, dac primesc suficient energie termic
sau dac primesc o cantitate suficient de energie printr-o rau de
lumin, pot s sar din banda de valen, peste zona ngust interzis,
n banda de conducie ocupat.. Cu ct este mai ridicat temperatura
sau intensitatea sursei de lumin, cu att mai muli electroni excitai vor
trece n banda de conducie. Aceti electroni pot accepta energia
electric, care astfel poate traversa cristalul. n banda de valen, prin
trecerea electronului n banda de conducie, ramne gol locul pe care-l
ocupa. Un electron lng un gol, poate sri nuntru, lsnd astfel un
alt loc gol, care poate fi ocupat n continuare de un alt electron vecin,
deci o succesiune de electroni, care astfel pot accespta energia
electric. Astfel, la semiconductori, conductibilitatea rezult din plus de
electroni n banda de conductibilitate i din goluri n banda de valen.
Semiconductorii sunt monocristale obinui la o puritate de un grad
electronic (N cu cinci pn la nou de nou: 999999999%). Prin
adaosuri de anumite impuriti n cantiti minore, numite dopani, se
poate dirija tipul dominant de conductibilitate. Semiconductorii pe baz
de electroni n plus sunt de tipul n, cu sarcin negativ, iar pe baz de
goluri sunt de tipul p, cu sarcin pozitiv.
Astfel, dac un monocristal de siliciu perfect pur este dopat ca
impuritate cu un nucleu de fosfor, acesta fa de siliciu avnd un
electron n plus, cedeaz acest eectron. care trece n banda de
conducie. Meninut prin fore culombiene de atracie, electronul poate fi
mutat printr-un cmp electri, formnd un electron de conducie. Siliciul
dopat cu fosfor devine astfel un semiconductor de tipul n. Putem avea i
un semiconductor intrinsec tip n, dac electronul n plus provine nu prin
dopare, ci prin excitarea electronilor din banda de valen.
Siliciul monocristal pur dopat cu aluminiu, care fa de siliciu are
un electron n minus, va crea n banda de valen un gol, o deficien
13

de electroni. Un electron de valen poate sri n acest gol, cu mai

puin energie dect cea necesar pentru a sri peste banda interzis,
devenind astfel un purttor de sarcini pozitive. Siliciul dopat cu o
substan cu deficien de electroni fa de siliciu este un semiconductor
tip p.
La semiconductori, energia Fermi este la mijlocul bandei interzise
(Ef=Egap/2). La semiconductorii de tip extrinsec, prin dopare, nivelul
energiei Fermi este mpins fie spre nivelul acceptor de energie (Ea), fie
spre nivelul donor de energie (Ed), dup natura dopantului. Poziia
exact a nivelului Fermi depinde de nivelul de dopare (atomi de
impuriti/cm2) i de temperatura absolut, datorit excitrii termice a
electronilor.
n semiconductori, prin absorbie, fotonii pot excita electronii la un
potenial suficient de ridicat ca s poat sri banda de valen n banda
de conducie. Golul lsat de electroni n banda de valen devine
purttor de sarcin. absorbia de fotoni este dat ca o funcie a distanei
x n material, prin relaia:
J(x)=J(0)e-dx
n care: J(x) este intensitateafotonului la o adncime x; J(0) este
intensitatea incidenei pe material i d coeficientul de absorbie. Astfel,
dac se ia un tipic de 10 4 cm-1, atunci 90% din fotoni se vor absorbi
pn la o adncime de 2,3 m.
Printr-o jonciune p-n se formeaz un cmp electric, care mtur
electronii ntr-o direcie i golurile n alta. Dac jonciunea este n
echilibru termodinamic, atunci energia Fermi trebuie s fie uniform
peste tot. Pentru a separa electronii excitai prin fotoni n jonciunea p-n,
se aplic un cmp electric de diod, care poate colecta energia electric
produs, separnd purttorii de sarcini.
Ca urmare, rezistena la curentul electric a semiconductorilor, deci
rezistivitatea devine un factor important i determin mobilitatea
purttorului de sarcin la aplicarea unui cmp electric. Rezistivitatea
este dat prin relaia:
=ne
n care: n este numrul electronilor; e este sarcina electric i
mobilitatea. Ca ordine de mrime, ca valori de rezistivitate sunt: la
izolatori, 1015 ohmcm, iar la metale 10-6 ohmcm.
Timpul de via este timpul mediu ntre formarea unei perechi de
electroni-gol i recombinarea lor. Imperfeciunile n cristale datorate
doprii, defectele de vacan i de disclocri sau de suprafa produc
centre de recombinri i scad lungimea de difuzie a purttorului de
sarcini i timpul de via.

14

ntr-o fonciune p-n ideal, relaia ntre curent i voltaj este dat
prin relaia:
Ji=Js[exp.(Ve/kT)-1]
n care: V este voltajul impus de-a lungul jonciunii, e este sarcina
electronic, k constanta lui Botzman i T temperatura absolut. Curentul
de saturare Js se obine, dac peste diod se aplic un puternic voltaj
negativ. Dac lumina cade pe jonciune, se ceeaz o pereche electrongol i se scurge prin jonciune un flux constant de curent electric.
Curentul net este diferena ntre curentul normal de diod i curentul
generat prin lumin JL. ntr-o celul ideal, voltajul la circuitul deschis
este dat prin relaia:
Vcd=(kT/e)ln[(JL /J0)+1]
Datorit lui J0, rezult dependena voltajului curentului de diod Vcd de
temperatur.
La evaluarea celulelor solare, de obicei, se uutilizeaz termenii
definii prin ecuaia:
= Jmp Vmp/ Ps=( JL Eg/ Ps)( Jmp Vmp/ JL Vcd)(e Vcd/ Eg)
Factor de
umplere

Factor de
voltaj

Factorul de umplere arat ct de bine s-a executat jonciunea i

ct de sczute sunt rezistenele n serie. O valoare tipic de factor de
umplere pentru celula de siliciu este de circa 0,8. Factorul de voltaj este
determinat de proprietile fundamentale ale materiei din celul i pentru
celulele de siliciu este de circa 0,5.
Curentul generat de lumina solar este datorat perechii de
electron-gol creat n jonciunea de semiconductori tip p-n prin absorbie
de fotoni, avnd o energie mai mare dect a zonei libere de
semiconductori. Numrul de fotoni este o funciune a energiei fotonilor.
Curentul indus prin lumin descrete monoton cu creterea zonei libere
a semiconductorilor.
Curbele de eficien probabil s-au calculat lund ca baz
caracteristicile jonciunii p-n, eficiena nu poate depi valori peste 2025%. Limitarea este datorat mai ales spectrului solar. Excesul de
energie peste energia benzii libere (band gap) se pierde sub form de
cldur. Fotonii cu nivel energetic mai sczut, sub a benzii libere, se
pierd neavnd posibilitatea s excite electroni. Datorit acestor diferene
n nivelele de energie, n celula de siliciu numai 44% din energia
spectrului solar poate fi convertit n electricitate.
4.2. Celulele solare
15

Primele celule solare s-au utilizat ca surse de energie n

reactoarele spaiale. Dup 1957, cnd s-a lansat de U.R.S.S. satelitul
Sputnic i n 1958 de S.U.A. satelitul Vangard I, peste 1000 de satelii
au fost echipai cu celule solare, convertind cu o efecien de 10-11%
razele solare n electricitate, de la civa wai, pn la 20 de kW pe
satelit. La misiuni de peste o lun se utilizeaz ca surs electric
celulele solarei generatoare moelectrice nucleare. Sunt satelii cu patru
panouri la 100 kW putere, fiecare panou avnd 9,2 m n lime i 30,5 m
n lungime. Celulele solare sunt pe baz de semiconductori de siliciu
dopat cu litiu, cu contacte din titan-argint.
Siliciul monocristal se poate considera ca un material adecvat
pentru confecionarea celulelor solare, avnd: energia E gap de 1,1 eV;
mobilitatea la 300 K la tipul n de 1450
cm2V-1s-1 i la tipul p de 500 cm2V-1s-1; timpul de via la tipul n este de
400 s i lungimea de difuzie de 100 m.
Semiconductorii de siliciu se obin din siliciu policristal pur.
Monocristalul, dup procedeul Czochralski se trage din topitura de siliciu
dintr-un creuzet mai mare, cu cristale germene. Dup procedeul de
topire zonal, bara de siliciu policristalin se purific simultan cu obinerea
barei de monocristal. Topirea zonal se poate efectua i fr contact cu
aparatul de zonare, fiind meninut n suspensie, electromagnetic. Se
obin bare de monocristal de siliciu de 50-90 mm diamtru i de 70-80 cm
lungime. Bara de monocristal perpendicular pe axul optic se taie cu
diamant n plcue de circa 400 m grosime. Plcuele rotunde sunt
preluctare pe ambele suprafee prin polizare i decapare cu acizi,
obinnd astfel lamele uniforme de 300 m grosime. n topitura pur de
siliciu policristal se introduce ca dopant borul (circa 10 15 atomi/cm3),
rezultnd astfel un monocristal de siliciu tip p, cu o rezistivitate de 10
ohmcm.
Aa cum s-a vzut efectul voltaic se produce numai la jonciunea
semiconductorului de tip p cu semiconductorul tip n. Jonciunea p-n pe
aceeai plcu se poate realiza dac una din suprafee prin difuzie de
dopant se transform n semiconductor tip n. Suprafaa plcuei pentru
tipul p se acoper cu un strat protector. Plcuele se introduc ntr-un
cuptor special de difuzie, n care avem n cantitate precis, un dopant n
stare gazoas tip n, ca fosforul. Epitaxial, fosforul difuzeaz n suprafaa
neacoperit a plcii la o adncime de circa 0,2 m. Acest strat este
astfel un semiconductor tip n, cu plus de electroni. Concentraia de
impuriti pe stratul superior crete la 10 20 atomi/cm3, nainte de a
scoate placadin cuptor. Astfel se realizeaz un strat de semiconductor tip
n, cu jonciune perfect i adncime foarte mic.Grosimea stratului tip n

16

se poate regla prin timpul de retenie n cuptor, prin temperatura de

difuzie i cantitatea de dopant.
Contactele metalice pe plcu se realizeaz prin metalizare cu un
aliaj Ti-Ag, la 600C, n stare de vapori, ntr-un cuptor cu vid avansat.
Suprafaa superioar tip n a plcuei se acoper cu o masc, avnd liber
doar cteva fii n form de degete, iar parte inferioar tip p se
metalizeaz pe toat suprafaa. Suprafaa colectorului de curent tip n
este de cel mult 5%, astfel ca razele solare s poat ptrunde masiv,
pn la jonciune. Peste plcu, n vid avansat se depune un strat
antireflectant de SiO2. Fiecare plcu astfel preparat poate genera
circa 0,5V, curentul fiind direct proporional cu suprafaa superioar
liber a plcuei. Celulele solare prin contactele metalice se leag n serii
paralele, dup voltajul cerut, formnd panourile solare. Pentru a le
proteja i a evita oxidarea contactelor metalice, panourile se acoper cu
un strat transparent de sticl, de polimer acril sau epoxidic. Un panou
solar se garanteaz pentru 10 ani de funcionare la o eficien de 14%.
Ca o variant mbuntit s-au elaborat celule solare Comsatviolete, cu lonciuni neadnci i cu un start antireflectant special pe baz
de Ta2O5 sau de TiOx. Celula rspunde la spectrul solar n lungimea de
und n domeniul violet (0,3 m).
Celulele solare CNR (Comsat Non Reflectiv), denumite celulele
solare negre, au suprafaa superioar texturizat su o form piramidal,
cu dubl reflecie.Se reduce astfel coeficientul de reflectare (0,3) al
plcuei plosate de siliciu.
Celulele solare VMJ (Vertical Multi Junction) se obin din plcue
de siliciu monocristalin, tiate sub o form dreptunghiular de 12, 22
sau 24 cm. Plcuele dreptunghiulare se prelucreaz la fel ca i
lamelele rotunde, cu jonciune p-n prin difuzie i cu contacte metalice TiAg, prin metalizare n vid avansat. la celulele solare VMJ, plcuele se
asambleaz una peste alta, dup care din partea lateral, perpendicular
pe jonciuni se taie o parte sub form de fii verticale. Jonciunile se
leag n serie electric. Suprafaa celulei solare conine astfel o serie de
jonciuni, care se ntind paralale cu razele solare. La celulele de 22 cm
cu 200 de jonciuni, se obin 100 V. Aceste celule se utilizeaz la un nivel
nalt de radiaii solare sau n spaii extraterestre, cu zone puternice de
iradiere.
Acelai efect se obine dac suprafaa superioar tip n a celulei
solare se graveaz cu anuri paralele de 5m adncime. Aceste celule
cu canelur deschis se fabric de Texas Instruments.
Energia solar fiind ciclic, celulele solare trebuie cuplate cu
instalaii cu o producie continu de electricitate, cum ar fi o hidrocentral
care ar putea prelua producia de energie pe timp de noapte. Pentru a
obine prin celule solare, fr ntrerupere, curent electric, s-a emis
17

conceptul SSPS (Satelit Solar Power Station) pentru o central solar pe

satelit. Un satelit gigant, cu celule solare pe o suprafa de de 4 km 2 cu o
anten avnd diametrul de 1 km, poate produce fr ntrerupere 10000
MWe/zi. Electricitatea produs se convertete n microunde, preluate de
o anten de recepie pe sol , cu un diametru de 7 km. Eficiena de
transmitere a curentului electric cu mijloace tehnice cunoscute astzi,
este de 31%. n prezent cea mai mare central electric bazat pe
celule solare s-a realizat n California la o putere de 1MW p. Costul
celulelor solare este foarte mare. Din costurile de producie 40-50%
revine pentru confecionarea plcilor de siliciu, la un pre al siliciului
pentru semiconductori de 180DM/kg. n limitele de impuriti admise,
aa-numitul siliciu cristalin pentru celulele solare trebuie redus la sub
20DM/kg.
Siliciul cristalin conine de 3-4 ori mai multe impuriti n
comparaie cu siliciul ultrapur i se poate obine prin patru grupe de
procedee, pe baz de siliciu metalurgic, de hexafluorsilicat i de SiO 2. La
procedeul convenional Siemens, siliciul tehnic obinut prin reducere
carbotermic este clorurat i triclorsilanul, SiHCl 3 este redus la 1050C
sub un form de bare de siliciu policristalin n reactoarele tip Siemens-C.
La un randament de 20%, consumul de energie este de 250 kWh/kg Si.
ntr-o variant de proces, Dow Corning n loc de SiHCl 3 , reduce SiH2Cl2,
diclorsilanul, la un randament dublu i la un consum de energie de 90
kWh/kg, fr s schimbe reactorul Siemens. Diclorsilanul l obine din
triclorsilan, cu schimbri de ioni i la 77C. Costul se reduce la 60-70
DM/kg Si. n Japonia, NEDO, (New Energy Development Organisation)
n loc de reactorul Siemens-C utilizeaz un pat fluidizat, reducnd astfel
consumul de energie la 30 kWh/kg Si.
Dup procedeul Union Carbid, triclorsilanul se obine din siliciu
tehnic n pat fluidizat, cu SiCl4 i H2. Dup distilare, pe schimbtori de
ioni se obine diclorsilan. Dup o nou purificare prin distilare, din
SiH2Cl2 catalitic se obine silan, SiH4, care se reduce ntr-un pat fluidizat,
cun un randament de 90%. Instalaia pilot are o capacitate de 120 t/an
Si.
ntr-un procedeu elaborat de Du Pont i preluat de Battelle,
tetraclorura de siliciu se reduce la 900C, n stare de vapori cu zinc i cu
separarea ZnCl2 prin condensare. Procedeul a fost abandonat. n
procedeul Fa. Aerochem, tetraclorura de siliciu este redus n faz
gazoas cu sodiu metalic, ntr-un reactor de grafit. Picturile de siliciu se
colecteaz ntr-un vas de cuar, iar clorura de sodiu n stare de vapori se
evacueaz din reactor. Procedeul este n curs de cercetare.
n a doua grup de procedee, tot pe baz de siliciu tehnic,
purificarea are loc prin procedee fizice. La procedeul Wacker, siliciul
tehnic n stare topit se purific de Al i Ca, prin barbotare de O 2 i Cl2.
18

n continuare, topitura este tratat cu o alt topitur de oxid de bariu sau

de sulfuri, eliminnd astfel Ti, Mn, V i borul. Pentru o purificare
avansat a borului, siliciul purificat de Al i Ca este fin mcinat i splat
cu HF/HNO3. Siliciul splat este cristalizat dintr-o topitur de Al/Si tehnic
i n stare topit este turnat n forme, pentru celule solare. n faza pilot sau obinut arje de 30-100 kg. La procedeul Heliosil i Pragma din Italia,
acest procedeu se aplic pe baz de siliciu tehnic obinut din cuar i din
crbune pur. La procedeul SERI (Solar Eneregy Research Institute), n
electrozi de cupru cu 16% Si , siliciu este reinut de Cu 3Si, care
acioneaz ca un filtru de impuriti. ntr-o celul electrolitic cu topitur
de LiF/KF/K2SiF6, siliciul de la anozii de cupru difuzeaz i se depun sub
form cristalin pe electrozii de grafit. Electroliza poate fi efectuat si la
temperatur nalt, n stare de vapori. Fotocelulele au o eficien de
circa 12%.
La a treia grup de procedee, materia prim este acidul
hexafluorsilicic, obinut la fabricarea acidului fosforic. Dup procedeul
SRI (Stanford Research Institution) cu NaF sau NaCl se obine
hexafluorsilicatul de sodiu, Na2SiF6, din care n stare topit, cu adaos de
KF, la 750C pe cale electrochimic, pe catozii de grafit se depune Si
pur. ntr-o variant de proces, din Na 2SiF6 la 800C, se obine SiF 4, care
cu vapori de Na se reduce la Si i NaF, care se elimin prin splare cu
acizi. Produdul obinut poate fi nclzit la 1440C, peste punctul de topire
al siliciului, cu separarea siliciului n faz topit. celulele solare au o
eficien de 12,5%.
La a patra grup de procedee materia prim este SiO 2, sub form
de nisip cuaros. n procedeul Wacker, cuarul n topitur de aluminiu, cu
adaos de Al2S3 pentru purificare, este redus la circa 1100C. Dup o
rcire la 650C, se separ zgura i siliciul se toarn sub form de plci
pentru celulele solare, centrifugate pentru separarea urmelor de topitur.
Plcile se purific prin splare cu acizi.
Revenind la procedeul convenional de reducere carbotermic, n
procedeul elaborat de Exxon/Elkem (norvegian), ca materie prim se
utilizeaz siliciu 99,9%, sub form de fibre de sticl i negru de fum,
purificat prin splare cu HCl fierbinte. Dup peletizarea i brichetarea lor
cu un adeziv foarte pur, siliciul redus ntr-un cuptor cu arc de 550 kVA,
cu electrozi din grafit ultra pur. ntr-un pilot s-au obinut 15 kg Si/h. Se
cerceteaz ndeprtarea total a carburii de siliciu din topitur. Eficiena
celulelor este de peste 10%.
Din punct de vedere economic, reducerea carbotermic i
purificarea siliciului tehnic par procedee mai avantajoase, fr s se
ating nivelul de 20DM/kg Si. Procedeul Union Carbid, cu reducerea
pirolitic a silanului poate fi nc luat n considerare.
19

Celulele solare obinute pe baz de siliciu policristalin, au o

eficien de 2-3%. Contactul ntre particulele policristaline inhib
curgerea electronilor, formnd centre de recombinare. Mrind
dimensiunea particulelor peste grosimea celulelor convenionale, s-ar
putea obine celule mai eficiente. Se caut s se obin celule solare i
din alte materiale semiconductoare. Dup celulele de siliciu, mai mult sau studiat cele pe baz de sulfur de cadmiu/sulfur de cupru: ntre cei
doi semiconductori n loc de jonciune p-n, se formeaz o
heterojonciune avnd energie de banda Egap de 1,4 eV, similar cu a
siliciului. Se pot obine celule solare de grosime de 20 m, prin procedee
termice simple fr a trece prin faza de monocristal, la o eficien de 58%.
Arseniura de galiu, utilizat de U.R.S.S. pentru primii satelii, are o
energie de band Egap de 1,4 eV. Celulele solare cu o jonciune p-n au
o eficien la sol de 12%. Prin heterojonciuni pe baz de GaAs/Ga 1xAlxAs, s-au obinut eficiene de 19%. Celulele sunt eficiente dar scumpe.
Semiconductori amorfi, cu mai multe straturi p-n, s-au obinut de
H. Fritzche i J. Kakalios, cu depunere cu plasm, n dou camere
separate, cu o sfer central pe care o monteaz substratul i o camer
axial. Substratul se poate roti dintr-o camer, prin camera intermediar,
n a doua camer. Un amestec de silan i fosfin ca dopant se introduce
n prima camer i cu plasm se depune un film subire de siliciu amorf
(a-Si:H) dopat-n. Plasma se ntrerupe i substratul se rotete n camera
intermediar, n care un curent de argon elimin gazele reziduale . Prin
rotirea sferei, substratul este introdus n a doua camer, n care dintr-un
amestec de silan i diboran, cu plasm, se depune pe primul film de
siliciu amorf un nou film de siliciu amorf (a-Si:H) dopat-p. Controlnd
grosimea straturilor prin timpul de edere n camere se pot obine straturi
succesive p-n, de la 28 la 280 grosime de strat. n mod similar cu
silan i silan+NH3, se pot obine straturi suprapuse de aliaj de siliciuhidrogen i siliciu-nitrur, (a-Si:H/a-SiN x)
La un semiconductor amorf, cu 11 straturi dopate-n i 10 straturi
dopate-p, la o grosime de 272 pe strat, conductivitatea la ntuneric era
de 10-6 (ohm-cm)-1. Semiconductorul amorf expus cteva secunde la
lumin, la temperatura camerei, avea o conductivitate de peste 10 -3
(ohm-cm)-1. La ntuneric, conductivitatea revine la valoarea iniial.
Creterea de peste 100 de ori a fotoconductivitii persistente, se explic
parial prin modelul Dhler, prin dou procese de recombinare, rezultnd
scderea conductivitii la ntuneric. Fenomenul se cerceteaz n
continuare, fr a i se atribui nc o valoare practic.

20

5. Conversia energiei solare n alte forme de

energie
La conversia direct a energiei solare n electricitate n afar de
efectul fotovotaic, ca variante utilizate sunt: efectul fotoemisiv, efectul
fotogalvanic i efectul fotomagnetic.
Efectul fotoemisiv se realizeaz prin ejectarea electronilor de pe
suprafaa unui corp solid sau lichid, datorit unor radiaii
electromagnetice incidente. Fotonii sunt absorbii de electronii de pe
suprafaa unui corp. Energia maxim a electronilor depind nivelul
Fermi de energie, (Ef), trec ntr-o zon mai ridicat, (Em), din care pot
scpa. Efectul de fotoemisie crete prin defecte de structur cristalin,
indus prin introducerea unui gol de ion negativ n structur. se
formeaz centre de culoare prin absorbie de lumin i stri de excitare,
cu transfer de energie la aceste centre, care asfel pot ejecta electronii la
suprafa. Fotoemisia prin excitare indus poate exista n anumite
metale, n semiconductori i n halogenurile alcaline.
Efectul fotogalvanic are loc ntr-o soluie cu un colorant i un
reductor adecvat. n celula forogalvanic avem doi electroziineri din
care unul n raze solare i al doilea n ntuneric. Colorantul purpuriu,
tionina, sub aciunea razelor este redus la ioni feroi, la leucotionina
incolor, cu transfer de electroni. La electrodul negativ fr lumin are
loc o reacie invers. Soluia decolorat fa de cea purpurie, are un
potenial cu 0,4 V mai puin. Datorit diferenei de potenial, n circuitzul
exterior avem curent electric, prin scurgerea electronilor spre electrodul
ntunecat.
La conversia fotomagnetic, o plac dee cupru racit criogenic, ntrun cmp magnetic tangenial, primete raze de lumin n direcie axial.
Se creeaz o diferen de potenial, n direciile perpendiculare pe
cmpul magnetic i pe cmpul luminos, deci un curent electric.
Energia solar se poate converti n cldur, dup care cldura se
poate converti n electricitate, direct asu indirect. Procedeele fizice de
conversie a cldurii sunt: termoelectricitatea, efectul termiionic, efectul
magnetohidrodinamic, efectul electrodinamic i feroelectricitatea.
Termoelectricitatea se bazeaz pe efectul SeebeckI, deci pe
diferena de voltaj ntre dou metale sau semiconductori, la temperaturi
diferite. electronii n corpul cald au o energie cinetic mai ridicat, deci o
mai mare vitez i ca atare difuzeaz spre corpul rece. Se formeaz o
for electromotoric, denumit voltaj Seebeck, care crete pn la
scurgerea electronilor. Un sistem termoelectric are un convertor care
concentreaz energia solar, care se stocheaz ntr-un material

21

adecvat, cum ar fi hidrura de litiu. Energia termic se scurge apoi spre

un radiator prin termoelemente.
Efectul termiionic apare prin eliberarea electronilor de pe o
suprafa metalic cald, emitorul, care migreaz spre un colector,
cednd astfel anodului energia subform de cldur. Diferena ntre
nivelul energetic al emitorukui i al colectorului se transform n curent
electric. Un sistem termiionic solar se compune dintr-un concentrator
solar, o cavitate cilindric coninnd celulele termiionice cu o suprafa
ceramic, legat de un metal refractar exterior, care formeaz catodul.
Cldura utilizat pentru ionizarea unui gaz se poate transforma n
electricitate prin procedeul MHD, magnetohidrodinamic. Generatorul de
putere MHD convertete direct n electricitate energia cinetic i termic
al unui conductor, gazul ionizat, care se scurge n prezena unui cmp
magnetic. Efectul MHD se bazeaz pe faptul c un ion pozitiv
transportat n contra unui cmp electric prin intermediul unui curent
neutral de gaze calde.
Generarea de for feroelectric se bazeaz pe schimbarea
gradului de permeabilitate al unui corp dielectric, sub influena
temperaturii, cu conversia energiei termice n electricitate. conversia are
loc datorit efectului Nernst, cu generare de emf ntre capetele a dou
corpuri, perpendicular pe direcia fluxului de cldur i pe cmpul
magnetic.
n general, n orice reaciereversibil indus prin soare poate
forma baza unui proces de conversie. Energia necesar trebuie s fie
egal cu energia de excitare a moleculei, avnd un nivel de 40-100
kcal/mol. Poate fi convertit astfel lumina vizibil i ultraviolet.
procedeele primare fotochimice cuprind opt variante posibile:
rearanjarea intermolecular la un produs stabil; fotoizomerizarea;
procese fotofizice, fotoionizri; descompunere de molecule neexcitate;
fotoconducia n solide; fotofomoliza sau formarea de radicali liberi i
transferul de electroni.
Prima reacie nu este reversibil. A doua reacie este un proces de
joas energie i poate fi o metod eficient pentru conversia de energie.
Fotoionizarea este o reacie de energie ridicat i se poate aplica la
cesiu. Fluorescena este un exemplu de proces fotofizic i poate fi util
pentru conversia energiei solare. Electrozii pot fi acoperii cu o substan
fluorescent i supus la razele solare. Rezult o diferen de potenial
ntre electrozi, deci un curent electric.
Descompunerea de molecule neexcitate sub aciunea luminii se
poate efectua prin transfer de electroni, sau prin rupere de legtur cu
formare de radicali liberi. Reacii de transfer de electroni au loc adesea
sub aciunea luminii ultraviolete.
22

Generare de energie fotovoltaic este un exemplu de

fotoconducie n corpuri solide. Fotohomoliza este unul din procedeele
care permit stocarea energiei solare dup conversie. ca exemplu se
poate da fotoliza clorurei de nitrozil, o reacie reversibil i endoterm.
Conversia prin energie fotogalvanic este un exemplu tipic de reacie cu
transfer de electroni.

23